JPH11189872A - 凝縮によって基材の被覆を形成する方法 - Google Patents
凝縮によって基材の被覆を形成する方法Info
- Publication number
- JPH11189872A JPH11189872A JP10287108A JP28710898A JPH11189872A JP H11189872 A JPH11189872 A JP H11189872A JP 10287108 A JP10287108 A JP 10287108A JP 28710898 A JP28710898 A JP 28710898A JP H11189872 A JPH11189872 A JP H11189872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- target
- base material
- wall
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3428—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using liquid targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 元素、特に金属を基材（８）に凝縮させ
ることによってこの基材（８）の被覆を形成するための
装置を提供する。 【解決手段】 （ａ）元素の蒸発及び／又はスパッタリ
ングが起こり、ターゲット（７）が配列されている包囲
体を有し、該ターゲット（７）が、上述した元素を含有
し且つ基材（８）の方に向けられた少なくとも１つの表
面層を有し、基材（８）がターゲット（７）に面し且つ
その上方に位置し、前記装置は更に、（ｂ）元素を蒸発
させるための手段（１）、及び／又は（ｃ）上述した元
素をターゲット（７）から基材（８）の上にスパッタリ
ングするための手段を有する、前記装置において、伝導
性壁（９，９ａ，９ｂ）はターゲット（７）と基材
（８）との間の空間（２’）を少なくとも横方向に構成
し、壁（９，９ａ，９ｂ）を基材（８）に対して負或い
は正にバイアスする手段が設けられる。
ることによってこの基材（８）の被覆を形成するための
装置を提供する。 【解決手段】 （ａ）元素の蒸発及び／又はスパッタリ
ングが起こり、ターゲット（７）が配列されている包囲
体を有し、該ターゲット（７）が、上述した元素を含有
し且つ基材（８）の方に向けられた少なくとも１つの表
面層を有し、基材（８）がターゲット（７）に面し且つ
その上方に位置し、前記装置は更に、（ｂ）元素を蒸発
させるための手段（１）、及び／又は（ｃ）上述した元
素をターゲット（７）から基材（８）の上にスパッタリ
ングするための手段を有する、前記装置において、伝導
性壁（９，９ａ，９ｂ）はターゲット（７）と基材
（８）との間の空間（２’）を少なくとも横方向に構成
し、壁（９，９ａ，９ｂ）を基材（８）に対して負或い
は正にバイアスする手段が設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、元素、特に金属を
基材に凝縮させることによってこの基材の被覆を形成す
るための装置に関し、該装置は、（ａ）元素の蒸発及び
／又はスパッタリングが起こり、ターゲットが配列され
ている包囲体を有し、該ターゲットが、上述した元素を
含有し且つ基材の方に向けられた少なくとも１つの表面
層を有し、基材がターゲットに面し且つその上方に位置
し、前記装置は更に、（ｂ）元素を蒸発させるための手
段、及び／又は（ｃ）上述した元素をターゲットから基
材の上にスパッタするための手段、を有する。
基材に凝縮させることによってこの基材の被覆を形成す
るための装置に関し、該装置は、（ａ）元素の蒸発及び
／又はスパッタリングが起こり、ターゲットが配列され
ている包囲体を有し、該ターゲットが、上述した元素を
含有し且つ基材の方に向けられた少なくとも１つの表面
層を有し、基材がターゲットに面し且つその上方に位置
し、前記装置は更に、（ｂ）元素を蒸発させるための手
段、及び／又は（ｃ）上述した元素をターゲットから基
材の上にスパッタするための手段、を有する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】前述した型式の既知の
装置に関して生じる問題の１つは、蒸発及び／又はスパ
ッタリングが起こる包囲体の壁が被覆を形成すべき元素
で汚染されることである。これは、装置の適切な操作に
影響を及ぼし、これらの壁を繰返し清浄にする必要があ
るばかりでなく、基材に蒸着すべき材料の多量の損失を
引き起こす。かくして、本発明の主目的の１つは、これ
らの壁の汚染を減少させ、除去することでもある。
装置に関して生じる問題の１つは、蒸発及び／又はスパ
ッタリングが起こる包囲体の壁が被覆を形成すべき元素
で汚染されることである。これは、装置の適切な操作に
影響を及ぼし、これらの壁を繰返し清浄にする必要があ
