JPS60135572A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
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- JPS60135572A JPS60135572A JP24384383A JP24384383A JPS60135572A JP S60135572 A JPS60135572 A JP S60135572A JP 24384383 A JP24384383 A JP 24384383A JP 24384383 A JP24384383 A JP 24384383A JP S60135572 A JPS60135572 A JP S60135572A
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- sputtering target
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
- H01J37/3458—Electromagnets in particular for cathodic sputtering apparatus
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタリング方法に関するものである、−。
第１図は一般的なスパッタ電極と、スパッタリングター
ゲットの構造を説明するための概略断面を示したもので
ある。スパッタリングターゲット１０１のスパッタリン
グに曝される第１の主面１０２は、スパッタリングガス
、通常はアルゴンガスのイオンの衝撃に曝されるので、
かなりの高温となる。アルミ等の比較的融点の低い金属
では第１の主面１０２が、この熱により溶融し正常なス
パッタリング全行えないことがある。
ゲットの構造を説明するための概略断面を示したもので
ある。スパッタリングターゲット１０１のスパッタリン
グに曝される第１の主面１０２は、スパッタリングガス
、通常はアルゴンガスのイオンの衝撃に曝されるので、
かなりの高温となる。アルミ等の比較的融点の低い金属
では第１の主面１０２が、この熱により溶融し正常なス
パッタリング全行えないことがある。
また高温に耐える物質であっても、金属酸化物の焼結体
等の脆弱な物質であれば、第１の主面１０２とスパッタ
リングに曝されぬ第２の主面１０４間の熱ストレスによ
り、スパッタリングターゲット１０１が割れてしまうこ
とがある。なお１１０ は冷却水の導入口、１１１は冷
却水の排出口１１２はアノードを示す。
等の脆弱な物質であれば、第１の主面１０２とスパッタ
リングに曝されぬ第２の主面１０４間の熱ストレスによ
り、スパッタリングターゲット１０１が割れてしまうこ
とがある。なお１１０ は冷却水の導入口、１１１は冷
却水の排出口１１２はアノードを示す。
以上の理由から、スパッタリングターゲット全冷却する
ことが一般的に行われている。すなわち第１図の従来例
について説明すれば、通常バッキングプレートと呼ばれ
る冷却部材１０３に何らの方法により、スパッタリング
ターゲット１０１ヲ当接させ、バッキングプレート１Ｏ
３のスパッタリングターゲットと当接せぬ反対の面を水
冷することが一般的である。もちろんこのバッキングプ
レートにはスパッタリンクのための負の高電圧を印加す
るようにする。
ことが一般的に行われている。すなわち第１図の従来例
について説明すれば、通常バッキングプレートと呼ばれ
る冷却部材１０３に何らの方法により、スパッタリング
ターゲット１０１ヲ当接させ、バッキングプレート１Ｏ
３のスパッタリングターゲットと当接せぬ反対の面を水
冷することが一般的である。もちろんこのバッキングプ
レートにはスパッタリンクのための負の高電圧を印加す
るようにする。
バッキングプレー）１０３は、熱伝導の点から銅が好ん
で用いられる。しかし、スパッタリングターゲットの２
ｇ２の主面１０４が、よくバッキングプレート１０６に
密着されていなければ冷却の効果も十分でない。このた
めに通常金属材をスパッタリングターゲットとして用い
る時にはメタルボンディングと呼ばれる多くはインジウ
ム合金ハンダを用いたロウづけにより、スパッタリンゲ
タ−ゲット１０１とバッキングプレート１０３を当接さ
せる。
で用いられる。しかし、スパッタリングターゲットの２
ｇ２の主面１０４が、よくバッキングプレート１０６に
密着されていなければ冷却の効果も十分でない。このた
めに通常金属材をスパッタリングターゲットとして用い
る時にはメタルボンディングと呼ばれる多くはインジウ
ム合金ハンダを用いたロウづけにより、スパッタリンゲ
タ−ゲット１０１とバッキングプレート１０３を当接さ
せる。
この方法は、冷却効率ががなりよいと考えられるが、以
下に示す欠点をもつ。第１の欠点はこのメタルボンディ
