JPH07335635A - 平行平板形ドライエッチング装置 - Google Patents

平行平板形ドライエッチング装置

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JPH07335635A
JPH07335635A JP16340294A JP16340294A JPH07335635A JP H07335635 A JPH07335635 A JP H07335635A JP 16340294 A JP16340294 A JP 16340294A JP 16340294 A JP16340294 A JP 16340294A JP H07335635 A JPH07335635 A JP H07335635A
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JP
Japan
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upper electrode
gas ejection
reinforcing plate
ejection holes
dry etching
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JP16340294A
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English (en)
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Kazuyuki Hayashi
和行 林
Yoshiaki Tatsumi
良昭 辰巳
Kinya Miyashita
欣也 宮下
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SOUZOU KAGAKU KK
SOZO KAGAKU KK
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SOUZOU KAGAKU KK
SOZO KAGAKU KK
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Abstract

(57)【要約】 【目的】平行平板形ドライエッチング装置の上部電極部
構造の改良によりエッチング特性の向上をはかる。 【構成】平行平板形ドライエッチング装置において、上
部電極1の板面に複数のガス噴出孔3とガス噴出孔をつ
なぐ複数の溝10、また、補強板2の板面に複数のガス
噴出孔3’とガス噴出孔をつなぐ複数の溝10’を設
け、さらに、この上部電極1と補強板2をそれぞれの溝
が交差するように対向させ、接着剤またはろう付けによ
り接合する。さらに、冷却水路5とガス噴出孔7を設け
た冷却ジャケット4の底面に補強板2の反対面を固定す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平行平板形ドライエッ
チング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、単結晶シリコンを上部電極として
用いる平行平板形ドライエッチング装置においては、図
5に示す通り板面に多数のガス噴出孔23を有する単結
晶シリコンよりなる円板体を上部電極21として用いて
いる。また、この裏側には、アルミニウムよりなる円板
体で、上部電極21と同じく板面に多数のガス噴出孔2
3’を有する補強板22が設けられており、上部電極2
1はこの補強板22を介して有底円筒状の冷却ジャケッ
ト24の円筒下端部にボルト25によって取り付けられ
ている。
【0003】そして、エッチングをおこなう際には、ガ
ス導入口29から入ったエッチングガスが、高周波電源
33より電力が供給されている上部電極21のガス噴出
孔23を通過する際にプラズマ化され、このうちの反応
性イオンが下部電極35上に置かれたシリコンウエハ3
4に引き込まれエッチングがおこなわれるのである。
【0004】また、補強板22の電極側面上にはガス噴
出孔23’が交差点上に位置するように格子状の溝36
が設けられている。これは、上部電極として用いる単結
晶シリコンの穴明け加工が難しく、上部電極21のガス
噴出孔23のピッチ精度が低いために、上部電極21の
ガス噴出孔23と補強板22のガス噴出孔23’の位置
が合いにくいためである。すなわち、もし上部電極21
のガス噴出孔23と補強板22のガス噴出孔23’のう
ち、位置が合わない穴が生じたとしても、その上部電極
21のガス噴出孔23が格子状の溝36のどこかに重な
ってさえいれば、上下の穴同士は溝36によって連通さ
れることになるので塞がってしまうことは無いのであ
る。
【0005】一方、冷却ジャケット24の円筒端面と補
強板22の板面外周部、および補強板22と上部電極2
1はそれぞれの境界部における熱伝導効率を上げるた
め、ボルト25によって強固に密着されている。冷却ジ
ャケット24には,冷却水の供給管27、排水管28、
および冷却水を通すための流路37が設けられており、
上部電極21で発生した熱は補強板22を介して冷却ジ
ャケット24に伝導し、さらに流路37を流れる冷却水
に排熱される。
【0006】また、冷却ジャケット24は、段付き環状
の支持リング38を介して反応容器32の上部開口部に
