JPH07292465A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH07292465A JPH07292465A JP8976094A JP8976094A JPH07292465A JP H07292465 A JPH07292465 A JP H07292465A JP 8976094 A JP8976094 A JP 8976094A JP 8976094 A JP8976094 A JP 8976094A JP H07292465 A JPH07292465 A JP H07292465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- cover ring
- shield ring
- electrode
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット材の接着層への異常放電を防止で
き、基板上に成膜される薄膜の欠陥発生の内、接着剤の
飛散による欠陥発生を防止できるスパッタリング装置の
提供。 【構成】 一対の電極２の一方に接着層３を介して張り
付けられたターゲット材４の外周にカバーリング10を嵌
合する。カバーリング10で接着層３が被覆されるため、
シールドリング５および接着層３間の異常放電発生が防
止され、この放電による接着剤の飛散が原因となる成膜
時の欠陥が防止される。
き、基板上に成膜される薄膜の欠陥発生の内、接着剤の
飛散による欠陥発生を防止できるスパッタリング装置の
提供。 【構成】 一対の電極２の一方に接着層３を介して張り
付けられたターゲット材４の外周にカバーリング10を嵌
合する。カバーリング10で接着層３が被覆されるため、
シールドリング５および接着層３間の異常放電発生が防
止され、この放電による接着剤の飛散が原因となる成膜
時の欠陥が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング装置に係
り、光磁気ディスクの記録膜や保護膜の成膜等の、半導
体、誘電体、磁性体等からなる各種薄膜や厚膜を基板上
に形成する際に利用できる。
り、光磁気ディスクの記録膜や保護膜の成膜等の、半導
体、誘電体、磁性体等からなる各種薄膜や厚膜を基板上
に形成する際に利用できる。
【０００２】
【背景技術】従来より、基板の表面に薄膜を形成する方
法としてスパッタリング法が知られている。従来のスパ
ッタリング装置１は、真空容器内に対向配置された一対
の電極を備え、図３に示すように一方の電極（バッキン
グプレート）２には、インジウム等からなる接着層３に
より成膜材料となる面状のターゲット材４が張り付けら
れている。
法としてスパッタリング法が知られている。従来のスパ
ッタリング装置１は、真空容器内に対向配置された一対
の電極を備え、図３に示すように一方の電極（バッキン
グプレート）２には、インジウム等からなる接着層３に
より成膜材料となる面状のターゲット材４が張り付けら
れている。
【０００３】また、電極２およびターゲット材４の外周
は、略筒状のシールドリング５で囲まれている。シール
ドリング５は、図中上方の端縁から内側に延びる鍔部５
Ａが設けられた接地電極であり、このシールドリング５
でターゲット材４の表面のみを露出させて電極２等がス
パッタリングされないように構成されている。なお、シ
ールドリング５の鍔部５Ａとターゲット材４との間に
は、幅寸法１〜２mm程度の隙間が形成され、この隙間に
よってシールドリング５とターゲット材４とが電気的に
絶縁されている。
は、略筒状のシールドリング５で囲まれている。シール
ドリング５は、図中上方の端縁から内側に延びる鍔部５
Ａが設けられた接地電極であり、このシールドリング５
でターゲット材４の表面のみを露出させて電極２等がス
パッタリングされないように構成されている。なお、シ
ールドリング５の鍔部５Ａとターゲット材４との間に
は、幅寸法１〜２mm程度の隙間が形成され、この隙間に
よってシールドリング５とターゲット材４とが電気的に
絶縁されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなスパッタリング装置１では、電極２およびターゲッ
ト材４間から接着層３が露出することがあり、この露出
した接着層３とシールドリング５間で異常放電（アーキ
ング）が生じると、接着層３（インジウム）に大電流が
流れ、その熱でインジウムが溶けて飛散し、このインジ
ウムが基板に付着して欠陥を生じさせるという問題があ
った。
うなスパッタリング装置１では、電極２およびターゲッ
ト材４間から接着層３が露出することがあり、この露出
した接着層３とシールドリング５間で異常放電（アーキ
ング）が生じると、接着層３（インジウム）に大電流が
流れ、その熱でインジウムが溶けて飛散し、このインジ
ウムが基板に付着して欠陥を生じさせるという問題があ
った。
【０００５】本発明は、ターゲット材を基板に張り付け
るインジウム等の接着層との間の異常放電発生を防止で
