JPH07278806A - スパッタ用ターゲット - Google Patents
スパッタ用ターゲットInfo
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- JPH07278806A JPH07278806A JP7477294A JP7477294A JPH07278806A JP H07278806 A JPH07278806 A JP H07278806A JP 7477294 A JP7477294 A JP 7477294A JP 7477294 A JP7477294 A JP 7477294A JP H07278806 A JPH07278806 A JP H07278806A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】無駄となる部分が少なく、利用率の良いスパッ
タ用ターゲットの提供。 【構成】マグネトロン方式のスパッタ装置に用いるスパ
ッタ用ターゲットとして、ターゲット材２がイオンに浸
食されやすい浸食領域に配置される第１のターゲット材
である中間部21と、イオンに浸食されにくい非浸食領域
に配置される第２のターゲット材である中心部20A およ
び周縁部20B とに分割されたターゲット１をスパッタリ
ングに使用する。スパッタにより消耗し、使用限界に到
達した中間部21のみを取外して新しいものと交換すれ
ば、消耗しない中心部20A および周縁部20B は再度使用
可能なので、ターゲット１の無駄となる部分が少なくな
り、利用率が向上する。
タ用ターゲットの提供。 【構成】マグネトロン方式のスパッタ装置に用いるスパ
ッタ用ターゲットとして、ターゲット材２がイオンに浸
食されやすい浸食領域に配置される第１のターゲット材
である中間部21と、イオンに浸食されにくい非浸食領域
に配置される第２のターゲット材である中心部20A およ
び周縁部20B とに分割されたターゲット１をスパッタリ
ングに使用する。スパッタにより消耗し、使用限界に到
達した中間部21のみを取外して新しいものと交換すれ
ば、消耗しない中心部20A および周縁部20B は再度使用
可能なので、ターゲット１の無駄となる部分が少なくな
り、利用率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ用ターゲットに
関し、マグネトロン方式のスパッタ装置に利用できる。
関し、マグネトロン方式のスパッタ装置に利用できる。
【０００２】
【背景技術】従来より、任意の基板の表面に様々な物質
の薄膜を形成できるスパッタ装置が利用されており、こ
のようなスパッタ装置の一種として、マグネトロン式の
スパッタ装置がある。マグネトロン式のスパッタ装置
は、ターゲットが設置される陰極として、表面側に磁界
を発生する、いわゆるマグネトロンカソードを備えたも
のである。マグネトロン式のスパッタ装置によれば、陰
極が発生する磁界により、活発に運動するイオンや電子
を所定の空間に閉じ込め、ターゲットの表面近傍に高密
度のプラズマを発生させることができるので、大きなイ
オン電流が得られ、所定厚さの薄膜を高速度で成膜でき
る。
の薄膜を形成できるスパッタ装置が利用されており、こ
のようなスパッタ装置の一種として、マグネトロン式の
スパッタ装置がある。マグネトロン式のスパッタ装置
は、ターゲットが設置される陰極として、表面側に磁界
を発生する、いわゆるマグネトロンカソードを備えたも
のである。マグネトロン式のスパッタ装置によれば、陰
極が発生する磁界により、活発に運動するイオンや電子
を所定の空間に閉じ込め、ターゲットの表面近傍に高密
度のプラズマを発生させることができるので、大きなイ
オン電流が得られ、所定厚さの薄膜を高速度で成膜でき
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、イオン
や電子を所定の空間に閉じ込めて高密度のプラズマを発
生させることから、ターゲットの特定部分だけがスパッ
タリングされ、特定部分が消耗してしまうと、ターゲッ
ト全体がスパッタされる前に交換する必要があるので、
無駄となる部分が多くターゲットの利用率が悪いという
問題がある。
