JP2002105634A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JP2002105634A JP2002105634A JP2000301534A JP2000301534A JP2002105634A JP 2002105634 A JP2002105634 A JP 2002105634A JP 2000301534 A JP2000301534 A JP 2000301534A JP 2000301534 A JP2000301534 A JP 2000301534A JP 2002105634 A JP2002105634 A JP 2002105634A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、マグネトロン型スパッタリング装
置のスパッタ源において、ターゲット１及びこれを支え
かつ冷却する目的のバッキングプレート２が、大電力供
給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレート
の冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨
張し、中央部分が反りかえって間隙６を作り、ターゲッ
トの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とす
る。 【解決手段】 スパッタリング装置のスパッタ源におい
て、ターゲットを支え、かつこれを冷却させる目的のバ
ッキングプレート２の外周部近傍に少なくとも１以上の
溝７を設けることで、熱膨張による伸びをこの溝７で吸
収し、バッキングプレート２のターゲット接触部５にお
ける反り（変形）を少なくする。
置のスパッタ源において、ターゲット１及びこれを支え
かつ冷却する目的のバッキングプレート２が、大電力供
給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレート
の冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨
張し、中央部分が反りかえって間隙６を作り、ターゲッ
トの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とす
る。 【解決手段】 スパッタリング装置のスパッタ源におい
て、ターゲットを支え、かつこれを冷却させる目的のバ
ッキングプレート２の外周部近傍に少なくとも１以上の
溝７を設けることで、熱膨張による伸びをこの溝７で吸
収し、バッキングプレート２のターゲット接触部５にお
ける反り（変形）を少なくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置の
スパッタ源において、ターゲットを支え、かつこのター
ゲットを冷却するバッキングプレートを備えたスパッタ
リング装置に関するものである。
スパッタ源において、ターゲットを支え、かつこのター
ゲットを冷却するバッキングプレートを備えたスパッタ
リング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空中におけるスパッタリング現象を利
用して薄膜を得るいわゆるスパッタリング装置におい
て、スパッタ源のターゲットは、アース電位の真空槽外
壁に対して負の高電圧を印加して放電させ、放電プラズ
マ中のイオンに叩かれてターゲット材が飛翔し、対向す
る位置に置かれた基材に堆積して薄膜を形成する。
用して薄膜を得るいわゆるスパッタリング装置におい
て、スパッタ源のターゲットは、アース電位の真空槽外
壁に対して負の高電圧を印加して放電させ、放電プラズ
マ中のイオンに叩かれてターゲット材が飛翔し、対向す
る位置に置かれた基材に堆積して薄膜を形成する。
【０００３】この場合、ターゲットは十分に冷却されて
いないと放電時にプラズマから受けるイオン衝撃で激し
く昇温し、やがて溶融する。ターゲットが溶融する程の
高温になると、ターゲット材自身が組成変化を起し、か
つ、スパッタ源およびこれをとりまく近傍の器壁が昇温
して不純物ガスを放出し放電が不安定になって、所期の
目的であるスパッタ膜を得ることが出来ないばかりでは
なく、スパッタ源及びスパッタリング装置自身の破損に
至ることになる。そこで、ターゲットは、スパッタリン
グ中のイオン衝撃にも耐えて、常に常温近くを保てるよ
うに、冷却されている。
いないと放電時にプラズマから受けるイオン衝撃で激し
く昇温し、やがて溶融する。ターゲットが溶融する程の
高温になると、ターゲット材自身が組成変化を起し、か
つ、スパッタ源およびこれをとりまく近傍の器壁が昇温
して不純物ガスを放出し放電が不安定になって、所期の
目的であるスパッタ膜を得ることが出来ないばかりでは
なく、スパッタ源及びスパッタリング装置自身の破損に
至ることになる。そこで、ターゲットは、スパッタリン
グ中のイオン衝撃にも耐えて、常に常温近くを保てるよ
うに、冷却されている。
