JP2008001988A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 物理蒸着チャンバであって、
   複数のチャンバ壁を有するチャンバ本体を備え、前記チャンバ壁は内表面と外表面を有し、前記内表面は処理領域に露出しており、
   前記チャンバ本体上に配置されたバッキングプレートと、
   前記バッキングプレートに結合され、１又はそれ以上の前記チャンバ壁の内表面を超えて延伸しているターゲットを備え、前記ターゲットは、
   前記バッキングプレートから離れて配向された第１の表面であって、シーリング部材受入領域を有する第１の表面と、
   前記バッキングプレートに向かって配向された第２の表面と、
   側面を有し、
   前記物理蒸着チャンバは、前記チャンバ本体内に配置されたシールドを備え、前記ターゲットの側面は１又はそれ以上の前記チャンバ壁の外表面の方向に、前記シールドを超える位置まで延伸しており、前記第１の表面はバッキングプレートから離れる方向へ、シールドの上部の下方の位置まで延伸しており、
   前記ターゲットの側面に配置された電源接続部と、
   前記第２の表面と前記バッキングプレートの間に配置されたボンディング層とを含む物理蒸着チャンバ。
2. 前記シーリング部材受入領域がシーリング部材を受け入れるように適合されており、前記ターゲットの側面が雰囲気に露出している請求項１記載の物理蒸着チャンバ。
3. 前記ターゲットの第１の表面が、実質的に、単一の機械加工面からなり、前記ボンディング層が、インジウム含有ボンディング材料、エラストマー及び金属メッシュ含有エラストマーからなる群より選択される請求項１記載の物理蒸着チャンバ。
4. 前記ターゲットの片側の長さが少なくとも約１メートルであり、前記ターゲットの側壁が基板サポート面に対する法線に実質的に配向されている請求項１記載の物理蒸着チャンバ。
5. 前記バッキングプレートが冷却管を含有する請求項１記載の物理蒸着チャンバ。
6. 前記シーリング部材が前記ターゲットの周りに周囲シールを形成し、前記シーリング部材が、エラストマーＯ−リング、金属ガスケット及びポリマーガスケットからなる群より選択される請求項２記載の物理蒸着チャンバ。
7. 前記周囲シールが真空気密シールである請求項６記載の物理蒸着チャンバ。
8. 物理蒸着装置であって、
   複数のチャンバ壁を有するチャンバ本体と、前記チャンバ本体上に配置されたマグネトロンアセンブリと、
   前記マグネトロンアセンブリの下方に配置された第１のターゲットを備え、前記第１のターゲットは、
   第１の表面と、
   第２の表面に配置されたボンディング層と、
   雰囲気に露出した側面と、
   第１のターゲットの側面に配置された電源接続部を備え、
   物理蒸着装置は、
   前記第２の表面に結合された第１のバッキングプレートと、
   前記マグネトロンアセンブリの下方に配置された第２のターゲットを備え、前記第２のターゲットは、
   第３の表面と、
   第４の表面に配置されたボンディング層と、
   雰囲気に露出した側面と、
   第２のターゲットの側面に配置された電源接続部を備え、
   物理蒸着装置は、
   前記第４の表面に結合された第２のバッキングプレートと、
   前記第１のターゲットのシーリング部材受入領域と、前記第２のターゲットのシーリング部材受入領域の近傍のシーリング部材受入領域を有するターゲットサポート部材と、
   前記チャンバ本体内の処理領域に近接して配置されたシールドを備え、前記第１のターゲットの側面と前記第２のターゲットの側面は前記チャンバ壁の方向に、前記シールドを超える位置まで延伸しており、前記第１のターゲットの第１の表面と、前記第２のターゲットの第３の表面はシールドの上部の下方の位置まで延伸している物理蒸着装置。
9. シーリング部材が前記第１のターゲットの周りに第１の周囲シールを形成し、第２のシーリング部材が前記第２のターゲットの周りに第２の周囲真空気密シールを形成する請求項８記載の装置。
10. 前記第１の周囲シールの一部が前記シーリング部材により前記ターゲットサポート部材と前記第１のターゲットの間に形成され、前記第２の周囲シールの一部が前記第２のシーリング部材により前記ターゲットサポート部材と前記第２のターゲットの間に形成されている請求項９記載の装置。
11. 前記第１のターゲットの側壁が基板サポート面に対して実質的に法線に配向されている請求項８載の装置。
12. ＰＶＤ装置であって、
    複数のチャンバ壁を有するチャンバ本体を備え、前記チャンバ壁は、内表面と外表面を有し、前記内表面は処理領域に露出しており、
    前記チャンバ本体上に配置されたバッキングプレートと、
    ターゲットを備え、前記ターゲットは、
    第１の表面と、
    第２の表面を備え、前記第１の表面が処理領域と流体接触しており、前記第２の表面が前記バッキングプレートに向かって配向されており、ターゲットは、
    電源接続部に結合された側面を備え、前記側面はチャンバ壁の内表面を超える位置まで延伸しており、
    前記ＰＶＤ装置は、前記チャンバ本体内に配置されたシールドを備え、前記ターゲットの側面は前記チャンバ壁の外表面の方向に、前記シールドを超える位置まで延伸しており、前記ターゲットの第１の表面は前記シールドの上部の下方の位置まで延伸しており、
    前記バッキングプレートと前記ターゲットの前記第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含むＰＶＤ装置。
13. 前記ターゲットの前記第１の表面が、実質的に、単一の機械加工面からなる請求項１２記載の装置。
14. ターゲットサポート部材と、
    第３の表面及び第４の表面を有し、前記第３の表面が処理領域と流体接触しており、前記第４の表面が前記バッキングプレートに向かって配向されている第２のターゲットと、
    前記第４の表面と前記バッキングプレートの間に配置されたボンディング層とを含む請求項１２記載の装置。
15. 基板を処理する方法であって、
    処理チャンバ本体上にターゲットを配置し、処理チャンバ本体はその内部に配置されたシールドと、内表面と外表面を有する複数のチャンバ壁を備え、ターゲットは、
    第１の面と、
    第２の面と、
    側面を備え、側面はチャンバ壁の少なくとも１つの内表面を超え、且つ、チャンバ壁の外表面に向かう方向でシールドを超えて延伸し、ターゲットの第１の面はシールドの上部の下方で下方向に延伸しており、
    電源をターゲットの側面に連結し、
    基板を前記第１の面近傍に実質的に平行に配置し、
    前記ターゲットの前記第１の面の端部をシーリングし、
    前記ターゲットの前記第２の面にバッキングプレートをボンディング層により結合し、
    処理ガスを前記ターゲットの前記第１の面と基板の間に画定された処理領域に流し、
    前記処理領域にプラズマを生成して、前記ターゲットの前記第１の面をスパッタして、前記基板上に層を堆積することを含む基板の処理方法。