TWI503444B - 半導體基板處理方法 - Google Patents

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TWI503444B TW102145178A TW102145178A TWI503444B TW I503444 B TWI503444 B TW I503444B TW 102145178 A TW102145178 A TW 102145178A TW 102145178 A TW102145178 A TW 102145178A TW I503444 B TWI503444 B TW I503444B
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Description

半導體基板處理方法
本發明係關於一種噴淋頭電極與噴淋頭電極組件，尤有關於具有低微塵粒特性的噴淋頭電極與噴淋頭電極組件。
在半導體材料處理的領域中，使用包含真空處理室之半導體材料處理設備，舉例來說，用於基板上各種材料之蝕刻及化學氣相沉積(CVD)，及用於光阻去除。上述某些處理在諸如此類的處理室中利用侵蝕性及腐蝕性處理氣體及電漿。吾人期望能將腔室中所處理之基板的微塵粒及/或金屬污染極小化。因此，吾人期望此類設備之處理暴露元件具有低微塵粒特性。
用於半導體材料處理設備之一噴淋頭電極的一實施例包含：半導體材料的一上電極，該上電極包括一上表面、在該上表面處的一氣體入口、以及一下表面，該下表面包含與該氣體入口呈流體連通的至少一氣室；及半導體材料的一下電極，該下電極包括接合至該上電極之該下表面的一上表面、一電漿暴露下表面、以及複數之氣體孔，該複數之氣體孔穿過該下電極並與該氣室呈流體連通。
用於半導體材料處理設備之一噴淋頭電極組件的一實施例包含：一上板，該上板包括一下表面、一用以與一處理氣體供應部及一加熱氣體供應部呈流體連通的第一氣體通道、及一用以與一熱傳遞氣體供應部呈流體連通的第二氣體通道；及撓性懸吊在該上板上的一噴淋頭電極，該噴淋頭電極包括一上表面、包含氣體孔之一電漿暴露下表面、以及一氣體歧管，該上表面與該上板之該下表面隔開一間隙，該間隙與該第二通道而非該第一 通道呈流體連通，該氣體歧管與該第一氣體通道及該氣體孔呈流體連通，但該氣體歧管不與該第二氣體通道呈流體連通。
在電漿處理室中處理半導體基板之方法的例示性實施例，該電漿處理室包含具有噴淋頭電極之一噴淋頭電極組件，該方法包含：將來自一加熱氣體供應部之一預熱的加熱氣體，經由該噴淋頭電極組件中的一第一氣體通道提供至該噴淋頭電極，俾加熱該噴淋頭電極；終止供應至該噴淋頭電極的該加熱氣體；將來自一處理氣體供應部的一處理氣體，經由該第一氣體通道提供至該噴淋頭電極；激發該處理氣體以於該電漿處理室中產生電漿，來對配置在該電漿處理室中之一基板支撐上的一基板進行電漿處理；及將來自一熱傳遞氣體供應部之一熱傳遞氣體，經由該噴淋頭電極組件中的一第二氣體通道提供至該噴淋頭電極組件，俾於該電漿產生期間傳遞來自該噴淋頭電極的熱量，其中將該第一氣體通道與該第二氣體通道予以流動隔離。
10‧‧‧電漿處理室
20‧‧‧噴淋頭電極組件
21‧‧‧上板
22‧‧‧基板支撐組件
24‧‧‧噴淋頭電極
26‧‧‧下電極
28‧‧‧處理氣體供應
30‧‧‧氣體通道
32‧‧‧基板
34‧‧‧表面
36‧‧‧電漿限制環組件
38‧‧‧電漿限制區域
40‧‧‧上電極
42‧‧‧下電極
46‧‧‧托架
48‧‧‧上表面
50‧‧‧下表面
52‧‧‧氣體入口
54‧‧‧下表面
56‧‧‧第一氣室
58‧‧‧第二氣室
60‧‧‧第三氣室
62‧‧‧氣體通道
64‧‧‧氣體通道
66‧‧‧氣體孔
68‧‧‧氣體孔
70‧‧‧氣體孔