ボルト26によって固定されており、さらに支持リング
38の下端部には、上部電極21の脱落防止のため電極
周縁部にかかるようにしての断面L形のカバー板30が
ボルト31により取り付けられている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来技
術においては、次のような問題点があった。すなわち、
上部電極21の冷却において、電極に発生した熱は補強
板22を伝わって冷却ジャケット24に吸収されるが、
補強板22から冷却ジャケット24への熱伝導は補強板
23の周縁部でしかなされない。そのため上部電極21
上では円板の中心付近と周縁部とで温度勾配が生じてし
まい、これがエッチング特性を不均一にする一因となっ
ていた。
【0008】また、上部電極21と補強板22、および
補強板22と冷却ジャケット24とのそれぞれの境界部
における熱伝導効率を上げるためには、面全体を均一に
接触させなければならない。そのため、個々の部材に対
する非常に厳しい加工精度と、ボルト25による強固な
締めつけを必要としている。しかし、周知の通り単結晶
シリコンは非常に脆い材料であるため、ボルトの締めつ
けトルクをあまり大きくできず、各部材の接触面におけ
る熱伝達損失を一定値以下に抑えることが困難であっ
た。また、作業者が誤ってボルト25を僅かに締めすぎ
ただけで電極は簡単に破損してしまっていた。さらに、
各ボルトの締めつけトルクにバラツキがあると、上部電
極21と補強板22の間の接触抵抗分布、ひいては電極
上の電界分布にもバラツキを生じるため、これが温度勾
配の影響とも相まってエッチング特性をさらに不均一に
していた。
【0009】一方、単結晶シリコンを電極形状に加工す
るには、前述の通り、その小径穴加工に非常な困難を伴
っており、現在おこなわれている加工方法で得られるそ
の穴ピッチ精度は、通常の機械加工精度に比べてかなり
低いものである。そのため、上部電極21と補強板22
のそれぞれのガス噴出孔23、および23’の位置合わ
せが精度良くできない場合が多く、この解決策として補
強板22側に格子状の溝36を設け、それぞれのガス噴
出孔がこの溝36を通じてつながるようになっている。
しかし、この溝36はガス噴出孔付近に生じるプラズマ
反応生成物により塞がり易く、また、上部電極側のガス
噴出孔の位置が格子溝から外れてしまった場合は、その
部分のガス噴出孔は塞がってしまっていた。
【0010】また、単結晶シリコンからなる上部電極1
2は、前述の通りその材質の脆さから装置稼働中に破損
し脱落する危険があるため、安全対策として断面L形の
カバー板19によりサポートしなければならず、機構の
複雑化の原因となっていた。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、以上のような
課題を解決しようとするもので、以下に述べる技術的手
段により構成される。すなわち、平行平板形ドライエッ
チング装置において、 (イ)単結晶シリコンからなる円板体の板面に複数のガ
ス噴出孔を設け、そして片側板面上に、これらガス噴出
孔の隣り合った開口部同士をつなぐ複数の溝を設けたも
のを上部電極とする。 (ロ)アルミニウムまたはモリブデンからなる円板体の
板面に上部電極と同じパターンで複数のガス噴出孔を設
け、そして片側板面上に、これらガス噴出孔の隣り合っ
た開口部同士をつなぐ複数の溝を設け、さらに、冷却ジ
ャケットに取り付けるためのボルト穴を設けたものを補
強板とする。 (ハ)上部電極と補強板の溝を設けた面同士を対向さ
せ、それぞれ板面上に設けられた溝が交差するように接
合する。この時、上部電極と補強板の接合には、カーボ
ン系導電性接着剤またはろう付けを用いるのが良い。 (ニ)冷却ジャケットは、アルミニウムからなる有底円
筒体で、その底面に上部電極および補強板と同様のパタ
ーンのガス噴出孔を有する。 (ホ)冷却ジャケットの底面において、ガス噴出孔に干
渉しない位置に連通溝を設け、この連通溝の上に蓋を気
密接合して冷却水路を構成し、さらに冷却水路の両端部
に冷却水の注排水口を設ける。 (ヘ)ボルト締めにより補強板を冷却ジャケットに固定
する。
【0012】
【作用】以上のように上部電極と補強板とをカーボン系
導電性接着剤により接合することにより、電極面全体が
均一に結合されるので、面間の接触抵抗が低下し、その
結果、電極付近の電界分布が均一化される。また、面間
における熱伝導性も良くなるため電極上の温度分布が平
均化される。そして、これらの相乗効果によりエッチン
グ特性が向上する。
【0013】さらに、脆性材料であるシリコン電極自身
をボルトにより締めつける必要がないため、電極交換時
や装置稼働中に電極を破壊してしまう危険性が大幅に軽
減される。また、電極交換毎に放電条件を変更する必要
がなくなり、上部電極取り付け部の構造も非常に簡素化
される。
【0014】一方、冷却ジャケットにおいては、補強板
から最も近い位置で、かつ、広範囲均一に冷却水が循環
するため、シリコン電極上で発生した熱は補強板を介し
て、冷却ジャケットによりただちに吸収される。そのた
め、上部電極に対する冷却効率が格段に良くなるのでエ
ッチング特性はより一層向上する。
【0015】また、上部電極と補強板の間にある交差溝
の効果により、必ずいずれかの溝同士がつながるので、
仮に穴位置が外れたとしても穴が塞がってしまうことは
ない。
【0016】
【実施例1】以下、説明図に基づいて本発明の実施例に
