JPS63227776A - 沈積装置用陰極/ターゲット組合体 - Google Patents

沈積装置用陰極/ターゲット組合体

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JPS63227776A
JPS63227776A JP63016779A JP1677988A JPS63227776A JP S63227776 A JPS63227776 A JP S63227776A JP 63016779 A JP63016779 A JP 63016779A JP 1677988 A JP1677988 A JP 1677988A JP S63227776 A JPS63227776 A JP S63227776A
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JP63016779A
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ギャリー ヒルマン
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は沈積装置用陰極/ターゲット組合体に間する
ものであり、さらに詳しくは真空法により種々のフィル
ムで被覆するための沈積装置用陰極/ターゲット組合体
に関するものである。
(従来技術とその問題点) 第1A図に示すのはこの種沈積(deposition
)装置用陰極/ターゲット組合体の一従来例であって、
対象物(半導体ウェファ−などの工作物)の表面上に薄
いフィルム層を形成するものである。
この沈積装置用陰極/ターゲット組合体70は陰極とタ
ーゲットとを組合せたものであり、さらに冷却機構(図
示せず)を具えている。この陰極/ターゲット組合体7
0には動力供給−71が付設されていて高電圧を供給す
る。略円形の半導体クエファーなどの対象物72が架設
機構75上に載置されており、これが対象物72を陰極
/ターゲット組合体70に対して回転させるようになっ
ている。#極/ターゲット組合体70に電圧が印加され
ると、ターゲットから陰極の露出面上に薄いフィルム層
が沈積される。該陰極/ターゲット組合体70、対象物
72および架設機構75は全て真空状態に保たれた容器
77内に収容されている。
N1図Bに陰極とターゲットとの構成の詳細を示す、ス
パターされるべき材料の源である円形のターゲット11
が円形の陰極!2の近傍に配置されている。ターゲット
が冷却されているときには、ターゲットの面22におい
て陰極とターゲットとの間には若干の隙間が残されてい
る。陰極12の近傍の房室20に水などの冷却流体を供
給するためにバイブ13が用いられており、陰極とター
ゲットとを冷却する。
ところでこの従来例の沈積装置用陰極/ターゲット組合
体にはつぎに述べるような種々の欠点がある。スバタリ
ング中にはターゲット11の表面11Aにおいて熱が発
生し、これに応じてターゲット11が外側に向けて膨張
して陰極13の面15を押圧する。したがってターゲッ
ト1里の房室20中の水による冷却は陰極12の面15
を介して行われる。加熱するとターゲット11が半径方
向に膨張するために、面22におけるターゲットと陰極
との適合は緩やかに保たれこの部分におけるターゲット
の冷却は有効に行われない。
さらにターゲット11が半径方向に膨張するために、タ
ーゲット11と陰極12との接触が面22において少く
なり、ここを介しての冷却が制約される。したがってタ
ーゲット11の冷却は主に陰極12の面15を介して行
われることになる。ターゲット11の面11Aで発熱が
起きると、ターゲット内および面22における隙間およ
び陰極12それ自身を横切って顕著な温度勾配が起きる
陰極12の面15を横切って流れる動力束が11101
7c■2のと幹、この温度勾配はほぼ100°Cにもな
る。また面15から陰極12を通って房室20に至る迄
の経路長の故にさらに80°Cからの温度低下が存在す
る。適切な流量と温度の冷却水がバイブ13を通って導
入されたとすると、陰極の面15におけるターゲット1
1の最も冷たい部分は少なくとも230°Cとなる。ア
ルミニウム合金の場合には陰極12の面15からターゲ
ット11の面!IA迄にはさらに250°Cの温度上昇