72‧‧‧溫度控制液體供應
73‧‧‧液體通道
76‧‧‧間隙
78‧‧‧密封件
80‧‧‧密封件
82‧‧‧滾輪
84‧‧‧底部
86‧‧‧熱傳遞氣體供應源
88‧‧‧氣體管線
90‧‧‧氣體通道
92‧‧‧閥
94‧‧‧真空泵
96‧‧‧加熱氣體供應
98‧‧‧氣體管線
100‧‧‧加熱器
102‧‧‧閥
104‧‧‧真空泵
106‧‧‧安裝環
108‧‧‧電漿限制環
110‧‧‧掛鉤
114‧‧‧RF電源
116‧‧‧RF電源
118‧‧‧氣體管線
圖1說明電漿處理室的例示性實施例。
圖2為圖1中所示噴淋頭電極組件之上電極的底視平面圖。
圖3為圖1中所示噴淋頭電極組件之下電極的底視平面圖。
茲說明用於半導體材料處理設備之噴淋頭電極與噴淋頭電極組件，以及在包含噴淋頭電極組件之實施例的電漿處理室中處理半導體材料的方法。噴淋頭電極組件提供具有電極溫度控制之低微塵粒特性。噴淋頭電極組件具有模組式的設計。噴淋頭電極組件的某些實施例具有多重區域氣體注入能力。
圖1描繪出用於處理半導體材料基板(例如具有200mm或300mm直徑的半導體晶圓)之電漿處理設備之電容耦合電漿處理室10的例示性實施例。如圖1所示，噴淋頭電極組件20係配置在基板支撐組件22上方。噴淋頭電極組件20包含上板21及噴淋頭電極24，而基板支撐組件22包含下電極26。電漿處理室10包含具有處理氣體供應28之處理氣體供應部，用 以經由上板21中之氣體通道30將處理氣體供應至噴淋頭電極24。在電漿處理期間，提供功率至下電極26以活化被導入電漿處理室10之處理氣體，並產生電漿以處理支撐在基板支撐組件22之表面34上的基板32。如圖1所示，電漿處理室之實施例包含電漿限制環組件36，其被建構以將電漿限制在界定於噴淋頭電極24與基板支撐組件22之間的電漿限制區域38中。
在實施例中，噴淋頭電極24包含裝設至下電極42的上電極40。上電極40及下電極42典型上為圓形板。噴淋頭電極24由托架46吊在上板21上，以使上電極40之上表面48與上板21之下表面50間隔開。可將托架46固定至上板21及噴淋頭電極24。在另一實施例中，可將托架46固定至上板21但不裝設至噴淋頭電極24，使得噴淋頭電極24被支撐在托架46上。
在實施例中，上電極40包含與形成在噴淋頭電極24中之氣體歧管呈流體連通的單一氣體入口52。氣體歧管包含形成在上電極40之下表面54中的至少一氣室。在包含超過一個氣室的實施例中，該等氣室彼此呈流體連通。在實施例中，氣體歧管包含三個氣室，那就是：第一氣室56，最好是位在下表面54的中央；及第二氣室58與第三氣室60，與第一氣室56沿徑向隔開。在其他實施例中，上電極40能夠包含僅僅一個單一氣室，又或是超過兩個氣室圍繞著第一氣室56。如圖2所示，第一氣室56具有圓形形狀，而第二氣室58及第三氣室60為同心的環狀通道。上電極40包含：在周圍隔開、徑向的氣體通道62，俾在第一氣室56與第二氣室58之間提供流體連通；及在周圍隔開、徑向的氣體通道64，俾在第二氣室58與第三氣室60之間提供流體連通。在實施例中，將徑向氣體通道62、64加以對齊。可將氣體入口52、氣室56、58、60及徑向氣體通道62、64加以機器製造在上電極40中。
第一氣室56、第二氣室58及第三氣室60具有合適容積以達到所欲之氣體壓力條件。例如，第二氣室58所具有的容積大過於第一氣室56的容積，而第三氣室60所具有的容積大過於第二氣室58的容積。上電極40與下電極42可具有約略相同的厚度或是不同的厚度。