ング自体の費用であり、第２はスパッタリングターゲッ
ト１０１が消耗して新品と交換する際に、バッキングプ
レート１０６とともに交換する必要があることである。
下に示す欠点をもつ。第１の欠点はこのメタルボンディ
ング自体の費用であり、第２はスパッタリングターゲッ
ト１０１が消耗して新品と交換する際に、バッキングプ
レート１０６とともに交換する必要があることである。
この交換作業は、バッキングプレートの裏面を水冷して
いるために、交換作業中にスパッタリング装置の真空槽
内に冷却水を飛散まだは滴下させる危険性がある。真空
槽内に水があれば真空ポンプにて所定の真空度にまで真
空槽を排気するのに長時間を要するばかりでなく、冷却
水により真空槽内が汚染されることもある。したがって
、スパッタリングターゲットの消耗にともなう交換は従
来から、パッキングプレートラともなわぬ形で行うこと
が望まれていた。
いるために、交換作業中にスパッタリング装置の真空槽
内に冷却水を飛散まだは滴下させる危険性がある。真空
槽内に水があれば真空ポンプにて所定の真空度にまで真
空槽を排気するのに長時間を要するばかりでなく、冷却
水により真空槽内が汚染されることもある。したがって
、スパッタリングターゲットの消耗にともなう交換は従
来から、パッキングプレートラともなわぬ形で行うこと
が望まれていた。
第２図は、上記した欠点全解決するために試みられた一
例を示すものである。この例では、スパッタリングター
ゲット１０１′は、その周辺の押え治具２０１によりバ
ッキングプレート１Ｏ３に押えつけられ固定されている
。この固定方法で・ ５ ・ あれば、スパッタリングターゲラ） １０１’はバッキ
ングプレート１０６をスパッタ電極から取り外すことな
く、交換を行うことができる。しかしこの方法も以下に
述べる欠点をもつ。すなわちバッキングプレート１０６
と、スパッタリングターゲラ） １０１’は広い面積で
は接触していないため、やはりスパッタリングターゲッ
トの温度が過度に上昇することが生じた。
例を示すものである。この例では、スパッタリングター
ゲット１０１′は、その周辺の押え治具２０１によりバ
ッキングプレート１Ｏ３に押えつけられ固定されている
。この固定方法で・ ５ ・ あれば、スパッタリングターゲラ） １０１’はバッキ
ングプレート１０６をスパッタ電極から取り外すことな
く、交換を行うことができる。しかしこの方法も以下に
述べる欠点をもつ。すなわちバッキングプレート１０６
と、スパッタリングターゲラ） １０１’は広い面積で
は接触していないため、やはりスパッタリングターゲッ
トの温度が過度に上昇することが生じた。
以上述べたことヲマとめると、バッキングプレートと、
スパッタリングターゲットの当接の方法トして、単にス
パッタリングターゲットをバッキングプレートに押えつ
け固定するだけでは、 （１）熱的接触 （２）特に抵抗率の高いＳｔなどの材料をスパッタリン
グターゲットとして用いる場合には電気的な均一の接触 に難点がある、 〔発明の目的〕 本発明の目的は上記した従来技術の欠点を解・ ４ ・ 決し、特にＳｔなどの如き抵抗率の高い材料のスパッタ
リングを大電力で行うことのできるスパッタリング方法
を提供することにある。
スパッタリングターゲットの当接の方法トして、単にス
パッタリングターゲットをバッキングプレートに押えつ
け固定するだけでは、 （１）熱的接触 （２）特に抵抗率の高いＳｔなどの材料をスパッタリン
グターゲットとして用いる場合には電気的な均一の接触 に難点がある、 〔発明の目的〕 本発明の目的は上記した従来技術の欠点を解・ ４ ・ 決し、特にＳｔなどの如き抵抗率の高い材料のスパッタ
リングを大電力で行うことのできるスパッタリング方法
を提供することにある。
本発明はスパッタリングターゲラトラ、バッキングプレ
ートと多点で接触させ、電気的接続と熱伝導とを良好に
した状態でスパッタリングすることを特徴とするスパッ
タリング方法である。
ートと多点で接触させ、電気的接続と熱伝導とを良好に
した状態でスパッタリングすることを特徴とするスパッ
タリング方法である。
以下本発明の実施例を図にもとすいて、具体的に説明す
る。
る。
第６図は、スパッタリング材料として使用する物質がア
ルミの如く比較的軟かいものである場合の本発明に係る
第１の実施例である。スパッタリングターゲット６０１
のスパッタリングを受ける第１の主面３０２とは反対の
第２の主面３０５ハ、バッキングプレート１０３と押え
治具６０４により当接している。従来技術についての説
明で述べたように、単に平面同士を当接させたのでは何
点からの点接触が得られるだけで、熱的には良好な接触
であるといλない。しかるに本発明では第５図に示すよ
うに、スパッタリングターゲットの３０１第２の主面Ｍ
１３に、機械加工等で、その詳細金第４図（Ａ）に示す
如く、細い凸凹を設け、これらの凸の部分が、バッキン
