JPH0220210Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0220210Y2 JPH0220210Y2 JP1986129323U JP12932386U JPH0220210Y2 JP H0220210 Y2 JPH0220210 Y2 JP H0220210Y2 JP 1986129323 U JP1986129323 U JP 1986129323U JP 12932386 U JP12932386 U JP 12932386U JP H0220210 Y2 JPH0220210 Y2 JP H0220210Y2
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- JP
- Japan
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- shield
- target material
- target
- electrode
- high voltage
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 12
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本考案は集積回路用の基板などに薄膜を形成す
るためのスパツタリング装置に関し、特にスパツ
タ膜の剥離などによる電極の短絡を防止する構造
に関するものである。
るためのスパツタリング装置に関し、特にスパツ
タ膜の剥離などによる電極の短絡を防止する構造
に関するものである。
（従来の技術）
第２図および第３図に従来のスパツタリング装
置のターゲツト電極を示す。図に示すようにター
ゲツト電極３０は全体で略円盤状をしており、真
空室３８にターゲツト材３１が向くように配置さ
れている。ターゲツト材３１は高圧電極３２に接
続され、押さえ金具３６によつて高圧電極３２に
固定されている。高圧電極３２は絶縁材３３を介
し基台３９に固定され、基台３９とは電気的に絶
縁されている。３４，３５はシールドで、３４は
スパツタ粒子が真空室内で不必要に散乱するのを
防止する接地シールドであり、３５は押さえ金具
３６がスパツタリングされるのを防止すると共に
ターゲツト材３１からたたき出された粒子が散乱
により絶縁材３３まで到達するのを防ぐ取り付け
シールドである。取り付けシールド３５はターゲ
ツト材３１に近接しているが一定の間隙を有して
おり相互に電気的に絶縁されている。３７は真空
室３８の気密を保持するためのＯリングである。
置のターゲツト電極を示す。図に示すようにター
ゲツト電極３０は全体で略円盤状をしており、真
空室３８にターゲツト材３１が向くように配置さ
れている。ターゲツト材３１は高圧電極３２に接
続され、押さえ金具３６によつて高圧電極３２に
固定されている。高圧電極３２は絶縁材３３を介
し基台３９に固定され、基台３９とは電気的に絶
縁されている。３４，３５はシールドで、３４は
スパツタ粒子が真空室内で不必要に散乱するのを
防止する接地シールドであり、３５は押さえ金具
３６がスパツタリングされるのを防止すると共に
ターゲツト材３１からたたき出された粒子が散乱
により絶縁材３３まで到達するのを防ぐ取り付け
シールドである。取り付けシールド３５はターゲ
ツト材３１に近接しているが一定の間隙を有して
おり相互に電気的に絶縁されている。３７は真空
室３８の気密を保持するためのＯリングである。
（考案が解決しようとする問題点）
このように前記従来のターゲツト電極において
もシールド部材とターゲツト材や高圧電極との電
気的絶縁が図られているが、接地シールド３４の
内面に付着したスパツタ膜の剥離や、取り付けシ
ールド３５に付着したスパツタ膜により接地シー
ルド３４あるいは取り付けシールド３５などのシ
ールドとターゲツト材３１が簡単に電気的に短絡
してしまうという問題があつた。
もシールド部材とターゲツト材や高圧電極との電
気的絶縁が図られているが、接地シールド３４の
内面に付着したスパツタ膜の剥離や、取り付けシ
ールド３５に付着したスパツタ膜により接地シー
ルド３４あるいは取り付けシールド３５などのシ
ールドとターゲツト材３１が簡単に電気的に短絡
してしまうという問題があつた。
（考案の目的）
本考案は前記従来の技術の問題点を解消し、ス
パツタリング操作により副次的に発生したスパツ
タ膜によるターゲツト材とシールドとの電気的短
絡を可及的に防止するターゲツト電極を提供する
ことを目的とする。
パツタリング操作により副次的に発生したスパツ
タ膜によるターゲツト材とシールドとの電気的短
絡を可及的に防止するターゲツト電極を提供する
ことを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
前記目的を達成するための手段は実用新案登録
請求の範囲に記載のとおり、スパツタリング用の
ターゲツト材と、ターゲツト材に接続された高圧
電極と、高圧電極を真空室内に保持する絶縁材