氣體歧管係用以同時將氣體供應至下電極42中的氣體孔。如圖1及3所示，下電極42包含氣體孔66、68、70，氣體孔66、68、70延伸穿過下電極42並以同心圓方式加以配置，氣體孔66、68、70的各群組皆包含複 數之在周圍隔開的氣體孔。氣體孔66與第一氣室56呈流體連通；兩組氣體孔68與第二氣室58呈流體連通；而兩組氣體孔70與第三氣室70呈流體連通。在其他實施例中，下電極42可包含單一組或超過兩組的氣體孔68、70與各自的第二氣室58及/或第三氣室60呈流體連通。在實施例中，氣室56、58、60提供氣體流動區。在其他實施例中，噴淋頭電極組件20可包含超過一個的氣體流動區，例如至少一內部氣體流動區及圍繞內部氣體流動區之一外部氣體流動區。例如，可將內部氣體流動區限定在噴淋頭電極的特定半徑內，而就噴淋頭電極之相鄰徑向部分來說，外部氣體流動區可重複內部氣體流動區。多重氣體流動區容許基板32之中央與邊緣(或中間範圍)部分之間，獨立的氣體流動控制。
上電極40與下電極42可由任何合適的半導體材料組成，例如單晶矽、多晶矽、SiC、SiN等等。上電極40與下電極可由不同材料組成。高純度、單晶矽使基板的污染降到最低，並且在電漿處理期間亦平穩地耐磨，因而使微塵粒降至最低。較佳的情況是上電極40與下電極42係由單晶矽組成並彼此擴散接合。較佳的情況是在上電極40與下電極42之間，除了矽或氧化矽以外，不使用外來的接合材料。因此，相較於使用其他外來的接合材料，擴散接合的噴淋頭電極提供關於減少之晶圓污染的好處。
在實施例中，最好是用液體將上板21冷卻以控制其溫度。如圖1所示，上板21可包含與溫度控制液體供應72呈流體連通之一或更多液體通道(例如經由液體通道73)。如水之冷卻液體典型上可具有的溫度約17℃至約20℃。上板21最好是不包含內建的加熱器。
如圖1所示，在上板21之下表面50與上電極40之上表面48之間形成間隙76(即，開放空間)。可將到達噴淋頭電極24之電漿的RF能量電容耦合至噴淋頭電極24，越過間隙76電容耦合至代表RF接地端的上板21。如O型環等等之密封件78、80係位於下表面50與上表面48之間以形成壓密氣體密封件。密封件78隔開間隙76與處理氣體入口52，而密封件80隔開間隙76與電漿處理室10之外部部件。可將額外的密封件設置於上板21與上電極40之間，俾容許多重處理氣體區域注入、或是噴淋頭電極24的多重區域溫度控制。對於每一處理氣體區域可添加一額外的密封件。
噴淋頭電極組件20包含位於上板21之下表面50與上電極40之上表 面48間的滾輪82。將滾輪82加以設置以維持間隙76的預設高度，且亦容納噴淋頭電極組件20的熱膨脹。滾輪82係座落在形成於上板21之下表面50的凹處中。例如，可將收納於各凹處的三或更多滾輪82排列在一圓圈中。滾輪82最好是球形，其能夠在噴淋頭電極組件20的熱膨脹中旋轉，俾極小化與上板21及上電極40的摩擦接觸。
滾輪82可包含任何合適的材料，其包括金屬(如不鏽鋼)、陶瓷及聚合物(如聚四氟乙烯)。在包含金屬滾輪82的實施例中，吾人期望在某些應用裡於凹處中提供電性絕緣體，俾防止上板21與金屬滾輪之間的電性接觸。
上板21之下表面50與上電極40之上表面48間的間隙76較佳的高度約25μm至約150μm，例如約50μm至約100μm。下表面50及上表面48最好是非常平滑且平面的，俾沿徑向橫過整個間隙，維持間隙76固定之高度。
在實施例中，將噴淋頭電極24藉由托架46靈活地吊在上板21上。圖1所示的例示性L形支撐托架46包含一底部84，在此底部24上支撐著噴淋頭電極24的下電極42。最好是只有支撐托架46的底部84與噴淋頭電極24接觸。支撐托架46包含夠薄且夠撓性的材料，俾對應支撐托架46與上板21間的最小摩擦作用來容納噴淋頭電極組件20的熱膨脹及/或收縮。在諸如此類的熱膨脹及/或收縮期間，托架46可橫向(即沿徑向)收縮。例如，支撐托架46可包含一金屬材料，其可提供上板21與噴淋頭電極24間的DC傳導。為了要將托架所造成腔室污染的可能性降到最低，托架的任何電漿暴露表面可塗佈有抗腐蝕、耐磨損以及污染中性的材料，例如石英、氧化釔、矽、SiC、氧化鋁或聚合材料。