き、基板に成膜される薄膜等の欠陥発生の内、接着剤の
飛散による欠陥発生を防止できるスパッタリング装置を
提供することにある。
るインジウム等の接着層との間の異常放電発生を防止で
き、基板に成膜される薄膜等の欠陥発生の内、接着剤の
飛散による欠陥発生を防止できるスパッタリング装置を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向配置され
た一対の電極の一方に接着層を介してターゲット材が張
り付けられるとともに、他方の電極に基板が取り付けら
れるスパッタリング装置において、前記ターゲット材の
外周にカバーリングを嵌合したことを特徴とするもので
ある。この際、前記カバーリングは高融点でかつ導電性
を有する部材によって構成されていることが好ましく、
特に電極と同材質のもの、例えば銅等が好ましい。
た一対の電極の一方に接着層を介してターゲット材が張
り付けられるとともに、他方の電極に基板が取り付けら
れるスパッタリング装置において、前記ターゲット材の
外周にカバーリングを嵌合したことを特徴とするもので
ある。この際、前記カバーリングは高融点でかつ導電性
を有する部材によって構成されていることが好ましく、
特に電極と同材質のもの、例えば銅等が好ましい。
【０００７】
【作用】このような本発明では、ターゲット材の外周に
嵌合されるカバーリングによって接着層の端部が被覆さ
れるため、接着層とシールドリングとの間で異常放電が
生じることが無く、これにより接着層が溶けて飛散する
こともないため、インジウム等の接着剤が基板に付着す
ることがなく、基板に成膜される薄膜等の欠陥が防止さ
れる。また、カバーリングを、銅、好ましくは純銅、無
酸素銅、銀入り銅等の高融点でかつ導電性を有する部材
で構成すれば、シールドリングとカバーリングとの間で
異常放電が生じても、その電流は電極側にスムーズに流
れて発熱なども少なく、かつ高融点であれば熱でカバー
リングが溶けて飛散することもなく、基板に成膜される
薄膜等の欠陥は確実に防止される。
嵌合されるカバーリングによって接着層の端部が被覆さ
れるため、接着層とシールドリングとの間で異常放電が
生じることが無く、これにより接着層が溶けて飛散する
こともないため、インジウム等の接着剤が基板に付着す
ることがなく、基板に成膜される薄膜等の欠陥が防止さ
れる。また、カバーリングを、銅、好ましくは純銅、無
酸素銅、銀入り銅等の高融点でかつ導電性を有する部材
で構成すれば、シールドリングとカバーリングとの間で
異常放電が生じても、その電流は電極側にスムーズに流
れて発熱なども少なく、かつ高融点であれば熱でカバー
リングが溶けて飛散することもなく、基板に成膜される
薄膜等の欠陥は確実に防止される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。な
お、従来例と同じ部材については同一符号を付し、説明
を省略あるいは間略する。図１には、本発明の一実施例
が示されており、図２にはその拡大詳細図が記載されて
いる。スパッタリング装置１の一方の銅製の電極２に
は、インジウム（In）からなる接着層３を介して円板状
のターゲット材４が張り付けられている。
お、従来例と同じ部材については同一符号を付し、説明
を省略あるいは間略する。図１には、本発明の一実施例
が示されており、図２にはその拡大詳細図が記載されて
いる。スパッタリング装置１の一方の銅製の電極２に
は、インジウム（In）からなる接着層３を介して円板状
のターゲット材４が張り付けられている。
【０００９】ターゲット材４の外周には、カバーリング
１０が嵌挿されている。このカバーリング１０は、電極
２と同じ銅（純銅、無酸素銅、銀入り銅等）により形成
されており、ターゲット材４への嵌挿が容易となるよう
に、ターゲット材４との間に僅かな隙間Ｌ１（通常０．
５mm以下）が形成されるように嵌挿穴１０Ａの大きさが
設定されている。また、カバーリング１０の厚さは１mm
前後であり、カバーリング１０とシールドリング５との
間隔Ｌ２が図３に示す従来例の電極２とシールドリング
５との間隔Ｌ３とほぼ同じとなるように、例えば１〜３
mmとなるようにシールドリング５の位置が設定されてい
る。
１０が嵌挿されている。このカバーリング１０は、電極
２と同じ銅（純銅、無酸素銅、銀入り銅等）により形成
されており、ターゲット材４への嵌挿が容易となるよう
に、ターゲット材４との間に僅かな隙間Ｌ１（通常０．
５mm以下）が形成されるように嵌挿穴１０Ａの大きさが
設定されている。また、カバーリング１０の厚さは１mm
前後であり、カバーリング１０とシールドリング５との
間隔Ｌ２が図３に示す従来例の電極２とシールドリング
５との間隔Ｌ３とほぼ同じとなるように、例えば１〜３
mmとなるようにシールドリング５の位置が設定されてい
る。
【００１０】このような本実施例では、ターゲット材４
をインジウムを用いて電極２に接着した後、カバーリン
グ１０をターゲット材４に嵌挿し、ネジ止めや耐熱性の
粘着テープ等によって取り付ける。このカバーリング１
０により、ターゲット材４および電極２間からはみ出し