ついて述べる。図1は、本発明による平行平板形ドライ
エッチング装置の構成を模式的に説明する図面である。
図2は上部電極断面の拡大説明図である。ここで、この
上部電極断面は補強板のそれとほぼ同じ構造であること
から、図2を補強板断面の説明図として兼用する。図3
は冷却ジャケットの底部の説明図、図4はその断面の拡
大説明図である。図5は従来形の平行平板形ドライエッ
チング装置の構成を模式的に説明する図面である。
【0017】図1において、上部電極1は直径200m
m、厚さ5mmのN型単結晶シリコンからなり、板面に
は直径0.4mmのガス噴出孔3がピッチ6mmで20
0穴設けられている。補強板2は、直径250mm、厚
さ10mmのモリブデン製円板で上部電極1と同様、板
面に直径0.4mmのガス噴出孔3’がピッチ6mmで
200穴設けられており、さらに外縁部にボルト締結用
の貫通穴が設けられている。また、図2に示す通り上部
電極1と補強板2の片面には、となり合うガス噴出孔を
列ごとに一列につなぐかたちで溝10、および溝10’
が設けられている。そして、上部電極1と補強板2は互
いのガス噴出孔3および3’の位置を合わせ、さらに溝
10、および溝10’が直交するように対面させたうえ
で、ろう付けにより接合されている。尚、上部電極1と
補強板2のろう接は、補強板2の接合面をメタライズ処
理したうえでおこなった。
【0018】冷却ジャケット4には、図3に示す通り円
底部内に上部電極、および補強板2と同様のガス噴出孔
7と冷却水を通すための流路5が設けられている。この
流路5は、図4に示す通り円底面に段付きの溝5’を設
け、この段部に蓋6を溶接したことにより構成されてお
り、さらに流路5の両端部には供給管8および排水管9
が設けられている。そして、冷却ジャケット4上部には
エッチングガス導入口11を有する上蓋12が気密接合
され、ここに高周波電源16が接続されている。また、
冷却ジャケット4は、反応容器18と電気的に絶縁する
ため、絶縁カラー13、および絶縁パッキン14を介し
てボルト15により固定されている。
【0019】以上の構成からなる極めて均一に冷却され
た上部電極を用いて下部電極上20上に置かれたシリコ
ンウエハ19の酸化膜エッチングをおこなったところ、
非常に良好なエッチング特性が得られた。
【0020】
【発明の効果】以上のように、上部電極と補強板をろう
接または導電性接着剤で接合し一体化することにより、
面間の接触抵抗が低下し、面間における熱伝導性が良く
なった。そのため、電極上の電界分布および温度分布が
均一化され、さらに、電極から冷却ジャケットへ至る熱
伝導経路が短縮されたため冷却効率が格段に良くなり、
その結果エッチング特性が著しく向上した。
【0021】また、上部電極と補強板の間に設けられた
溝により、それぞれのガス噴出孔は縦横に確実につなが
るので、上部電極のガス噴出穴に高度な加工精度を必要
としなくなった。
【0022】さらに、脆性材料であるシリコン電極自身
をボルトにより締めつける必要がないため、電極交換時
や装置稼働中に電極を破壊してしまう危険性がなくな
り、上部電極取り付け部の構造も非常に簡素化され、さ
らに、上部電極交換毎の装置稼働条件の変更も必要とし
なくなった。
【0023】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による平行平板形ドライエッチング装置
の構成を模式的に説明する図面である。
【図2】上部電極断面、および補強板断面の拡大説明図
である。
【図3】冷却ジャケット底部の説明図
【図4】冷却ジャケット底部断面の拡大説明図である。
【図5】従来形の平行平板形ドライエッチング装置の構
成を模式的に説明する図面である。
【符号の説明】
1…上部電極、2…補強板、3…ガス噴出孔、3’…ガ
ス噴出孔、4…冷却ジャケット、5…冷却水流路、6…
蓋、7…ガス噴出孔、8…供給管8、9…排水管、10
…溝、10’…溝、11…ガス導入口、12…上蓋、1
3…絶縁カラー、14…絶縁パッキン、15…ボルト、
16…高周波電源、18…反応容器、19…シリコンウ
エハ、20…下部電極、21…上部電極、22…補強
板、23…ガス噴出孔、23’…ガス噴出孔、24…冷
却ジャケット 25…ボルト、26…ボルト、27…冷
却水供給管、28…冷却水排水管、29…ガス導入、3
0…カバー板、31…ボルト、32…反応容器、33…
高周波電源、34…シリコンウエハ、35…下部電極、
36…溝、37…冷却水流路、38…支持リング。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成7年2月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0004
【補正方法】変更
【補正内容】
【0004】また、補強板22の電極側面上にはガス噴
出孔23’が交差点上に位置するように格子状の溝36
が設けられている。これは、上部電極として用いる単結
晶シリコンの穴明け加工が難しく、上部電極21のガス
噴出孔のピッチ精度が低いために、上部電極21のガス
噴出孔23と補強板22のガス噴出孔23’の位置が合
いにくいためである。すなわち、もし上部電極21のガ
ス噴出孔23と補強板22のガス噴出孔23’のうち、
位置が合わない穴が生じたとしても、その上部電極21
のガス噴出孔23が格子状の溝36のどこかに重なって
さえいれば、上下の穴同士は溝36によって連通される