【０００４】このターゲットの冷却方法としては、ター
ゲットに直接水を流す機構を設けて冷却する場合もある
が、水圧に耐えられない機械的強度のない材質を使う場
合もあり、通常は冷却機構を備えたあて板（バッキング
プレート）を使用する。
ゲットに直接水を流す機構を設けて冷却する場合もある
が、水圧に耐えられない機械的強度のない材質を使う場
合もあり、通常は冷却機構を備えたあて板（バッキング
プレート）を使用する。
【０００５】従来のバッキングプレートの使用例を図
９、図１０及び図１１を用いて説明する。図９におい
て、ターゲット１はバッキングプレート２ｆとの接触面
５は、ハンダ・接着剤等で接合される場合もあるが、タ
ーゲット１はバッキングプレート２ｆにハンダ・接着剤
等で接合される場合もあるが、ターゲット１は消耗品で
あることから、その寿命が尽きたときに新しいターゲッ
トと交換し易いように、接触部分５には、可撓性伝熱シ
ート材（図示せず）を介在させてバッキングプレート２
に締付機構（図示せず）にて締付けられている。
９、図１０及び図１１を用いて説明する。図９におい
て、ターゲット１はバッキングプレート２ｆとの接触面
５は、ハンダ・接着剤等で接合される場合もあるが、タ
ーゲット１はバッキングプレート２ｆにハンダ・接着剤
等で接合される場合もあるが、ターゲット１は消耗品で
あることから、その寿命が尽きたときに新しいターゲッ
トと交換し易いように、接触部分５には、可撓性伝熱シ
ート材（図示せず）を介在させてバッキングプレート２
に締付機構（図示せず）にて締付けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】バッキングプレート２
ｆはターゲット１を冷却するために、水冷機構４で水冷
却されているが、アース電位の真空槽（図示せず）壁と
高電圧絶縁され、且つ狭いスペースという構造上の制約
から、放電プラズマに大電力を供給した場合には、ター
ゲット１がプラズマから受けるイオン衝撃エネルギーと
バランスするだけの熱交換される面積及び冷却水量を確
保出来ず、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超え
て、バッキングプレート２ｆ自体もターゲット１との接
触部分５を中心に昇温する場合がある。
ｆはターゲット１を冷却するために、水冷機構４で水冷
却されているが、アース電位の真空槽（図示せず）壁と
高電圧絶縁され、且つ狭いスペースという構造上の制約
から、放電プラズマに大電力を供給した場合には、ター
ゲット１がプラズマから受けるイオン衝撃エネルギーと
バランスするだけの熱交換される面積及び冷却水量を確
保出来ず、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超え
て、バッキングプレート２ｆ自体もターゲット１との接
触部分５を中心に昇温する場合がある。
【０００７】このような場合には、バッキングプレート
２ｆの外端部３は常温固定されているので（固定機構は
図示せず）、図１０及び図１１に示すように、中央部か
ら熱膨張による変形が生じて、ターゲット１とバッキン
グプレート２ｆの接触部分には間隙６が出来、この間隙
６の間は真空中であることも加わって、ターゲット１は
さらに冷却され難くなる。
２ｆの外端部３は常温固定されているので（固定機構は
図示せず）、図１０及び図１１に示すように、中央部か
ら熱膨張による変形が生じて、ターゲット１とバッキン
グプレート２ｆの接触部分には間隙６が出来、この間隙
６の間は真空中であることも加わって、ターゲット１は
さらに冷却され難くなる。
【０００８】一方、バッキングプレート２ｆの大気側９
には、ターゲット表面１０の上でマグネトロン放電を起
させるためのマグネット機構（図示せず）があり、安定
した放電を維持するために、このマグネット機構の磁極
とターゲット表面１０との間隔を常に一定に保つ必要が
ある。上述のごとく、放電プラズマに大電力を供給し
て、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超えてターゲ
ット１とともにバッキングプレート２ｆもそり返る場合
には、前記、マグネット機構の磁極とターゲット表面１
０との間隔も広がり、ターゲット表面１０上に生じるマ
グネトロン磁界が弱くなり、放電不安定の要因になる。
には、ターゲット表面１０の上でマグネトロン放電を起
させるためのマグネット機構（図示せず）があり、安定
した放電を維持するために、このマグネット機構の磁極
とターゲット表面１０との間隔を常に一定に保つ必要が
ある。上述のごとく、放電プラズマに大電力を供給し
て、バッキングプレート２ｆの冷却能力を超えてターゲ
ット１とともにバッキングプレート２ｆもそり返る場合
には、前記、マグネット機構の磁極とターゲット表面１
０との間隔も広がり、ターゲット表面１０上に生じるマ
グネトロン磁界が弱くなり、放電不安定の要因になる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記のように
