JP2633870B2 - ドライプロセス装置 - Google Patents
ドライプロセス装置Info
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- JP2633870B2 JP2633870B2 JP62263887A JP26388787A JP2633870B2 JP 2633870 B2 JP2633870 B2 JP 2633870B2 JP 62263887 A JP62263887 A JP 62263887A JP 26388787 A JP26388787 A JP 26388787A JP 2633870 B2 JP2633870 B2 JP 2633870B2
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- Japan
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- sample stage
- dry process
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ドライプロセス装置に係り、特にガスプラ
ズマを用いて試料を処理するのに好適なドライプロセス
装置に関するものである。
ズマを用いて試料を処理するのに好適なドライプロセス
装置に関するものである。
ガスプラズマを用いて試料を処理するドライプロセス
装置、例えば、試料をエッチング処理する装置では、試
料が設置される試料台として冷却水等の熱媒液が流通す
る流路が形成された構造のものが通常使用されている。
装置、例えば、試料をエッチング処理する装置では、試
料が設置される試料台として冷却水等の熱媒液が流通す
る流路が形成された構造のものが通常使用されている。
尚、この種の装置として関連するものには、例えば、
特開昭58−185773号等が挙げられる。
特開昭58−185773号等が挙げられる。
上記従来技術では、試料台が電位差を有する材料が積
層された構造のものである場合の電蝕に対する配慮がな
されておらず、電蝕によって熱媒液が漏洩して使用不能
となり、ひいてはドライプロセス装置自体の運転が不能
となって装置稼動率が低下するといった問題がある。
層された構造のものである場合の電蝕に対する配慮がな
されておらず、電蝕によって熱媒液が漏洩して使用不能
となり、ひいてはドライプロセス装置自体の運転が不能
となって装置稼動率が低下するといった問題がある。
本発明の目的は、試料台が電位差を有する材料が積層
された構造である場合にも電蝕を防止することで、試料
台の使用不能それによる装置稼動率の低下を防止できる
ドライプロセス装置を提供することにある。
された構造である場合にも電蝕を防止することで、試料
台の使用不能それによる装置稼動率の低下を防止できる
ドライプロセス装置を提供することにある。
上記目的は、ドライプロセスにて処理される試料が設
置される試料台の試料設置部に重金属汚染に有効な材料
を用い、その裏面の構設部に電位差を有する材料が積層
された構造とし、試料台の構設部内に同一材料で熱媒液
路を構成したことにより、達成される。
置される試料台の試料設置部に重金属汚染に有効な材料
を用い、その裏面の構設部に電位差を有する材料が積層
された構造とし、試料台の構設部内に同一材料で熱媒液
路を構成したことにより、達成される。
熱媒液路が同一材料部に形成されているので、試料台
が電位差を有する材料が積層された構造であっても、熱
媒液路部での電位差がなくなり、電蝕を防止できる。
が電位差を有する材料が積層された構造であっても、熱
媒液路部での電位差がなくなり、電蝕を防止できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図で、試料台10は、試料設置部11と該試料設置部
11に組合されて構設される部分12とでなっている。試料
設置部11は、この場合、試料設置面を有する、例えば、
重金属汚染に有効な材料、例えば、アルミニウムと、強
度部材である、例えば、ステンレス鋼とが積層されて構
成されている。ステンレス鋼はアルミニウムと電位差を
有する。熱伝導の観点からアルミニウムとステンレス鋼
とは、接合する必要があるが、これらは、治金的に直接
接合できないため、この場合、中間金属としてチタを介
在させて、例えば、圧接されている。ステンレス鋼の接
合面とは反対面には、凸部が形成されている。一方、構
設部12は、試料設置部11のステンレス鋼と同一のステン
レス鋼で構成されている。構設部12をなすステンレス鋼
には、試料設置部11のステンレス鋼の凸部がはめ合い可
能で、かつ、凸部の厚さよりも深い凹部が形成されると
共に、熱媒液供給路13、熱媒液排出路14がそれぞれ形成
されている。このような試料設置部11と構設部12とは、
それぞれの凸部と凹部をはめ合わせて組み立てられ、ボ
ルト15により構設される。この構設により熱媒液路16が
形成される。尚、試料設置部11と構設部12との外周辺の
接触部分にはＯリング17が設けられて該接触部分での液
洩れは防止されている。
11に組合されて構設される部分12とでなっている。試料
設置部11は、この場合、試料設置面を有する、例えば、
重金属汚染に有効な材料、例えば、アルミニウムと、強
度部材である、例えば、ステンレス鋼とが積層されて構
成されている。ステンレス鋼はアルミニウムと電位差を
有する。熱伝導の観点からアルミニウムとステンレス鋼
とは、接合する必要があるが、これらは、治金的に直接
接合できないため、この場合、中間金属としてチタを介
在させて、例えば、圧接されている。ステンレス鋼の接
合面とは反対面には、凸部が形成されている。一方、構
設部12は、試料設置部11のステンレス鋼と同一のステン
レス鋼で構成されている。構設部12をなすステンレス鋼
には、試料設置部11のステンレス鋼の凸部がはめ合い可
能で、かつ、凸部の厚さよりも深い凹部が形成されると
共に、熱媒液供給路13、熱媒液排出路14がそれぞれ形成
されている。このような試料設置部11と構設部12とは、
それぞれの凸部と凹部をはめ合わせて組み立てられ、ボ
ルト15により構設される。この構設により熱媒液路16が
