JP5826353B2 - 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ - Google Patents
半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ Download PDFInfo
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 97
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 title description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 45
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 221
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 80
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/4557—Heated nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
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Description
適用例1:半導体材料処理装置用のシャワーヘッド電極であって、上面と、前記上面及び底面に設置されたガス注入口と、前記ガス注入口と流体連結する少なくとも1つのプレナムを備える前記底面と、を備える半導体材料の上部電極と、前記上部電極の前記底面に結合された上面と、プラズマに曝される底面と、前記プレナムと流体連結する複数のガス孔と、を備える半導体材料の底部電極と、を備える、ことを特徴とするシャワーヘッド電極。
適用例2:前記上部電極及び前記底部電極は、単結晶シリコン、多結晶シリコン、SiC又はSiNを含む、ことを特徴とする適用例1に記載のシャワーヘッド電極。
適用例3:前記上部電極及び前記底部電極はそれぞれ単結晶シリコンを含み、前記底部電極の前記上面は、前記上部電極の前記底面に拡散接合され、シリコン又は酸化ケイ素のみが、前記上部電極の前記底面と前記底部電極の前記上面との間にある、ことを特徴とする適用例1に記載のシャワーヘッド電極。
適用例4:前記上部電極の前記底面は、第1プレナムと、前記第1プレナムから半径方向外側に間隔をあけて設置され、放射状の第1ガス流路を介して前記第1プレナムと流体連結する第2プレナムと、を少なくとも含む複数のプレナムを備え、前記底部電極は、前記第1プレナムと流体連結する第1ガス孔と前記第2プレナムと流体連結する第2ガス孔とを含む、ことを特徴とする適用例1に記載のシャワーヘッド電極。
適用例5:前記第2プレナムから半径方向外側に間隔をあけて設置され、放射状の第2ガス流路を介して前記第2プレナムと流体連結し、かつ、前記第1プレナムとも流体連結する第3プレナムと、前記第3プレナムと流体連結する、前記底部電極内の第3ガス孔と、をさらに備え、前記第2プレナム及び前記第3プレナムは、前記上部電極の前記底面内の環状流路である、ことを特徴とする適用例4に記載のシャワーヘッド電極。
適用例6:半導体材料処理装置用のシャワーヘッド電極アセンブリであって、底面と、処理ガス供給部及び加熱ガス供給部と流体連結するように構成された第1ガス流路と、熱伝達ガス供給部と流体連結するように構成された第2ガス流路と、を含む上部プレートと、前記上部プレートから弾力的に吊り下げられている半導体材料のシャワーヘッド電極と、を備え、前記シャワーヘッド電極は、前記第2流路と流体連結するが前記第1流路とは流体連結しない間隙により前記上部プレートの前記底面から間隔をあけて設置された上面と、ガス孔を含むプラズマに曝される底面と、前記第1ガス流路及び前記ガス孔と流体連結するが前記第2ガス流路とは流体連結しないガスマニホールドと、を備える、ことを特徴とするシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例7:前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面との間に配置された少なくとも2つの半径方向に間隔をあけて設置されたシールをさらに備え、前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面と前記シールとは、前記第1ガス流路及び前記ガス注入口との流れを遮断する前記間隙を画定する、ことを特徴とする適用例6に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例8:前記間隙は、当該間隙全体にわたって放射状に約25μmから約150μmの範囲の一定の高さを有する、ことを特徴とする適用例6に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例9:前記間隙内に配置された少なくとも3つのローラをさらに備え、前記ローラは、前記間隙の前記一定の高さを維持し、前記シャワーヘッドアセンブリの熱膨張時に前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面との摩擦接触を最小限に抑える、ことを特徴とする適用例7に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例10:前記シャワーヘッド電極は、前記シャワーヘッド電極アセンブリの熱膨張及び収縮の少なくともいずれかに適応するように半径方向に弾力的な少なくとも2つの支持ブラケットによって前記上部プレートから弾力的に吊り下げられる、ことを特徴とする適用例6に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例11:前記支持ブラケットは、少なくとも1つのプラズマに曝される表面と、前記プラズマに曝される表面上のコーティングとを備え、前記コーティングは、耐食性、耐摩耗性かつ汚染をもたらさない材料を含む、ことを特徴とする適用例10に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例12:前記シャワーヘッド電極は、前記底部電極に接合された上部電極を備える、ことを特徴とする適用例6に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例13:前記上部電極及び前記底部電極は、互いに拡散接合され、シリコン及び随意の酸化ケイ素からなる、ことを特徴とする適用例12に記載のシャワーヘッド電極アセンブリ。