があり、これはターゲット中に含まれているであろう低
温融解物の融解点に近くなる。ターゲット11中、特に
面11Aにおいてそのような高温が発生すると、沈積工
程の制御が不充分となり高動力における電圧暴走が起き
ることになる。
以上述べたような欠点を解決した沈積装置用陰極/ター
ゲット組合体が提案されており、そのターゲットは陰極
中に直接溶接されて一体化されている。しかしこの沈積
装置用陰極/ターゲット組合体はそのような構造の故に
かえって種々の欠点がある。その第一はターゲットを簡
単かつ経済的に交換できないことである0例えば交換タ
ーゲットを溶接する前に古いターゲットの残留物を全て
陰極の凹部から完全に削り出すことが必要である。した
がって沈積装置のターゲットを冷却する効果的な手段が
必要となる。
(発明の要旨) この発明の目的は上記したような従来技術の有する諸欠
点を除くことにある。
すなわちこの発明の沈積装置用陰極/ターゲット組合体
は第1の面を具えた沈積されるべき材料の供給源とこの
供給源の第1の面の近傍に配置された第2の面を有する
電極とを有しており、この?を極と供給源との間に設け
られた結合手段がいずれかの面中に延在して両者間の熱
結合を増加させていることを特徴とするものである。
(実施態様) 第2.3図においてこの発明の陰極/ターゲット組合体
30は凹部を具えた陰8i31と冷却のために陰極31
の面に水を導くためのバイブ32と ″を有している。
円形のターゲット35は陰極31とは分離して示されて
おり、一応用例では薄いフィルム層に沈積されるべきア
ルミニウムを含んでいる。使用に際してターゲット35
は第1B図に示すように陰極31の凹部に接触挿入され
るものである。陰極31の面40の環状の凹部には環体
37(減熱体)が配電されていて、基8Is3Bとこれ
に直交延在する突出部39とから構成されている。好ま
しくは環体37は熱伝導性のよい銅などの材料を含んで
いる。ターゲット35の面43には環状の凹部42が形
成されており、この凹部42が環体3フの突出部39と
係合するようになっている。好ましくはターゲット35
の冷却状態においてターゲット35と突出部39との間
には0.0078〜0.013cm程度の環状隙間が残
されている。ターゲット35と陰極31とが第1B図に
示すように組合わされると、環体37は陰極31の面4
0からターゲット35の環状凹部42内に突出する。
使用に際してターゲット35の面44が加熱されるとタ
ーゲット35は半径方向外側に膨張し、面45を陰極3
1の面46に対してまた凹部42の面47を環体3フの
突出部39の面48に対して、それぞれ押圧する。かく
して環体37はターゲット35を追加的に冷却するので
ある。これは特に面48が環体3フと追加的に接触する
からである。環体37はバイブ32によって供給される
冷却水の近くに配置してもよく、かくすれば伝達経路を
最小にすることによりターゲット35に対する冷却効果
を挙げることができる。環体37は好ましくは陰極31
の面46より更に該冷却水に近く配置してもよい、かく
すれば陰極31の面45よりもより効果的なターゲット
35の冷却手段が得られるのである。さらに環体37の
諸寸法は必要に応じて適宜変更することができる。特に
環体37の基部38または面48を拡大すれば、環体3
フがターゲット35から熱を奪う能力をより一段と増加
することかで台るのである。
さらに使用中には一般にターゲット35の面44を横断
する動力束が変動する。したがって環体37を最大動力
束の点に配置すれば、そこでの過剰熱蓄積を防止するこ
とができる。
第4.5図にこの発明の第2の実施態様を示す、この陰
極/ターゲット組合体は第2.3図の環体37と同様の
環体(減熱体)50.52および54を具えており、こ
れらの環体の基部はそれぞれ陰極31の面40に形成さ
れて環状の凹部内に収容されており、またそれぞれ一部
は基部から突出している。ターゲット35中の環状の凹
部60.62および64はこれらの突出部を収容するも
のである。環体は好ましくは銅で形成されている。
使用時にはターゲット35が陰極31の凹部に挿入され
環体502.52および54がターゲット35の凹部6
0.62および64にそれぞれ収容される。ターゲット
35の面44の温度が上昇すると、ターゲット35は半