形成される。尚、試料設置部11と構設部12との外周辺の
接触部分にはＯリング17が設けられて該接触部分での液
洩れは防止されている。
第１図に示す試料台10は、ドライプロセス装置が、例
えば、平行平板型の反応性プラズマエッチング装置であ
る場合、処理室（図示省略）にアースされた電極（図示
省略）と対向して内設されている。この場合、試料台10
は、電源（図示省略）が接続された電極となる。
えば、平行平板型の反応性プラズマエッチング装置であ
る場合、処理室（図示省略）にアースされた電極（図示
省略）と対向して内設されている。この場合、試料台10
は、電源（図示省略）が接続された電極となる。
このようなエッチング装置で、試料台10の試料設置部
11のアルミニウム面には、半導体素子基板等の試料（図
示省略）が設置される。設置された試料はプラズマによ
りエッチング処理される。この間、熱媒液供給路13より
熱媒液、例えば、冷却水を熱媒流路16に供給し流通させ
ることで試料台10は冷却され、これによって試料は間接
的に冷却される。
11のアルミニウム面には、半導体素子基板等の試料（図
示省略）が設置される。設置された試料はプラズマによ
りエッチング処理される。この間、熱媒液供給路13より
熱媒液、例えば、冷却水を熱媒流路16に供給し流通させ
ることで試料台10は冷却され、これによって試料は間接
的に冷却される。
本実施例では、試料台を電位差を有するアルミニウム
とステンレス鋼とが積層された構造のものとしている
が、熱媒流路がステンレス鋼部に形成されているので、
熱媒液路での電位差がなくなり電蝕を防止できる。この
ため、試料台からの冷却水の漏洩を防止でき、試料台の
使用不能それによる装置稼動率の低下を防止できる。
とステンレス鋼とが積層された構造のものとしている
が、熱媒流路がステンレス鋼部に形成されているので、
熱媒液路での電位差がなくなり電蝕を防止できる。この
ため、試料台からの冷却水の漏洩を防止でき、試料台の
使用不能それによる装置稼動率の低下を防止できる。
本発明によれば、試料台が電位差を有する材料が積層
された構造のものである場合にも電蝕を防止できるの
で、試料台の使用不能それによる装置稼動率の低下を防
止できる効果がある。
された構造のものである場合にも電蝕を防止できるの
で、試料台の使用不能それによる装置稼動率の低下を防
止できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の試料台の縦断面図であ
る。 10……試料台、11……試料設置部、 12……構設部、13……熱媒液供給路、 14……熱媒液排出路、15……ボルト、 16……熱媒流路、17……Ｏリング
る。 10……試料台、11……試料設置部、 12……構設部、13……熱媒液供給路、 14……熱媒液排出路、15……ボルト、 16……熱媒流路、17……Ｏリング
Claims (1)
- 【請求項１】ガスプラズマを用いて試料を処理するドラ
イプロセス装置において、 前記試料が設置される試料台が電源に接続された電極で
あって、 該電極の試料設置部側に用いられた材料と、その裏面の
構設部に用いられ電位差を有する材料とが積層された構
造の試料台と、 該試料台の構設部内で同一材料部に設置された熱媒液路
とを、 具備したことを特徴とするドライプロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263887A JP2633870B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | ドライプロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263887A JP2633870B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | ドライプロセス装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107541A JPH01107541A (ja) | 1989-04-25 |
| JP2633870B2 true JP2633870B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17395633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263887A Expired - Lifetime JP2633870B2 (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | ドライプロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2633870B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4844167B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却ブロック及びプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214431A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-23 | Tokuda Seisakusho Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS63119235U (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263887A patent/JP2633870B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01107541A (ja) | 1989-04-25 |
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Legal Events
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