や電子を所定の空間に閉じ込めて高密度のプラズマを発
生させることから、ターゲットの特定部分だけがスパッ
タリングされ、特定部分が消耗してしまうと、ターゲッ
ト全体がスパッタされる前に交換する必要があるので、
無駄となる部分が多くターゲットの利用率が悪いという
問題がある。
【０００４】本発明の目的は、無駄となる部分が少な
く、利用率の良好なスパッタ用ターゲットを提供するこ
とにある。
く、利用率の良好なスパッタ用ターゲットを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネトロン
方式のスパッタ装置に用いるスパッタ用ターゲットであ
って、加速された入射イオンに浸食されやすい浸食領域
に配置される第１のターゲット材と、イオンに浸食され
にくい非浸食領域に配置される第２のターゲット材とを
分割して別個に成形したことを特徴とする。
方式のスパッタ装置に用いるスパッタ用ターゲットであ
って、加速された入射イオンに浸食されやすい浸食領域
に配置される第１のターゲット材と、イオンに浸食され
にくい非浸食領域に配置される第２のターゲット材とを
分割して別個に成形したことを特徴とする。
【０００６】以上において、第１のターゲット材は、薄
膜の材料となるものである。この第１のターゲット材に
対し、第２のターゲット材は、第１のターゲットと同一
の材質のものおよび異なる材質のものの両方が採用でき
る。ここで、第１のターゲット材が弱磁性体の場合、第
２のターゲット材としては、第１のターゲット材と異な
る弱磁性体または反磁性体が採用できる。具体的には、
第２のターゲット材を形成する弱磁性体としては、アル
ミニウム、チタニウム、タングステン、タンタル等が採
用でき、反磁性体としては、銅等が採用きでる。一方、
第１のターゲット材が強磁性体の場合、第２のターゲッ
ト材としては、その透磁率が第１のターゲット材の透磁
率の５０〜２００％の範囲にあるものが採用できる。ま
た、第１のターゲット材および第２のターゲット材は、
それぞれ融点の異なる溶融金属で一つの裏板に取付ける
ことが望ましい。
膜の材料となるものである。この第１のターゲット材に
対し、第２のターゲット材は、第１のターゲットと同一
の材質のものおよび異なる材質のものの両方が採用でき
る。ここで、第１のターゲット材が弱磁性体の場合、第
２のターゲット材としては、第１のターゲット材と異な
る弱磁性体または反磁性体が採用できる。具体的には、
第２のターゲット材を形成する弱磁性体としては、アル
ミニウム、チタニウム、タングステン、タンタル等が採
用でき、反磁性体としては、銅等が採用きでる。一方、
第１のターゲット材が強磁性体の場合、第２のターゲッ
ト材としては、その透磁率が第１のターゲット材の透磁
率の５０〜２００％の範囲にあるものが採用できる。ま
た、第１のターゲット材および第２のターゲット材は、
それぞれ融点の異なる溶融金属で一つの裏板に取付ける
ことが望ましい。
【０００７】
【作用】このような本発明では、ターゲットをスパッタ
すると、ターゲットの原子が基板に向かって打ち出さ
れ、基板の表面にターゲットを構成する物質で薄膜が成
膜される。この成膜過程においては、ターゲットのうち
第２のターゲット材は殆ど消耗されず、第１のターゲッ
ト材が主に消耗される。ここで、ターゲット全体の形状
は、通常のターゲットと同一の形状とできるので、プラ
ズマの発生に必要な所定形状の磁界分布に影響を与える
ことがなく、通常のターゲットと同様に成膜することが
可能となる。また、第１のターゲット材と第２のターゲ
ット材とは分割されているので、使用限界に到達した第
１のターゲット材のみを取外して新しいものと交換する
ことにより、消耗しない第２のターゲット材は再度使用
されることとなるため、ターゲットの無駄となる部分が
少なくなって利用率が向上し、これにより前記目的が達
成される。
すると、ターゲットの原子が基板に向かって打ち出さ
れ、基板の表面にターゲットを構成する物質で薄膜が成
膜される。この成膜過程においては、ターゲットのうち
第２のターゲット材は殆ど消耗されず、第１のターゲッ
ト材が主に消耗される。ここで、ターゲット全体の形状
は、通常のターゲットと同一の形状とできるので、プラ
ズマの発生に必要な所定形状の磁界分布に影響を与える
