JPH08246144A - スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品 - Google Patents
スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品Info
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- JPH08246144A JPH08246144A JP7835395A JP7835395A JPH08246144A JP H08246144 A JPH08246144 A JP H08246144A JP 7835395 A JP7835395 A JP 7835395A JP 7835395 A JP7835395 A JP 7835395A JP H08246144 A JPH08246144 A JP H08246144A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれ
などの問題が生ぜずしかもバッキングプレート自体の反
りが生じないバッキングプレートの開発。 【構成】 熱膨張率が支持するスパッタリングターゲッ
トよりも大きな板材と小さな板材とを一方の両側に厚さ
方向に対称に配置した一体化部品であることを特徴とす
るバッキングプレート組立部品を提供する。例えば、Ｉ
ＴＯターゲット用のバッキングプレート組立部品とし
て、ＭｏまたはＴａの板材とＴｉあるいはＴｉ合金をＭ
ｏ（Ｔａ）−Ｔｉ−Ｍｏ（Ｔａ）３層構造に配列する。
温度変化による熱膨張・収縮量がターゲットと合致する
ことを可能とし、バイメタル作用によるバッキングプレ
ート自体の反りが生じないために熱応力の発生が抑制さ
れ、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率差に
起因するターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どの問題を生じない。
などの問題が生ぜずしかもバッキングプレート自体の反
りが生じないバッキングプレートの開発。 【構成】 熱膨張率が支持するスパッタリングターゲッ
トよりも大きな板材と小さな板材とを一方の両側に厚さ
方向に対称に配置した一体化部品であることを特徴とす
るバッキングプレート組立部品を提供する。例えば、Ｉ
ＴＯターゲット用のバッキングプレート組立部品とし
て、ＭｏまたはＴａの板材とＴｉあるいはＴｉ合金をＭ
ｏ（Ｔａ）−Ｔｉ−Ｍｏ（Ｔａ）３層構造に配列する。
温度変化による熱膨張・収縮量がターゲットと合致する
ことを可能とし、バイメタル作用によるバッキングプレ
ート自体の反りが生じないために熱応力の発生が抑制さ
れ、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率差に
起因するターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どの問題を生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリングターゲ
ット用のバッキングプレート組立部品に関するものであ
り、特にはターゲットの熱膨張率を境として熱膨張率の
異なる板材を厚さ方向に対称に配置して一体化させた構
造を有するバッキングプレート組立部品に関するもので
ある。
ット用のバッキングプレート組立部品に関するものであ
り、特にはターゲットの熱膨張率を境として熱膨張率の
異なる板材を厚さ方向に対称に配置して一体化させた構
造を有するバッキングプレート組立部品に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】スパッタリングターゲット（以下ターゲッ
トと云う）は、スパッタリングにより各種半導体デバイ
スの電極、ゲート、配線、素子、保護膜等をウエハのよ
うな基板上に形成するためのスパッタリング源となる、
通常は円形状もしくは四辺形状の盤である。加速された
粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の交換によ
りターゲットを構成する原子が空間に放出されて対向す
る基板上に堆積する。ターゲットとしては、Ａｌ乃至Ａ
ｌ合金ターゲット、高融点金属及び合金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びその合金）ターゲット、高
融点シリサイド（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 等）ターゲッ
