JPH0342608Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0342608Y2 JPH0342608Y2 JP18622385U JP18622385U JPH0342608Y2 JP H0342608 Y2 JPH0342608 Y2 JP H0342608Y2 JP 18622385 U JP18622385 U JP 18622385U JP 18622385 U JP18622385 U JP 18622385U JP H0342608 Y2 JPH0342608 Y2 JP H0342608Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- shield
- ions
- holder
- insulating tube
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- Expired
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 11
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- -1 cesium ions Chemical class 0.000 description 1
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Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案はスパツターイオン源装置に関する。
（従来の技術）
第１図は従来のスパツターイオン源装置を示
し、１はターゲツト部で、スパツターされるター
ゲツト２と、これを先端にネジ３などによつて取
り付けホルダー４と、前記ターゲツト２、ホルダ
ー４を絶縁するための絶縁筒５によつて構成され
てある。６はシールド、７はアイオナイザー、
８，９はイオンを集束するための電極である。
し、１はターゲツト部で、スパツターされるター
ゲツト２と、これを先端にネジ３などによつて取
り付けホルダー４と、前記ターゲツト２、ホルダ
ー４を絶縁するための絶縁筒５によつて構成され
てある。６はシールド、７はアイオナイザー、
８，９はイオンを集束するための電極である。
アイオナイザー７は供給されてくるたとえばセ
シウム蒸気を熱によつてイオン化して、スパツタ
ー用のイオンを生成する。得られたセシウムイオ
ンは負電位とされてあるターゲツト２に衝突し、
これによつてターゲツト物質がスパツターを受け
て負のイオンがはじき出される。このイオンは電
極８，９により集束される。
シウム蒸気を熱によつてイオン化して、スパツタ
ー用のイオンを生成する。得られたセシウムイオ
ンは負電位とされてあるターゲツト２に衝突し、
これによつてターゲツト物質がスパツターを受け
て負のイオンがはじき出される。このイオンは電
極８，９により集束される。
ところでこのような構成において、ターゲツト
１とアイオナイザー７との間には、相当量のセシ
ウム蒸気が存在しており、このためその一部が絶
縁筒５の表面に付着することがある。このように
セシウム蒸気が付着すると、この絶縁筒５の表面
の絶縁耐力が減少して、高電圧リークの原因とな
ることがある。また絶縁筒５の表面にセシウム蒸
気がチヤージアツプし、イオンビームの不安定さ
が生じたりすることがあつた。
１とアイオナイザー７との間には、相当量のセシ
ウム蒸気が存在しており、このためその一部が絶
縁筒５の表面に付着することがある。このように
セシウム蒸気が付着すると、この絶縁筒５の表面
の絶縁耐力が減少して、高電圧リークの原因とな
ることがある。また絶縁筒５の表面にセシウム蒸
気がチヤージアツプし、イオンビームの不安定さ
が生じたりすることがあつた。
これを解決するために従来では絶縁筒５の表面
に向い合うようにシールド６を設置し、これによ
つてセシウム蒸気が絶縁筒５の表面に到達するの
を防止するようにしている。しかしこのような構
成ではターゲツト２の電位が−20〜−30KVであ
るため、シヤーシ電位であるシールド６をターゲ
ツト２に対して充分に絶縁して設置しなければな
らず、その構成は極めて面倒である。
に向い合うようにシールド６を設置し、これによ
つてセシウム蒸気が絶縁筒５の表面に到達するの
を防止するようにしている。しかしこのような構
成ではターゲツト２の電位が−20〜−30KVであ
るため、シヤーシ電位であるシールド６をターゲ
ツト２に対して充分に絶縁して設置しなければな
らず、その構成は極めて面倒である。
また前記した理由によりシールド６とターゲツ
ト２との間に間隙を確保しておかなければならな
ず、そのためこの間隙からターゲツト部１の内部
にセシウム蒸気が侵入してくることは避けられな
い。したがつてこのような構成では前記イオンの
絶縁筒５の表面への付着を確実に防止することは
極めて困難である。
ト２との間に間隙を確保しておかなければならな
ず、そのためこの間隙からターゲツト部１の内部
にセシウム蒸気が侵入してくることは避けられな
い。したがつてこのような構成では前記イオンの
絶縁筒５の表面への付着を確実に防止することは
極めて困難である。
（考案が解決しようとする問題点）
この考案はターゲツトホルダーを絶縁する絶縁
筒の、シールドのための構成の簡略化を図ること
を目的とする。
筒の、シールドのための構成の簡略化を図ること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段）
この考案はターゲツトホルダーを絶縁する絶縁
筒の表面を、金属製のシールドで覆い隠すととも
に、このシールドを前記ターゲツトと同電位とし
たことを特徴とする。
筒の表面を、金属製のシールドで覆い隠すととも
