JPS63235469A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
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- JPS63235469A JPS63235469A JP6974987A JP6974987A JPS63235469A JP S63235469 A JPS63235469 A JP S63235469A JP 6974987 A JP6974987 A JP 6974987A JP 6974987 A JP6974987 A JP 6974987A JP S63235469 A JPS63235469 A JP S63235469A
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- JP
- Japan
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- target
- cathode
- cooling water
- alloy
- brazing alloy
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- Pending
Links
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- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタ装置、特にスパッタ装置におけるター
ゲット取付構造に関する。
ゲット取付構造に関する。
従来の技術を図面を用いて説明する。
第３図は従来のコニカルマグネトロンスパッタガンの縦
断面図である。従来この種のガンでは。
断面図である。従来この種のガンでは。
リング状ターゲット３２を円筒形のカソード３１に挿入
し、ネジ止めすることにより該カソード３１に取付けて
いる。ターゲット３２とカソード３１との接触はスパッ
タ時、ターゲット３２が熱膨張によりカソード３Ｉの側
壁に圧着されることを利用している。
し、ネジ止めすることにより該カソード３１に取付けて
いる。ターゲット３２とカソード３１との接触はスパッ
タ時、ターゲット３２が熱膨張によりカソード３Ｉの側
壁に圧着されることを利用している。
３４は冷却水路である。
第４図は従来のプレーナマグネトロン型カソードの縦断
面図である。従来、この種のプレーナマグネトロン型カ
ソードでは、ターゲット４３はターゲット裏板４２をカ
ソード４１にネジ止めにより取付けている。またターゲ
ット４３とカソード４１との間にあるＯリング４５によ
りターゲット４３を直接冷却している冷却水４４をシー
ルし、冷却水４４がスパッタチャンバー内に漏れないよ
うにしている。
面図である。従来、この種のプレーナマグネトロン型カ
ソードでは、ターゲット４３はターゲット裏板４２をカ
ソード４１にネジ止めにより取付けている。またターゲ
ット４３とカソード４１との間にあるＯリング４５によ
りターゲット４３を直接冷却している冷却水４４をシー
ルし、冷却水４４がスパッタチャンバー内に漏れないよ
うにしている。
上述した従来のターゲット取付方式のうち、ターゲット
の熱膨張によりターゲット３２をカソード３１に圧着さ
せる方式では、ターゲット３２の取付具合が悪く、カソ
ード３１に対し、ターゲット３２が斜めに傾いて取付け
られた場合、ターゲット３２がカソード３１に密着せず
に、ターゲット３２からカソード３１への熱伝導が悪く
なる。ターゲット３２はスパッタ中に加熱されるため、
冷却する必要があるが、ターゲット３２とカソード３１
間の熱伝導が悪くなれば、ターゲット３２が高温となり
ターゲット３２が溶解したり、ターゲット３２がターゲ
ット裏板から離脱するという問題が生ずる。
の熱膨張によりターゲット３２をカソード３１に圧着さ
せる方式では、ターゲット３２の取付具合が悪く、カソ
ード３１に対し、ターゲット３２が斜めに傾いて取付け
られた場合、ターゲット３２がカソード３１に密着せず
に、ターゲット３２からカソード３１への熱伝導が悪く
なる。ターゲット３２はスパッタ中に加熱されるため、
冷却する必要があるが、ターゲット３２とカソード３１
間の熱伝導が悪くなれば、ターゲット３２が高温となり
ターゲット３２が溶解したり、ターゲット３２がターゲ
ット裏板から離脱するという問題が生ずる。
又、ターゲット４３とカソード４１との間に冷却水４４
を充填する方式では０リング４５のシール状態が悪いと
、冷却水４４が漏れ、スパッタチャンバーの真空度を劣
化させるという問題が生ずる欠点がある。
を充填する方式では０リング４５のシール状態が悪いと
、冷却水４４が漏れ、スパッタチャンバーの真空度を劣
化させるという問題が生ずる欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解消したスパッタ装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した従来のスパッタ装置に対し５本発明はターゲッ
トとカソードの接合面間を低融点ろう付け用合金により
接着してターゲットを取付けるという独創的内容を有す
る。
トとカソードの接合面間を低融点ろう付け用合金により
接着してターゲットを取付けるという独創的内容を有す
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はターゲットとカソードのターゲットとの接合面
間を低融点ろう付け用合金により接着したことを特徴と
するスパッタ装置である。
間を低融点ろう付け用合金により接着したことを特徴と
するスパッタ装置である。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明をコニカルマグネトロンスパッタガンに
適用した断面図である。第１図おいて、円筒状のカソー
ド１１の中心部に７ノード１４を設置し、該カソード１
１のリング状凹部１１ａにリング状のターゲット１３を
配設し、カソード１１とターゲット１３との間に低融点
ろう付け用合金１２を介在し、ヒーター１５で合金１２
を溶融しカソード１１とターゲット１３とを接着する。
適用した断面図である。第１図おいて、円筒状のカソー
ド１１の中心部に７ノード１４を設置し、該カソード１
１のリング状凹部１１ａにリング状のターゲット１３を
配設し、カソード１１とターゲット１３との間に低融点
ろう付け用合金１２を介在し、ヒーター１５で合金１２
を溶融しカソード１１とターゲット１３とを接着する。
１６は冷却水路である。