適用例14:プラズマ処理チャンバであって、適用例6に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリと、前記第1ガス流路と流体連結する前記処理ガス供給部と、前記第1ガス流路と流体連結し、前記第1ガス流路に加熱ガスを供給し、前記第1ガス流路から前記加熱ガスを排出するように構成されている前記加熱ガス供給部と、前記第2ガス流路と流体連結し、熱伝達ガスを前記間隙へ供給し、随意に前記熱伝達ガスを前記間隙から排出するように構成されている前記熱伝達ガス供給部と、を備える、ことを特徴とするプラズマ処理チャンバ。
適用例15:前記加熱ガス供給部は、前記第1ガス流路と流体連結する第1ガス管路と流体連結する加熱ガス供給源と、前記加熱ガスを予熱するために前記第1ガス管路に沿って設置されているヒータと、前記第1ガス管路に沿って設置され、前記第1ガス流路から前記加熱ガスを排出するように動作可能な第1ポンプと流体連結する随意の第1弁とを備え、前記熱伝達ガス供給部は、前記第2ガス流路と流体連結する第2ガス管路と流体連結する熱伝達ガス供給源と、前記第2ガス管路に沿って設置され、前記間隙から前記熱伝達ガスを排出するように動作可能な第2ポンプと流体連結する第2弁とを備える、ことを特徴とする適用例14に記載のプラズマ処理チャンバ。
適用例16:前記シャワーヘッド電極から間隔をあけて設置され、基板を支持するように構成された支持表面を含む基板支持アセンブリと、前記シャワーヘッド電極の前記底面と前記支持表面との間でプラズマ閉じ込めゾーンを画定するように設けられた閉じ込めリングアセンブリと、をさらに備える、ことを特徴とする適用例14に記載のプラズマ処理チャンバ。
適用例17:適用例6に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリを備えるプラズマ処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、前記加熱ガス供給部から前記第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に予熱された加熱ガスを供給して前記シャワーヘッド電極を加熱する工程と、前記加熱ガスを前記第1ガス流路に供給することを終了する工程と、前記処理ガス供給部から前記第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に前記処理ガスを供給する工程と、前記処理ガスを活性化して前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを生成させて、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持部材上に配置されている基板をプラズマ処理する工程と、前記プラズマの生成の間、前記熱伝達ガス供給部から前記第2ガス流路を介して前記間隙に前記熱伝達ガスを供給して前記シャワーヘッド電極から熱を伝達する工程と、を含むことを特徴とする方法。
適用例18:前記予熱された加熱ガスは、約100℃から約500℃までの温度を有し、前記シャワーヘッド電極は、前記基板の直径より少なくとも約50mm大きい直径を有する、ことを特徴とする適用例17に記載の方法。
適用例19:シャワーヘッド電極を含むシャワーヘッド電極アセンブリを備えるプラズマ処理チャンバ内で半導体基板を処理する方法であって、加熱ガス供給部から前記シャワーヘッド電極アセンブリ内の第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に予熱された加熱ガスを供給して前記シャワーヘッド電極を加熱する工程と、前記加熱ガスを前記シャワーヘッド電極に供給することを終了する工程と、処理ガス供給部から前記第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に処理ガスを供給する工程と、前記処理を活性化して前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを生成させて、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持部材上に配置されている基板をプラズマ処理する工程と、前記プラズマの生成の間、熱伝達ガス供給部から前記シャワーヘッド電極アセンブリ内の第2ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極アセンブリに熱伝達ガスを供給して前記シャワーヘッド電極から熱を伝達する工程と、を含み、前記第1ガス流路は前記第2ガス流路から流れが遮断されている、ことを特徴とする方法。
適用例20:前記予熱された加熱ガスは、約100℃から約500℃までの温度を有し、前記シャワーヘッド電極は、前記基板の直径より少なくとも約50mm大きい直径を有する、ことを特徴とする適用例19に記載の方法。
Claims (13)
- 半導体材料処理装置用のシャワーヘッド電極アセンブリであって、
底面と、処理ガス供給部及び加熱ガス供給部と流体連結するように構成されている第1ガス流路と、熱伝達ガス供給部と流体連結するように構成されている第2ガス流路と、を含む上部プレートと、
前記上部プレートとは別個の半導体材料のシャワーヘッド電極と、
を備え、