るばかりでなく、基材に蒸着すべき材料の多量の損失を
引き起こす。かくして、本発明の主目的の１つは、これ
らの壁の汚染を減少させ、除去することでもある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】この目的のために、本発
明によれば、装置はターゲットと基材との間の空間を横
方向に構成する電気伝導性の壁と、この壁を基材に対し
て負又は正にバイアスするための手段とを有する。有利
には、断熱材が上述した伝導性壁の、ターゲットと基材
との間の空間に面する側と反対の側に設けられる。本発
明の特定の実施形態では、磁気回路が上述した空間に面
する側の反対の、上述した伝導性壁の側に設けられる。
明によれば、装置はターゲットと基材との間の空間を横
方向に構成する電気伝導性の壁と、この壁を基材に対し
て負又は正にバイアスするための手段とを有する。有利
には、断熱材が上述した伝導性壁の、ターゲットと基材
との間の空間に面する側と反対の側に設けられる。本発
明の特定の実施形態では、磁気回路が上述した空間に面
する側の反対の、上述した伝導性壁の側に設けられる。
【０００４】
【発明の実施の形態】本発明の更なる詳細及び特徴は、
添付図面を参照して、例示として以下に与えられる本発
明のいくつかの実施形態の説明から明らかになろう。種
々の図において、同じ参照番号は同様の又は同一の技術
的な構成に関する。一般的には、本発明は、元素、特に
金属を基材上に凝縮させることによって任意形状のこの
基材の被覆を形成するのに使用することができる装置に
関する。この装置は、元素の蒸発及び／又はスパッタリ
ングが起こり、ターゲットが配列される真空室又は包囲
体を有する。ターゲットは、基材の方に向けられ且つ上
述した元素を含有する少なくとも１つの表面層を有す
る。この元素を蒸発させるための手段、及び／又は元素
をターゲットから基材の上にスパッタするための手段が
設けられる。
添付図面を参照して、例示として以下に与えられる本発
明のいくつかの実施形態の説明から明らかになろう。種
々の図において、同じ参照番号は同様の又は同一の技術
的な構成に関する。一般的には、本発明は、元素、特に
金属を基材上に凝縮させることによって任意形状のこの
基材の被覆を形成するのに使用することができる装置に
関する。この装置は、元素の蒸発及び／又はスパッタリ
ングが起こり、ターゲットが配列される真空室又は包囲
体を有する。ターゲットは、基材の方に向けられ且つ上
述した元素を含有する少なくとも１つの表面層を有す
る。この元素を蒸発させるための手段、及び／又は元素
をターゲットから基材の上にスパッタするための手段が
設けられる。
【０００５】本発明によれば、本装置は、ターゲットと
基材との間の空間を囲む伝導性壁と、この壁を基材に対
して負又は正にバイアスする手段とを有することを特徴
とする。かくして、本発明による装置の第１の実施形態
を示す図１は、一方では、蒸発器／スパッタラー１を有
し、他方では、プラズマ３を発生させる真空室又は包囲
体２を有する。蒸発器／スパッタラー１は、本質的に
は、るつぼ４からなり、断熱材６によってこのるつぼか
ら分離された磁気回路５がるつぼ４の下に配列される。
るつぼ４はスパッタ、蒸発又は昇華させるべき、一般的
には金属からなる元素を収容する。
基材との間の空間を囲む伝導性壁と、この壁を基材に対
して負又は正にバイアスする手段とを有することを特徴
とする。かくして、本発明による装置の第１の実施形態
を示す図１は、一方では、蒸発器／スパッタラー１を有
し、他方では、プラズマ３を発生させる真空室又は包囲
体２を有する。蒸発器／スパッタラー１は、本質的に
は、るつぼ４からなり、断熱材６によってこのるつぼか
ら分離された磁気回路５がるつぼ４の下に配列される。
るつぼ４はスパッタ、蒸発又は昇華させるべき、一般的
には金属からなる元素を収容する。
【０００６】真空室は、るつぼ４に面する頂部で、基材
８を形成し且つ図面の平面と垂直な方向に移動するシー
ト状金属の連続ストリップによって境界付けられてい
る。このるつぼ４は上述のターゲットを形成する金属層
７を収容する。基材８とるつぼ４との間に位置するこの
真空室２の空間２’は伝導性の壁９によって横方向に境
界付けられている。この壁９は、基材に対して、例えば
電気的に負又は正にバイアスされる。更に、スパッタリ
ングを可能にするために、るつぼ４に収容された金属７
は基材８に対して負電位に維持され、プラズマ３が磁気
回路５の存在のおかげでこの選択的な液体金属７の近く
に生成される。アルゴンのような不活性ガスが、選択的
には、好ましくはプラズマ３及び液体金属７に向って斜
めに向けられた図示していない注入器を経て真空室内に
導入される。
８を形成し且つ図面の平面と垂直な方向に移動するシー
ト状金属の連続ストリップによって境界付けられてい
る。このるつぼ４は上述のターゲットを形成する金属層
７を収容する。基材８とるつぼ４との間に位置するこの
真空室２の空間２’は伝導性の壁９によって横方向に境
界付けられている。この壁９は、基材に対して、例えば
