JPH0348267B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0348267B2 JPH0348267B2 JP59226344A JP22634484A JPH0348267B2 JP H0348267 B2 JPH0348267 B2 JP H0348267B2 JP 59226344 A JP59226344 A JP 59226344A JP 22634484 A JP22634484 A JP 22634484A JP H0348267 B2 JPH0348267 B2 JP H0348267B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- metal
- sputtering
- plate electrode
- cooling plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 28
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 claims description 18
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 5
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属やセラミツクス等の薄膜を、耐
熱性の小さい高分子フイルム上に付着させて機能
材料を製造するスパツタリング装置のスパツタガ
ンに関するものである。
熱性の小さい高分子フイルム上に付着させて機能
材料を製造するスパツタリング装置のスパツタガ
ンに関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年スパツタリング法による薄膜形成技術が電
子材料、装飾、被膜等の分野で広く利用されるよ
うになり、大型のスパツタリング装置も稼動して
いる。また、生産性を高める為、マグネトロンや
対向ターゲツトなどの方式を工夫したり、電力を
多く投入して、薄膜の成長速度を高めている。こ
の場合、電力の投入と共にターゲツト面の表面温
度が上昇するので、その熱を除去する為に、ター
ゲツトを直接水冷したり、冷却板電極上にターゲ
ツトを設置していた。
子材料、装飾、被膜等の分野で広く利用されるよ
うになり、大型のスパツタリング装置も稼動して
いる。また、生産性を高める為、マグネトロンや
対向ターゲツトなどの方式を工夫したり、電力を
多く投入して、薄膜の成長速度を高めている。こ
の場合、電力の投入と共にターゲツト面の表面温
度が上昇するので、その熱を除去する為に、ター
ゲツトを直接水冷したり、冷却板電極上にターゲ
ツトを設置していた。
ところで、直接水冷の場合は、スパツタリング
装置の真空槽内部と外部は直接ターゲツトで遮断
されているので、ターゲツトが消耗し、一部に穴
があいた時は外部の空気又は冷却水が真空を破
り、大きな事故を起こすことになる危険を有して
いた。
装置の真空槽内部と外部は直接ターゲツトで遮断
されているので、ターゲツトが消耗し、一部に穴
があいた時は外部の空気又は冷却水が真空を破
り、大きな事故を起こすことになる危険を有して
いた。
この問題を解決するのに、金属ターゲツト板の
場合には、水冷銅板の上に直接ハンダボンデイン
グを行つて設置できるが、ターゲツト交換の際、
甚だ手間がかかる。
場合には、水冷銅板の上に直接ハンダボンデイン
グを行つて設置できるが、ターゲツト交換の際、
甚だ手間がかかる。
一方、第１図に示す如く銅などの熱伝導性の良
い冷却板電極１上に、ターゲツト２を設置した通
常の傍熱冷却型のスパツタガンは、冷却板電極１
中に冷却水が通され（図では省略してある）、こ
の冷却板電極１はターゲツト２が消耗して一部に
穴があいても真空槽内の真空を保つ壁の役目を持
つており、ターゲツト２は圧着取付用のねじ３を
冷却板電極１のねじ穴３′にねじ込むことにより
圧着固定されている。従つて、ターゲツト２の交
換は至つて簡単である。
い冷却板電極１上に、ターゲツト２を設置した通
常の傍熱冷却型のスパツタガンは、冷却板電極１
中に冷却水が通され（図では省略してある）、こ
の冷却板電極１はターゲツト２が消耗して一部に
穴があいても真空槽内の真空を保つ壁の役目を持
つており、ターゲツト２は圧着取付用のねじ３を
冷却板電極１のねじ穴３′にねじ込むことにより