ことがなく、通常のターゲットと同様に成膜することが
可能となる。また、第１のターゲット材と第２のターゲ
ット材とは分割されているので、使用限界に到達した第
１のターゲット材のみを取外して新しいものと交換する
ことにより、消耗しない第２のターゲット材は再度使用
されることとなるため、ターゲットの無駄となる部分が
少なくなって利用率が向上し、これにより前記目的が達
成される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１および図２には、本発明の第１実施例のター
ゲット１が示されている。ターゲット１は、マグネトロ
ン方式のスパッタ装置に用いる円盤状のものである。こ
れらの図のうち、図１には、未使用のターゲット１が示
され、図２には、消耗して使用限界に到達したターゲッ
ト１がスパッタ装置に設置された状態で示されている。
ターゲット１には、成膜の材料となる円盤状のターゲッ
ト材２と、ターゲット材２よりも一回り大きい円盤状の
裏板３とが備えられている。ターゲット材２は、各部分
が互いに同軸となるように分割されたものであり、円盤
状の中心部分に配置された中心部20A 、円盤状の周縁部
分に配置された周縁部20B 、および、中心部20A および
周縁部20B の間に配置された中間部21を備えている。
する。図１および図２には、本発明の第１実施例のター
ゲット１が示されている。ターゲット１は、マグネトロ
ン方式のスパッタ装置に用いる円盤状のものである。こ
れらの図のうち、図１には、未使用のターゲット１が示
され、図２には、消耗して使用限界に到達したターゲッ
ト１がスパッタ装置に設置された状態で示されている。
ターゲット１には、成膜の材料となる円盤状のターゲッ
ト材２と、ターゲット材２よりも一回り大きい円盤状の
裏板３とが備えられている。ターゲット材２は、各部分
が互いに同軸となるように分割されたものであり、円盤
状の中心部分に配置された中心部20A 、円盤状の周縁部
分に配置された周縁部20B 、および、中心部20A および
周縁部20B の間に配置された中間部21を備えている。
【０００９】中心部20A および周縁部20B は、スッパタ
のイオンに浸食されにくい非浸食領域に配置される第２
のターゲット材であり、鉛が添加されて融点が約２００
℃となったインジウムを溶融したもので裏板３に接着さ
れている。中間部21は、スパッタのイオンに浸食されや
すい浸食領域に配置される第１のターゲット材であり、
融点が約１５６℃のインジウムを溶融したもので裏板３
に接着されている。なお、中心部20A 、周縁部20B 、お
よび、中間部21を接着するためのインジウムおよび鉛を
添加したインジウムの厚さは、０．２〜０．５mmが適切
である。このようなターゲット１は、図２に示されるよ
うに、スパッタで消耗しても、浸食される部分は中間部
21のみに限定され、中心部20A および周縁部20B は、殆
ど浸食されず、使用限界に到達すると、中間部21のみを
裏板３から取外して新しいものと交換可能となってい
る。
のイオンに浸食されにくい非浸食領域に配置される第２
のターゲット材であり、鉛が添加されて融点が約２００
℃となったインジウムを溶融したもので裏板３に接着さ
れている。中間部21は、スパッタのイオンに浸食されや
すい浸食領域に配置される第１のターゲット材であり、
融点が約１５６℃のインジウムを溶融したもので裏板３
に接着されている。なお、中心部20A 、周縁部20B 、お
よび、中間部21を接着するためのインジウムおよび鉛を
添加したインジウムの厚さは、０．２〜０．５mmが適切
である。このようなターゲット１は、図２に示されるよ
うに、スパッタで消耗しても、浸食される部分は中間部
21のみに限定され、中心部20A および周縁部20B は、殆
ど浸食されず、使用限界に到達すると、中間部21のみを
裏板３から取外して新しいものと交換可能となってい
る。
【００１０】裏板３は、熱伝導率の高い無酸素銅および
燐青銅等からなる金属板である。スパッタ装置に設置さ
れた状態においては、裏板３の図２中下方に、永久磁石
や電磁石等の磁石４および図示しない冷却配管が配置さ
れている。磁石４は、ターゲット材２の表面近傍に数百
