DD284486A5 - Verfahren zur herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener schichten - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener Schichten. Die Erfindung wird dabei insbesondere dort angewendet, wo Defekte innerhalb der Schicht durch Ablagerungen oder Einbau von Flitter- oder Staubpartikel aus dem Arbeitsraum vermieden werden sollen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem die staendigen und unvermeidbaren Abscheidungen an den Plasmabegrenzungsflaechen und Einbauten im Plasmaraum haftfest erfolgen, so dasz keine unerwuenschten Abplatzungen auftreten, die den eigentlichen Beschichtungsprozesz der Substrate unguenstig beeinflussen. Erfindungsgemaesz wird die Aufgabe derart geloest, dasz waehrend der Beschichtung mindestens an einem Teil der Plasmakammer eine negative Spannung angelegt wird, die einen Wert von 50-90% der Substratspannung hat.{Plasmabeschichtung; Plasmakammer; Abscheidung, haftfest; Defekte; Substratspannung; Reinigung}
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung defektarmer, plasmagestützt abgeschiedener Schichten. Die Erfindung wird dabei insbesondere dort angewendet, wo Defekte innerhalb der Schicht durch Ablagerung oder Einbau von Flitter- oder Staubpartikel aus dem Arbeisraum vermieden werden sollen.
unterschieden.
modifizierten Zersetzungsprodukte auf den teilweise auch auf negativem Potential liegenden Substrat abzuscheiden. Die
sie ungewollt abplatzen oder durch Gasströme abgespült werden, in den Plasmaraum gelangen und auf den Schichtaufbau am
sind wenig haftfest, können abplatzen und störend auf die Substrate gelangen. Bei allen Plasmaverfahren besteht somit die permanente Aufgabe, die unerwünschten Abscheidungen an den Plasmawänden bzw. Einbauten von den herzustellenden
ausgewechselt wird. Nachteilig ist hierbei der materielle und zeitliche Aufwand durch das Wechseln der Folie.
um den hohen Aufwand beim Reinigen der Vakuumkammer zu umgehen.
auf einen Raum zwischen Target und Substrat zu konzentrieren. Dabei wird nur eine unvollständige räumliche Abgrenzung gegenüber den Vakuumxammerwandungen erreicht, so daß gesputterte Teilchen diese erreichen können und zu unerwünschten
somit weniger Eigenspannung und platzt nicht so leicht ab. Nachteilig ist hierbei der hohe Reinigungsaufwand nach einiger Zeit bei immer noch vorhandener Unvollkommenheit. Abscheidungen von Neutralteilchen können bereits mit leichten Gasströmen aufgewirbelt werden und die Verkleidung aller komplizierten Einbauten im Plasmaraum ist kaum möglich.
abgetrennt ist, welchus ein positives Potential gegenüber dem Rezipienten besitzt. Die Schichtabscheidung erfolgt auf den auf
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, bei dem die ständigen und unvermeidbaren Abscheidungen an den Plasmabegrenzungsflächen und Einbauten im Plasmaraum haftfest erfolgen, so daß keine unerwünschten Abplatzungen auftreten, die den eigentlichen Beschichtungsprozeß der Substrate ungünstig beeinflussen. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe derart gelöst, daß während der Beschichtung mindestens an einem Teil der Plasmakammer eine negative Spannung angelegt wird, die einen Wert von 50-90% der Substratspannung hat.
Mit dieser erfindungsgemäßen Verfahrensführung werden die unerwünschten Schichtabscheidungen, ähnlich wie am Substrat, deren Beschichtung durch das erfindungsgemäße Verfahren nicht beeinflußt wird, unter loneneinwirkung abgeschieden und damit in typischer Weise entsprechend dicht und haftfest. Das hat zur Folge, daß diese unerwünschten Schichten nicht oder erst bei großen Schichtdicken abplatzen und damit keine Schädigungen an der Substrat-Schicht bewirken. Die gezielte Einstellung des Potentials der Plasma-Begrenzungsflächen, zwischen 50-90% des Substratpotentials, ermöglicht eine gezielte Einwirkung auf die Dichte und Haftfestigkeit dieser Schicht je nach Art der eingesetzten Substanzen. Damit kann vor allem die mögliche Chargenzahl bis zur nächsten Reinigung der Plasmakammer optimiert werden, d. h. möglichst viele Chargen-Beschichtungen ohne Abplatzungen bei noch relativ guter Reinigungsmöglichkeit. Wenn die Plasmakammer des weiteren optisch dicht ausgeführt ist, können sich auch nahezu keine Neutralteilchen an der Rezipientenwand abscheiden und die Reinigung des Rezipienten erübrigt sich weitgehend. Je nach vorliegenden Substanzen und den Plasmaparametern, kann es auch ausreichend sein, die Spannung an die Plasmakammer, bzw. die Teile davon und die Einbauten, nur impulsartig anzulegen. In diesem Fall werden die einfachen Abscheidungen durch den nachfolgenden impulsartigen lonenbeschuß nachträglich haftfest an die Unterlage befestigt. Mit dieser Verfahrensvariante kann teilweise eine erhebliche Energieeinsparung erzielt werden. Wenn im Verfahrensablauf der plasmagestützten Beschichtung eine Reinigung der Substrate vor der Beschichtung mit lonenbeschuß erfolgt, dann ist es vorteilhaft, die Plasmakammer oder Teile davon auf die gleiche Spannung zu legen wie die Substrate, damit auch der gleiche Reinigungseffekt, besonders von Kontaminationen, auftritt. Mit der erfindungsgemäßen Verfahrensführung ist es möglich über lange Zeit, bzw. viele Chargen ohne Reinigung der Plasmakammer, jegliches Abplatzen oder Aufwirbeln von unerwünscht an den Plasmabegrenzungswänden abgeschiedenen Substanzen zu verhindern, ohne daß der eigentliche Schichtbildungsprozeß am Substrat beeinflußt wird.