圧着固定されている。従つて、ターゲツト２の交
換は至つて簡単である。
しかし、冷却板電極１やターゲツト２の表面は
微視的に見ると、図示の如く凹凸があり、ターゲ
ツト２と冷却板電極１とは接触点Ｐで接してい
て、圧着部は全体的に空隙４が大部分を占めてい
る。この為、ターゲツト２の熱は接触点Ｐを通じ
てのみ冷却板電極１に流れるので、熱伝導効率が
悪い。従つて、スパツタリング時の発熱を除去す
る効率が悪く、電力の投入と共に発熱量が増し、
スパツタリング率の変動をもたらしたり、被着基
板への加熱の害が出て、熱性の小さい基板への成
膜が不可能となるものであつた。ターゲツト２の
冷却効果を高める為には、冷却板電極１とターゲ
ツト２の圧着面を精度良く平坦に加工する必要が
あり、また冷却板電極１とターゲツト２との圧着
力を過大にする必要があつた。
微視的に見ると、図示の如く凹凸があり、ターゲ
ツト２と冷却板電極１とは接触点Ｐで接してい
て、圧着部は全体的に空隙４が大部分を占めてい
る。この為、ターゲツト２の熱は接触点Ｐを通じ
てのみ冷却板電極１に流れるので、熱伝導効率が
悪い。従つて、スパツタリング時の発熱を除去す
る効率が悪く、電力の投入と共に発熱量が増し、
スパツタリング率の変動をもたらしたり、被着基
板への加熱の害が出て、熱性の小さい基板への成
膜が不可能となるものであつた。ターゲツト２の
冷却効果を高める為には、冷却板電極１とターゲ
ツト２の圧着面を精度良く平坦に加工する必要が
あり、また冷却板電極１とターゲツト２との圧着
力を過大にする必要があつた。
発明の目的
本発明は、上記傍熱冷却型のスパツタガンの問
題を解消すべくなされたものであり、スパツタリ
ング時のターゲツトの発熱を急速に除去できて、
被着基板への悪影響を防止でき、大電力の投入を
可能にし、基板への成膜速度を高めることのでき
るスパツタリング装置のスパツタガンを提供する
ことを目的とするものである。
題を解消すべくなされたものであり、スパツタリ
ング時のターゲツトの発熱を急速に除去できて、
被着基板への悪影響を防止でき、大電力の投入を
可能にし、基板への成膜速度を高めることのでき
るスパツタリング装置のスパツタガンを提供する
ことを目的とするものである。
発明の構成
本発明のスパツタリング装置のスパツタガン
は、ターゲツトと冷却板電極との間に、金属及び
合金の細線を集めた金属綿を挾み込んで成るもの
である。
は、ターゲツトと冷却板電極との間に、金属及び
合金の細線を集めた金属綿を挾み込んで成るもの
である。
実施例の説明
本発明のスパツタリング装置のスパツタガンの
一実施例を第２図によつて説明すると、１は銅製
の冷却板電極で、内部に冷却水が通されている。
２は使用するターゲツトである。この冷却板電極
１とターゲツト２との間に、金属及び合金（本例
では銅ニツケル合金）の細線を集めた金属綿の薄
層５を挾み、圧着取付用のねじ３を冷却板電極１
のねじ穴３′にねじ込んで圧着している。
一実施例を第２図によつて説明すると、１は銅製
の冷却板電極で、内部に冷却水が通されている。
２は使用するターゲツトである。この冷却板電極
１とターゲツト２との間に、金属及び合金（本例
では銅ニツケル合金）の細線を集めた金属綿の薄
層５を挾み、圧着取付用のねじ３を冷却板電極１
のねじ穴３′にねじ込んで圧着している。
かかる構成のスパツタガンに於いて、金属綿の
薄層５は、熱の良導体である銅ニツケル合金が綿
状になつている為、締付圧力により冷却板電極１
やターゲツト２の凹凸に応じて容易に変形し、従
つて熱的には冷却板電極１とターゲツト２は密着
したことになり、スパツタリング中のターゲツト
２に発生する熱は金属綿の薄層５を通して冷却板
電極１に伝えられ、これより内部の冷却水に放熱
される。
薄層５は、熱の良導体である銅ニツケル合金が綿
状になつている為、締付圧力により冷却板電極１
やターゲツト２の凹凸に応じて容易に変形し、従
つて熱的には冷却板電極１とターゲツト２は密着
したことになり、スパツタリング中のターゲツト
２に発生する熱は金属綿の薄層５を通して冷却板
電極１に伝えられ、これより内部の冷却水に放熱
される。
その結果、被着基板への加熱害は除去でき、大
電力の投入が可能となつて成膜速度が高くなる。
但し、金属綿を金属製の網で構成することは、次
に説明する理由により好ましくない。即ち、金属
網ではターゲツトとバツキングプレートの間の接
点が少なくかつ等間隔となる。従つてシリコンの
ように金属に比較して抵抗が高い物質をターゲツ