電気的に負又は正にバイアスされる。更に、スパッタリ
ングを可能にするために、るつぼ４に収容された金属７
は基材８に対して負電位に維持され、プラズマ３が磁気
回路５の存在のおかげでこの選択的な液体金属７の近く
に生成される。アルゴンのような不活性ガスが、選択的
には、好ましくはプラズマ３及び液体金属７に向って斜
めに向けられた図示していない注入器を経て真空室内に
導入される。
【０００７】このように、この不活性ガスはイオン化さ
れ、かくして形成されたイオンは金属７の表面を衝撃し
て、金属の粒子を基材８の上に放出する。欧州特許出願
第ＥＰ−Ａ−９５８７００６５．６号は本発明の内容に
適用可能なスパッタ方法を説明し、本発明のスパッタ方
法は、欧州特許出願第ＥＰ−Ａ−９６２０３１２１１．
６号に説明されているように、上述した金属の必要とさ
れる蒸気圧を得るためにるつぼ４の温度を適確に制御す
る。この場合には、アルゴンの注入は必ずしも本質的で
はない。かくして、伝導性壁９は、プラズマに含まれた
電子又は陽イオンによる衝撃で加熱される。壁９の温度
が十分高いとき、ターゲット７からくる金属蒸気はもは
や凝縮することはできず、従って、この壁９の汚染は大
きく減少し又は事実上存在しなくなる。
れ、かくして形成されたイオンは金属７の表面を衝撃し
て、金属の粒子を基材８の上に放出する。欧州特許出願
第ＥＰ−Ａ−９５８７００６５．６号は本発明の内容に
適用可能なスパッタ方法を説明し、本発明のスパッタ方
法は、欧州特許出願第ＥＰ−Ａ−９６２０３１２１１．
６号に説明されているように、上述した金属の必要とさ
れる蒸気圧を得るためにるつぼ４の温度を適確に制御す
る。この場合には、アルゴンの注入は必ずしも本質的で
はない。かくして、伝導性壁９は、プラズマに含まれた
電子又は陽イオンによる衝撃で加熱される。壁９の温度
が十分高いとき、ターゲット７からくる金属蒸気はもは
や凝縮することはできず、従って、この壁９の汚染は大
きく減少し又は事実上存在しなくなる。
【０００８】壁９は、好ましくは、低い蒸気圧及び大変
低いスパッタ収量を有する伝導性材料で作られ、その結
果、壁９が負にバイアスされるならば、基材上に形成さ
れる被覆の汚染を減少させ又は防止する。スパッタ収量
が壁９について想到できる電圧の範囲内で０．２より小
さい材料が好ましく、その電圧の絶対値は１０００Ｖよ
りも小さいのが有利である。明らかに、このスパッタ収
量は、包囲体２の壁が放電からの陽イオンによって衝撃
される、即ち、負のバイアスの場合にだけ考えられる。
陽極を形成するように壁が正にバイアスされるとき、壁
はそれにぶつかる電子によって加熱され、これらの電子
は電子質量が原子質量よりもずっと小さいので金属をス
パッタすることができない。
低いスパッタ収量を有する伝導性材料で作られ、その結
果、壁９が負にバイアスされるならば、基材上に形成さ
れる被覆の汚染を減少させ又は防止する。スパッタ収量
が壁９について想到できる電圧の範囲内で０．２より小
さい材料が好ましく、その電圧の絶対値は１０００Ｖよ
りも小さいのが有利である。明らかに、このスパッタ収
量は、包囲体２の壁が放電からの陽イオンによって衝撃
される、即ち、負のバイアスの場合にだけ考えられる。
陽極を形成するように壁が正にバイアスされるとき、壁
はそれにぶつかる電子によって加熱され、これらの電子
は電子質量が原子質量よりもずっと小さいので金属をス
パッタすることができない。
【０００９】蒸気圧は、好ましくは、壁９の温度で１０
-3ｍｂａｒよりも小さく、これは、更に詳細には、１０
００℃以上のグラファイトについての場合である。その
ような保護壁９をそれ自体で或いは組合せて作るのに考
えられる種々の材料の、比較に関するが網羅的ではない
表を以下に与える。材料はすべて電流を伝導し、低い蒸
気圧及び（５００ｅＶの運動エネルギーをもったアルゴ
ンイオンに関して与えられる）比較的低いスパッタ収量
によって特徴づけられる。
-3ｍｂａｒよりも小さく、これは、更に詳細には、１０
００℃以上のグラファイトについての場合である。その
ような保護壁９をそれ自体で或いは組合せて作るのに考
えられる種々の材料の、比較に関するが網羅的ではない
表を以下に与える。材料はすべて電流を伝導し、低い蒸
気圧及び（５００ｅＶの運動エネルギーをもったアルゴ
ンイオンに関して与えられる）比較的低いスパッタ収量
によって特徴づけられる。
【００１０】 一般的には、グラファイト、タンタル、タングステン又
は電気伝導性セラミックが好ましい。
は電気伝導性セラミックが好ましい。
【００１１】事実、真空包囲体の壁を保護するための機
構はスパッターエッチングとして知られた機構である。
この目的のために、特許出願第平０２−２５０３２５号
（三菱電気株式会社）に説明されている保護装置は、大
変低い汚染速度及び蒸着速度、即ち１μｍ／分よりも小
さい速度についてのみ適しているスパッタ機構に基づか
れる。しかしながら、本発明による装置では、イオン又
は電子の放出によって引き起こされる壁９の温度の上昇