たり露出している接着層（インジウム）３が被覆され
る。スッパタリングを行って基板上に薄膜などを成膜し
ている際に、シールドリング５とターゲット材４やカバ
ーリング１０との間では異常放電が起こる可能性はある
が、接着層（インジウム）３はカバーリング１０で被覆
されているため、接着層３との間での異常放電の発生は
防止される。このため、接着層３に大電流が流れること
がなく、その電流による発熱によってインジウムが溶け
て飛散することも防止され、基板にインジウムが付着す
ることもない。
をインジウムを用いて電極２に接着した後、カバーリン
グ１０をターゲット材４に嵌挿し、ネジ止めや耐熱性の
粘着テープ等によって取り付ける。このカバーリング１
０により、ターゲット材４および電極２間からはみ出し
たり露出している接着層（インジウム）３が被覆され
る。スッパタリングを行って基板上に薄膜などを成膜し
ている際に、シールドリング５とターゲット材４やカバ
ーリング１０との間では異常放電が起こる可能性はある
が、接着層（インジウム）３はカバーリング１０で被覆
されているため、接着層３との間での異常放電の発生は
防止される。このため、接着層３に大電流が流れること
がなく、その電流による発熱によってインジウムが溶け
て飛散することも防止され、基板にインジウムが付着す
ることもない。
【００１１】このような本実施例によれば、ターゲット
材４にカバーリング１０を嵌挿して接着層３を被覆する
ことで、シールドリング５と接着層３との間の異常放電
発生を防止でき、この異常放電によって発生するインジ
ウム等の接着剤の飛散を防止できる。これにより、基板
上に形成される薄膜等にインジウム等が付着して欠陥が
発生することを未然に防止できる。
材４にカバーリング１０を嵌挿して接着層３を被覆する
ことで、シールドリング５と接着層３との間の異常放電
発生を防止でき、この異常放電によって発生するインジ
ウム等の接着剤の飛散を防止できる。これにより、基板
上に形成される薄膜等にインジウム等が付着して欠陥が
発生することを未然に防止できる。
【００１２】また、カバーリング１０は、高融点で導電
性に優れた銅で形成されているので、仮にカバーリング
１０に異常放電が生じても、その電流は電極２にスムー
ズに流れてカバーリング１０での発熱を最小限に押さえ
ることができ、その熱で接着層（インジウム）３が溶融
して飛散することも防止できる。さらに、カバーリング
１０は高融点であるから、前述の発熱によってカバーリ
ング１０が溶融して飛散することも確実に防止でき、基
板に成膜された薄膜等にカバーリング１０の材料が付着
して欠陥が発生することを確実に防止できる。
性に優れた銅で形成されているので、仮にカバーリング
１０に異常放電が生じても、その電流は電極２にスムー
ズに流れてカバーリング１０での発熱を最小限に押さえ
ることができ、その熱で接着層（インジウム）３が溶融
して飛散することも防止できる。さらに、カバーリング
１０は高融点であるから、前述の発熱によってカバーリ
ング１０が溶融して飛散することも確実に防止でき、基
板に成膜された薄膜等にカバーリング１０の材料が付着
して欠陥が発生することを確実に防止できる。
【００１３】また、カバーリング１０の嵌挿穴１０Ａ
は、ターゲット材４の径に比べて僅かに大きいので、カ
バーリング１０のターゲット材４への嵌挿作業が容易に
行えてターゲット材４の交換作業時等にも容易に取り付
けることができる。さらに、カバーリング１０とターゲ
ット材４との間に僅かな隙間Ｌ１が生じるため、仮にカ
バーリング１０が異常放電によって発熱してもその熱は
接着層３に伝わらず、接着層３の溶融をより確実に防止
することができる。
は、ターゲット材４の径に比べて僅かに大きいので、カ
バーリング１０のターゲット材４への嵌挿作業が容易に
行えてターゲット材４の交換作業時等にも容易に取り付
けることができる。さらに、カバーリング１０とターゲ
ット材４との間に僅かな隙間Ｌ１が生じるため、仮にカ
バーリング１０が異常放電によって発熱してもその熱は
接着層３に伝わらず、接着層３の溶融をより確実に防止
することができる。
【００１４】また、カバーリング１０を設けても、その
カバーリング１０とシールドリング５との間隔Ｌ２を従
来の電極２およびシールドリング５間の間隔Ｌ３と同じ
となるように設定しているため、カバーリング１０を設
けることで間隔Ｌ２がＬ３と異なることで異常放電が発
生しやすくなることがなく、異常放電の発生を抑えるこ
とができる。
カバーリング１０とシールドリング５との間隔Ｌ２を従
来の電極２およびシールドリング５間の間隔Ｌ３と同じ
となるように設定しているため、カバーリング１０を設
けることで間隔Ｌ２がＬ３と異なることで異常放電が発
生しやすくなることがなく、異常放電の発生を抑えるこ
とができる。
【００１５】以上、本発明について好適な実施例をあげ
て説明したが、本発明は前記実施例に限らず、本発明の
要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の
