JPH04228565A - カソードスパッタリング装置 - Google Patents
カソードスパッタリング装置Info
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- JPH04228565A JPH04228565A JP3079744A JP7974491A JPH04228565A JP H04228565 A JPH04228565 A JP H04228565A JP 3079744 A JP3079744 A JP 3079744A JP 7974491 A JP7974491 A JP 7974491A JP H04228565 A JPH04228565 A JP H04228565A
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- JP
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- cathode
- target
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- cathode sputtering
- cooling medium
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Links
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- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高いスパッタ率を有す
るカソードスパッタリング装置であって、カソード本体
とこのカソード本体に対して平行に配置されたターゲッ
トとから成るカソードが設けられており、前記カソード
本体内に、冷却媒体の貫流する通路が形成されており、
これらの通路が薄い壁によって、冷却しようとするター
ゲットに対して制限されていて、前記壁が、ターゲット
表面に対して、良好な熱伝導率を伴う大きい接触面を有
しているカソードスパッタリング装置に関する。
るカソードスパッタリング装置であって、カソード本体
とこのカソード本体に対して平行に配置されたターゲッ
トとから成るカソードが設けられており、前記カソード
本体内に、冷却媒体の貫流する通路が形成されており、
これらの通路が薄い壁によって、冷却しようとするター
ゲットに対して制限されていて、前記壁が、ターゲット
表面に対して、良好な熱伝導率を伴う大きい接触面を有
しているカソードスパッタリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】熱の伝導が、ターゲットを直接冷却する
原理に従って、又は冷却されたターゲットプレートにタ
ーゲットを接続することによって行われるカソードスパ
ッタリング装置は一般に公知である。
原理に従って、又は冷却されたターゲットプレートにタ
ーゲットを接続することによって行われるカソードスパ
ッタリング装置は一般に公知である。
【0003】また、ターゲットプレートに形成された冷
却通路内に、冷却媒体の貫流する薄壁状の管を埋め込ん
で、この管の横断面形状を、冷却通路の横断面形状に合
致させ、これによって、管の外側を冷却通路の内側面に
若しくはカソードの外側面に接触させるようにしたカソ
ードスパッタリング装置も公知である(ドイツ連邦共和
国特許出願第P3937558.7号明細書参照)。
却通路内に、冷却媒体の貫流する薄壁状の管を埋め込ん
で、この管の横断面形状を、冷却通路の横断面形状に合
致させ、これによって、管の外側を冷却通路の内側面に
若しくはカソードの外側面に接触させるようにしたカソ
ードスパッタリング装置も公知である(ドイツ連邦共和
国特許出願第P3937558.7号明細書参照)。
【0004】しかしながらこの公知の装置においては、
特に冷却媒体(例えば水)−真空シールに関して不都合
であるか又は、冷却されたターゲットプレートとターゲ
ットとの接触が構造的に制限されて不十分であるという
欠点がある。冷却媒体の貫流する薄壁状の管を備えた装
置を使用すると、ターゲットが貫通スパッタリングされ
て、冷却管の壁厚若しくは冷却通路を形成する壁の壁厚
が薄いために管壁も直ちに貫通スパッタリングされてし
まうという欠点がある。従って、冷却管内を貫流する冷
却媒体(水)が、カソードスパッタリング装置を取り囲
む真空室(詳しく説明せず)内に侵入してしまう。これ
によって装置全体を停止させて修理しなければならなく
なり、コストが高くなる。
特に冷却媒体(例えば水)−真空シールに関して不都合
であるか又は、冷却されたターゲットプレートとターゲ
ットとの接触が構造的に制限されて不十分であるという
欠点がある。冷却媒体の貫流する薄壁状の管を備えた装
置を使用すると、ターゲットが貫通スパッタリングされ
て、冷却管の壁厚若しくは冷却通路を形成する壁の壁厚
が薄いために管壁も直ちに貫通スパッタリングされてし
まうという欠点がある。従って、冷却管内を貫流する冷
却媒体(水)が、カソードスパッタリング装置を取り囲
む真空室(詳しく説明せず)内に侵入してしまう。これ
によって装置全体を停止させて修理しなければならなく
なり、コストが高くなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の課題は
、冒頭に述べたカソードスパッタリング装置を改良して
、冷却媒体を貫流させるか若しくは冷却媒体を制限する
管若しくは壁が貫通スパッタリングされるのをできるだ
け遅らせて、ひいては冷却媒体が侵入するのを避けるこ
とである。
、冒頭に述べたカソードスパッタリング装置を改良して
、冷却媒体を貫流させるか若しくは冷却媒体を制限する
管若しくは壁が貫通スパッタリングされるのをできるだ
け遅らせて、ひいては冷却媒体が侵入するのを避けるこ
とである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この課題を解決した本発
明によれば、ターゲットと壁との間の接触面が、スパッ
タ率の低い材料によって被覆されている。
明によれば、ターゲットと壁との間の接触面が、スパッ
タ率の低い材料によって被覆されている。
【0007】
【効果】接触面を例えばグラファイトによって被覆する
ことによって、壁(例えばダイヤフラム)が貫通スパッ
タリングされるまでの時間は著しく延長され、ターゲッ