という主保護機構により、包囲体２の壁をずっと大き
い、例えば１０μｍ／分よりも大きい蒸着速度、従っ
て、壁の汚染速度について保護することを可能にする。
加えて、真空室２の熱損失を防止し、かくして、エネル
ギー消費を制限するために、伝導性壁９は外部に断熱材
１０を備えるのが良い。
構はスパッターエッチングとして知られた機構である。
この目的のために、特許出願第平０２−２５０３２５号
（三菱電気株式会社）に説明されている保護装置は、大
変低い汚染速度及び蒸着速度、即ち１μｍ／分よりも小
さい速度についてのみ適しているスパッタ機構に基づか
れる。しかしながら、本発明による装置では、イオン又
は電子の放出によって引き起こされる壁９の温度の上昇
という主保護機構により、包囲体２の壁をずっと大き
い、例えば１０μｍ／分よりも大きい蒸着速度、従っ
て、壁の汚染速度について保護することを可能にする。
加えて、真空室２の熱損失を防止し、かくして、エネル
ギー消費を制限するために、伝導性壁９は外部に断熱材
１０を備えるのが良い。
【００１２】有利には、磁気回路１１が伝導性壁９の後
ろにも配列されるが、そのような磁気回路は本質的では
ない。１つの特定の場合には、伝導性壁９は液体金属の
ターゲット７と実質的に同じ電位に維持され、基材８は
１２でアースされる。最後に、欧州特許出願第ＥＰ−Ａ
−９６２０３１２１１．６号に既に説明されているよう
に、図示していない温度調節手段が、有利には、ターゲ
ット７の表面層を液体状態に維持するために設けられ
る。図２及び図３に示す実施形態は、真空室２に吊下げ
られた対象物８の外部表面の被覆を形成するための装置
に関する点で図１に示した実施形態と異なる。この対象
物は、従って、上述の基材に対応する。
ろにも配列されるが、そのような磁気回路は本質的では
ない。１つの特定の場合には、伝導性壁９は液体金属の
ターゲット７と実質的に同じ電位に維持され、基材８は
１２でアースされる。最後に、欧州特許出願第ＥＰ−Ａ
−９６２０３１２１１．６号に既に説明されているよう
に、図示していない温度調節手段が、有利には、ターゲ
ット７の表面層を液体状態に維持するために設けられ
る。図２及び図３に示す実施形態は、真空室２に吊下げ
られた対象物８の外部表面の被覆を形成するための装置
に関する点で図１に示した実施形態と異なる。この対象
物は、従って、上述の基材に対応する。
【００１３】この実施形態では、伝導性壁９は、蒸発−
スパッタリングによって被覆すべき対象物の周りに延び
る部分９’をるつぼ４に面する側に有する。この部分
９’は、るつぼ４の上方に位置する空間の周りで横方向
に延びる壁９と同じ機能を果す。図４及び図５は本発明
による装置の第３の実施形態に関し、該実施形態は、使
用状態が、一方では、鉛直ピン１５で枢動するるつぼ４
で作られ、他方では、２つの向い合った伝導性壁９ａ、
９ｂで作られる点で前の実施形態と異なり、該伝導性壁
９ａ、９ｂは矢印１６の方向に、そして選択的には、そ
れらの平面と平行な方向に移動できる。この実施形態
は、矢印１７の方向に移動する種々の幅の連続ストリッ
プによって形成される被覆基材８に特に適している。
スパッタリングによって被覆すべき対象物の周りに延び
る部分９’をるつぼ４に面する側に有する。この部分
９’は、るつぼ４の上方に位置する空間の周りで横方向
に延びる壁９と同じ機能を果す。図４及び図５は本発明
による装置の第３の実施形態に関し、該実施形態は、使
用状態が、一方では、鉛直ピン１５で枢動するるつぼ４
で作られ、他方では、２つの向い合った伝導性壁９ａ、
９ｂで作られる点で前の実施形態と異なり、該伝導性壁
９ａ、９ｂは矢印１６の方向に、そして選択的には、そ
れらの平面と平行な方向に移動できる。この実施形態
は、矢印１７の方向に移動する種々の幅の連続ストリッ
プによって形成される被覆基材８に特に適している。
【００１４】これは、るつぼ４をピン１５を中心に枢動
させ、同時に、伝導性壁９ａ、９ｂを、このるつぼ４の
できるだけ近くにいつもあるように移動させることによ
って、蒸発／スパッタ領域を、被覆すべき基材８の幅に
大変容易に適応させることができるからである。本発明
による装置を、有利には、基材を亜鉛、マグネシウム、
錫、マンガン、クロム又はこれらの金属の合金で被覆す
るのに適用するのが良い。典型的には、伝導性壁９は−
５００Ｖの電位に維持され、出力密度は、一般的には、
１ｗａｔｔ／ｃｍ2乃至１００ｗａｔｔ／ｃｍ2の間で変
わる。本発明は上述した実施形態に限られず、多数の変
形例を本発明の範囲から逸脱することなしに想到できる
ことが極めて明らかである。
させ、同時に、伝導性壁９ａ、９ｂを、このるつぼ４の
できるだけ近くにいつもあるように移動させることによ
って、蒸発／スパッタ領域を、被覆すべき基材８の幅に
大変容易に適応させることができるからである。本発明
による装置を、有利には、基材を亜鉛、マグネシウム、
錫、マンガン、クロム又はこれらの金属の合金で被覆す
るのに適用するのが良い。典型的には、伝導性壁９は−