在實施例中，當電漿OFF(如工具閒置及晶圓運送時期)及當電漿ON(於生產晶圓處理期間)時，噴淋頭電極組件20係用以與加熱或冷卻噴淋頭電極24的元件組合，俾控制噴淋頭電極24的溫度。加熱及冷卻元件係空間上與噴淋頭電極24隔開，俾消除這些特徵與噴淋頭電極24的物理接觸。噴淋頭電極組件20不含有熱控制元件(如電阻式加熱器或高溫冷卻機)於與噴淋頭電極24的物理接觸中。在噴淋頭電極組件20中，藉由空間上將加熱及冷卻元件與噴淋頭電極24隔開，可以消除加熱及冷卻元件與噴淋頭電極24間由物理接觸(如滑動接觸)所造成微塵粒污染的可能性。
在實施例中，將包含熱傳遞氣體供應源86的熱傳遞氣體供應部加以配 置，使其經由氣體管線88及上板21中的氣體通道90而與形成在上板21與上電極40間的間隙76呈流體連通。在電漿處理期間，當使用高功率位準以產生電漿時，噴淋頭電極24的溫度可高達約160℃至約170℃。可操作熱傳遞氣體供應部，俾能提供來自熱傳遞氣體供應源86的熱傳遞氣體以填滿間隙76。將熱傳遞氣體限制在上板21之下表面50、上電極40之上表面48與密封件78、80之間所限定之區域的間隙76中。熱傳遞氣體最好是氦，其具有高流動性以傳遞熱量。將熱量從下電極42傳導到上電極40再傳導到熱傳遞氣體，俾控制下電極42的溫度。較佳的情況是：只有當電漿處理室10中之電漿ON時，提供熱傳遞氣體至間隙76，俾能傳遞來自噴淋頭電極24的熱量以補償電漿的加熱效應；並且在電漿OFF時，從間隙76將熱傳遞氣體排出。
為了要將間隙76的熱傳遞氣體排出，熱傳遞氣體供應部包含沿氣體管線88配置的閥92及真空泵94，俾經由氣體通道90及氣體管線88將間隙76的熱傳遞氣體排出。
如圖1所示，在實施例中，亦將包含加熱氣體供應96的加熱氣體供應部加以配置，使其經由氣體管線98及上板21中的氣體通道30而與噴淋頭電極24呈流體連通。加熱氣體供應部包含沿氣體管線98配置的加熱器100，俾在加熱氣體供應至噴淋頭電極24之前，將加熱氣體預熱至所欲之溫度。加熱器100位於真空外部及電漿處理室10的RF返回路徑。將加熱氣體預熱到夠高的溫度(如約100℃至約500℃)並提供有夠高的流率(如至少約2000sccm)，俾將噴淋頭電極加熱到所欲之溫度。加熱氣體最好具有高比熱且可為C4 F8 、氮等等。從加熱氣體供應96經由氣體管線98及氣體通道30提供加熱氣體至第一氣室56，並且經由徑向氣體通道62、64分配至第二氣室58及第三氣室60，且由此分配至下電極42中的氣體孔66、68、70。加熱氣體可有效地加熱噴淋頭電極24以控制其溫度。
較佳的情況是只有當電漿OFF時，提供加熱氣體以加熱噴淋頭電極24。在處理生產晶圓之前，終止加熱氣體的供應。加熱氣體供應部亦可選擇性地包含沿氣體管線98配置的閥102及真空泵104，俾能在將來自處理氣體供應28的處理氣體提供至噴淋頭電極24之前，將來自氣體通道30的加熱氣體排出。在另一實施例中，在早於處理開始之前，可操作電漿處理 室10中的真空泵以排空加熱氣體。
在電漿處理操作之前及其期間，處理氣體供應28、加熱氣體供應96、加熱器100、閥102、真空泵104、熱傳遞氣體供應源86、閥92及真空泵94的操作可藉由連接至上述元件的控制器而加以控制，俾能有效提供處理氣體、加熱氣體及熱傳遞氣體至噴淋頭電極24，以及從噴淋頭電極24中有效移除處理氣體、加熱氣體及熱傳遞氣體。
噴淋頭電極組件20可選擇性地包含溫度感測特徵以監測噴淋頭電極24的溫度。例如，可使用依據無接觸冷光之溫度回授。諸如此類的溫度感測特徵可由如O形環之額外密封件所包含。