トから冷却媒体への熱伝導は可能な限り改善される。
ことによって、壁(例えばダイヤフラム)が貫通スパッ
タリングされるまでの時間は著しく延長され、ターゲッ
トから冷却媒体への熱伝導は可能な限り改善される。
【0008】施そうとする層、例えばUHV(Ultr
a High Vacuum;超真空)で使用されるグ
ラファイトは、市販されているスプレーカンでスプレー
することができる。 これは後から何回も繰り返して行うことができる。
a High Vacuum;超真空)で使用されるグ
ラファイトは、市販されているスプレーカンでスプレー
することができる。 これは後から何回も繰り返して行うことができる。
【0009】また有利には、冷却通路を制限する薄い壁
はダイヤフラム状に変形可能であって、冷却媒体の圧力
が形成された時に、この壁に向けられたターゲット面に
強く当てつけられ、これによってターゲットと冷却媒体
との間で強い熱伝達が可能である。
はダイヤフラム状に変形可能であって、冷却媒体の圧力
が形成された時に、この壁に向けられたターゲット面に
強く当てつけられ、これによってターゲットと冷却媒体
との間で強い熱伝達が可能である。
【0010】
【実施例】有利にはステンレス鋼より成る槽状のカソー
ド本体1の内側面は、鏡像対称的な段部を有している。 カソード本体1の、水平方向に延びる互いに向き合う上
側の2つの段部上には、薄壁状のフレキシブルなダイヤ
フラム2(有利にはやはりステンレス鋼より成っている
)が、上方に向けられた所定の湾曲部によって、カソー
ド本体1の外側に位置する直角な両端部を越えるように
配置されている。ダイヤフラム2はその外側の端部がシ
ーム溶接3によってカソード本体1に気密に接続されて
いる。ダイヤフラムの上方に向けられた外側にはグラフ
ァイト層4が設けられている。カソード本体1の内側面
とダイヤフラム2とによって形成された通路5内には冷
却水が貫流している。この通路5内を貫流する冷却媒体
の、周囲に対する低圧によって、フレキシブルなダイヤ
フラム2のグラファイト層4を備えた外側は、カソード
本体1の上側で所定の間隔を保って互いに平行に配置さ
れた平らなターゲット6の下側に押し付けられる(図1
参照)。
ド本体1の内側面は、鏡像対称的な段部を有している。 カソード本体1の、水平方向に延びる互いに向き合う上
側の2つの段部上には、薄壁状のフレキシブルなダイヤ
フラム2(有利にはやはりステンレス鋼より成っている
)が、上方に向けられた所定の湾曲部によって、カソー
ド本体1の外側に位置する直角な両端部を越えるように
配置されている。ダイヤフラム2はその外側の端部がシ
ーム溶接3によってカソード本体1に気密に接続されて
いる。ダイヤフラムの上方に向けられた外側にはグラフ
ァイト層4が設けられている。カソード本体1の内側面
とダイヤフラム2とによって形成された通路5内には冷
却水が貫流している。この通路5内を貫流する冷却媒体
の、周囲に対する低圧によって、フレキシブルなダイヤ
フラム2のグラファイト層4を備えた外側は、カソード
本体1の上側で所定の間隔を保って互いに平行に配置さ
れた平らなターゲット6の下側に押し付けられる(図1
参照)。
【0011】図2に示されているように、U字形のカソ
ード本体7によって形成された通路9内には、有利には
ステンレス鋼より成る薄壁状のフレキシブルな冷却管8
が、挿入されており、該冷却管8は、冷却管8のそれぞ
れ3つの外側面が通路9の内側面に十分に当てつけられ
るような方形の横断面を有している。冷却管8の、ター
ゲット10に向けられた上側にはグラファイト層11が
設けられていて、冷却管8の内部を貫流する冷却媒体1
2によって、カソード本体1に対して所定の間隔を保っ
て配置された平らなターゲット10の下側に当てつけら
れる。
ード本体7によって形成された通路9内には、有利には
ステンレス鋼より成る薄壁状のフレキシブルな冷却管8
が、挿入されており、該冷却管8は、冷却管8のそれぞ
れ3つの外側面が通路9の内側面に十分に当てつけられ
るような方形の横断面を有している。冷却管8の、ター
ゲット10に向けられた上側にはグラファイト層11が
設けられていて、冷却管8の内部を貫流する冷却媒体1
2によって、カソード本体1に対して所定の間隔を保っ
て配置された平らなターゲット10の下側に当てつけら
れる。
【図1】本発明の1実施例による、冷却ダイヤフラムを
備えたカソードスパッタリング装置の断面図である。
備えたカソードスパッタリング装置の断面図である。
【図2】本発明の別の実施例による、冷却管を備えたカ
ソードスパッタリング装置の断面図である。
ソードスパッタリング装置の断面図である。
1 カソード本体、 2 ダイヤフラム、 3
シーム溶接、 4 グラファイト層、 5
通路、 6 ターゲット、 7 カソード本
体、 8 冷却管、9 通路、 10 ター
ゲット、 11 グラファイト層、 12 冷
却媒体
シーム溶接、 4 グラファイト層、 5
通路、 6 ターゲット、 7 カソード本
体、 8 冷却管、9 通路、 10 ター
ゲット、 11 グラファイト層、 12 冷
却媒体
Claims (5)
- 【請求項1】 高いスパッタ率を有するカソードスパ
ッタリング装置であって、カソード本体(1,7)とこ
のカソード本体(1,7)に対して平行に配置されたタ
ーゲット(6,10)とから成るカソードが設けられて
おり、前記カソード本体(1,7)内に、冷却媒体の貫
流する通路(5,9)が形成されており、これらの通路
(5,9)が薄い壁(2,8)によって、冷却しようと
するターゲット(6,10)に対して制限されていて、
前記壁(2,8)が、ターゲット面に対して、良好な熱
伝導率を伴う大きい接触面を有しているカソードスパッ
タリング装置において、ターゲット(6,10)と壁(
2,8)との間の接触面が、スパッタ率の低い材料によ
って被覆されていることを特徴とする、カソードスパッ
タリング装置。 - 【請求項2】 前記壁(2,8)が、金属薄板切片に
より形成されていて、その縁部が、カソード本体(1,
7)にしっかりと気密に接続されていて、前記壁(2,
8)が、ダイヤフラム状に変形可能であって、圧力形成
時にこの壁(2,8)に向けられたターゲット面に密接
して当てつけられるようになっている、請求項1記載の
カソードスパッタリング装置。 - 【請求項3】 壁(2,8)側に向けられたターゲッ
ト(6,10)の面が被覆されている、請求項1又は2