ト、白金族ターゲット等が代表的に使用されている。ま
た、最近では、記録媒体の薄膜形成の分野にもＣｏ、Ｎ
ｉ合金等の遷移金属合金スパッタリングターゲットが使
用されている。更に、酸化インジウムと酸化錫とを主成
分とするＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、液晶デバイ
スの透明導電膜等の様々の分野で使用されているが、Ｉ
ＴＯ膜を形成する方法として大面積の成膜が可能なＩＴ
Ｏ焼結体をターゲットとしたスパッタリング法が主流と
なっている。
トと云う）は、スパッタリングにより各種半導体デバイ
スの電極、ゲート、配線、素子、保護膜等をウエハのよ
うな基板上に形成するためのスパッタリング源となる、
通常は円形状もしくは四辺形状の盤である。加速された
粒子がターゲット表面に衝突するとき運動量の交換によ
りターゲットを構成する原子が空間に放出されて対向す
る基板上に堆積する。ターゲットとしては、Ａｌ乃至Ａ
ｌ合金ターゲット、高融点金属及び合金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びその合金）ターゲット、高
融点シリサイド（ＭｏＳｉX 、ＷＳｉx 等）ターゲッ
ト、白金族ターゲット等が代表的に使用されている。ま
た、最近では、記録媒体の薄膜形成の分野にもＣｏ、Ｎ
ｉ合金等の遷移金属合金スパッタリングターゲットが使
用されている。更に、酸化インジウムと酸化錫とを主成
分とするＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜は、液晶デバイ
スの透明導電膜等の様々の分野で使用されているが、Ｉ
ＴＯ膜を形成する方法として大面積の成膜が可能なＩＴ
Ｏ焼結体をターゲットとしたスパッタリング法が主流と
なっている。
【０００３】ターゲットは通常、支持及び冷却目的でバ
ッキングプレートにＩｎもしくはＳｎ合金系の低融点ロ
ウ材によりロウ接された組立体の状態で使用される。ス
パッタリング装置にターゲット組立体が組付けられ、バ
ッキングプレートの裏面が冷却されてスパッタリング動
作時ターゲット中で発生する熱を奪い取る。バッキング
プレートとしては、ＯＦＣ（無酸素銅）、Ｃｕ合金、Ａ
ｌ合金、ＳＵＳ（ステンレス鋼）若しくはＴｉ乃至Ｔｉ
合金等の金属及び合金が使用されている。
ッキングプレートにＩｎもしくはＳｎ合金系の低融点ロ
ウ材によりロウ接された組立体の状態で使用される。ス
パッタリング装置にターゲット組立体が組付けられ、バ
ッキングプレートの裏面が冷却されてスパッタリング動
作時ターゲット中で発生する熱を奪い取る。バッキング
プレートとしては、ＯＦＣ（無酸素銅）、Ｃｕ合金、Ａ
ｌ合金、ＳＵＳ（ステンレス鋼）若しくはＴｉ乃至Ｔｉ
合金等の金属及び合金が使用されている。
【０００４】この際、ターゲットとバッキングプレート
との間に大きな熱膨張率の差がある場合、ロウ接作業時
やスパッタリング操作時に過大な熱応力あるいは反りが
生じることによりターゲットに亀裂が生じたり、ロウ接
部が剥がれるなどの問題が生じることがあった。
との間に大きな熱膨張率の差がある場合、ロウ接作業時
やスパッタリング操作時に過大な熱応力あるいは反りが
生じることによりターゲットに亀裂が生じたり、ロウ接
部が剥がれるなどの問題が生じることがあった。
【０００５】このような問題に対して、ターゲット材と
近い熱膨張率を有する材料でバッキングプレートを作製
すること、あるいはバッキングプレートやロウ材の厚さ
を制御することによって発生する反りや熱応力を低減さ
せることが対策として考慮されてきた。しかし、例え
ば、ＩＴＯなどの酸化物焼結体ターゲットの場合には、
ターゲットと近い熱膨張率を有する適当な材料が少な
く、例えば特開平６−２９３９６３号はＴｉ製のバッキ
ングプレートの使用を提唱しているが、十分な効果を挙
げているとはいえなかった。特開昭６２−６７１６８号
は、低線膨張率の金属又は合金で形成されたターゲット
用のバッキングプレートとしてＭｏとＣｕとの複合材、
すなわちＭｏ焼結体にＣｕを含浸したものやＣｕ板とＭ
ｏ板とのバイメタルを提唱している。Ｍｏ焼結体にＣｕ
を含浸した複合材は製造が面倒でありそしてＣｕ板とＭ
ｏ板とのバイメタルはその作製時やターゲットへのロウ
接作業時やスパッタリング操作時にそりが生じやすい。
近い熱膨張率を有する材料でバッキングプレートを作製
すること、あるいはバッキングプレートやロウ材の厚さ
を制御することによって発生する反りや熱応力を低減さ