と、ターゲツト材の前面の周囲を囲むシールドを
有し、該シールドの内周に断面凹形状の溝部を設
けたことを特徴とするスパツタリング装置のター
ゲツト電極である。
請求の範囲に記載のとおり、スパツタリング用の
ターゲツト材と、ターゲツト材に接続された高圧
電極と、高圧電極を真空室内に保持する絶縁材
と、ターゲツト材の前面の周囲を囲むシールドを
有し、該シールドの内周に断面凹形状の溝部を設
けたことを特徴とするスパツタリング装置のター
ゲツト電極である。
（作用）
スパツタリング操作中、シールド材等に副次的
に生じたスパツタ膜の剥離によつて生じた剥離片
や、その他の要因によつて生じた導電性の塵あい
などは、シールド内周の溝部に捕捉されかつ溜め
られるのでターゲツト材とシールドとは容易に短
絡することがない。
に生じたスパツタ膜の剥離によつて生じた剥離片
や、その他の要因によつて生じた導電性の塵あい
などは、シールド内周の溝部に捕捉されかつ溜め
られるのでターゲツト材とシールドとは容易に短
絡することがない。
（実施例）
第１図に本考案の実施例を示す、第１図はター
ゲツト電極の部分断面図であり、１はターゲツト
電極、２はターゲツト材、３は高圧電極、４は絶
縁材、５，６はシールドで５は接地シールド、６
は取り付けシールド、７は溝部、８は取り付け金
具、９はＯリング、１０は真空室である。
ゲツト電極の部分断面図であり、１はターゲツト
電極、２はターゲツト材、３は高圧電極、４は絶
縁材、５，６はシールドで５は接地シールド、６
は取り付けシールド、７は溝部、８は取り付け金
具、９はＯリング、１０は真空室である。
この例では、ターゲツト電極１は全体が略円盤
状であり、真空室１０にターゲツト材２が向くよ
うに配置されている。ターゲツト材２は高圧電極
３と接続され、取り付け金具８により固定されて
いる。高圧電極３は絶縁材４を介し基台に固定さ
れ、基台とは電気的に絶縁されている。接地シー
ルド５、取り付けシールド６はターゲツト材２の
真空室側前面の周囲を取り囲むように設置されて
いる。接地シールド５は真空室１０側に開口１１
が設けられ、ターゲツト材２を真空室１０に解放
している。接地シールド５と接続されている取り
付けシールド６は、全体で円形のリング状であ
り、かつその内周は断面が凹形状に形成され、溝
部７を有する構造となつている。なおこの例で
は、取り付けシールド６の内周の先端の一部がタ
ーゲツト材２の真空室側表面より奥に入り込むよ
うになつてターゲツト材と近接している。
状であり、真空室１０にターゲツト材２が向くよ
うに配置されている。ターゲツト材２は高圧電極
３と接続され、取り付け金具８により固定されて
いる。高圧電極３は絶縁材４を介し基台に固定さ
れ、基台とは電気的に絶縁されている。接地シー
ルド５、取り付けシールド６はターゲツト材２の
真空室側前面の周囲を取り囲むように設置されて
いる。接地シールド５は真空室１０側に開口１１
が設けられ、ターゲツト材２を真空室１０に解放
している。接地シールド５と接続されている取り
付けシールド６は、全体で円形のリング状であ
り、かつその内周は断面が凹形状に形成され、溝
部７を有する構造となつている。なおこの例で
は、取り付けシールド６の内周の先端の一部がタ
ーゲツト材２の真空室側表面より奥に入り込むよ
うになつてターゲツト材と近接している。
しかし、取り付けシールド６はターゲツト材２
や取り付け金具８とは一定の間隔を保ち、相互に
電気的に絶縁されている。このような構成である
ので、スパツタリング操作時にターゲツト材２か
らたたき出されて取り付けシールド６に付着した
スパツタ粒子や、接地シールド５の内面から剥離
したスパツタ膜その他の導電性物質は、取り付け
シールド６の内周面に受け止められて捕捉され、
かつ溝部７に溜められるので、ターゲツト材２と
接地シールド５、取り付けシールド６との間の電
気的短絡を可及的に防止し、その清掃、交換とい
つた保守の手間を著しく減少することができる。
や取り付け金具８とは一定の間隔を保ち、相互に
電気的に絶縁されている。このような構成である
ので、スパツタリング操作時にターゲツト材２か
らたたき出されて取り付けシールド６に付着した
スパツタ粒子や、接地シールド５の内面から剥離
したスパツタ膜その他の導電性物質は、取り付け
シールド６の内周面に受け止められて捕捉され、
かつ溝部７に溜められるので、ターゲツト材２と
接地シールド５、取り付けシールド６との間の電
気的短絡を可及的に防止し、その清掃、交換とい
つた保守の手間を著しく減少することができる。
（考案の効果）
以上、本考案の実施例について述べたところか
ら明らかなとおり、本考案によれば極めて簡単な
構成でありながら、スパツタリング装置のターゲ
ツト電極のターゲツト材とシールドとの間の電気
的短絡を効率良く防止することができ、その点
検、清掃、交換といつた保守回数を著しく減少さ
せることができるなどの利点がある。
ら明らかなとおり、本考案によれば極めて簡単な
構成でありながら、スパツタリング装置のターゲ
ツト電極のターゲツト材とシールドとの間の電気