５００Ｖの電位に維持され、出力密度は、一般的には、
１ｗａｔｔ／ｃｍ2乃至１００ｗａｔｔ／ｃｍ2の間で変
わる。本発明は上述した実施形態に限られず、多数の変
形例を本発明の範囲から逸脱することなしに想到できる
ことが極めて明らかである。
【図１】連続ストリップの形態の基材を被覆するための
装置の第１の実施形態の部分的概略的な縦断面図であ
る。
装置の第１の実施形態の部分的概略的な縦断面図であ
る。
【図２】包囲体の内側に取付けられた固定した基材を処
理するようになっている実施形態の、図１と同様の概略
図である。
理するようになっている実施形態の、図１と同様の概略
図である。
【図３】図２の線III−IIIにおける横断面図である。
【図４】枢動するカソードをもった本発明による装置の
第３の実施形態の概略的な側面図である。
第３の実施形態の概略的な側面図である。
【図５】図４の線Ｖ−Ｖにおける横断面図である。
１ 蒸発器 ２ 真空室 ２' 空間 ６ 断熱材 ７ ターゲット ８ 基材 ９ 壁 ９ａ 壁 ９ｂ 壁 １１ 磁気回路
Claims (8)
- 【請求項１】 元素、特に金属を基材（８）に凝縮さ
せることによって基材（８）の被覆を形成するための装
置であって、（ａ）前記元素の蒸発及び／又はスパッタ
リングが起こり、ターゲット（７）が配列されている包
囲体（２）を有し、該ターゲット（７）が前記元素を含
有し且つ基材（８）の方に向けられた少なくとも１つの
表面層を有し、基材（８）がターゲット（７）に面し且
つその上方に位置し、前記装置は更に、（ｂ）前記元素
を蒸発させるための手段（１）、及び／又は（ｃ）前記
元素をターゲット（７）から基材（８）の上にスパッタ
するための手段を、有する前記装置において、伝導性壁
（９，９ａ，９ｂ）がターゲット（７）と基材（８）と
の間の空間（２’）を少なくとも横方向に構成し、壁
（９，９ａ，９ｂ）を基材（８）に対して負又は正にバ
イアスする手段が設けられる、前記装置。 - 【請求項２】 断熱材（６）が伝導性壁（９）の、タ
ーゲット（７）と基材（８）との間の空間（２’）に面
する側と反対の側に設けられる、請求項１に記載の装
置。 - 【請求項３】 磁気回路（１１）が空間（２’）に面
する側と反対の、伝導性壁（９，９ａ，９ｂ）の側に設
けられる、請求項１又は請求項２に記載の装置。 - 【請求項４】 壁（９，９ａ，９ｂ）は、グラファイ
トのような低いスパッタ収量及び低い蒸気圧を有する伝
導性材料で作られる、請求項１乃至３に記載の装置。 - 【請求項５】 壁（９，９ａ，９ｂ）をターゲット
（７）と実質的に同じ電位に設定するための手段が設け
られる、請求項１乃至４に記載の装置。 - 【請求項６】 基材（８）をアースするための手段が
設けられる、請求項１乃至５に記載の装置。 - 【請求項７】 温度調節手段が、ターゲット（７）の
少なくとも表面層を液体状態に維持するために設けられ
る、請求項１乃至６に記載の装置。 - 【請求項８】 基材（８）に面する側と反対の、ター
ゲット（７）の側で冷却される磁気回路（５）を有す
る、請求項１乃至７に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP97203137A EP0908924B1 (fr) | 1997-10-08 | 1997-10-08 | Dispositif pour la formation d'un revêtement sur un substrat par condensation |
| BE97203137:1 | 1997-10-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11189872A true JPH11189872A (ja) | 1999-07-13 |
Family
ID=8228813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10287108A Pending JPH11189872A (ja) | 1997-10-08 | 1998-10-08 | 凝縮によって基材の被覆を形成する方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0908924B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11189872A (ja) |
| AT (1) | ATE242545T1 (ja) |
| DE (1) | DE69722619T2 (ja) |
| DK (1) | DK0908924T3 (ja) |
| ES (1) | ES2200117T3 (ja) |