ことになるので塞がってしまうことはないのである。
たがって、ガス噴出孔23の加工が高精度におこなえる
場合には、格子状の溝36を省略することができる。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平行平板形ドライエッチング装置におい
    て、 (イ)単結晶シリコンからなる円板体の板面に複数のガ
    ス噴出孔を設け、かつ、片側板面上にこれらガス噴出孔
    の隣り合った開口部同士をつなぐ複数の溝を設けたもの
    を上部電極とする。 (ロ)アルミニウムからなる円板体の板面に、上部電極
    と同じパターンの複数のガス噴出孔を設け、かつ、片側
    板面上には、これらガス噴出孔の隣り合った開口部同士
    をつなぐ複数の溝を設け、さらに、冷却ジャケットに取
    り付けるためのボルト穴を設けたものを補強板とする。 (ハ)上部電極と補強板の溝を設けた面同士を対向さ
    せ、それぞれの溝が交差するように接着剤またはろう付
    けにより接合する。 (ニ)ボルト締めにより補強板を冷却ジャケットに固定
    する。以上のように構成されたことを特徴とする平行平
    板形ドライエッチング装置。
  2. 【請求項2】上記請求項第一項記載の冷却ジャケット
    は、 (イ)アルミニウムからなる有底円筒体で、その底面に
    上部電極および補強板と同様のパターンのガス噴出孔を
    有する。 (ロ)底面上のガス噴出孔に干渉しない位置に連通溝が
    設けられており、かつ、この連通溝の上に蓋を気密接合
    することにより冷却水路が構成され、さらに冷却水路の
    両端部には冷却水の注排水口を設けられている。 以上のような冷却ジャケットを構成要素として含むこと
    を特徴とする平行平板形ドライエッチング装置。
  3. 【請求項3】上記請求項第一項記載の補強板は、モリブ
    デンからなる円板体の板面に上部電極と同じパターンの
    複数のガス噴出孔を設け、かつ、片側板面上に、これら
    ガス噴出孔の隣り合った開口部同士をつなぐ複数の溝
    と、冷却ジャケットに取り付けるためのボルト穴を設け
    たもので、さらに、上部電極と補強板の溝を設けた面同
    士を対向させ、それぞれの溝が交差するようにろう付け
    により接合されたことを特徴とする平行平板形ドライエ
    ッチング装置。
  4. 【請求項4】上記請求項第一項記載の上部電極と補強板
    の接着剤は、カーボン系導電性接着剤を用いる接合方法
    であることを特徴とする平行平板形ドライエッチング装
    置。
JP16340294A 1994-06-10 1994-06-10 平行平板形ドライエッチング装置 Pending JPH07335635A (ja)

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002093777A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Nisshinbo Ind Inc ドライエッチング装置
US6376977B1 (en) 1999-06-08 2002-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon electrode plate
WO2004001884A1 (ja) * 2002-06-24 2003-12-31 Nec Corporation 燃料電池、燃料電池用電極およびそれらの製造方法
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP2004342704A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd 上部電極及びプラズマ処理装置
US7159537B2 (en) 2003-06-25 2007-01-09 Anelva Corporation Device for fixing a gas showerhead or target plate to an electrode in plasma processing systems
JP2007535816A (ja) * 2004-04-30 2007-12-06 ラム リサーチ コーポレーション プロセスガス及び高周波電力を供給するガス分配部材を含むプラズマ処理用機器
JP2009041111A (ja) * 2001-08-01 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
JP2009545874A (ja) * 2006-07-31 2009-12-24 ワールデックス インダストリー アンド トレーディング カンパニー,リミテッド シリコン単一材質のプラズマチャンバーカソード及びアウトリング
JP2010045407A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd ガス供給部材及びプラズマ処理装置
JP2010507231A (ja) * 2006-10-16 2010-03-04 ラム リサーチ コーポレーション 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材