プラズマへの大電力供給による一時的な熱冷却アンバラ
ンスによりバッキングプレート２の部分的熱膨張があっ
ても、これによるバッキングプレート２全体の反り変形
を抑えるために、ターゲット１に接触するバッキングプ
レート２の外周部近傍に少なくとも１以上の溝７を設け
てあるので、バッキングプレート２中央部の熱膨張によ
る反りを（図２）及び（図４）に示すごとく溝７の溝幅
で吸収してしまい、バッキングプレート２全体としては
反り難く、変形し難いようにして、ターゲット１との接
触部分５に間隙６を生じさせないことができる。
プラズマへの大電力供給による一時的な熱冷却アンバラ
ンスによりバッキングプレート２の部分的熱膨張があっ
ても、これによるバッキングプレート２全体の反り変形
を抑えるために、ターゲット１に接触するバッキングプ
レート２の外周部近傍に少なくとも１以上の溝７を設け
てあるので、バッキングプレート２中央部の熱膨張によ
る反りを（図２）及び（図４）に示すごとく溝７の溝幅
で吸収してしまい、バッキングプレート２全体としては
反り難く、変形し難いようにして、ターゲット１との接
触部分５に間隙６を生じさせないことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。図１乃至図４は、本発明の実施形態を示
すスパッタリング装置のターゲットとバッキングプレー
ト部のみを示す側断面図である。
して説明する。図１乃至図４は、本発明の実施形態を示
すスパッタリング装置のターゲットとバッキングプレー
ト部のみを示す側断面図である。
【００１１】図１において、１は円板状ターゲット、２
は同状バッキングプレートでこの外周端３は絶縁層を介
してスパッタ源筐体及び真空槽壁に常温で固定されてい
る（固定機構は図示せず）。ターゲット１とバッキング
プレート２との接触面５には可撓性伝熱シート（図示せ
ず）を介して、ターゲット１を固定機構（図示せず）に
よりバッキングプレート２に固定する。７はバッキング
プレート２に設けられた溝で、この溝７の位置は、ター
ゲット１を固定しているターゲット外周端８の近傍に設
けている。９は大気側で、この大気側９には、真空側に
あるターゲット表面１０上にマグネトロン放電を起こさ
せるためのマグネット機構（図示せず）が置かれてい
る。ターゲット外周部のバッキングプレート側８の近傍
に溝７が設けてある。４はバッキングプレートの水冷却
部である。
は同状バッキングプレートでこの外周端３は絶縁層を介
してスパッタ源筐体及び真空槽壁に常温で固定されてい
る（固定機構は図示せず）。ターゲット１とバッキング
プレート２との接触面５には可撓性伝熱シート（図示せ
ず）を介して、ターゲット１を固定機構（図示せず）に
よりバッキングプレート２に固定する。７はバッキング
プレート２に設けられた溝で、この溝７の位置は、ター
ゲット１を固定しているターゲット外周端８の近傍に設
けている。９は大気側で、この大気側９には、真空側に
あるターゲット表面１０上にマグネトロン放電を起こさ
せるためのマグネット機構（図示せず）が置かれてい
る。ターゲット外周部のバッキングプレート側８の近傍
に溝７が設けてある。４はバッキングプレートの水冷却
部である。
【００１２】図２は図１で放電プラズマに大電力を供給
した場合、ターゲット１およびバッキングプレート２の
中央部が熱膨張しても、溝７でこれを吸収し、バッキン
グプレート２全体としてはそりが抑えられている例を示
すスパッタ源のターゲットとバッキングプレート部のみ
を示す側断面図である。
した場合、ターゲット１およびバッキングプレート２の
中央部が熱膨張しても、溝７でこれを吸収し、バッキン
グプレート２全体としてはそりが抑えられている例を示
すスパッタ源のターゲットとバッキングプレート部のみ
を示す側断面図である。
【００１３】図３は、溝７の位置がターゲット１とバッ
キングプレート２との外周端締付部分８より内側に設け
られた例である。図４は図３で放電プラズマに大電力を
供給した場合、ターゲット１及びバッキングプレート２
ａの中央部が熱膨張しても、溝７でこれを吸収し、バッ
キングプレート２ａ全体としては反りが抑えられている
例を示すスパッタ源のターゲットとバッキングプレート
部のみを示す側断面図である。
キングプレート２との外周端締付部分８より内側に設け
られた例である。図４は図３で放電プラズマに大電力を
供給した場合、ターゲット１及びバッキングプレート２
ａの中央部が熱膨張しても、溝７でこれを吸収し、バッ
キングプレート２ａ全体としては反りが抑えられている
例を示すスパッタ源のターゲットとバッキングプレート
部のみを示す側断面図である。
【００１４】以下、本発明の装置を用いて実験した一例
を説明する。今、外径２６６ｍｍ、厚さ３３．５ｍｍの
銅製バッキングプレートの中央部に、外径１８０ｍｍの
アルミニュウムターゲットを、可撓性伝熱シートを介し
て締付具で固定し、１０ｋｗの電力でスパッタリングし
たとき、溝なしの場合のターゲット外周付近の温度は１