100 nm dicken iC-Schicht (harter ionengestützt abgeschiedener Kohlenstoff) zu beschichten. Die Schicht muß eine gleichmäßige
erfolgt nach dem Verfahren der Plasmabeschichtung. Es wird ein Kohlenwasserstoffgas, z.B. Benzen, in die Plasmazone innerhalb eines Rezipienten eingeleitet und im Plasma zersetzt. Dabei wird an allen angrenzenden Flächen Kohlenstoff abgeschieden. Vorfahrenstypisch wird an das Substrat ein negatives Potential angelegt, so daß dort die Kohlenstoffabscheidung unter gleichzeitiger lonenbombardierung abläuft und sich eine harte iC-Schicht abscheidet.
die als Plasmakammer wirkt". Nach obc η ist die Plasmakammer von einer Plasmaabdeckung begrenzt und unten vom Boden des
können und dort Störungen hervorrufen. Deshalb wird das erfindungsgemäße Verfahren für die Plasmaabdeckung angewandt und ein Potential im Wert von 80% des Substratpotentials gelegt.
-400 V angelegt. Bei dieser Verfahrensführung erfolgt, ohne daß der Schichtaufbau am Substrat beeinflußt wird, an der
der oberen Plasmaabdeckung bei -400 V Vorspannung haftfest aber mit relativ geringer Härte, so daß es zu keinen unerwünschten Ablösungen kommt. Anriarprseits kann die Schicht nach einiger Zeit, die etwa bei Faktor 10 liegt, relativ einfach wieder entfernt werden.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung defektarmer, plasmagestützt abgeschiedener Schichten innerhalb einer Beschichtungskammer, dadurch gekennzeichnet, daß während der Beschichtung mindestens an einem Teil der Plasmakammer eine negative Spannung angelegt wird, die einen Wert von 50 bis 90% der Substratspannung hat.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die negative Spannung an die Plasmakammer impulsartig angelegt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die, während der lonenbeschußreinigung der Substrate, Spannung an der Plasmakammer bis 100% der Substratspannung beträgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32907689A DD284486A5 (de) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Verfahren zur herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener schichten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD32907689A DD284486A5 (de) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Verfahren zur herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener schichten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD284486A5 true DD284486A5 (de) | 1990-11-14 |
Family
ID=5609537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD32907689A DD284486A5 (de) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Verfahren zur herstellung defektarmer, plasmagestuetzt abgeschiedener schichten |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD284486A5 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0908924A1 (de) * | 1997-10-08 | 1999-04-14 | RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, en abrégé: RD-CS | Vorrichtung zur Kondensationserzeugung eines Schichtes auf einem Substrat |
DE102013107659A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische Beschichtungsvorrichtung |
-
1989
- 1989-05-31 DD DD32907689A patent/DD284486A5/de not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0908924A1 (de) * | 1997-10-08 | 1999-04-14 | RECHERCHE ET DEVELOPPEMENT DU GROUPE COCKERILL SAMBRE, en abrégé: RD-CS | Vorrichtung zur Kondensationserzeugung eines Schichtes auf einem Substrat |
DE102013107659A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische Beschichtungsvorrichtung |
WO2015007653A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische beschichtungsvorrichtung |
DE102013107659B4 (de) * | 2013-07-18 | 2015-03-12 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische Beschichtungsvorrichtung |
US10186401B2 (en) | 2013-07-18 | 2019-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasma-chemical coating apparatus |
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