せることが対策として考慮されてきた。しかし、例え
ば、ＩＴＯなどの酸化物焼結体ターゲットの場合には、
ターゲットと近い熱膨張率を有する適当な材料が少な
く、例えば特開平６−２９３９６３号はＴｉ製のバッキ
ングプレートの使用を提唱しているが、十分な効果を挙
げているとはいえなかった。特開昭６２−６７１６８号
は、低線膨張率の金属又は合金で形成されたターゲット
用のバッキングプレートとしてＭｏとＣｕとの複合材、
すなわちＭｏ焼結体にＣｕを含浸したものやＣｕ板とＭ
ｏ板とのバイメタルを提唱している。Ｍｏ焼結体にＣｕ
を含浸した複合材は製造が面倒でありそしてＣｕ板とＭ
ｏ板とのバイメタルはその作製時やターゲットへのロウ
接作業時やスパッタリング操作時にそりが生じやすい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のよう
な、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率差に
起因するターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どの問題が生じないようなしかもバイメタル作用による
バッキングプレート自体の反りが生じないようなバッキ
ングプレートを提供することを課題としている。
な、ターゲットとバッキングプレートとの熱膨張率差に
起因するターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どの問題が生じないようなしかもバイメタル作用による
バッキングプレート自体の反りが生じないようなバッキ
ングプレートを提供することを課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記のよ
うな課題を解決するために鋭意努力した結果、バッキン
グプレートを支持するターゲットの熱膨張率を境として
熱膨張率の異なる板材を厚さ方向に対称に配置して一体
化させた構造とすることにより、温度変化による反りを
防止し、かつ支持するターゲットと同等の熱膨張特性を
付与することが可能であることを見いだした。この知見
に基づいて、本発明は、スパッタリングターゲット用の
バッキングプレート組立部品にして、熱膨張率が支持す
るスパッタリングターゲットよりも大きな板材と、熱膨
張率が支持するスパッタリングターゲットよりも小さな
板材とを一方の両側に厚さ方向に対称に配置した一体化
部品であることを特徴とする、スパッタリングターゲッ
ト用のバッキングプレート組立部品を提供する。より具
体的には、ＩＴＯスパッタリングターゲット用のバッキ
ングプレート組立部品にして、ＭｏまたはＴａの板材と
ＴｉあるいはＴｉ合金の板材とを一方の両側に厚さ方向
に対称に配置した一体化部品であることを特徴とする、
スパッタリングターゲット用のバッキングプレート組立
部品を提供する。さらに、内部に冷却用の水路を設けた
ことを特徴とするスパッタリングターゲット用のバッキ
ングプレート組立部品をも提供する。
うな課題を解決するために鋭意努力した結果、バッキン
グプレートを支持するターゲットの熱膨張率を境として
熱膨張率の異なる板材を厚さ方向に対称に配置して一体
化させた構造とすることにより、温度変化による反りを
防止し、かつ支持するターゲットと同等の熱膨張特性を
付与することが可能であることを見いだした。この知見
に基づいて、本発明は、スパッタリングターゲット用の
バッキングプレート組立部品にして、熱膨張率が支持す
るスパッタリングターゲットよりも大きな板材と、熱膨
張率が支持するスパッタリングターゲットよりも小さな
板材とを一方の両側に厚さ方向に対称に配置した一体化
部品であることを特徴とする、スパッタリングターゲッ
ト用のバッキングプレート組立部品を提供する。より具
体的には、ＩＴＯスパッタリングターゲット用のバッキ
ングプレート組立部品にして、ＭｏまたはＴａの板材と
ＴｉあるいはＴｉ合金の板材とを一方の両側に厚さ方向
に対称に配置した一体化部品であることを特徴とする、
スパッタリングターゲット用のバッキングプレート組立
部品を提供する。さらに、内部に冷却用の水路を設けた
ことを特徴とするスパッタリングターゲット用のバッキ
ングプレート組立部品をも提供する。
【０００８】
【作用】本発明においてはバッキングプレートとしてス
パッタリングターゲットよりも熱膨張率が大きい材料と
小さい材料とを対称に組み合わせて用いる。この方法に
よって、温度変化に起因する熱膨張、熱収縮量がターゲ
ットと合致させることが可能となり、かつバイメタル作
用によるバッキングプレート自体の反りが生じないため
