SU823459A1 - Катодный узел - Google Patents

Катодный узел Download PDF

Info

Publication number
SU823459A1
SU823459A1 SU792778395A SU2778395A SU823459A1 SU 823459 A1 SU823459 A1 SU 823459A1 SU 792778395 A SU792778395 A SU 792778395A SU 2778395 A SU2778395 A SU 2778395A SU 823459 A1 SU823459 A1 SU 823459A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cathode
target
cavity
base
shaped base
Prior art date
Application number
SU792778395A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Тимофеевич Лебедев
Владимир Михайлович Шнек
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1067
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1067 filed Critical Предприятие П/Я А-1067
Priority to SU792778395A priority Critical patent/SU823459A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU823459A1 publication Critical patent/SU823459A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

( 54) К АТОД НЫ И УЗЕЛ

Claims (2)

  1. Изобретение относитс  к иаготовлен{1Ю устрсЛств ап  катодного распыпени а более к жкретно к катоаам планерной магметрикой системы ионного распылени  и межетбыть использовано в установках вл  нанесени  пленок на подложки ионным распылением. Известно устройство, гда катоо выполнен в випе осн юани , к которому С помощью винтов прикреплены магниты, полюс- тле наконечники И средства охлаждени :.. Мишень в виое пластины прикреплена к основанию катода с помснпью уплотнитель- шлх. так, что между обратной стороной мишени и детал ми катода имеетс  полость, внутри которс аир- купирует вода Y. Недостатками данн конструкции аовп ютс  низка  производитега ность вследс1 еав саогююй опершгии смены мишеш и ма- поб надежности герметичности уппотнитель юа. колец и сложность ксккструкции и креп йвни  мишени. Из известных технических решений наболее близким по технической сущности предлагаемому  вл етс  катодный узел л  установок нанесени  покрытий в вакуме , содержащий анод, П«юбразное основаие с полостью дл  хладагента, на торах которс  о закреплен катод-мишень 2 Недостатком известного устройства  вл ютс  низкие :9ффективность охлаждени  производительность. Цель изобретени  - повышение эффективности охлаждени  и прсшзводительност Указанна  цель достигаетс  благодар  тому, что катодный узел дл  установок нанесени  покрытий в вакууме, содержащий анод, П-обрааное основание с полостью дл  хладагента, на терцах которото закреплен катод - мишень, снабжен мембраной , закрепленной на выступах, которые выполнены на внутренней бсжовой поверхности основани . На чертеже изображена конструкци  устройства. 38 Устройство содержит П-образное OCHO-I вание 1 с полостью дл  хладагента, пред- ставл кшее собой корпус цилиндрической или другой формы, изготовленное из немагнитного материала - меди или нержавеющей стали, 0 анод (на чертеже не показан ) в виде замкнутой петли, изготов- иный из меди. Магнитные средства включают множество пр моугольных посто нных магнитов 2, расположенных под полюсным наконечником 3 по периметру внутри корпуса П-юбразного основани  1, и магнитопровод 4 с полюсным наконечником 5. Вода подаетс  через полость между двум  коаксиапьными трубками 6 и 7 и выводитс  через трубу 7, расположенную в отверстии магнитсшровода 4. Трубка 6,. приваренна  к П-обрааному основанию 1, служит также дл  подачи на него потенциала от источника питани  {на чертеже не показан). На торцах П-образного основани  1 за креплен катод-мишень 8, выполненный в виде диска или пластины, который вклады ваетс  в полость полюснс О наконечника 3 и фиксируетс  с помощью зажима 9, прикрепленного к полюсному наконечнику 3 с помощью винтов 1О. Мембрана 11 закреплена на выступах, выполненных на внутренней боковой поверхности П-образного основани  1. Под давлением воды мембрана 11 прижимаетс  всей полостью .к поверхности катода - мишени 8, создава  хороший тепловой контакт. Изол ци  П-образного основани  1 катода от стенки вакуумной камеры 12 осу ществл етс  с помощью диэлектрических прокладок 13 и 14. Локализаци  плазмы над катодом - мишенью достигаетс  с по мощью заземленного экрана 15, расположенного в непосредственной близости от П-образного основани  1. Экран изготавливаетс  обычно из нержавеющей стали . . Предлагаемый катодный узел опробова поп чением титановых и алюминиевых по крытий на диэлектрических подложках. Испытани  катодного узла показали высокую эффективность охлаждени  катоца - мишени. Так, в случае катода - ми шени из титана 1ОО мм при посто нной мощности КВТ тё мпература на повер ности катода - мишени в 2 раза ниже, чем в известных устройствах (см. табл.1). 9 Т а б лица емпература а мишени, ®С 650-700 200-250 емпература ЗОО-35О 1OO-1SO а подложке, 0 В случае катода - мищени из алюмини , меюцего низкую температуру плавлени , редельна  допустима  мощность, а,слеовательно , и предельна  скорюсть осажени  покрыти  может быть увеличена не енее, чем в 2 раза (см. табл. 2). Таблица 2 редельно допустима  мошность , КВТо, 9-1, о 1,8-2,0 Скорость осаждени , А/сек.35-4070-80 Увеличение скорости осаждени  покрыти  позвол ет в конечном итого увеличить производительность процесса металлизации. Кроме того, снижение температуры катода - мишени решает проблему перегрева подложки, что особенно важно при получении толстых ппенок на полупроводниковых пластинах. Формула изобретени  Катодный узел дл  установок нанесеки  покрытий в вакууме, содержащий анод, П-образное основание с полостью дл  хлад , агента, на торцах которого закреплен ка«. тод-мишень, отличающийс  тем, что, с целью повышени  эффективности охлаждени  и повышени  производительности , он снабжен мембраноЛ, закрепленной на выступах, выполненных на внутренней боковой поверхности основани . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Патент США №3956093, кл.. 204-192, 1976.
  2. 2.Патент США № 3878085, к . 204-192, 1975 (прототип).
SU792778395A 1979-06-11 1979-06-11 Катодный узел SU823459A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792778395A SU823459A1 (ru) 1979-06-11 1979-06-11 Катодный узел