JP4669137B2 (ja) * 2001-02-16 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置
JP2011517834A (ja) * 2008-03-18 2011-06-16 ラム リサーチ コーポレーション 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ
JP2015029132A (ja) * 2007-03-30 2015-02-12 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ
US10879053B2 (en) 2013-06-03 2020-12-29 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6376977B1 (en) 1999-06-08 2002-04-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon electrode plate
JP2002093777A (ja) * 2000-07-11 2002-03-29 Nisshinbo Ind Inc ドライエッチング装置
KR100434487B1 (ko) * 2001-01-17 2004-06-05 삼성전자주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 박막 형성 장비
JP4669137B2 (ja) * 2001-02-16 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置
JP2009041111A (ja) * 2001-08-01 2009-02-26 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置
WO2004001884A1 (ja) * 2002-06-24 2003-12-31 Nec Corporation 燃料電池、燃料電池用電極およびそれらの製造方法
JP2004342704A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Tokyo Electron Ltd 上部電極及びプラズマ処理装置
JP4493932B2 (ja) * 2003-05-13 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 上部電極及びプラズマ処理装置
US7159537B2 (en) 2003-06-25 2007-01-09 Anelva Corporation Device for fixing a gas showerhead or target plate to an electrode in plasma processing systems
JP2007535816A (ja) * 2004-04-30 2007-12-06 ラム リサーチ コーポレーション プロセスガス及び高周波電力を供給するガス分配部材を含むプラズマ処理用機器
US8822345B2 (en) 2004-04-30 2014-09-02 Lam Research Corporation Apparatus including gas distribution member supplying process gas and radio frequency (RF) power for plasma processing
JP2009545874A (ja) * 2006-07-31 2009-12-24 ワールデックス インダストリー アンド トレーディング カンパニー,リミテッド シリコン単一材質のプラズマチャンバーカソード及びアウトリング
JP2010507231A (ja) * 2006-10-16 2010-03-04 ラム リサーチ コーポレーション 粒子を低減させる機能を持つ上部電極裏当て部材
US8709202B2 (en) 2006-10-16 2014-04-29 Lam Research Corporation Upper electrode backing member with particle reducing features
JP2015029132A (ja) * 2007-03-30 2015-02-12 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体材料処理装置用の低粒子性能を有するシャワーヘッド電極及びシャワーヘッド電極アセンブリ
JP2011517834A (ja) * 2008-03-18 2011-06-16 ラム リサーチ コーポレーション 電極アセンブリ及び熱伝導ガスケットを用いるプラズマ処理チャンバ
JP2010045407A (ja) * 2009-11-24 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd ガス供給部材及びプラズマ処理装置
US10879053B2 (en) 2013-06-03 2020-12-29 Lam Research Corporation Temperature controlled substrate support assembly

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