JP2007239103A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 基板を処理するための真空処理システムであって、
   第１のシール面を有する第１のチャンバアセンブリと、
   第２のシール面を有する第２のチャンバーアセンブリと、
   前記第１のシール面または前記第２のシール面の１つに組み合わせられ、この１つのシール面によって保持され、２つ以上の接触突起およびその間に配置されている１つ以上のポケットを含んでいるシーリングデバイスとを具備し、
   前記第１のチャンバアセンブリと、前記第２のチャンバーアセンブリとの間のシールは、前記２つ以上の接触突起の間のガスを前記ポケット内に閉じ込める一方、前記第２のシール面で前記シーリングデバイスの前記２つ以上の接触突起の接触を容易にするために、前記第２のチャンバーアセンブリに前記第１のチャンバアセンブリを組み合わせることによって形成される真空処理システム。
2. 前記第１のチャンバアセンブリは、材料堆積を容易にするように構成された処理空間を備え、
   前記第２のチャンバーアセンブリは、前記真空処理システムとの間で前記基板の移送を容易にするための移送空間を備えている請求項１の真空処理システム。
3. 前記第２のチャンバーアセンブリに接続され、前記処理空間の第１の位置と、前記移送空間の第２の位置との間で前記基板を支持し、移動するように構成された基板ステージを更に具備する請求項２の真空処理システム。
4. 前記シーリングデバイスは、２つの接触突起と、その間に形成されたポケットとを備えている請求項３の真空処理システム。
5. 前記シーリングデバイスは、３つの接触突起と、その間に形成された２つのポケットとを備えている請求項３の真空処理システム。
6. 前記シーリングデバイスは、前記第１の位置から前記第２の位置への前記基板ステージの移動の間、前記シールを外すように構成されている請求項４の真空処理システム。
7. 前記シーリングデバイスは、前記移送空間から前記処理空間を真空分離するように構成されている請求項４の真空処理システム。
8. 前記シーリングデバイスは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークを１０^−３Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に減少するように構成されている請求項４の真空処理システム。
9. 前記シーリングデバイスは、前記処理空間から前記移送空間までのガスリークを１０^−４Ｔｏｒｒ−ｌ／ｓ未満に減少するように構成されている請求項４の真空処理システム。
10. 前記処理空間と流体が通じ、前記処理空間の減少した汚染物質環境を提供するように構成された第１の真空排気システムと、
    前記移送空間と流体を通じ、前記移送空間の減少した汚染物質環境を提供するように構成された第２の真空排気システムと、
    前記第１のチャンバアセンブリに接続され、前記材料堆積の間、前記処理空間にプロセス組成を導入するように構成されたガス注入システムと、
    前記基板ステージに組み合わされ、前記基板の温度を制御するように構成された温度制御システムとを、更に具備する請求項３の真空処理システム。
11. 前記第１のチャンバアセンブリが、前記第２のチャンバアセンブリに組み合わせられるとき、前記シーリングデバイスは、前記ポケット内に閉じ込められたガスを圧縮するように構成されている請求項２の真空処理システム。
12. 前記第１のチャンバアセンブリは、前記真空処理システムの上部部分を有し、
    前記第２のチャンバアセンブリは、前記真空処理システムの下部部分を有し、
    前記基板ステージは、前記基板を垂直方向に移動するように構成されている請求項１１の真空処理システム。
13. プラズマ形成を容易にするように前記処理空間のプロセスガス組成にパワーを結合するように構成された電源を更に具備する請求項１１の真空処理システム。
14. 前記電源は、０．１から１００ＭＨｚまでの周波数でＲＦエネルギを出力するように構成されたＲＦ電源を備え、
    前記基板ステージは、前記ＲＦ電源に接続され、前記処理空間に前記ＲＦエネルギを結合させるように構成された電極を含む請求項１３の真空処理システム。
15. 前記第１のチャンバアセンブリは、排気マニホールドを備え、
    前記排気マニホールドは、移送空間から処理空間を分離する、前記第１のチャンバアセンブリから延びている延長を有し、
    前記延長は、前記基板の周囲エッジを超え、前記基板の表面の下方で前記延長の１つ以上の開口に前記真空排気システムの前記注入口を圧縮空気作用で組み合わせる内部チャネルを含む請求項１０の真空処理システム。
16. 前記延長は、前記基板ステージの近くの前記延長の第１の側部から、前記第１の側に対向する前記延長の端部で長手方向に配置された第２の側部まで、ガスコンダクタンスを提供している内側のチャネルを含む請求項１５の真空処理システム。
17. 前記延長は、前記延長の前記第１の側部に隣接した前記第１のシール面を有するシールプレートを備えている請求項１６の真空処理システム。
18. 前記基板ステージは、前記第１のチャンバアセンブリの方へ前記基板ステージの移動で、前記シーリングデバイスを介して前記延長の前記シールプレート上の前記第１のシール面に、シールするように構成された前記第２のシール面を有するフランジを備えている請求項１７の真空処理システム。
19. 前記シーリングデバイスは、エラストマー材を備えている請求項１８の真空処理システム。
20. 前記処理空間は、原子層堆積（ＡＬＤ）および化学気相成長（ＣＶＤ）の少なくとも１つのために構成されている請求項１１の真空処理システム。