ガウスの磁界を発生させるように設計されている。裏板
３の周囲には、シールド板５が設置されている。ターゲ
ット材２は、シールド板５の遮蔽効果を享受するため
に、その中心軸がシールド板５の中心軸と一致するよう
にスパッタ装置に設置する必要がある。このために、タ
ーゲット材２は、互いの中心軸を一致させて裏板３に取
付けなければならない。なお、この取付けの際に許容さ
れる誤差は、±０．５mmとなっている。
燐青銅等からなる金属板である。スパッタ装置に設置さ
れた状態においては、裏板３の図２中下方に、永久磁石
や電磁石等の磁石４および図示しない冷却配管が配置さ
れている。磁石４は、ターゲット材２の表面近傍に数百
ガウスの磁界を発生させるように設計されている。裏板
３の周囲には、シールド板５が設置されている。ターゲ
ット材２は、シールド板５の遮蔽効果を享受するため
に、その中心軸がシールド板５の中心軸と一致するよう
にスパッタ装置に設置する必要がある。このために、タ
ーゲット材２は、互いの中心軸を一致させて裏板３に取
付けなければならない。なお、この取付けの際に許容さ
れる誤差は、±０．５mmとなっている。
【００１１】以上において、中心部20A および周縁部20
B と、中間部21とは、同一材質で形成できることは言う
までもなく、異なる材質で形成することも可能である。
すなわち、中心部20A および周縁部20B と中間部21とを
異なる材質で形成しても、プラズマの発生に必要な所定
形状の磁界分布が得ることができ、通常のターゲットと
同様に成膜することが可能であれば、中心部20A および
周縁部20B は、任意の材質で形成することができる。例
えば、中間部21が弱磁性体の場合、中心部20A および周
縁部20B としては、中間部21と同じ材質のものの他、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の弱磁性体のもの、あるいは、Ｃ
ｕ等の反磁性体を採用することができる。中間部21が強
磁性体の場合には、中心部20A および周縁部20B として
は、中間部21と同じ材質のものの他、中間部21の透磁率
の５０〜２００％の範囲の透磁率を有する他の磁性体を
採用することができる。
B と、中間部21とは、同一材質で形成できることは言う
までもなく、異なる材質で形成することも可能である。
すなわち、中心部20A および周縁部20B と中間部21とを
異なる材質で形成しても、プラズマの発生に必要な所定
形状の磁界分布が得ることができ、通常のターゲットと
同様に成膜することが可能であれば、中心部20A および
周縁部20B は、任意の材質で形成することができる。例
えば、中間部21が弱磁性体の場合、中心部20A および周
縁部20B としては、中間部21と同じ材質のものの他、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の弱磁性体のもの、あるいは、Ｃ
ｕ等の反磁性体を採用することができる。中間部21が強
磁性体の場合には、中心部20A および周縁部20B として
は、中間部21と同じ材質のものの他、中間部21の透磁率
の５０〜２００％の範囲の透磁率を有する他の磁性体を
採用することができる。
【００１２】このような本実施例では、ターゲット材２
をスパッタして図示しない基板上に薄膜を成膜してゆ
く。そして、使用限界に到達するまで同一のターゲット
１を使用し、ターゲット材２が使用限界に到達したら、
スパッタ装置からターゲット１を取り出した後、ターゲ
ット１をインジウムの融点まで加熱してインジウムを溶
融し、裏板３から使用済みの中間部21のみを取外す。次
いで、中間部21が取外されたターゲット１に新しい中間
部21を取付けた後、当該ターゲット１をスパッタ装置に
設置し、成膜を開始する。なお、使用済みの中間部21を
ターゲット１から取外す際に、使用済みの中間部21に付
着したインジウムも取り除かれるので、接着に要するイ
ンジウムは不足する。このため、ターゲット１に新しい
中間部21を取付ける際に、インジウムの不足分を補充す
る。
をスパッタして図示しない基板上に薄膜を成膜してゆ
く。そして、使用限界に到達するまで同一のターゲット
１を使用し、ターゲット材２が使用限界に到達したら、