前記シャワーヘッド電極は、前記上部プレートから弾力的に吊り下げられ、上部電極及び底部電極と、前記第2ガス流路と流体連結するが前記第1ガス流路とは流体連結しない間隙により全面が前記上部プレートの前記底面から間隔をあけて設置されている上面と、ガス孔を含むプラズマに曝される底面と、前記第1ガス流路及び前記ガス孔と流体連結するが前記第2ガス流路とは流体連結しないガスマニホールドと、を備える、シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、さらに、前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面との間に配置されている少なくとも2つの半径方向に間隔をあけて設置されているシールを備え、
前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面と前記シールとは、前記第1ガス流路及び前記上部電極の上面と底面とに配置されたガス注入口とは流れが分離されている前記間隙を画定する、シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記間隙は、その全体にわたって放射状に25μmから150μmの範囲の一定の高さを有する、シャワーヘッド電極アセンブリ。
- 請求項3に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、さらに、前記間隙内に配置されている少なくとも3つのローラを備え、
前記ローラは、前記間隙の前記一定の高さを維持し、前記シャワーヘッド電極アセンブリの熱膨張時に前記上部プレートの前記底面と前記シャワーヘッド電極の前記上面との摩擦接触を最小限に抑える、シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記シャワーヘッド電極は、前記シャワーヘッド電極アセンブリの熱膨張及び収縮の少なくともいずれかに適応するように半径方向に弾力的な少なくとも2つの支持ブラケットによって前記上部プレートから弾力的に吊り下げられている、シャワーヘッド電極アセンブリ。
- 請求項5に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記支持ブラケットは、少なくとも1つのプラズマに曝される表面と、前記プラズマに曝される表面上のコーティングとを備え、
前記コーティングは、耐食性、耐摩耗性かつ汚染をもたらさない材料を含む、シャワーヘッド電極アセンブリ。 - 請求項1に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記シャワーヘッド電極は、前記底部電極に接合されている上部電極を備える、シャワーヘッド電極アセンブリ。
- 請求項7に記載のシャワーヘッド電極アセンブリにおいて、前記上部電極及び前記底部電極は、互いに拡散接合され、シリコン及び随意の酸化ケイ素からなる、シャワーヘッド電極アセンブリ。
- プラズマ処理チャンバであって、
請求項1に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリと、
前記第1ガス流路と流体連結する前記処理ガス供給部と、
前記第1ガス流路と流体連結し、前記第1ガス流路に加熱ガスを供給し、前記第1ガス流路から前記加熱ガスを排出するように構成されている前記加熱ガス供給部と、
前記第2ガス流路と流体連結し、熱伝達ガスを前記間隙へ供給し、随意に前記熱伝達ガスを前記間隙から排出するように構成されている前記熱伝達ガス供給部と、
を備える、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項9に記載のプラズマ処理チャンバにおいて、前記加熱ガス供給部は、前記第1ガス流路と流体連結する第1ガス管路と流体連結する加熱ガス供給源と、前記加熱ガスを予熱するために前記第1ガス管路に沿って設置されているヒータと、前記第1ガス管路に沿って設置され、前記第1ガス流路から前記加熱ガスを排出するように動作可能な第1ポンプと流体連結する随意の第1弁とを備え、
前記熱伝達ガス供給部は、前記第2ガス流路と流体連結する第2ガス管路と流体連結する熱伝達ガス供給源と、前記第2ガス管路に沿って設置され、前記間隙から前記熱伝達ガスを排出するように動作可能な第2ポンプと流体連結する第2弁とを備える、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項9に記載のプラズマ処理チャンバにおいて、さらに、前記シャワーヘッド電極から間隔をあけて設置され、基板を支持するように構成されている支持表面を含む基板支持アセンブリと、
前記シャワーヘッド電極の前記底面と前記支持表面との間でプラズマ閉じ込めゾーンを画定するように設けられた閉じ込めリングアセンブリと、
を備える、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載の前記シャワーヘッド電極アセンブリを備えるプラズマ処理チャンバ内において半導体基板を処理する方法であって、
前記加熱ガス供給部から前記第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に対して予熱された加熱ガスを供給して前記シャワーヘッド電極を加熱し、
前記加熱ガスを前記第1ガス流路に供給することを終了し、
前記処理ガス供給部から前記第1ガス流路を介して前記シャワーヘッド電極に前記処理ガスを供給し、
前記処理ガスを活性化して前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを生成させて、前記プラズマ処理チャンバ内の基板支持部材上に配置されている基板をプラズマ処理し、
前記プラズマの生成の間、前記シャワーヘッド電極から熱を伝達するために、前記熱伝達ガス供給部から前記第2ガス流路を介して前記間隙に前記熱伝達ガスを供給すること、
を備える方法。 - 請求項12に記載の方法において、前記予熱された加熱ガスは、100℃から500℃までの温度を有し、