変更が可能である。例えば、ターゲット材４としては、
円板状に限らず、角板状等の種々の形状のものが利用で
き、カバーリング１０もターゲット材４の形状に合わせ
た嵌挿穴１０Ａを備えていればよく、その形状は適宜設
定すればよい。
て説明したが、本発明は前記実施例に限らず、本発明の
要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の
変更が可能である。例えば、ターゲット材４としては、
円板状に限らず、角板状等の種々の形状のものが利用で
き、カバーリング１０もターゲット材４の形状に合わせ
た嵌挿穴１０Ａを備えていればよく、その形状は適宜設
定すればよい。
【００１６】また、カバーリング１０の材質は、電極２
と同じものでなくてもよく、特に高融点であり、かつ導
電性を有する部材から適宜選択することができる。特
に、インジウム等の接着層３よりも融点が高く、導電率
も高い部材が好ましい。さらに、本発明は、マグネトロ
ンスパッタリング装置などの従来から公知の各種スパッ
タリング装置に利用することができる。
と同じものでなくてもよく、特に高融点であり、かつ導
電性を有する部材から適宜選択することができる。特
に、インジウム等の接着層３よりも融点が高く、導電率
も高い部材が好ましい。さらに、本発明は、マグネトロ
ンスパッタリング装置などの従来から公知の各種スパッ
タリング装置に利用することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲット材を基板に
張り付けるインジウム等の接着層との間の異常放電発生
を防止でき、基板に成膜された薄膜等の欠陥発生の内、
接着剤の飛散による欠陥発生を防止することができると
いう効果がある。
張り付けるインジウム等の接着層との間の異常放電発生
を防止でき、基板に成膜された薄膜等の欠陥発生の内、
接着剤の飛散による欠陥発生を防止することができると
いう効果がある。
【図１】本発明の一実施例のターゲット材取付部分を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図２】図１の拡大詳細図である。
【図３】本発明の従来例のターゲット材取付部分を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
１ スパッタリング装置 ２ 電極 ３ 接着層 ４ ターゲット材 ５ シールドリング １０ カバーリング
Claims (2)
- 【請求項１】 対向配置された一対の電極の一方に接着
層を介してターゲット材が張り付けられるとともに、他
方の電極に基板が取り付けられるスパッタリング装置に
おいて、前記ターゲット材の外周にカバーリングが嵌合
されていることを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記カバーリングは高融点で、かつ導電性を有す
る部材によって構成されていることを特徴とするスパッ
タリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8976094A JPH07292465A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8976094A JPH07292465A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07292465A true JPH07292465A (ja) | 1995-11-07 |
Family
ID=13979678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8976094A Pending JPH07292465A (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07292465A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| CN105369204A (zh) * | 2014-08-06 | 2016-03-02 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶-背衬板接合体 |
| JP2017036510A (ja) * | 2016-10-04 | 2017-02-16 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| US20220415631A1 (en) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Materion Corporation | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP8976094A patent/JPH07292465A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105369204A (zh) * | 2014-08-06 | 2016-03-02 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶-背衬板接合体 |