スパッタ装置からターゲット１を取り出した後、ターゲ
ット１をインジウムの融点まで加熱してインジウムを溶
融し、裏板３から使用済みの中間部21のみを取外す。次
いで、中間部21が取外されたターゲット１に新しい中間
部21を取付けた後、当該ターゲット１をスパッタ装置に
設置し、成膜を開始する。なお、使用済みの中間部21を
ターゲット１から取外す際に、使用済みの中間部21に付
着したインジウムも取り除かれるので、接着に要するイ
ンジウムは不足する。このため、ターゲット１に新しい
中間部21を取付ける際に、インジウムの不足分を補充す
る。
【００１３】前述のような本実施例によれば、次のよう
な効果がある。すなわち、ターゲット１全体の形状は、
通常のターゲットとなんら変わることがないので、プラ
ズマの発生に必要な所定形状の磁界分布に影響を与える
ことがなく、ターゲット１で良好な薄膜を成膜すること
ができる。
な効果がある。すなわち、ターゲット１全体の形状は、
通常のターゲットとなんら変わることがないので、プラ
ズマの発生に必要な所定形状の磁界分布に影響を与える
ことがなく、ターゲット１で良好な薄膜を成膜すること
ができる。
【００１４】また、第１のターゲット材である中間部21
と、第２のターゲット材である中心部20A および周縁部
20B とを分割し、使用限界に到達した中間部21のみを裏
板３から取外して新しいものと交換できるようにしたの
で、消耗しない中心部20A および周縁部20B が再度使用
できるようになるため、ターゲット１の無駄となる部分
が少なくなり、利用率を向上できる。
と、第２のターゲット材である中心部20A および周縁部
20B とを分割し、使用限界に到達した中間部21のみを裏
板３から取外して新しいものと交換できるようにしたの
で、消耗しない中心部20A および周縁部20B が再度使用
できるようになるため、ターゲット１の無駄となる部分
が少なくなり、利用率を向上できる。
【００１５】さらに、中間部21を純粋なインジウムで接
着し、中心部20A および周縁部20Bをインジウムよりも
融点の高い鉛添加のインジウムで接着したので、インジ
ウムが融ける温度までターゲット１を加熱しても、中心
部20A および周縁部20B が裏板３から外れることがな
く、中間部21のみを裏板３から容易かつ確実に取外すこ
とができる。
着し、中心部20A および周縁部20Bをインジウムよりも
融点の高い鉛添加のインジウムで接着したので、インジ
ウムが融ける温度までターゲット１を加熱しても、中心
部20A および周縁部20B が裏板３から外れることがな
く、中間部21のみを裏板３から容易かつ確実に取外すこ
とができる。
【００１６】また、中心部20A および周縁部20B を所定
の精度で裏板３に一旦取付けておけば、その後の中間部
21の取付位置は自動的に決まってしまうので、中間部21
を裏板３に接着するにあたり、治具および治具の取付作
業等が省略され、精度を損なうことなく中間部21の裏板
３への接着作業を簡素化できる。
の精度で裏板３に一旦取付けておけば、その後の中間部
21の取付位置は自動的に決まってしまうので、中間部21
を裏板３に接着するにあたり、治具および治具の取付作
業等が省略され、精度を損なうことなく中間部21の裏板
３への接着作業を簡素化できる。
【００１７】図３には、本発明の第２実施例が示されて
いる。本実施例は、前記第１実施例における全体が同一
材質でできた中心部20A および周縁部20B を、表面に別
材質の層32を有する中心部30A および周縁部30B とした
ものである。すなわち、ターゲット材2Aは、中心部30A
、周縁部30B および中間部31に分割されたものであ
る。このうち、中心部30A および周縁部30B は、中間部
31とは異なるが、互いに同じ材質の下地材の表面に、中
間部31と同じ材質の層32を形成したものである。層32の
厚さは、材質に応じて０．５〜３．０mmの範囲で設定さ
れている。このような本実施例においても前記第１実施
例と同様な作用、効果を奏することができる他、中心部
30A および周縁部30B の表面に中間部31と同じ材質の層
32が形成されているので、中間部31と同一組成の物質以
外はスパッタされず、高純度の薄膜を形成できるという