に熱応力の発生が抑制され、上述のトラブルが回避され
る。
パッタリングターゲットよりも熱膨張率が大きい材料と
小さい材料とを対称に組み合わせて用いる。この方法に
よって、温度変化に起因する熱膨張、熱収縮量がターゲ
ットと合致させることが可能となり、かつバイメタル作
用によるバッキングプレート自体の反りが生じないため
に熱応力の発生が抑制され、上述のトラブルが回避され
る。
【０００９】
【発明の具体的な説明】スパッタリングターゲットとし
ては、Ａｌ乃至Ａｌ合金ターゲット、高融点金属及び合
金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ−Ｔｉ
等の合金）ターゲット、高融点シリサイド（ＭｏＳｉ
X 、ＷＳｉx 等）ターゲット、白金族ターゲット、遷移
金属合金、ＩＴＯ等が代表的に使用される。バッキング
プレート部品として、対象とするターゲットの熱膨張率
より大きな熱膨張率を有する材料と小さな熱膨張率を有
する材料とを選定する。材料としては金属、合金、セラ
ミックス、ガラスを使用することができる。各種材料の
熱膨張率（線膨張率）は便覧等に呈示されており、例え
ば、０〜１００℃における金属の線膨張率を挙げると
（×１０6 ｄｅｇ-1）、Ａｌ：２３．５、Ｂｅ：１２、
Ｃｏ：１２．５、Ｃｒ：６．５、Ｃｕ：１７．０、Ｆ
ｅ：１２．１、Ｈｆ：６．０、Ｍｏ：５．０、Ｎｂ：
７．２、Ｎｉ：１３．３、Ｓｂ：８〜１１、Ｓｉ：９．
６、Ｔｉ：８．９、Ｔａ：６．５、Ｗ：４．５、Ｚｒ：
５．０である。その板材を用意する。板材の厚さは全体
厚さがバッキングプレートとして適するように絶対厚さ
及び相対厚さを適宜選定する。これらの材料を中心とな
る板材の両側に厚さ方向に対称に配置して一体化させ
る。多層構造のものを使用できるが、最も簡単な配置の
方法としては３層のサンドイッチ構造が考えられる。図
１は、スパッタリングターゲット１とバッキングプレー
ト組立部品２とを一体化した構造を示し、バッキングプ
レート組立部品２は、熱膨張率がスパッタリングターゲ
ットよりも大きな板材Ａと、熱膨張率がスパッタリング
ターゲットよりも小さな板材ＢとをＢ−Ａ−Ｂとして配
列した３層構造とされている。Ｂ−Ａ−Ｂの代わりに、
Ａ−Ｂ−Ａの構造とすることができる。一体化の方法は
特に問わないが、例えば電子ビーム溶接による接合や機
械的固定などの方法がある。
ては、Ａｌ乃至Ａｌ合金ターゲット、高融点金属及び合
金（Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｎｂ等及びＷ−Ｔｉ
等の合金）ターゲット、高融点シリサイド（ＭｏＳｉ
X 、ＷＳｉx 等）ターゲット、白金族ターゲット、遷移
金属合金、ＩＴＯ等が代表的に使用される。バッキング
プレート部品として、対象とするターゲットの熱膨張率
より大きな熱膨張率を有する材料と小さな熱膨張率を有
する材料とを選定する。材料としては金属、合金、セラ
ミックス、ガラスを使用することができる。各種材料の
熱膨張率（線膨張率）は便覧等に呈示されており、例え
ば、０〜１００℃における金属の線膨張率を挙げると
（×１０6 ｄｅｇ-1）、Ａｌ：２３．５、Ｂｅ：１２、
Ｃｏ：１２．５、Ｃｒ：６．５、Ｃｕ：１７．０、Ｆ
ｅ：１２．１、Ｈｆ：６．０、Ｍｏ：５．０、Ｎｂ：
７．２、Ｎｉ：１３．３、Ｓｂ：８〜１１、Ｓｉ：９．
６、Ｔｉ：８．９、Ｔａ：６．５、Ｗ：４．５、Ｚｒ：
５．０である。その板材を用意する。板材の厚さは全体
厚さがバッキングプレートとして適するように絶対厚さ
及び相対厚さを適宜選定する。これらの材料を中心とな
る板材の両側に厚さ方向に対称に配置して一体化させ
る。多層構造のものを使用できるが、最も簡単な配置の
方法としては３層のサンドイッチ構造が考えられる。図
１は、スパッタリングターゲット１とバッキングプレー
ト組立部品２とを一体化した構造を示し、バッキングプ
レート組立部品２は、熱膨張率がスパッタリングターゲ
ットよりも大きな板材Ａと、熱膨張率がスパッタリング
ターゲットよりも小さな板材ＢとをＢ−Ａ−Ｂとして配
列した３層構造とされている。Ｂ−Ａ−Ｂの代わりに、
Ａ−Ｂ−Ａの構造とすることができる。一体化の方法は
特に問わないが、例えば電子ビーム溶接による接合や機
械的固定などの方法がある。
【００１０】スパッタリングターゲットがＩＴＯターゲ
ットの場合には、ＩＴＯの熱膨張率が２０〜５０℃にお
いて５．７、２０〜１００℃において６．８、２０〜１
５０℃において６．９、２０〜２００℃において７．２
であるから、熱膨張率がＩＴＯよりも大きい材料として