| JP2016037621A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| WO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2016-02-11 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| JPWO2016021101A1 (ja) * | 2014-08-08 | 2017-05-25 | 株式会社アルバック | ターゲットアッセンブリ |
| US9972479B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-05-15 | Ulvac, Inc. | Target assembly |
| JP2017036510A (ja) * | 2016-10-04 | 2017-02-16 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| US20220415631A1 (en) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Materion Corporation | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1322796B1 (en) | High purity sputter targets with target end-of-life indication and method of manufacture | |
| US20210231610A1 (en) | Sample support body | |
| JPS5844742B2 (ja) | スパツタリング装置 | |
| EP3686590B1 (en) | Laser desorption/ionization method and mass spectrometry method | |
| JPH10121232A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH07292465A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH1021586A (ja) | Ｄｃスパッタリング装置 | |
| JP2000265265A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| JPS60197873A (ja) | スパツタリング装置における絶縁物タ−ゲツト用ア−スシ−ルド装置 | |
| JPH0734236A (ja) | 直流スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JPH02209476A (ja) | スパッタリング方法 | |
| JPH0220210Y2 (ja) | ||
| EP0380624B1 (fr) | Tête magnétique d'enregistrement-lecture | |
| JPH0583633B2 (ja) | ||
| JP2660716B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
| JP4672121B2 (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、並びに薄膜の製造方法 | |
| JP2948019B2 (ja) | スパッタ用ターゲット | |
| JPH0219461A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP3442831B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07278806A (ja) | スパッタ用ターゲット | |
| JPS6328988B2 (ja) | ||
| EP1496135A1 (en) | Spattering device, method of forming thin film by spattering, and method of manufacturing disk-like recording medium using the device | |
| JPH07126841A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP4005412B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000256846A (ja) | 直流マグネトロンスパッタ装置 |