効果を付加できる。
いる。本実施例は、前記第１実施例における全体が同一
材質でできた中心部20A および周縁部20B を、表面に別
材質の層32を有する中心部30A および周縁部30B とした
ものである。すなわち、ターゲット材2Aは、中心部30A
、周縁部30B および中間部31に分割されたものであ
る。このうち、中心部30A および周縁部30B は、中間部
31とは異なるが、互いに同じ材質の下地材の表面に、中
間部31と同じ材質の層32を形成したものである。層32の
厚さは、材質に応じて０．５〜３．０mmの範囲で設定さ
れている。このような本実施例においても前記第１実施
例と同様な作用、効果を奏することができる他、中心部
30A および周縁部30B の表面に中間部31と同じ材質の層
32が形成されているので、中間部31と同一組成の物質以
外はスパッタされず、高純度の薄膜を形成できるという
効果を付加できる。
【００１８】次に、本発明の効果を具体的な実験例に基
づいて説明する。 〔実験例１〕本実験例１は、前述の第１実施例のターゲ
ット１を用いてスパッタリングを行い、ターゲット材２
を使用限界まで消耗させ、その利用率を測定するもので
ある。ここで、ターゲット材２の組成は、中心部20A 、
周縁部20B 、および、中間部21ともＡｌ40Ｓｉ60で形成
されている。ターゲット材２の半径Ｒは１００mmであ
り、中間部21の半径ｒ1 および中心部20A の半径ｒ
2 は、それぞれ９０mmおよび２２mmとなっている。 〔実験結果〕ターゲット１をスパッタリングすることに
より、通常のターゲットと同品質の薄膜を得ることがで
きた。また、ターゲット材２は、通常のターゲットと同
様に、その全容積の４５％まで使用できた。ターゲット
１の利用率φは、ターゲット材２の消耗量を中間部21の
容積Ｖで割ったものとなるので、ターゲット材２の容積
をＱとすると下式で求めることができる。 φ＝（Ｑ×０．４５）／Ｖ ここで、Ｖ＝Ｑ×（πｒ1 2 −πｒ2 2 ）／（πＲ2 ）
≒０．７６Ｑを代入すると、φ＝５９％が得られる。こ
のことから、使用率が従来の４５％から３割強向上する
ことが判る。
づいて説明する。 〔実験例１〕本実験例１は、前述の第１実施例のターゲ
ット１を用いてスパッタリングを行い、ターゲット材２
を使用限界まで消耗させ、その利用率を測定するもので
ある。ここで、ターゲット材２の組成は、中心部20A 、
周縁部20B 、および、中間部21ともＡｌ40Ｓｉ60で形成
されている。ターゲット材２の半径Ｒは１００mmであ
り、中間部21の半径ｒ1 および中心部20A の半径ｒ
2 は、それぞれ９０mmおよび２２mmとなっている。 〔実験結果〕ターゲット１をスパッタリングすることに
より、通常のターゲットと同品質の薄膜を得ることがで
きた。また、ターゲット材２は、通常のターゲットと同
様に、その全容積の４５％まで使用できた。ターゲット
１の利用率φは、ターゲット材２の消耗量を中間部21の
容積Ｖで割ったものとなるので、ターゲット材２の容積
をＱとすると下式で求めることができる。 φ＝（Ｑ×０．４５）／Ｖ ここで、Ｖ＝Ｑ×（πｒ1 2 −πｒ2 2 ）／（πＲ2 ）
≒０．７６Ｑを代入すると、φ＝５９％が得られる。こ
のことから、使用率が従来の４５％から３割強向上する
ことが判る。
【００１９】〔実験例２〕本実験例２は、前記第１実験
例と同様に、前記第１実施例のターゲット１を用いてス
パッタリングを行い、ターゲット材２を使用限界まで消
耗させ、その利用率を測定するものである。ここで、タ
ーゲット材２の組成は、中間部21がＴｂＦｅＣｏＣｒの
組成を有する強磁性体とされ、中心部20A および周縁部
20B がＤｙＦｅＣｏの組成を有する強磁性体とされてい
る。これらの磁性体の透磁率は、中間部21が５．０、中
心部20A および周縁部20B が４．５となっている。ま
た、ターゲット材２の半径Ｒは１００mmであり、中間部
21の半径ｒ1 および中心部20A の半径ｒ2 は、それぞれ
９０mmおよび２５mmとなっている。 〔実験結果〕ターゲット１をスパッタリングすることに
より、通常のターゲットと同品質の薄膜を得ることがで
きた。また、ターゲット材２は、通常のターゲットと同