ＴｉまたはＴｉ合金を、熱膨張率がＩＴＯよりも小さい
材料としてＭｏまたはＴａを用いるのが好ましい。これ
らの２種の金属材料を厚さ方向に対称に配置して一体化
させる。最も簡単な配置の方法としては３層のサンドイ
ッチ構造が考えられる。例えば、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３
層構造、Ｔａ−Ｔｉ−Ｔａの３層構造などが考えられ
る。一体化の方法は特に問わないが、例えば電子ビーム
溶接による接合や機械的固定などの方法がある。側辺９
７０ｍｍ×９９５ｍｍの大きさのＭｏ（Ｔａ）−Ｔｉ−
Ｍｏ（Ｔａ）の３層構造の場合において、Ｔｉ板、Ｍｏ
（Ｔａ）板の厚さを変えた場合の各側辺での熱膨張率の
計算結果をΔｘ/960mm及びΔｙ/980mmとして参考までに
表１に示す。
ットの場合には、ＩＴＯの熱膨張率が２０〜５０℃にお
いて５．７、２０〜１００℃において６．８、２０〜１
５０℃において６．９、２０〜２００℃において７．２
であるから、熱膨張率がＩＴＯよりも大きい材料として
ＴｉまたはＴｉ合金を、熱膨張率がＩＴＯよりも小さい
材料としてＭｏまたはＴａを用いるのが好ましい。これ
らの２種の金属材料を厚さ方向に対称に配置して一体化
させる。最も簡単な配置の方法としては３層のサンドイ
ッチ構造が考えられる。例えば、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３
層構造、Ｔａ−Ｔｉ−Ｔａの３層構造などが考えられ
る。一体化の方法は特に問わないが、例えば電子ビーム
溶接による接合や機械的固定などの方法がある。側辺９
７０ｍｍ×９９５ｍｍの大きさのＭｏ（Ｔａ）−Ｔｉ−
Ｍｏ（Ｔａ）の３層構造の場合において、Ｔｉ板、Ｍｏ
（Ｔａ）板の厚さを変えた場合の各側辺での熱膨張率の
計算結果をΔｘ/960mm及びΔｙ/980mmとして参考までに
表１に示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】また、上記の熱機械的特性を損なわないよ
うに、内部に冷却水路を設けることも可能である。特に
Ｔｉのような熱電導率が小さい材料に対しては、サンド
イッチ構造の中央に配置されるＴｉに冷却水路を設ける
ことはスパッタリング中の温度上昇を防止する点でも有
効な手段である。図２は、そうしたＴｉ板に形成された
冷却水路３の配列模様の例を示す。
うに、内部に冷却水路を設けることも可能である。特に
Ｔｉのような熱電導率が小さい材料に対しては、サンド
イッチ構造の中央に配置されるＴｉに冷却水路を設ける
ことはスパッタリング中の温度上昇を防止する点でも有
効な手段である。図２は、そうしたＴｉ板に形成された
冷却水路３の配列模様の例を示す。
【００１３】
（実施例１）８００ｍｍ×８５０ｍｍ×１０ｍｍのＩＴ
Ｏターゲットを支持するために、９６０ｍｍ×９８０ｍ
ｍのバッキングプレート部品を作製した。バッキングプ
レート部品は、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３層構造とした。厚
さはＭｏが２ｍｍ、Ｔｉが６ｍｍであり、組立体全体と
しては１０ｍｍであった。中央のＴｉ板部分には幅１０
ｍｍの冷却水路を設けた。Ｍｏ板とＴｉ板との接合は電
子ビーム溶接によって行った。このバッキングプレート
部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によって、１７０
℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却したが、ター
ゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどは全く見ら
れなかった。
Ｏターゲットを支持するために、９６０ｍｍ×９８０ｍ
ｍのバッキングプレート部品を作製した。バッキングプ
レート部品は、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３層構造とした。厚
さはＭｏが２ｍｍ、Ｔｉが６ｍｍであり、組立体全体と
しては１０ｍｍであった。中央のＴｉ板部分には幅１０
ｍｍの冷却水路を設けた。Ｍｏ板とＴｉ板との接合は電
子ビーム溶接によって行った。このバッキングプレート
部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によって、１７０
℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却したが、ター
ゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどは全く見ら
れなかった。
【００１４】（実施例２）８００ｍｍ×８５０ｍｍ×１
０ｍｍのＩＴＯターゲットを支持するために、９６０ｍ
ｍ×９８０ｍｍのバッキングプレート部品を作製した。
バッキングプレート部品は、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３層構
造とした。厚さはＭｏが２ｍｍ、Ｔｉが８ｍｍであり、
組立体全体としては１２ｍｍであった。中央のＴｉ板部
分には幅１０ｍｍの冷却水路を設けた。Ｍｏ板とＴｉ板
との接合は電子ビーム溶接によって行った。このバッキ
ングプレート部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によ
って、１７０℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却
したが、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どは全く見られなかった。
０ｍｍのＩＴＯターゲットを支持するために、９６０ｍ
ｍ×９８０ｍｍのバッキングプレート部品を作製した。
バッキングプレート部品は、Ｍｏ−Ｔｉ−Ｍｏの３層構
造とした。厚さはＭｏが２ｍｍ、Ｔｉが８ｍｍであり、
組立体全体としては１２ｍｍであった。中央のＴｉ板部
分には幅１０ｍｍの冷却水路を設けた。Ｍｏ板とＴｉ板
との接合は電子ビーム溶接によって行った。このバッキ
ングプレート部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によ
って、１７０℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却
したが、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どは全く見られなかった。
【００１５】（実施例３）８００ｍｍ×８５０ｍｍ×１
０ｍｍのＩＴＯターゲットを支持するために、９６０ｍ
ｍ×９８０ｍｍのバッキングプレート部品を作製した。
バッキングプレート部品は、Ｔａ−Ｔｉ−Ｔａの３層構
造とした。厚さはＴａが２ｍｍ、Ｔｉが６ｍｍであり、
組立体全体としては１０ｍｍであった。中央のＴｉ板部
分には幅１０ｍｍの冷却水路を設けた。Ｔａ板とＴｉ板
との接合は電子ビーム溶接によって行った。このバッキ
ングプレート部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によ
って、１７０℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却
したが、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どは全く見られなかった。
０ｍｍのＩＴＯターゲットを支持するために、９６０ｍ
ｍ×９８０ｍｍのバッキングプレート部品を作製した。
バッキングプレート部品は、Ｔａ−Ｔｉ−Ｔａの３層構
造とした。厚さはＴａが２ｍｍ、Ｔｉが６ｍｍであり、
組立体全体としては１０ｍｍであった。中央のＴｉ板部
分には幅１０ｍｍの冷却水路を設けた。Ｔａ板とＴｉ板
との接合は電子ビーム溶接によって行った。このバッキ
ングプレート部品とＩＴＯターゲットをＩｎロウ材によ
って、１７０℃でロウ接した。その後全体を室温に冷却
したが、ターゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれな
どは全く見られなかった。
【００１６】
【発明の効果】本発明のスパッタリングターゲット用バ
ッキングプレート部品は、温度変化に起因する熱膨張、
熱収縮量がターゲットと合致することを可能とし、かつ
バイメタル作用によるバッキングプレート自体の反りが
生じないために熱応力の発生が抑制されるため、ターゲ
ットとバッキングプレートとの熱膨張率差に起因するタ
ーゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどの問題を
生じることがない。
ッキングプレート部品は、温度変化に起因する熱膨張、
熱収縮量がターゲットと合致することを可能とし、かつ
バイメタル作用によるバッキングプレート自体の反りが
生じないために熱応力の発生が抑制されるため、ターゲ
ットとバッキングプレートとの熱膨張率差に起因するタ
ーゲットの反りや亀裂、ロウ接部の剥がれなどの問題を
生じることがない。
【図１】スパッタリングターゲットと本発明のバッキン