グプレート１０３とスパッタリングターゲット３０１の
第２の主面３０３全体に均一をこ接触されるようにした
。発明者らの実験によねば、凸部の高さはｉ ”ｒｍ程
度、凸部の形状は三角形、また凹凸のピッチは１〜５ｒ
・ｍ程度であった時に良好な結果を旬ろことができた。
ルミの如く比較的軟かいものである場合の本発明に係る
第１の実施例である。スパッタリングターゲット６０１
のスパッタリングを受ける第１の主面３０２とは反対の
第２の主面３０５ハ、バッキングプレート１０３と押え
治具６０４により当接している。従来技術についての説
明で述べたように、単に平面同士を当接させたのでは何
点からの点接触が得られるだけで、熱的には良好な接触
であるといλない。しかるに本発明では第５図に示すよ
うに、スパッタリングターゲットの３０１第２の主面Ｍ
１３に、機械加工等で、その詳細金第４図（Ａ）に示す
如く、細い凸凹を設け、これらの凸の部分が、バッキン
グプレート１０３とスパッタリングターゲット３０１の
第２の主面３０３全体に均一をこ接触されるようにした
。発明者らの実験によねば、凸部の高さはｉ ”ｒｍ程
度、凸部の形状は三角形、また凹凸のピッチは１〜５ｒ
・ｍ程度であった時に良好な結果を旬ろことができた。
上記した第１の実施例はアルミ等の比較的軟かい金属に
ついてであっテ、凸部がスパッタリングターゲットの押
え治具３０４により押えられ、ややつぶれて多点での接
触が得られる。
ついてであっテ、凸部がスパッタリングターゲットの押
え治具３０４により押えられ、ややつぶれて多点での接
触が得られる。
第４図（Ｂ）は逆にバッキングブレー） １０５の方に
凹凸を与えるようにした例であり、第４図（Ａ）と同様
な効果が、子〕る。、 第５図（Ａ）は上記（〜た凹凸と同様な効果が得られる
本発明係わる第２の実施例である。例えばシリコンの如
く脆弱な材料では、第１の実施例で述べた如く、スパッ
タリングターゲット裏面の凹凸の加工を行うことは困難
である。このためにバッキングプレート１０３と、スパ
ッタリングターゲット６０１間に金属性の網５０１を配
置した。この金属の網５０１はスパッタリングターゲッ
トと、バッキングプレート間の電気的接触と熱的接触と
を同時満足させるものである。発明者らの実験によれば
銅製の細線を編んだ網が、軟かさと熱伝導率の点から良
好であった。この時の網目のピッチは１〜６ ＴＩＮで
大きな差はみとめられなかった。
凹凸を与えるようにした例であり、第４図（Ａ）と同様
な効果が、子〕る。、 第５図（Ａ）は上記（〜た凹凸と同様な効果が得られる
本発明係わる第２の実施例である。例えばシリコンの如
く脆弱な材料では、第１の実施例で述べた如く、スパッ
タリングターゲット裏面の凹凸の加工を行うことは困難
である。このためにバッキングプレート１０３と、スパ
ッタリングターゲット６０１間に金属性の網５０１を配
置した。この金属の網５０１はスパッタリングターゲッ
トと、バッキングプレート間の電気的接触と熱的接触と
を同時満足させるものである。発明者らの実験によれば
銅製の細線を編んだ網が、軟かさと熱伝導率の点から良
好であった。この時の網目のピッチは１〜６ ＴＩＮで
大きな差はみとめられなかった。
第５図（Ｉ３）は金属性の網の代りに、トタン屋根の如
く、細く折り返えされたハク５０２ヲ用いた例であり、
第５図（Ａ）と同様な効果を得ることができる。
く、細く折り返えされたハク５０２ヲ用いた例であり、
第５図（Ａ）と同様な効果を得ることができる。
第６．７図は本発明に係わる第６の実施例を示したもの
である。例えば合金の薄膜をスパッタリングによって得
るためには、スパッタリングターゲットを複数種類の物
質で構成させることがよく行われる。第６図はモリブデ
ンと、シリコンとの合金膜を得るだめに１つの円形のス
パッタリングターゲット６０１を、モリブデンとシリコ
ン；それぞれの単一材料のターゲット部材を組み合せた
ものである。このスパッタリングターゲットについては
発明者らの先願（特願昭５６−１１３６６０ 、または
特願昭５７−８１４５７）を参照されたい。第６図中６
０２はシリコン、６ｏ５はモリブデンのターゲット部材
である。第６図に示ススバッタリングターゲットの断面
構造を第７図に示す。
である。例えば合金の薄膜をスパッタリングによって得
るためには、スパッタリングターゲットを複数種類の物
質で構成させることがよく行われる。第６図はモリブデ
ンと、シリコンとの合金膜を得るだめに１つの円形のス
パッタリングターゲット６０１を、モリブデンとシリコ
ン；それぞれの単一材料のターゲット部材を組み合せた
ものである。このスパッタリングターゲットについては
発明者らの先願（特願昭５６−１１３６６０ 、または
特願昭５７−８１４５７）を参照されたい。第６図中６
０２はシリコン、６ｏ５はモリブデンのターゲット部材