ターゲット１３の着脱の際は、冷却水路１６の冷却水を
抜き、ヒーター１５を加熱する。加熱により低融点ろう
付け用合金１２を融解させ、使用済のターゲット１３を
取りはずし、低融点ろう付け用合金１２を補給した上で
、新規のターゲット１３を取付ける。
抜き、ヒーター１５を加熱する。加熱により低融点ろう
付け用合金１２を融解させ、使用済のターゲット１３を
取りはずし、低融点ろう付け用合金１２を補給した上で
、新規のターゲット１３を取付ける。
新規なターゲット１３と、カソード１１との間が低融点
ろう付け用合金１２で完全に充填された後、ヒーター１
５の電流を切り、冷却水路１６に冷却水を流して冷却し
、低融点ろう付け用合金を凝固させる。
ろう付け用合金１２で完全に充填された後、ヒーター１
５の電流を切り、冷却水路１６に冷却水を流して冷却し
、低融点ろう付け用合金を凝固させる。
（実施例２）
第２図は本発明をプレーナマグネトロンスパッタカソー
ドに適用した縦断面図である。第２図において、 ２１
はカソード、２２は低融点ろう付け用合金、２３はター
ゲット裏板、２４はターゲット、２５はヒーター、２６
は冷却水である。
ドに適用した縦断面図である。第２図において、 ２１
はカソード、２２は低融点ろう付け用合金、２３はター
ゲット裏板、２４はターゲット、２５はヒーター、２６
は冷却水である。
ターゲット２４の着脱の際は、実施例１と同様に。
ヒーター２５により低融点ろう付け用合金２２を融解し
て使用済のターゲット２４を取りはずし、新規なターゲ
ット２４を取付けた後、ヒーター２５の電流を切り、冷
却水を流すことにより冷却して、低融点ろう付け用合金
２２を凝固させる。
て使用済のターゲット２４を取りはずし、新規なターゲ
ット２４を取付けた後、ヒーター２５の電流を切り、冷
却水を流すことにより冷却して、低融点ろう付け用合金
２２を凝固させる。
以上説明したように本発明はターゲットと、カソードの
接合面間を低融点ろう付け用合金により接着することに
より、容易に真空中内でもターゲットとカソード間の高
い熱伝導を確保できるため、ターゲットの冷却不足によ
るターゲット溶解等の事故を防止できる。また、低融点
ろう付け用合金は導電性であり、ターゲットとカソード
との間の高い電気伝導も確保できる。また、ターゲット
をカソードに取付けた後は低融点ろう付け用合金を凝固
させるため、真空度を低下させる危険性をなくすことが
できる。
接合面間を低融点ろう付け用合金により接着することに
より、容易に真空中内でもターゲットとカソード間の高
い熱伝導を確保できるため、ターゲットの冷却不足によ
るターゲット溶解等の事故を防止できる。また、低融点
ろう付け用合金は導電性であり、ターゲットとカソード
との間の高い電気伝導も確保できる。また、ターゲット
をカソードに取付けた後は低融点ろう付け用合金を凝固
させるため、真空度を低下させる危険性をなくすことが
できる。
第１図は本発明の第１の実施例のコニカルマグネトロン
スパッタガンを示す縦断面図、第２図は本発明の第２の
実施例のプレーナマグネトロンスパッタカソードを示す
縦断面図、第３図は従来のコニカルマグネトロンスパッ
タガンを示す縦断面図、第４図は従来のプレーナマグネ
トロンスパッタカソードを示す縦断面図である。
スパッタガンを示す縦断面図、第２図は本発明の第２の
実施例のプレーナマグネトロンスパッタカソードを示す
縦断面図、第３図は従来のコニカルマグネトロンスパッ
タガンを示す縦断面図、第４図は従来のプレーナマグネ
トロンスパッタカソードを示す縦断面図である。
Claims (1)
- （１）ターゲットとカソードのターゲットとの接合面間
を低融点ろう付け用合金により接着したことを特徴とす
るスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974987A JPS63235469A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6974987A JPS63235469A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63235469A true JPS63235469A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13411758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6974987A Pending JPS63235469A (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63235469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593082A (en) * | 1994-11-15 | 1997-01-14 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby |
| US5653856A (en) * | 1994-11-15 | 1997-08-05 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby |
| JP2015505901A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 回転可能なスパッタターゲット |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP6974987A patent/JPS63235469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5593082A (en) * | 1994-11-15 | 1997-01-14 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby |
| US5653856A (en) * | 1994-11-15 | 1997-08-05 | Tosoh Smd, Inc. | Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby |
| JP2015505901A (ja) * | 2011-12-09 | 2015-02-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 回転可能なスパッタターゲット |
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