在實施例中，限制環組件36在同心配置中包含一安裝環106及電漿限制環108，電漿限制環108由掛鉤110吊在安裝環106上。安裝環106及電漿限制環108可垂直移動，俾提供相鄰限制環間之氣體通首尺寸的調整。此組件之電漿限制環的數目不侷限於所示的四個環，又或可少於四個環(如三個環)或超過四個環(如五個、六個或更多環)。安裝環106及電漿限制環108由合適介電材料組成。例如，此絕緣材料可為石英、熔融矽、SiN、氧化鋁或塑膠材料。
在共有之美國專利第5,534,751號、第5,998,932號、第6,019,060號、第6,178,919號及第6,527,911號及美國專利申請案第2006/0207502號中，揭露使用於電漿處理室10之例示性電漿限制環組件，在此皆併入其全文作為參考。
在圖1所示的實施例中，噴淋頭電極24的外直徑相當程度地大過於基板32的直徑，使得由托架46與下電極42間之接觸面所移出的聚合物薄片或微塵粒，將不會落在基板32上而是落在基板32區域的外面，俾防止基板32的污染。較佳的情況是噴淋頭電極24的直徑大過於基板32的直徑至少約2英吋(約50mm)，例如約3英吋(約75mm)。在例示性實施例中，噴淋頭電極24的外直徑約15英吋(約380mm)，用以處理直徑300mm(約12英吋)的基板。然而，可將噴淋頭電極24製造成處理其他晶圓尺寸的大小，或是各種尺寸的基板具有非圓形的結構。
如圖1所示，可將噴淋頭電極組件20加以電性接地，俾能提供由基板支撐組件22之下電極26所提供之功率的返回路徑。下電極26可為靜電夾 頭，藉由靜電箝制力可操作地將基板32固定在上表面34上。在一實施例中，將噴淋頭電極24接地，且將一、二或多頻率的功率施加至下電極26以在電漿處理室10中產生電漿。例如，利用兩個獨立控制的RF電源114、116，可在2MHz及27MHz的頻率下供給下電極26電源。在已處理過基板32之後，關閉供給至下電極26的電源以終止電漿產生。
在例示性實施例中，於電漿處理室10中產生電漿以處理第一基板32(如藉由蝕刻)。在基板32的電漿處理期間，處理氣體由處理氣體供應28經氣體管線118及上板21中的氣體通道30供應至噴淋頭電極24。可沿氣體管線118設置閥及泵，以在電漿OFF時抽走氣體通道30的處理氣體。藉由噴淋頭電極24中的氣體歧管可將處理氣體分配至氣體孔66、68、70，並注入電漿處理室10的電漿限制區域38中。
在電漿處理期間，熱傳遞氣體亦由熱傳遞氣體供應源86經氣體管線88及上板21中的氣體通道90供應至間隙76以冷卻噴淋頭電極24。
在已處理過第一基板32之後，將下電極26的電源關閉以終止電漿產生。自電漿處理室10中移除處理過的基板。當電漿OFF時，藉由操作泵94將來自間隙76的熱傳遞氣體排出。接著，加熱氣體由加熱氣體供應96經氣體管線98及上板21中的氣體通道30供應至噴淋頭電極24。當電漿OFF時，加熱氣體有效地將噴淋頭電極24的溫度維持在最低溫度之上。在連續基板處理運作之間，最好是將噴淋頭電極24的溫度維持在約略恆溫，使得在生產晶圓處理期間「第一晶圓影響」可以降至最低，並且可更一致性地處理晶圓，因而改善良率。
接下來，將第二基板32置放在基板支撐組件22上，用來進行電漿處理。在處理基板32之前，停止來自加熱氣體供應96之加熱氣體的供應。在將來自處理氣體供應28之處理氣體提供至噴淋頭電極24之前，活化泵104以將氣體通道30的加熱氣體排出。再一次供電至下電極26以於電漿處理室10中產生電漿。一旦已重新啟動電漿產生，可再一次將來自熱傳遞氣體供應源86之熱傳遞氣體提供至間隙76。
雖然本發明已參考其特定實施例而加以詳細說明，然而吾人應明白對於熟悉此項技術之人士而言，在不離開附加申請專利範圍之範疇以及利用等效物下，可做出各種改變及修改。
10‧‧‧電漿處理室
20‧‧‧噴淋頭電極組件
21‧‧‧上板