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792778395A SU823459A1 (ru) 1979-06-11 1979-06-11 Катодный узел

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU823459A1 true SU823459A1 (ru) 1981-04-23

Family

ID=20832993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792778395A SU823459A1 (ru) 1979-06-11 1979-06-11 Катодный узел

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU823459A1 (ru)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071535A (en) * 1990-05-14 1991-12-10 Leybold Aktiengesellschaft Cathode sputtering device
EP0499770A2 (de) * 1991-02-21 1992-08-26 Hauzer Holding B.V. Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem
US5262032A (en) * 1991-05-28 1993-11-16 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering apparatus with rotating target and target cooling
DE4301516A1 (de) * 1993-01-21 1994-07-28 Leybold Ag Targetkühlung mit Wanne
RU2631571C2 (ru) * 2012-04-04 2017-09-25 Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071535A (en) * 1990-05-14 1991-12-10 Leybold Aktiengesellschaft Cathode sputtering device
EP0499770A2 (de) * 1991-02-21 1992-08-26 Hauzer Holding B.V. Indirekt gekühltes Target mit Schnellwechselsystem
US5259941A (en) * 1991-02-21 1993-11-09 Hauzer Holding Bv Vaporizer for vacuum coating apparatus
EP0499770A3 (en) * 1991-02-21 1994-12-28 Hauzer Holding Indirectly cooled target with quick-change system
US5262032A (en) * 1991-05-28 1993-11-16 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering apparatus with rotating target and target cooling
DE4301516A1 (de) * 1993-01-21 1994-07-28 Leybold Ag Targetkühlung mit Wanne
US5421978A (en) * 1993-01-21 1995-06-06 Leybold Aktiengesellschaft Target cooling system with trough
DE4301516C2 (de) * 1993-01-21 2003-02-13 Applied Films Gmbh & Co Kg Targetkühlung mit Wanne
RU2631571C2 (ru) * 2012-04-04 2017-09-25 Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон Мишень, приспособленная к устройству опосредствованного охлаждения

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3956093A (en) Planar magnetron sputtering method and apparatus
US5342471A (en) Plasma processing apparatus including condensation preventing means
US4094764A (en) Device for cathodic sputtering at a high deposition rate
CA1169467A (en) Cylindrical magnetron sputtering cathode, as well as sputtering apparatus provided with such cathode
EP0046154B1 (en) Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus
US3630881A (en) Cathode-target assembly for rf sputtering apparatus
US4370217A (en) Target assembly comprising, for use in a magnetron-type sputtering device, a magnetic target plate and permanent magnet pieces
JPH0645872B2 (ja) 陰極型マグネトロン装置
US5333726A (en) Magnetron sputtering source
KR20010043180A (ko) 피가공재 처리 시스템 내부에 있는 피가공재에 대한바이어싱 및 보유 능력을 개선하기 위한 장치
JP2017133111A (ja) 物理気相堆積チャンバターゲット用の冷却リング
JPS5915982B2 (ja) 放電化学反応装置
SU823459A1 (ru) Катодный узел
JPS59215482A (ja) 回転液体窒素冷却基板保持装置
US4620081A (en) Self-contained hot-hollow cathode gun source assembly
EP0249658B1 (en) Ion source device
US3296115A (en) Sputtering of metals wherein gas flow is confined to increase the purity of deposition
CN104746028B (zh) 可实时监控晶片温度的压环系统及磁控溅射设备
JP2875221B2 (ja) プラズマ発生装置
JPS57155369A (en) High vacuum ion plating method and apparatus
US4561382A (en) Vacuum vapor deposition gun assembly
CN217324268U (zh) 一种二极溅射靶枪
JPS62208647A (ja) ウエハ−保持機構
JPH01132765A (ja) マグネトロンスパッタ装置
CN219315054U (zh) 一种磁控溅射设备及其阳极