グプレート組立部品とを一体化した構造を示す正面図で
ある。
グプレート組立部品とを一体化した構造を示す正面図で
ある。
【図２】バッキングプレート組立部品板材の冷却水路の
配列模様の例を示す上面図である。
配列模様の例を示す上面図である。
１ スパッタリングターゲット ２ バッキンググプレート組立部品 Ａ、Ｂ 板材 ３ 冷却水路
フロントページの続き (72)発明者 高垣 大輔 茨城県北茨城市華川町臼場187番地４株式 会社ジャパンエナジー磯原工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 スパッタリングターゲット用のバッキン
グプレート組立部品にして、熱膨張率が支持するスパッ
タリングターゲットよりも大きな板材と、熱膨張率が支
持するスパッタリングターゲットよりも小さな板材とを
一方の両側に厚さ方向に対称に配置した一体化部品であ
ることを特徴とする、スパッタリングターゲット用のバ
ッキングプレート組立部品。 - 【請求項２】 ＩＴＯスパッタリングターゲット用のバ
ッキングプレート組立部品にして、Ｍｏの板材とＴｉあ
るいはＴｉ合金の板材とを一方の両側に厚さ方向に対称
に配置した一体化部品であることを特徴とする、スパッ
タリングターゲット用のバッキングプレート組立部品。 - 【請求項３】 ＩＴＯスパッタリングターゲット用のバ
ッキングプレート組立部品にして、Ｔａの板材とＴｉあ
るいはＴｉ合金の板材とを一方の両側に厚さ方向に対称
に配置した一体化部品であることを特徴とする、スパッ
タリングターゲット用のバッキングプレート組立部品。 - 【請求項４】 内部に冷却用の水路を設けたことを特徴
とする請求項１〜３のいずれか１項に記載したスパッタ
リングターゲット用のバッキングプレート組立部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7835395A JPH08246144A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7835395A JPH08246144A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08246144A true JPH08246144A (ja) | 1996-09-24 |
Family
ID=13659628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7835395A Pending JPH08246144A (ja) | 1995-03-10 | 1995-03-10 | スパッタリングターゲット用バッキングプレート組立部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08246144A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001271162A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | バッキングプレート及びスパッタリングターゲット組立体 |
| WO2003052161A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Nikko Materials Company, Limited | Procede pour assembler une cible en substance magnetique avec une plaque dorsale, et cible en substance magnetique |
| JP2006512479A (ja) * | 2002-07-10 | 2006-04-13 | テクマシーン | 真空スパッタリング用カソード |
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-
1995
- 1995-03-10 JP JP7835395A patent/JPH08246144A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE112006003537T5 (de) | 2005-12-28 | 2008-12-24 | Advanced Material Technology Co. Ltd., Fuji | Sputtertargetaufbau |
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