様に、その全容積の４５％まで使用できた。ターゲット
１の利用率φは、実験例１と同様に求めることができ
る。ただし、この実験例２では、Ｖ≒０．７５Ｑである
ことから、φ＝（Ｑ×０．４５）／Ｖ＝６０％が得ら
れ、実験例１と同様に、使用率が従来の４５％から３割
強向上することが判る。
例と同様に、前記第１実施例のターゲット１を用いてス
パッタリングを行い、ターゲット材２を使用限界まで消
耗させ、その利用率を測定するものである。ここで、タ
ーゲット材２の組成は、中間部21がＴｂＦｅＣｏＣｒの
組成を有する強磁性体とされ、中心部20A および周縁部
20B がＤｙＦｅＣｏの組成を有する強磁性体とされてい
る。これらの磁性体の透磁率は、中間部21が５．０、中
心部20A および周縁部20B が４．５となっている。ま
た、ターゲット材２の半径Ｒは１００mmであり、中間部
21の半径ｒ1 および中心部20A の半径ｒ2 は、それぞれ
９０mmおよび２５mmとなっている。 〔実験結果〕ターゲット１をスパッタリングすることに
より、通常のターゲットと同品質の薄膜を得ることがで
きた。また、ターゲット材２は、通常のターゲットと同
様に、その全容積の４５％まで使用できた。ターゲット
１の利用率φは、実験例１と同様に求めることができ
る。ただし、この実験例２では、Ｖ≒０．７５Ｑである
ことから、φ＝（Ｑ×０．４５）／Ｖ＝６０％が得ら
れ、実験例１と同様に、使用率が従来の４５％から３割
強向上することが判る。
【００２０】以上、本発明について好適な実施例を挙げ
て説明したが、本発明は、この実施例に限られるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能である。例えば、ターゲット
としては、円盤状のターゲット１に限らず、図４に示さ
れるように、長方形状のターゲット1Bでもよい。このよ
うなターゲット1Bを採用する場合、ターゲット1Bの表面
に発生する磁界分布に応じてターゲット材2Bの分割位置
を決め、この分割位置に基づいて中心部40A 、周縁部40
B 、および、中間部41を形成すればよい。
て説明したが、本発明は、この実施例に限られるもので
なく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改
良並びに設計の変更が可能である。例えば、ターゲット
としては、円盤状のターゲット１に限らず、図４に示さ
れるように、長方形状のターゲット1Bでもよい。このよ
うなターゲット1Bを採用する場合、ターゲット1Bの表面
に発生する磁界分布に応じてターゲット材2Bの分割位置
を決め、この分割位置に基づいて中心部40A 、周縁部40
B 、および、中間部41を形成すればよい。
【００２１】また、ターゲット材としては、同軸位置と
なるように三つに分割されたものに限らず、図４に示す
長方形状のターゲット材2Bの場合には、取外し作業時の
便宜を考慮して、中間部41をさらに細かく分割してもよ
く、要するに、磁界分布等に基づいて浸食領域および非
浸食領域に分割してあればよく、実施にあたり分割した
ものをさらに細かく分割することは任意である。
なるように三つに分割されたものに限らず、図４に示す
長方形状のターゲット材2Bの場合には、取外し作業時の
便宜を考慮して、中間部41をさらに細かく分割してもよ
く、要するに、磁界分布等に基づいて浸食領域および非
浸食領域に分割してあればよく、実施にあたり分割した
ものをさらに細かく分割することは任意である。
【００２２】
【発明の効果】前述のように本発明によれば、無駄とな
る部分が少なく、利用率を向上することができる。
る部分が少なく、利用率を向上することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す分解状態の斜視図で
ある。
ある。
【図２】前記実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の変形例を示す断面図である。
１，1B スパッタ用ターゲット ３ 裏板 20A,30A,40A 第２のターゲット材としての中心部 20B,30B,40B 第２のターゲット材としての周縁部 21,31,41 第１のターゲット材としての中間部 32 層