22‧‧‧基板支撐組件
24‧‧‧噴淋頭電極
26‧‧‧下電極
28‧‧‧處理氣體供應
30‧‧‧氣體通道
32‧‧‧基板
34‧‧‧表面
36‧‧‧電漿限制環組件
38‧‧‧電漿限制區域
40‧‧‧上電極
42‧‧‧下電極
46‧‧‧托架
48‧‧‧上表面
50‧‧‧下表面
52‧‧‧氣體入口
54‧‧‧下表面
56‧‧‧第一氣室
58‧‧‧第二氣室
60‧‧‧第三氣室
66‧‧‧氣體孔
68‧‧‧氣體孔
70‧‧‧氣體孔
72‧‧‧溫度控制液體供應
73‧‧‧液體通道
76‧‧‧間隙
78‧‧‧密封件
80‧‧‧密封件
82‧‧‧滾輪
84‧‧‧底部
86‧‧‧熱傳遞氣體供應源
88‧‧‧氣體管線
90‧‧‧氣體通道
92‧‧‧閥
94‧‧‧真空泵
96‧‧‧加熱氣體供應
98‧‧‧氣體管線
100‧‧‧加熱器
102‧‧‧閥
104‧‧‧真空泵
106‧‧‧安裝環
108‧‧‧電漿限制環
110‧‧‧掛鉤
114‧‧‧RF電源
116‧‧‧RF電源
118‧‧‧氣體管線

Claims (4)

  1. 一種半導體基板處理方法，用以在一電漿處理室中處理一半導體基板，該電漿處理室包含一用於半導體材料處理設備之噴淋頭電極組件，該噴淋頭電極組件包含：一上板，包括一下表面、與一處理氣體供應部及一加熱氣體供應部呈流體連通之第一氣體通道、及與一熱傳遞氣體供應部呈流體連通之第二氣體通道；以及半導體材料的一噴淋頭電極，撓性懸吊於該上板，該噴淋頭電極包含一上表面、一暴露於電漿的下表面、以及一氣體歧管，該上表面與該上板之該下表面由一間隙所隔開，該間隙與該第二通道呈流體連通、但不與該第一通道呈流體連通，該暴露於電漿的下表面包括氣體孔，該氣體歧管與該第一氣體通道及該氣體孔呈流體連通、但不與該第二氣體通道呈流體連通；該半導體基板處理方法包含：將來自該加熱氣體供應部之預熱的加熱氣體經由該第一氣體通道而供應至該噴淋頭電極，以加熱該噴淋頭電極；終止供應至該第一氣體通道的該加熱氣體；將來自該處理氣體供應部的該處理氣體經由該第一氣體通道而供應至該噴淋頭電極；激發該處理氣體以於該電漿處理室中產生電漿，來對配置在該電漿處理室中之一基板支撐上的一基板進行電漿處理；及將來自該熱傳遞氣體供應部之該熱傳遞氣體經由該第二氣體通道而供應至該間隙，以於該電漿產生期間傳遞來自該噴淋頭電極的熱量。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體基板處理方法，其中：該預熱的加熱氣體具有約100℃至約500℃的溫度；且該噴淋頭電極具有至少超過該基板的直徑約50mm之直徑。
  3. 一種半導體基板處理方法，用以在一電漿處理室中處理一半導體基板，該電漿處理室包含一噴淋頭電極組件，該噴淋頭電極組件包括噴淋頭電極，該半導體基板處理方法包含： 將來自一加熱氣體供應部之一預熱的加熱氣體經由該噴淋頭電極組件中的一第一氣體通道而供應至該噴淋頭電極，以加熱該噴淋頭電極；終止供應至該噴淋頭電極的該加熱氣體；將來自一處理氣體供應部的一處理氣體經由該第一氣體通道而供應至該噴淋頭電極；激發該處理氣體以於該電漿處理室中產生電漿，來對配置在該電漿處理室中之一基板支撐上的一基板進行電漿處理；及將來自一熱傳遞氣體供應部之一熱傳遞氣體經由該噴淋頭電極組件中的一第二氣體通道而供應至該噴淋頭電極組件，以於該電漿產生期間傳遞來自該噴淋頭電極的熱量，其中將該第一氣體通道與該第二氣體通道予以流動隔離。
  4. 如申請專利範圍第3項之半導體基板處理方法，其中：該預熱的加熱氣體具有約100℃至約500℃的溫度；且該噴淋頭電極具有至少超過該基板的直徑約50mm之直徑。
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