SU823459A1 - Катодный узел - Google Patents
Катодный узел Download PDFInfo
- Publication number
- SU823459A1 SU823459A1 SU792778395A SU2778395A SU823459A1 SU 823459 A1 SU823459 A1 SU 823459A1 SU 792778395 A SU792778395 A SU 792778395A SU 2778395 A SU2778395 A SU 2778395A SU 823459 A1 SU823459 A1 SU 823459A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- cathode
- target
- cavity
- base
- shaped base
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
( 54) К АТОД НЫ И УЗЕЛ
Claims (2)
- Изобретение относитс к иаготовлен{1Ю устрсЛств ап катодного распыпени а более к жкретно к катоаам планерной магметрикой системы ионного распылени и межетбыть использовано в установках вл нанесени пленок на подложки ионным распылением. Известно устройство, гда катоо выполнен в випе осн юани , к которому С помощью винтов прикреплены магниты, полюс- тле наконечники И средства охлаждени :.. Мишень в виое пластины прикреплена к основанию катода с помснпью уплотнитель- шлх. так, что между обратной стороной мишени и детал ми катода имеетс полость, внутри которс аир- купирует вода Y. Недостатками данн конструкции аовп ютс низка производитега ность вследс1 еав саогююй опершгии смены мишеш и ма- поб надежности герметичности уппотнитель юа. колец и сложность ксккструкции и креп йвни мишени. Из известных технических решений наболее близким по технической сущности предлагаемому вл етс катодный узел л установок нанесени покрытий в вакуме , содержащий анод, П«юбразное основаие с полостью дл хладагента, на торах которс о закреплен катод-мишень 2 Недостатком известного устройства вл ютс низкие :9ффективность охлаждени производительность. Цель изобретени - повышение эффективности охлаждени и прсшзводительност Указанна цель достигаетс благодар тому, что катодный узел дл установок нанесени покрытий в вакууме, содержащий анод, П-обрааное основание с полостью дл хладагента, на терцах которото закреплен катод - мишень, снабжен мембраной , закрепленной на выступах, которые выполнены на внутренней бсжовой поверхности основани . На чертеже изображена конструкци устройства. 38 Устройство содержит П-образное OCHO-I вание 1 с полостью дл хладагента, пред- ставл кшее собой корпус цилиндрической или другой формы, изготовленное из немагнитного материала - меди или нержавеющей стали, 0 анод (на чертеже не показан ) в виде замкнутой петли, изготов- иный из меди. Магнитные средства включают множество пр моугольных посто нных магнитов 2, расположенных под полюсным наконечником 3 по периметру внутри корпуса П-юбразного основани 1, и магнитопровод 4 с полюсным наконечником 5. Вода подаетс через полость между двум коаксиапьными трубками 6 и 7 и выводитс через трубу 7, расположенную в отверстии магнитсшровода 4. Трубка 6,. приваренна к П-обрааному основанию 1, служит также дл подачи на него потенциала от источника питани {на чертеже не показан). На торцах П-образного основани 1 за креплен катод-мишень 8, выполненный в виде диска или пластины, который вклады ваетс в полость полюснс О наконечника 3 и фиксируетс с помощью зажима 9, прикрепленного к полюсному наконечнику 3 с помощью винтов 1О. Мембрана 11 закреплена на выступах, выполненных на внутренней боковой поверхности П-образного основани 1. Под давлением воды мембрана 11 прижимаетс всей полостью .к поверхности катода - мишени 8, создава хороший тепловой контакт. Изол ци П-образного основани 1 катода от стенки вакуумной камеры 12 осу ществл етс с помощью диэлектрических прокладок 13 и 14. Локализаци плазмы над катодом - мишенью достигаетс с по мощью заземленного экрана 15, расположенного в непосредственной близости от П-образного основани 1. Экран изготавливаетс обычно из нержавеющей стали . . Предлагаемый катодный узел опробова поп чением титановых и алюминиевых по крытий на диэлектрических подложках. Испытани катодного узла показали высокую эффективность охлаждени катоца - мишени. Так, в случае катода - ми шени из титана 1ОО мм при посто нной мощности КВТ тё мпература на повер ности катода - мишени в 2 раза ниже, чем в известных устройствах (см. табл.1). 9 Т а б лица емпература а мишени, ®С 650-700 200-250 емпература ЗОО-35О 1OO-1SO а подложке, 0 В случае катода - мищени из алюмини , меюцего низкую температуру плавлени , редельна допустима мощность, а,слеовательно , и предельна скорюсть осажени покрыти может быть увеличена не енее, чем в 2 раза (см. табл. 2). Таблица 2 редельно допустима мошность , КВТо, 9-1, о 1,8-2,0 Скорость осаждени , А/сек.35-4070-80 Увеличение скорости осаждени покрыти позвол ет в конечном итого увеличить производительность процесса металлизации. Кроме того, снижение температуры катода - мишени решает проблему перегрева подложки, что особенно важно при получении толстых ппенок на полупроводниковых пластинах. Формула изобретени Катодный узел дл установок нанесеки покрытий в вакууме, содержащий анод, П-образное основание с полостью дл хлад , агента, на торцах которого закреплен ка«. тод-мишень, отличающийс тем, что, с целью повышени эффективности охлаждени и повышени производительности , он снабжен мембраноЛ, закрепленной на выступах, выполненных на внутренней боковой поверхности основани . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Патент США №3956093, кл.. 204-192, 1976.