Claims (7)
- 【請求項１】マグネトロン方式のスパッタ装置に用いる
スパッタ用ターゲットであって、加速された入射イオン
に浸食されやすい浸食領域に配置される第１のターゲッ
ト材と、イオンに浸食されにくい非浸食領域に配置され
る第２のターゲット材とを分割して別個に成形したこと
を特徴とするスパッタ用ターゲット。 - 【請求項２】請求項１に記載のスパッタ用ターゲットに
おいて、第１のターゲット材と第２のターゲット材とを
同一の材質で成形したことを特徴とするスパッタ用ター
ゲット。 - 【請求項３】請求項１に記載のスパッタ用ターゲットに
おいて、第１のターゲット材および第２のターゲット材
がそれぞれ異なる弱磁性体であることを特徴とするスパ
ッタ用ターゲット。 - 【請求項４】請求項１に記載のスパッタ用ターゲットに
おいて、第１のターゲット材は弱磁性体であり、第２の
ターゲット材は反磁性体であることを特徴とするスパッ
タ用ターゲット。 - 【請求項５】請求項１に記載のスパッタ用ターゲットに
おいて、第２のターゲット材は、第１のターゲット材と
異なる材質のものであるとともに、その透磁率が第１の
ターゲット材の透磁率の５０〜２００％の範囲にあるこ
とを特徴とするスパッタ用ターゲット。 - 【請求項６】請求項３ないし請求項５のいずれかに記載
のスパッタ用ターゲットにおいて、第２のターゲット材
の表面に第１のターゲット材と同一材料の層を設けたこ
とを特徴とするスパッタ用ターゲット。 - 【請求項７】請求項１ないし請求項６のいずれかに記載
のスパッタ用ターゲットにおいて、第１のターゲット材
および第２のターゲット材をそれぞれ融点の異なる溶融
金属で一つの裏板に取付けたことを特徴とするスパッタ
用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7477294A JPH07278806A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | スパッタ用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7477294A JPH07278806A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | スパッタ用ターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278806A true JPH07278806A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13556921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7477294A Pending JPH07278806A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | スパッタ用ターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278806A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022272045A1 (en) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Materion Corporation | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP7477294A patent/JPH07278806A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022272045A1 (en) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Materion Corporation | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt |
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