である。第６図に示ススバッタリングターゲットの断面
構造を第７図に示す。
第７図に示すようにスパッタリングターゲット６０１は
、シリコンの環状ターゲット部材６０２と、これが埋め
込まれる溝を第１の主面にもつ円形のモリブデンのター
ゲット部材６０３から構成されている６、 このようなスパッタリングターゲット構造の場合に最も
問題となるのは、シリコンターゲット部材６０２と、モ
リブデンターゲット部材６ｏｓ・ ８ ・ との電気的接触である。シリコンは半導体物質であるた
めに、たとえ多くの不純物をドーピングしても、純金属
と比較すると抵抗が高い。例えば第６図中のＡ、Ｂ、Ｃ
の３点のみで、シリコンターゲット部材６０２とモリブ
デンターゲット部材６０６とが接触していると、シリコ
ンのターゲット部材の抵抗が高いために４点９Ｍ点。
、シリコンの環状ターゲット部材６０２と、これが埋め
込まれる溝を第１の主面にもつ円形のモリブデンのター
ゲット部材６０３から構成されている６、 このようなスパッタリングターゲット構造の場合に最も
問題となるのは、シリコンターゲット部材６０２と、モ
リブデンターゲット部材６ｏｓ・ ８ ・ との電気的接触である。シリコンは半導体物質であるた
めに、たとえ多くの不純物をドーピングしても、純金属
と比較すると抵抗が高い。例えば第６図中のＡ、Ｂ、Ｃ
の３点のみで、シリコンターゲット部材６０２とモリブ
デンターゲット部材６０６とが接触していると、シリコ
ンのターゲット部材の抵抗が高いために４点９Ｍ点。
０点附近のシリコンターゲット部材がより多くスパッタ
リングを受け、熱的な集中、不均一なターゲツト材の消
耗が発生し好しくない１、もしシリコンの環状ターゲッ
ト部材６０２がアルミであった彦ら、熱的な問題はとも
かく電気的にはアルミの比抵抗が十分に小さいので、ス
パッタリングのムラは発生しない。
リングを受け、熱的な集中、不均一なターゲツト材の消
耗が発生し好しくない１、もしシリコンの環状ターゲッ
ト部材６０２がアルミであった彦ら、熱的な問題はとも
かく電気的にはアルミの比抵抗が十分に小さいので、ス
パッタリングのムラは発生しない。
以上述べた不都合を解決するのが、第７図に示す如く、
シリコンのターゲット部材６０２と、モリブデンのター
ゲット部材６０６との間に配置された金属性の網６０４
であり、電気的な接触を良好に保つことができる。
シリコンのターゲット部材６０２と、モリブデンのター
ゲット部材６０６との間に配置された金属性の網６０４
であり、電気的な接触を良好に保つことができる。
発明者らは第６．７図のスパッタリングターゲットによ
り、モリブデンシリサイド膜を作成したが、金属性の網
６０４を用いないと、成膜対象基板上で得られる膜のモ
リブデンとシリコンとの比（組成）が実験毎に大きく変
動した。これは、実験中にシリコンのターゲット部材６
０２が膨張し、モリブデンのターゲット部材６０３との
接触点が実験毎にその場所１個数を変えるためであり、
第７図に示す金属性の網６０４を用いることによりきわ
めてよい実験の再現性が得られた。更に、この金属性の
網６０４を用を用いることにより、シリコンのターゲッ
ト部材６０２が大電力のスパッタリングを行っても割れ
が発生することがなくなった。金属性の網６０４ヲ用い
ぬ場合には約６００Ｗの電気的入力以上では環状シリコ
ンターゲット部材６０２に割れがはいり、破損して使用
できなくなることがあったが、この金属性の網６０４ヲ
用いることにより、１．＋ＳＫＷのスパッタリング電力
でも、環状シリコンターゲット部材６０２に破損を生じ
ないことを確認した。これは、モリブデンターゲット部
材６０３とシリコンターゲット部材６０２との熱的接触
が改善された結果である。
り、モリブデンシリサイド膜を作成したが、金属性の網
６０４を用いないと、成膜対象基板上で得られる膜のモ
リブデンとシリコンとの比（組成）が実験毎に大きく変
動した。これは、実験中にシリコンのターゲット部材６
０２が膨張し、モリブデンのターゲット部材６０３との
接触点が実験毎にその場所１個数を変えるためであり、
第７図に示す金属性の網６０４を用いることによりきわ
めてよい実験の再現性が得られた。更に、この金属性の
網６０４を用を用いることにより、シリコンのターゲッ
ト部材６０２が大電力のスパッタリングを行っても割れ
が発生することがなくなった。金属性の網６０４ヲ用い
ぬ場合には約６００Ｗの電気的入力以上では環状シリコ
ンターゲット部材６０２に割れがはいり、破損して使用
できなくなることがあったが、この金属性の網６０４ヲ
用いることにより、１．＋ＳＫＷのスパッタリング電力
でも、環状シリコンターゲット部材６０２に破損を生じ
ないことを確認した。これは、モリブデンターゲット部
材６０３とシリコンターゲット部材６０２との熱的接触
が改善された結果である。
上述した如くして構成したスパッタリングターゲット構