５０°Ｃに達した。この時の中央部での歪量は０．５ｍ
ｍであった。 バッキングプレートの外周部に２ｍｍ幅
で深さ２５ｍｍの溝を設けた場合、同一条件で、ターゲ
ット外周付近の温度は、４０℃であった。このときの中
央部での歪量は０．０５ｍｍで、溝なしに比し約１０分
の１になった。この程度の歪量は、可撓性伝熱シートで
吸収でき、大電力供給時もターゲットが十分冷却されて
いることが証明された。
を説明する。今、外径２６６ｍｍ、厚さ３３．５ｍｍの
銅製バッキングプレートの中央部に、外径１８０ｍｍの
アルミニュウムターゲットを、可撓性伝熱シートを介し
て締付具で固定し、１０ｋｗの電力でスパッタリングし
たとき、溝なしの場合のターゲット外周付近の温度は１
５０°Ｃに達した。この時の中央部での歪量は０．５ｍ
ｍであった。 バッキングプレートの外周部に２ｍｍ幅
で深さ２５ｍｍの溝を設けた場合、同一条件で、ターゲ
ット外周付近の温度は、４０℃であった。このときの中
央部での歪量は０．０５ｍｍで、溝なしに比し約１０分
の１になった。この程度の歪量は、可撓性伝熱シートで
吸収でき、大電力供給時もターゲットが十分冷却されて
いることが証明された。
【００１５】このことから、溝の幅をバッキングプレー
トが熱応力で半径方向に延びる寸法以上にするととも
に、溝の深さをバッキングプレートが熱応力で容易に延
び、かつ弾性変形領域内で、温度が室温に戻った時に元
に復元される寸法にすることが最良であることが判明し
た。
トが熱応力で半径方向に延びる寸法以上にするととも
に、溝の深さをバッキングプレートが熱応力で容易に延
び、かつ弾性変形領域内で、温度が室温に戻った時に元
に復元される寸法にすることが最良であることが判明し
た。
【００１６】又、溝の形状は、応力集中を考えると図５
乃至図７等の形状が考えられる。又、溝の数について
は、これも図１のように１本に限定されるものではなく
て、図８に示すように、バッキングプレートの上下に設
けても良いことは自明である。
乃至図７等の形状が考えられる。又、溝の数について
は、これも図１のように１本に限定されるものではなく
て、図８に示すように、バッキングプレートの上下に設
けても良いことは自明である。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明によれ
ば、バッキングプレートの外周部近傍に溝を設けた構成
にすることにより、この溝でスパッタリング時のバッキ
ングプレートの反りを吸収させるとともにターゲットの
温度上昇を抑えることができるで、放電が不安定になっ
たり、スパッタリング装置の破損に至る危険を回避する
ことができるとともに、所期の目的であるスパッタ膜を
得ることができる等、その効果は大である。
ば、バッキングプレートの外周部近傍に溝を設けた構成
にすることにより、この溝でスパッタリング時のバッキ
ングプレートの反りを吸収させるとともにターゲットの
温度上昇を抑えることができるで、放電が不安定になっ
たり、スパッタリング装置の破損に至る危険を回避する
ことができるとともに、所期の目的であるスパッタ膜を
得ることができる等、その効果は大である。
【図１】図１は、この発明の一実施形態を示すスパッタ
源のターゲットとバッキングプレート部のみを示す側断
面図である。
源のターゲットとバッキングプレート部のみを示す側断
面図である。
【図２】図１に示す例で熱変形を受けた場合の側断面図
【図３】図３は、この発明の他の一実施形態を示すスパ
ッタ源のターゲットとバッキングプレート部のみを示す
側断面図である。
ッタ源のターゲットとバッキングプレート部のみを示す
側断面図である。
【図４】図３に示す例で熱変形を受けた場合の側断面図
【図５】本発明に係る溝形状の他の形状の例を示す。
【図６】本発明に係る溝形状の他の形状の例を示す。
【図７】本発明に係る溝形状の他の形状の例を示す。
【図８】本発明に係る溝形状の他の形状の例を示す。
【図９】従来のターゲット機構の主要部断面図の例
【図１０】同じく従来ターゲット機構で熱変形を受けた
例
例
【図１１】同じく従来ターゲット機構で別な形に熱変形
を受けた例
を受けた例
１ ターゲット ２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ バッキングプレ
ート ３ バッキングプレートの固定されている外周 ４ 水冷機構 ５ ターゲットとバッキングプレートとの接触部分 ６ 熱変形歪による間隙 ７ 溝 ８ ターゲット外周部でバッキングプレートとの固定部
分） ９ バッキングプレートの大気側 10 ターゲットのイオン衝撃を受ける表面（真空側）
ート ３ バッキングプレートの固定されている外周 ４ 水冷機構 ５ ターゲットとバッキングプレートとの接触部分 ６ 熱変形歪による間隙 ７ 溝 ８ ターゲット外周部でバッキングプレートとの固定部
分） ９ バッキングプレートの大気側 10 ターゲットのイオン衝撃を受ける表面（真空側）
Claims (1)
- 【請求項１】 スパッタリング装置のスパッタ源におい