記載のカソードスパッタリング装置。 - 【請求項4】 ターゲット(6,10)側に向けられ
た壁(2,8)の面が被覆されている、請求項1又は2
記載のカソードスパッタリング装置。 - 【請求項5】 前記被覆用の材料としてグラファイト
が使用されている、請求項1から4までのいずれか1項
記載のカソードスパッタリング装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4015388A DE4015388C2 (de) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
DE4015388.6 | 1990-05-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04228565A true JPH04228565A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=6406322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3079744A Pending JPH04228565A (ja) | 1990-05-14 | 1991-04-12 | カソードスパッタリング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5071535A (ja) |
EP (1) | EP0456891A1 (ja) |
JP (1) | JPH04228565A (ja) |
DE (1) | DE4015388C2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009052094A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングカソード及び成膜方法 |
JP2015517032A (ja) * | 2012-04-04 | 2015-06-18 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | 間接冷却装置に合ったターゲット |
KR20150139555A (ko) * | 2013-04-08 | 2015-12-11 | 오엘리콘 썰피스 솔루션즈 아게, 츠르바크 | 향상된 전력 호환가능성을 갖는 스퍼터링 표적 |
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US5269899A (en) * | 1992-04-29 | 1993-12-14 | Tosoh Smd, Inc. | Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus |
DE4242079A1 (de) * | 1992-12-14 | 1994-06-16 | Leybold Ag | Target für eine in einer evakuierbaren mit einem Prozeßgas flutbaren Prozeßkammer angeordneten Kathode |
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JP3818084B2 (ja) * | 2000-12-22 | 2006-09-06 | 日立電線株式会社 | 冷却板とその製造方法及びスパッタリングターゲットとその製造方法 |
FR2842348B1 (fr) | 2002-07-10 | 2004-09-10 | Tecmachine | Cathode pour pulverisation sous vide |
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EP3427244B1 (en) | 2016-03-07 | 2020-09-09 | SHL Medical AG | Automatic injection training device |
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US4434042A (en) * | 1982-03-01 | 1984-02-28 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Planar magnetron sputtering apparatus |
CH672319A5 (en) * | 1987-12-20 | 1989-11-15 | Bogdan Zega | Sputtering target cooling system - has metal membrane sepg. cooling liq. circuit from sputtering chamber |
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-
1990
- 1990-05-14 DE DE4015388A patent/DE4015388C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-15 US US07/567,946 patent/US5071535A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-29 EP EP90122827A patent/EP0456891A1/de not_active Ceased
-
1991
- 1991-04-12 JP JP3079744A patent/JPH04228565A/ja active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
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US5071535A (en) | 1991-12-10 |
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DE4015388A1 (de) | 1991-11-21 |
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