造体６０１ヲパツキングプレート１０６に固定ネジ６０
５でもって固定するわけであるが例えば、いくつかの欠
点はあるが従来技術であるボンディングによっても、ま
だ第８図に示す如く、補助バッキングプレート８０１上
に一度スバッタリングターゲット構造体６０１ヲ組み立
て更にこれをバッキングプレート１０３上に、本発明に
よる方法、すなわち、例えば金属性の鋼８０２を更に用
いて固定することもできる。
造体６０１ヲパツキングプレート１０６に固定ネジ６０
５でもって固定するわけであるが例えば、いくつかの欠
点はあるが従来技術であるボンディングによっても、ま
だ第８図に示す如く、補助バッキングプレート８０１上
に一度スバッタリングターゲット構造体６０１ヲ組み立
て更にこれをバッキングプレート１０３上に、本発明に
よる方法、すなわち、例えば金属性の鋼８０２を更に用
いて固定することもできる。
以上の述べたように本発明の要点は、ターゲットとバッ
キングプレートまたはターゲットを構成するターゲット
部材間、更にはバッキングプレートと、補助バッキング
プレート間に全体にわたって均一に多くの点接触が行わ
れるようにし、電気的接触と、熱的接触とを、良好に保
つことである。
キングプレートまたはターゲットを構成するターゲット
部材間、更にはバッキングプレートと、補助バッキング
プレート間に全体にわたって均一に多くの点接触が行わ
れるようにし、電気的接触と、熱的接触とを、良好に保
つことである。
上記した多点接触を行うためには、当接する面のいづれ
か一方又は両方に、例えば機械加工エツチング、また何
らの手段による凹凸面をもつ膜の形成を行えばよく、こ
れらはいづれも本発明の技術思想に含まれるものである
。
か一方又は両方に、例えば機械加工エツチング、また何
らの手段による凹凸面をもつ膜の形成を行えばよく、こ
れらはいづれも本発明の技術思想に含まれるものである
。
本発明により、スパッタリングターゲツト材とバッキン
グプレート、スパッタリングターゲット部材間同士、バ
ッキングプレートと補助バッキングプレート間の電気的
、熱的接触の改善をはかることができ、このためにバッ
キングプレートをともなわガいスパッタリングターゲッ
トの容易な交換、スパッタリングのプラズマのターゲッ
ト上のでの均一な発生、天竜カスバッタリング（従来６
ｏｏｗｔでの最大投入電力が１６００Ｗ以上に改善され
、より高速な成膜ができた）等の効果が得られる。
グプレート、スパッタリングターゲット部材間同士、バ
ッキングプレートと補助バッキングプレート間の電気的
、熱的接触の改善をはかることができ、このためにバッ
キングプレートをともなわガいスパッタリングターゲッ
トの容易な交換、スパッタリングのプラズマのターゲッ
ト上のでの均一な発生、天竜カスバッタリング（従来６
ｏｏｗｔでの最大投入電力が１６００Ｗ以上に改善され
、より高速な成膜ができた）等の効果が得られる。
第１図は従来技術であるスパッタ電極と、スパッタリン
グターゲットの断面構造を示した図第２図は従来技術で
あるパッキングプレートラ・ １２・ ともなわぬスパッタリングターゲットの交換が可能なス
パッタリングターゲット構造体の断面を示した図、第３
図は本発明にかかわる第２の主面に凹凸をもつスパッタ
リングターゲットの断面構造を示した図、第４図は第６
図の詳細図、第５図（Ａ） 、 （Ｂ）は第３図のその
他の実施例を示す図、第６図は複数ターゲット部材を用
いた場合の本発明にかかわるスパッタリングターゲット
の上面図、第７図は第６図の断面構造を示した図、第８
図は補助バッキングプレートを用いた本発明にかかわる
他の実施例を示した図である。 １０３・・・バッキングプレート ３０１・・・スパッタリングターゲット３０４・・・押
え治具 ５０１ 、６０４ 、８０２・・・金属性の鋼５０２・
・・バク ロ０１・・・複数ターゲット部材 ８０１・・・補助バッキングプレート 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第１図 第２図 Ｕ５ 第３図 雫４図 ０ｊ ＣＢ） 劉５図 （Ａ） （Ｂ） Ｉｔ）５ 晰６図 ■７図
グターゲットの断面構造を示した図第２図は従来技術で
あるパッキングプレートラ・ １２・ ともなわぬスパッタリングターゲットの交換が可能なス
パッタリングターゲット構造体の断面を示した図、第３
図は本発明にかかわる第２の主面に凹凸をもつスパッタ
リングターゲットの断面構造を示した図、第４図は第６
図の詳細図、第５図（Ａ） 、 （Ｂ）は第３図のその
他の実施例を示す図、第６図は複数ターゲット部材を用
いた場合の本発明にかかわるスパッタリングターゲット
の上面図、第７図は第６図の断面構造を示した図、第８
図は補助バッキングプレートを用いた本発明にかかわる
他の実施例を示した図である。 １０３・・・バッキングプレート ３０１・・・スパッタリングターゲット３０４・・・押