て、ターゲットを支え、かつこのターゲットを冷却させ
る目的のバッキングプレートの外周部近傍に少なくとも
１以上の溝を設けたことを特徴とするターゲット用バッ
キングプレートを備えたスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301534A JP2002105634A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000301534A JP2002105634A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002105634A true JP2002105634A (ja) | 2002-04-10 |
| JP2002105634A5 JP2002105634A5 (ja) | 2007-11-01 |
Family
ID=18783059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000301534A Pending JP2002105634A (ja) | 2000-09-29 | 2000-09-29 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002105634A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005007924A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-27 | Honeywell International Inc. | Sputtering target constructions |
| JP2006526073A (ja) * | 2003-05-23 | 2006-11-16 | アプライド フィルムス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | マグネトロンスパッタカソード電極 |
| US7850829B2 (en) | 2005-01-12 | 2010-12-14 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter targets with expansion grooves for reduced separation |
| JP2011219824A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置およびターゲット装置 |
| CN102965627A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置及靶装置 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000301534A patent/JP2002105634A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006526073A (ja) * | 2003-05-23 | 2006-11-16 | アプライド フィルムス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト | マグネトロンスパッタカソード電極 |
| US8715471B2 (en) | 2003-05-23 | 2014-05-06 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Magnetron sputter cathode |
| WO2005007924A1 (en) * | 2003-07-07 | 2005-01-27 | Honeywell International Inc. | Sputtering target constructions |
| US7850829B2 (en) | 2005-01-12 | 2010-12-14 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter targets with expansion grooves for reduced separation |
| JP2011219824A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置およびターゲット装置 |
| CN102965627A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 住友重机械工业株式会社 | 成膜装置及靶装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A02 | Decision of refusal |
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