前記シャワーヘッド電極は、前記基板の直径より少なくとも50mm大きい直径を有する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/730,298 US8069817B2 (en) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses |
US11/730,298 | 2007-03-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010500976A Division JP5656626B2 (ja) | 2007-03-30 | 2008-03-27 | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015029132A JP2015029132A (ja) | 2015-02-12 |
JP5826353B2 true JP5826353B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=39795184
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010500976A Active JP5656626B2 (ja) | 2007-03-30 | 2008-03-27 | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
JP2014202833A Active JP5826353B2 (ja) | 2007-03-30 | 2014-10-01 | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010500976A Active JP5656626B2 (ja) | 2007-03-30 | 2008-03-27 | 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8069817B2 (ja) |
JP (2) | JP5656626B2 (ja) |
KR (2) | KR101570633B1 (ja) |
CN (1) | CN101663417B (ja) |
TW (2) | TWI503444B (ja) |
WO (1) | WO2008121288A1 (ja) |
Families Citing this family (55)
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-
2007
- 2007-03-30 US US11/730,298 patent/US8069817B2/en active Active
-
2008
- 2008-03-27 KR KR1020147032332A patent/KR101570633B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-27 KR KR1020097022752A patent/KR101512524B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-27 CN CN2008800110216A patent/CN101663417B/zh active Active
- 2008-03-27 JP JP2010500976A patent/JP5656626B2/ja active Active
- 2008-03-27 WO PCT/US2008/003970 patent/WO2008121288A1/en active Application Filing
- 2008-03-28 TW TW102145178A patent/TWI503444B/zh active
- 2008-03-28 TW TW097111315A patent/TWI512135B/zh active
-
2011
- 2011-10-28 US US13/284,297 patent/US8443756B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-01 JP JP2014202833A patent/JP5826353B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120045902A1 (en) | 2012-02-23 |
JP5656626B2 (ja) | 2015-01-21 |
KR20140146212A (ko) | 2014-12-24 |
CN101663417B (zh) | 2013-12-11 |
JP2015029132A (ja) | 2015-02-12 |
TW201414870A (zh) | 2014-04-16 |
JP2010524205A (ja) | 2010-07-15 |
KR101512524B1 (ko) | 2015-04-15 |
WO2008121288A1 (en) | 2008-10-09 |
KR101570633B1 (ko) | 2015-11-20 |
US20080242085A1 (en) | 2008-10-02 |
TWI503444B (zh) | 2015-10-11 |
KR20100016083A (ko) | 2010-02-12 |
US8069817B2 (en) | 2011-12-06 |
US8443756B2 (en) | 2013-05-21 |
CN101663417A (zh) | 2010-03-03 |
TW200902751A (en) | 2009-01-16 |
TWI512135B (zh) | 2015-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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