- 2.Патент США № 3878085, к . 204-192, 1975 (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792778395A SU823459A1 (ru) | 1979-06-11 | 1979-06-11 | Катодный узел |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792778395A SU823459A1 (ru) | 1979-06-11 | 1979-06-11 | Катодный узел |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU823459A1 true SU823459A1 (ru) | 1981-04-23 |
Family
ID=20832993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792778395A SU823459A1 (ru) | 1979-06-11 | 1979-06-11 | Катодный узел |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU823459A1 (ru) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5071535A (en) * | 1990-05-14 | 1991-12-10 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering device |
EP0499770A2 (de) * | 1991-02-21 | 1992-08-26 | Hauzer Holding B.V. | Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem |
US5262032A (en) * | 1991-05-28 | 1993-11-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering apparatus with rotating target and target cooling |
DE4301516A1 (de) * | 1993-01-21 | 1994-07-28 | Leybold Ag | Targetkühlung mit Wanne |
RU2631571C2 (ru) * | 2012-04-04 | 2017-09-25 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения |
-
1979
- 1979-06-11 SU SU792778395A patent/SU823459A1/ru active
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5071535A (en) * | 1990-05-14 | 1991-12-10 | Leybold Aktiengesellschaft | Cathode sputtering device |
EP0499770A2 (de) * | 1991-02-21 | 1992-08-26 | Hauzer Holding B.V. | Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem |
US5259941A (en) * | 1991-02-21 | 1993-11-09 | Hauzer Holding Bv | Vaporizer for vacuum coating apparatus |
EP0499770A3 (en) * | 1991-02-21 | 1994-12-28 | Hauzer Holding | Indirectly cooled target with quick-change system |
US5262032A (en) * | 1991-05-28 | 1993-11-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering apparatus with rotating target and target cooling |
DE4301516A1 (de) * | 1993-01-21 | 1994-07-28 | Leybold Ag | Targetkühlung mit Wanne |
US5421978A (en) * | 1993-01-21 | 1995-06-06 | Leybold Aktiengesellschaft | Target cooling system with trough |
DE4301516C2 (de) * | 1993-01-21 | 2003-02-13 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Targetkühlung mit Wanne |
RU2631571C2 (ru) * | 2012-04-04 | 2017-09-25 | Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон | Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3956093A (en) | Planar magnetron sputtering method and apparatus | |
US5342471A (en) | Plasma processing apparatus including condensation preventing means | |
US4094764A (en) | Device for cathodic sputtering at a high deposition rate | |
CA1169467A (en) | Cylindrical magnetron sputtering cathode, as well as sputtering apparatus provided with such cathode | |
US3630881A (en) | Cathode-target assembly for rf sputtering apparatus | |
US4370217A (en) | Target assembly comprising, for use in a magnetron-type sputtering device, a magnetic target plate and permanent magnet pieces | |
JPH0645872B2 (ja) | 陰極型マグネトロン装置 | |
US5333726A (en) | Magnetron sputtering source | |
KR20010043180A (ko) | 피가공재 처리 시스템 내부에 있는 피가공재에 대한바이어싱 및 보유 능력을 개선하기 위한 장치 | |
JP2017133111A (ja) | 物理気相堆積チャンバターゲット用の冷却リング | |
JPS5915982B2 (ja) | 放電化学反応装置 | |
SU823459A1 (ru) | Катодный узел | |
JPS59215482A (ja) | 回転液体窒素冷却基板保持装置 | |
US4620081A (en) | Self-contained hot-hollow cathode gun source assembly | |
JPH0669026B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
US3296115A (en) | Sputtering of metals wherein gas flow is confined to increase the purity of deposition | |
CN104746028B (zh) | 可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备 | |
US3998718A (en) | Ion milling apparatus | |
JP2875221B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
JPS57155369A (en) | High vacuum ion plating method and apparatus | |
US4561382A (en) | Vacuum vapor deposition gun assembly | |
CN217324268U (zh) | 一种二极溅射靶枪 | |
JPS62208647A (ja) | ウエハ−保持機構 | |
JPH01132765A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
CN108411269B (zh) | 一种应用于立式硅片磁控溅射镀膜机的离子清洗电极 |