に、このシールドを前記ターゲツトと同電位とし
たことを特徴とする。
（実施例）
この考案の実施例を第１図によつて説明する。
なお第２図と同じ符号を付した部分は同一または
対応する部分を示す。この考案にしたがい金属た
とえばステンレスからなるシールド１０を、絶縁
筒５の表面を包囲するように配置するとともに、
ターゲツト２に接して設置する。この接触によつ
てシールド１０はターゲツト２と同電位となる。
なお第２図と同じ符号を付した部分は同一または
対応する部分を示す。この考案にしたがい金属た
とえばステンレスからなるシールド１０を、絶縁
筒５の表面を包囲するように配置するとともに、
ターゲツト２に接して設置する。この接触によつ
てシールド１０はターゲツト２と同電位となる。
以上の構成によると、セシウム蒸気の一部がタ
ーゲツト２に衝突することなく、ターゲツト部１
の内部に侵入してくるが、絶縁筒５の表面とシー
ルド１０との間には従来のような空〓はなんら存
在していないので、前記セシウム蒸気はシールド
１０の表面に付着するようになり、絶縁筒５の表
面にはなんら付着するようなことはない。
ーゲツト２に衝突することなく、ターゲツト部１
の内部に侵入してくるが、絶縁筒５の表面とシー
ルド１０との間には従来のような空〓はなんら存
在していないので、前記セシウム蒸気はシールド
１０の表面に付着するようになり、絶縁筒５の表
面にはなんら付着するようなことはない。
以上の結果絶縁筒５の表面の、セシウム蒸気の
付着に基づく高電圧リークならびにチヤージアツ
プによる負イオンビームの不安定性は確実になく
なるとともに、短時間でのイオンビーム量の減少
も回避することができる。
付着に基づく高電圧リークならびにチヤージアツ
プによる負イオンビームの不安定性は確実になく
なるとともに、短時間でのイオンビーム量の減少
も回避することができる。
一方シールド１０はターゲツト２に接して設置
されて同電位とされているので、ターゲツト２，
ホルダー４に対しての絶縁は不要となるので、従
来構成に比較してシールドの絶縁構成は極めて簡
略化されるようになる。
されて同電位とされているので、ターゲツト２，
ホルダー４に対しての絶縁は不要となるので、従
来構成に比較してシールドの絶縁構成は極めて簡
略化されるようになる。
（考案の効果）
以上詳述したようにこの考案によれば、ターゲ
ツト、ホルダーど電気的に絶縁する絶縁筒の表面
が、セシウムのようなスパツター用のイオンを発
生させるための蒸気により汚染されるのを防止す
るための金属製のシールドを、前記絶縁筒の表面
を覆うように配置し、かつこれをターゲツトと同
電位としたので、前記絶縁筒の汚染による高電圧
リークならびに負イオンビーム量の低減を簡単に
防止することができるとともに、シールドの絶縁
構成が簡略化されるといつた効果を奏する。
ツト、ホルダーど電気的に絶縁する絶縁筒の表面
が、セシウムのようなスパツター用のイオンを発
生させるための蒸気により汚染されるのを防止す
るための金属製のシールドを、前記絶縁筒の表面
を覆うように配置し、かつこれをターゲツトと同
電位としたので、前記絶縁筒の汚染による高電圧
リークならびに負イオンビーム量の低減を簡単に
防止することができるとともに、シールドの絶縁
構成が簡略化されるといつた効果を奏する。
第１図はこの考案の実施例を示す断面図、第２
図は従来例の断面図である。 １……ターゲツト部、２……ターゲツト、４…
…ホルダー、５……絶縁筒、７……アイオナイ
ザ、８，９……集束電極、１０……シールド。
図は従来例の断面図である。 １……ターゲツト部、２……ターゲツト、４…
…ホルダー、５……絶縁筒、７……アイオナイ
ザ、８，９……集束電極、１０……シールド。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 スパツタ用のイオンの衝突によつて負のイオン
を発生するターゲツトと、前記ターゲツトをホー
ルドするホルダーとによつてターゲツト部を構成
するとともに、前記ターゲツト部を絶縁する絶縁
筒の表面を金属製のシールドで覆い、かつこのシ
ールドを前記ターゲツトと同電位としてなるスパ
ツターイオン源装置。 スパツターイオン源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18622385U JPH0342608Y2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18622385U JPH0342608Y2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293366U JPS6293366U (ja) | 1987-06-15 |
| JPH0342608Y2 true JPH0342608Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=31135583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18622385U Expired JPH0342608Y2 (ja) | 1985-12-02 | 1985-12-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342608Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-12-02 JP JP18622385U patent/JPH0342608Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6293366U (ja) | 1987-06-15 |
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