的短絡を効率良く防止することができ、その点
検、清掃、交換といつた保守回数を著しく減少さ
せることができるなどの利点がある。
第１図は本考案の実施例を示す部分断面図、第
２図と第３図は従来のスパツタリング用ターゲツ
ト電極の例を示す図で、第２図はターゲツト電極
の略斜視図、第３図はその部分断面図である。 １……ターゲツト電極、２……ターゲツト材、
３……高圧電極、４……絶縁材、５……接地シー
ルド、６……取り付けシールド、７……溝部、８
……取り付け金具、９……Ｏリング、１０……真
空室、１１……シールドの開口部。
２図と第３図は従来のスパツタリング用ターゲツ
ト電極の例を示す図で、第２図はターゲツト電極
の略斜視図、第３図はその部分断面図である。 １……ターゲツト電極、２……ターゲツト材、
３……高圧電極、４……絶縁材、５……接地シー
ルド、６……取り付けシールド、７……溝部、８
……取り付け金具、９……Ｏリング、１０……真
空室、１１……シールドの開口部。
Claims (1)
- スパツタリング用のターゲツト材と、ターゲツ
ト材に接続された高圧電極と、高圧電極を真空室
内に保持する絶縁材と、ターゲツト材の全面の周
囲を囲むシールドを有し、該シールドの内周に断
面凹形状の溝部を設けたことを特徴とするスパツ
タリング装置のターゲツト電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986129323U JPH0220210Y2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986129323U JPH0220210Y2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339164U JPS6339164U (ja) | 1988-03-14 |
| JPH0220210Y2 true JPH0220210Y2 (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=31025800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986129323U Expired JPH0220210Y2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220210Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113734A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-20 | Fukashi Uragami | 四輪駆動車両 |
| JP2617368B2 (ja) * | 1990-05-02 | 1997-06-04 | アネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
| US7815782B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-10-19 | Applied Materials, Inc. | PVD target |
| US9834840B2 (en) * | 2010-05-14 | 2017-12-05 | Applied Materials, Inc. | Process kit shield for improved particle reduction |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58497B2 (ja) * | 1975-11-04 | 1983-01-06 | 新日本製鐵株式会社 | ケツシヨウスイオフクムコウセキニヨル シヨウケツコウ ノ セイゾウホウホウ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58497U (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-05 | 株式会社日立製作所 | ア−スシ−ルド板 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP1986129323U patent/JPH0220210Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58497B2 (ja) * | 1975-11-04 | 1983-01-06 | 新日本製鐵株式会社 | ケツシヨウスイオフクムコウセキニヨル シヨウケツコウ ノ セイゾウホウホウ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339164U (ja) | 1988-03-14 |
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