| PT (1) | PT908924E (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156960B2 (en) * | 2000-08-23 | 2007-01-02 | Cold Plasma Applications, Cpa, Sprl | Method and device for continuous cold plasma deposition of metal coatings |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5410780B2 (ja) | 2009-02-18 | 2014-02-05 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法、成膜装置、圧電体膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
| JP2022505534A (ja) * | 2018-10-24 | 2022-01-14 | エヴァテック・アーゲー | 液体スパッタターゲット |
| RU2765222C1 (ru) * | 2020-12-30 | 2022-01-26 | Тхе Баттериес Сп. з о.о. | Способ формирования пленки LiCoO2 и устройство для его реализации |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01180981A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ法及びその装置 |
| JPH02250325A (ja) * | 1989-03-23 | 1990-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| DD284486A5 (de) * | 1989-05-31 | 1990-11-14 | Veb Hochvakuum Dresden,Dd | Verfahren zur herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener schichten |
| US5069770A (en) * | 1990-07-23 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Sputtering process employing an enclosed sputtering target |
| CA2065581C (en) * | 1991-04-22 | 2002-03-12 | Andal Corp. | Plasma enhancement apparatus and method for physical vapor deposition |
| JP3222615B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2001-10-29 | 株式会社東芝 | 表面処理装置 |
| BE1009838A3 (fr) * | 1995-12-20 | 1997-10-07 | Cockerill Rech & Dev | Procede et dispositif pour la formation d'un revetement sur un substrat. |
-
1997
- 1997-10-08 DE DE69722619T patent/DE69722619T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-08 PT PT97203137T patent/PT908924E/pt unknown
- 1997-10-08 EP EP97203137A patent/EP0908924B1/fr not_active Revoked
- 1997-10-08 ES ES97203137T patent/ES2200117T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-08 AT AT97203137T patent/ATE242545T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-10-08 DK DK97203137T patent/DK0908924T3/da active
-
1998
- 1998-10-08 JP JP10287108A patent/JPH11189872A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156960B2 (en) * | 2000-08-23 | 2007-01-02 | Cold Plasma Applications, Cpa, Sprl | Method and device for continuous cold plasma deposition of metal coatings |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2200117T3 (es) | 2004-03-01 |