径方向外側に膨張する。この結果凹部60の面61が環
体50の面51を、また凹部62の面63が環体52の
而53を、ざらに凹部64の面65が環体54の面55
をそれぞれ押圧する。かくしてターゲット35が環体5
0.52および54の追加的な冷却面と接触することに
よりターゲット35の冷却が行われる。1体50.52
および54が陰極31の面46よりもバイブ32によっ
て供給される冷却水に接近しているので、冷却は一段と
効果的になる。
ターゲット350面44を横断して動力束が変動するの
で、不均一な温度分布がそこに発生する。したがって環
体50.52および54を最大熱集中点に配置すると、
その放散が最も効果的になる。さらに環体の基部および
突出部の寸法を適宜調節してやることにより、与えられ
た冷却条件にうまく適合することができる0例えば各環
体の面51,53および55の面積をそれぞれ独立に調
節することにより、特定の地点における温度を吸収でき
る。環体の突出部と環状の凹部との間の環状の隙間はタ
ーゲット35の冷却状態において好ましくは0.003
〜0.005インチの範囲にとる。
第6図に示すのはこの発明の第3の実施態様である。こ
のものは第3図の環体37に代えて皿体(減熱体)66
.68.70および72を有している点を別にすれば、
その他は第2.3図のものと同じである。したがってこ
れらの皿体を収容するためのターゲット35中の凹部も
皿上に形成されている。この陰極/ターゲット組合体の
作用は第1の実施態様のもののそれと同じである。
第7図に他の実施態様の陰極74を示す、環体(減熱体
)50゛〜54゛はそれぞれ陰極74と一体に形成され
ている。これらの環体50’〜54°はそれぞれ面40
からの突出部76を有しており、かつ内側半径面51゛
〜55゛を有している0図示の環体は矩形になっている
が、他の形状でもよい、このものの作用は前出のものの
それと同じである。
第8図に他の実施WA様のターゲットフ8を示す、この
場合の環体80〜84は第7図のものと同じくターゲッ
ト78と一体に形成されており、それぞれ突出部86〜
90を有している。また突出部86〜90はそれぞれ内
側に面した半径面92〜96を有している。ターゲット
78は同様の環状凹部を具えた陰極内に収容される0作
用は前出のものと同じである。
以上述べた例における減熱体である環(弧)体はいずれ
もT形をしているが、これに限定されるものではない、
要するにこれらの減熱体がターゲットとの接触を増加さ
せれば足りるのであって、特に冷却水の近くにおいてそ
のように構成すると効果的なのである。すなわちこの発
明においては水冷された陰極と加熱されたターゲットと
の間の熱結合を向上させるものである。また減熱体はタ
ーゲットが加熱されたときにこれらの減熱体に対してタ
ーゲットが膨張するように配置するのがよい。
【図面の簡単な説明】
第1図Aは従来の沈積装置を示すブロック線図、第1図
Bは該装置に用いられる陰極/ターゲット組合体を示す
断面図、第2図はこの発明の陰極/ターゲット組合体の
一例を示す側面断面図、第3図はその底面図、第4図は
陰極/ターゲット組合体の他の例を示す側面断面図、第
5図はその底面図、第6図は他の例の陰8i/ターゲッ
ト組合体の陰極の底面図、第7.8図は他の例の陰極/
ターゲット組合体の陰極とターゲットの底面図である。 30・・・陰極/ターゲット組合体 31・・・陰極 35・・・ターゲット 37.50〜54 ・・・環体(fi熱体)66〜72
・・・皿体(減熱体) 特許出願代理人  弁理士 菅原一部 FIG、IA FIG、 IB 2゜ FIG、3 FIG、5 FIG、 6 ト

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1の面を具えた沈積されるべき材料の供給源と該
    供給源の第1の面の近傍に配置された第2の面を有する
    電極とを有しており、かつ 上記電極と供給源との間に設けられた結合手段(37、
    66、50′、80)がいずれかの面中に延在して両者
    間の熱結合を増加させている ことを特徴とする沈積装置用陰極/ターゲット組合体。 2 前記の結合手段が供給源からの突出部(86)を有
