JP5689427B2 - 結露のない熱チャック - Google Patents
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Description
Claims (16)
- 基板を支持するため、および熱伝達を制御するための、イオン注入システムにおける真空チェンバ内の基板チャックであって、
イオン注入の際に基板を保持すると共に、ウェハを少なくとも1次元的に移動可能にするクランプ面を含む支持機構と、
上記支持機構に連結した冷却機構と、
上記クランプ面の外側の上記基板チャックを封止する断熱層と、を備え、
上記断熱層は、
上記支持機構の外側を囲む真空ギャップと、
上記真空ギャップを実質的に封止するアウターケーシングと、を備え、
上記断熱層は、上記支持機構と上記支持機構の外側との間に真空バリアを生成することによって、上記支持機構の壁上の結露と上記支持機構への熱伝達とを防ぐものである、
ことを特徴とする基板チャック。 - 上記支持機構の上記アウターケーシングは、穴を更に備え、
上記真空ギャップは、上記真空チェンバ内の第2の真空によって生成された第1の真空を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。 - 上記真空ギャップは、上記真空チェンバに第2の真空を供給する第2の真空ポンプから分離した第1の真空ポンプからの第1の真空を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記支持機構と連結された上記冷却機構は、上記支持機構内に、上記基板の温度を下回る温度に上記支持機構を冷却するための冷却構造を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記アウターケーシングは、アルミニウムケーシング、スチールケーシング、またはセラミックケーシングであることを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記支持機構は、摂氏10度から摂氏マイナス80度までの温度に冷却されることを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記基板チャックは、上記断熱層によって封止された静電チャックを更に備えていることを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記アウターケーシングは、上記真空ギャップから外部チェンバ内の環境へ開口を制御するための弁を含むことを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。
- 上記支持機構に連結された支持部を更に備え、
上記アウターケーシングは、上記支持部を、上記冷却機構、及びイオン注入の際に上記ウェハが保持される上記真空チェンバ内の真空空間の少なくとも一つの部分から実質的に分離させることを特徴とする請求項1に記載の基板チャック。 - 上記第1の真空および上記第2の真空は、実質的に等しいことを特徴とする請求項2に記載の基板チャック。
- 表面の上にウェハを支持するため、および冷却時の熱伝達を制御するための、イオン注入システムにおけるウェハ支持チャックであって、
上記表面の下の上記ウェハ支持チャックを封止する断熱層を備え、
上記断熱層は、
上記表面の下の上記ウェハ支持チャックの外側を囲む真空ギャップと、
上記真空ギャップを実質的に封止するアウターケーシングと、を備えていることを特徴とするウェハ支持チャック。 - 上記断熱層は、
上記ウェハ支持チャックと、処理チェンバとの間に、熱凝結バリアを備えることによりウェハ支持チャックの外側及び上記処理チェンバへの結露を防ぐものであり、
上記ウェハ支持チャックを囲む上記断熱層の背面上に配置された開口穴を更に備えることを特徴とする請求項11に記載のウェハ支持チャック。 - 上記真空ギャップは、第1の真空領域内の第1の真空を含み、
処理チェンバは、上記ウェハ支持チャックと、第2の真空領域内の第2の真空とを含み、
上記第2の真空は、上記断熱層内の穴を介して上記第1の真空を生成するための十分な圧力を含んでいることを特徴とする請求項11に記載のウェハ支持チャック。 - 上記断熱層は、上記処理チェンバ内に結露が形成されることを防ぐのに十分なように、上記ウェハ支持チャックから上記処理チェンバへの熱伝達を実質的に減少させ、かつ、0.1mmから10mmの厚さであることを特徴とする請求項13に記載のウェハ支持チャック。
- 低温イオン注入のためのウェハ支持チャックを形成するための形成方法であって、
基板をクランプするためのクランプ面を含む支持機構を形成する第1の形成工程と、
上記支持機構を封止し、かつ、上記支持機構と連結した断熱層を形成する第2の形成工程と、を含み、
上記断熱層は、上記クランプ面の下の上記支持機構を封止していることを特徴とする形成方法。 - 上記断熱層を形成する上記第2の形成工程は、内部に真空を含む真空ギャップと、上記真空ギャップを封止するアウタースキンとを形成する形成工程を含んでいることを特徴とする請求項15に記載の形成方法。
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