え治具 ５０１ 、６０４ 、８０２・・・金属性の鋼５０２・
・・バク ロ０１・・・複数ターゲット部材 ８０１・・・補助バッキングプレート 代理人弁理士 高 橋 明 夫 第１図 第２図 Ｕ５ 第３図 雫４図 ０ｊ ＣＢ） 劉５図 （Ａ） （Ｂ） Ｉｔ）５ 晰６図 ■７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッタリングターゲラトラ冷却部材と多点で接触
させてスパッタリングすることを特徴とするスパッタリ
ング方法。 ２、上記スパッタリングターゲットは２つ以上のターゲ
ット部材から構成されることを特徴とする特許請求範囲
第１項記載のスパッタリング方法。 ３、上記手段は金属製の網であることを特徴とする特許
請求範囲第１項または第２項記載のスパッタリング方法
。 ４、上記複数のターゲット部材のうち少なくとも１つは
他の残りのターゲット部のうち少なくとも１つは多点で
接触することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
スパッタリング方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384383A JPS60135572A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | スパツタリング方法 |
| US06/682,998 US4606802A (en) | 1983-12-21 | 1984-12-18 | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
| EP84115772A EP0148470B1 (en) | 1983-12-21 | 1984-12-19 | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
| DE8484115772T DE3479269D1 (en) | 1983-12-21 | 1984-12-19 | Planar magnetron sputtering with modified field configuration |
| KR1019840008168A KR890002746B1 (ko) | 1983-12-21 | 1984-12-20 | 수정된 필드 구성을 갖는 플레이너 마그네트론 스퍼터링 방법 및 그 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384383A JPS60135572A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | スパツタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135572A true JPS60135572A (ja) | 1985-07-18 |
Family
ID=17109771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24384383A Pending JPS60135572A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-26 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104073A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置のスパツタガン |
| JP2017002355A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット組立体 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24384383A patent/JPS60135572A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61104073A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング装置のスパツタガン |
| JPH0348267B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1991-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JP2017002355A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット組立体 |
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