    しており、 前記の電極が該突出部を収受する凹部域を有しており、 かつ供給源が加熱されたときに突出部が電極に対して膨
    張するように上記突出部と凹部域とが構成されている ことを特徴とする請求項1記載の組合体。 3 前記の結合手段が電極からの突出部(39、76)
    を有しており、 前記の供給源が該突出部を収受する凹部域を有しており
    、かつ 供給源が加熱されたときに供給源が突出部に対して膨張
    するように突出部と凹部域とが構成されている ことを特徴とする請求項1記載の組合体。 4 前記の結合手段が環体(37、66、50′、80
    )を有しており、かつ 前記の凹部域が第1の環状凹部(42)を有している ことを特徴とする請求項2または3記載の組合体。 5 環体(39)が基部(38)を有しており、かつ 環体がこの基部に対して直交して構成されている ことを特徴とする請求項4記載の組合体。 6 第1の環状凹部に対面して前記の電極が第2の環状
    凹部を有しており、 前記の基部(38)が第2の環状凹部内に収容されてお
    り、かつ 環体(39)が第1の環状凹部(42)内に収容されて
    いる ことを特徴とする請求項5記載の組合体。 7 前記の結合手段が同心状に配置された複数個の環体
    (50、76、86)を有しており、かつ 前記の凹部域が第1の複数個の環状凹部(42)を有し
    ており、かつ これらそれぞれの凹部が前記の環体の内の1個を収容し
    ている ことを特徴とする請求項2または3記載の組合体。 8 前記の結合手段が弧体(66、68、70、72)
    を有しており、かつ 前記の凹部域がこれに対応した弧状凹部(42)を有し
    ている ことを特徴とする請求項2または3記載の組合体。 9 予選定された動力束に対応する予選定された領域に
    おいて前記の複数個の環体(50、66、68、70、
    72、76、86)が独立に供給源内に配置されている ことを特徴とする請求項7または8記載の組合体。 10 前記の供給源がターゲット(35)をまた前記の
    電極が陰極(31)をそれぞれ有していることを特徴と
    する前出のいずれかの請求項記載の組合体。 11 前記の供給源には沈積されるべき材料の除去手段
    (71)が付設されており、 該材料を受けるべき対象物が架設手段(75)により架
    設され、かつ 上記の供給源、電極、結合手段および架設手段が容器中
    に収容されている ことを特徴とする前出のいずれかの請求項記載の組合体
    。 12 前記の供給源が第1の平面部(43)を有してお
    り、 これに対面して電極が第2の平面部(40)を有してお
    り、かつ 前記の結合手段が一方の平面部から突出した矩形断面体
    (39、76、86)を有していることを特徴とする請
    求項1記載の組合体。 13 他方の平面部(40、43)内に延在して対応し
    た凹部(42)が形成されて前記の矩形断面体を着脱可
    能に収受し、かつ これにより第1と第2の平面部とが対設状態に保たれる ことを特徴とする請求項12記載の組合体。 14 前記の矩形断面体(39、76、86)が第1お
    よび第2の平面部に直交する直立壁面(48、51′、
    92)を有しており、 前記の凹部(42)が少なくとも第1と第 2の平面部に直交形成された凹壁面(47、61)によ
    り画定され、かつ 供給源が半径方向に膨張すると直立壁面が凹壁面と係合
    して供給源と電極間の熱結合を増加させる ことを特徴とする請求項13記載の組合体。 15 供給源が半径方向に膨張すると第1と第2の平面
    部近傍から断面矩形体の自由端へと前記の直立壁面が凹
    部壁面と係合して供給源と電極間の熱結合を増加させる ことを特徴とする請求項14記載の組合体。 16 前記の結合手段が良設定された動力束値に対応す
    る予設定された位置に配置されている ことを特徴とする前出のいずれかの請求項記載の組合体
JP63016779A 1987-01-27 1988-01-26 沈積装置用陰極/ターゲット組合体 Pending JPS63227776A (ja)

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