| ATE242545T1 (de) | 2003-06-15 |
| EP0908924B1 (fr) | 2003-06-04 |
| DE69722619D1 (de) | 2003-07-10 |
| EP0908924A1 (fr) | 1999-04-14 |
| DE69722619T2 (de) | 2004-05-13 |
| DK0908924T3 (da) | 2003-09-29 |
| PT908924E (pt) | 2003-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6787010B2 (en) | Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby | |
| JP3100209B2 (ja) | 真空蒸着用偏向電子銃装置 | |
| US7678241B2 (en) | Film forming apparatus, substrate for forming oxide thin film and production method thereof | |
| TWI390574B (zh) | 線性電漿電子源及其製造方法 | |
| US3404084A (en) | Apparatus for depositing ionized electron beam evaporated material on a negatively biased substrate | |
| US5427668A (en) | Thin film deposition system | |
| US3492215A (en) | Sputtering of material simultaneously evaporated onto the target | |
| US5180477A (en) | Thin film deposition apparatus | |
| JPH11189872A (ja) | 凝縮によって基材の被覆を形成する方法 | |
| EP0618606B1 (en) | Apparatus for DC reactive plasma vapor deposition of an electrically insulating material using a shielded secondary anode | |
| US20140110248A1 (en) | Chamber pasting method in a pvd chamber for reactive re-sputtering dielectric material | |
| US20090014316A1 (en) | Sputter-enhanced evaporative deposition apparatus and method | |
| JP2019121422A (ja) | 表面処理装置 | |
| EP0047456B1 (en) | Ion plating without the introduction of gas | |
| JP4307304B2 (ja) | ピアス式電子銃、これを備えた真空蒸着装置およびピアス式電子銃の異常放電防止方法 | |
| JPS61272367A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2001164360A (ja) | Ｄｃスパッタリング装置 | |
| JP2694058B2 (ja) | アーク蒸着装置 | |
| Dugdale | DC glow discharge techniques for surface treatment and coating | |
| US20240167144A1 (en) | Systems and methods for in-situ etching prior to physical vapor deposition in the same chamber | |
| JP2000144392A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| Clampitt | Field emission deposition sources | |
| KR100329632B1 (ko) | 음극아크 방전을 이용한 대면적 평판 코팅장치 | |
| JPH0242897B2 (ja) | ||
| JPS63303050A (ja) | 窒化ジルコン薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040406 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070925 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080303 |