トとした場合には、金属網では接点が少なくかつ
等間隔であるために、スパツタリングにムラが等
間隔に発生する。これに対して金属綿では、ター
ゲツトとバツキングプレートの間の接点が多くか
つランダムとなるので、このような障害はない。
また、ターゲツトとバツキングプレートとの間隙
が大きい場合に、金属網では厚さが不足してター
ゲツト全面とバツキングプレートの全面の双方の
面に同時に接触することができない。これに対し
て金属綿では、厚さを大きくすることは容易であ
り、ターゲツトとバツキングプレートとの間隙が
大きい場合にも、ターゲツト全面とバツキングプ
レートの全面の双方に同時に接触する。
電力の投入が可能となつて成膜速度が高くなる。
但し、金属綿を金属製の網で構成することは、次
に説明する理由により好ましくない。即ち、金属
網ではターゲツトとバツキングプレートの間の接
点が少なくかつ等間隔となる。従つてシリコンの
ように金属に比較して抵抗が高い物質をターゲツ
トとした場合には、金属網では接点が少なくかつ
等間隔であるために、スパツタリングにムラが等
間隔に発生する。これに対して金属綿では、ター
ゲツトとバツキングプレートの間の接点が多くか
つランダムとなるので、このような障害はない。
また、ターゲツトとバツキングプレートとの間隙
が大きい場合に、金属網では厚さが不足してター
ゲツト全面とバツキングプレートの全面の双方の
面に同時に接触することができない。これに対し
て金属綿では、厚さを大きくすることは容易であ
り、ターゲツトとバツキングプレートとの間隙が
大きい場合にも、ターゲツト全面とバツキングプ
レートの全面の双方に同時に接触する。
また金属綿は、油や有機物と異なり蒸気圧が殆
ど無視できるので、真空槽中に拡散することが無
く、また空気にさらした時の酸素や窒素の金属綿
への吸着も少ないので、真空槽の高真空への到達
時間が長くなることがない。
ど無視できるので、真空槽中に拡散することが無
く、また空気にさらした時の酸素や窒素の金属綿
への吸着も少ないので、真空槽の高真空への到達
時間が長くなることがない。
さらに金属綿の材料として、Ni−Tiから構成
される形状記憶合金を使用すると、別の効果があ
る。即ち、通常の金属綿をねじ３などで強く締付
けると、冷却板電極１やターゲツト２の表面どお
りに変形し、原状への回復が少ないので、２、３
回使用する間に熱伝導効率が下がり、またねじ３
の締めを強くしなければならない。然るに、形状
記憶合金を用いると、一度変形し、綿としての効
果が薄れた場合でも、僅かの再加熱で原状に復元
するので、何度でも効率の良い使用が可能とな
る。特にスパツタリングを行う際、電力を印加し
過ぎると、ターゲツト２の温度が上がり、その時
形状記憶合金は復元しようとするから再び冷却板
電極１やターゲツト２との密着が良くなり、自動
的に温度上昇が防止され、金属綿としての寿命も
長くなる。
される形状記憶合金を使用すると、別の効果があ
る。即ち、通常の金属綿をねじ３などで強く締付
けると、冷却板電極１やターゲツト２の表面どお
りに変形し、原状への回復が少ないので、２、３
回使用する間に熱伝導効率が下がり、またねじ３
の締めを強くしなければならない。然るに、形状
記憶合金を用いると、一度変形し、綿としての効
果が薄れた場合でも、僅かの再加熱で原状に復元
するので、何度でも効率の良い使用が可能とな
る。特にスパツタリングを行う際、電力を印加し
過ぎると、ターゲツト２の温度が上がり、その時
形状記憶合金は復元しようとするから再び冷却板
電極１やターゲツト２との密着が良くなり、自動
的に温度上昇が防止され、金属綿としての寿命も
長くなる。
第３図に示す他の実施例は、銅ニツケル合金の
細線を集めた金属綿を厚さ２mmになして、この金
属綿板５ａを銅製の冷却板電極１上に溶接して接
合し、その上に使用するターゲツト２を載せて圧
着したもので、これによるとスパツタガンは上向
きでも下向きでも金属綿板５ａが冷却板電極１に
固定されているので、ターゲツト２の交換を楽に
行える。
細線を集めた金属綿を厚さ２mmになして、この金
属綿板５ａを銅製の冷却板電極１上に溶接して接
合し、その上に使用するターゲツト２を載せて圧
着したもので、これによるとスパツタガンは上向
きでも下向きでも金属綿板５ａが冷却板電極１に
固定されているので、ターゲツト２の交換を楽に
行える。
第４図に示す他の実施例は、銅ニツケル合金の
細線を固めて厚さ３mmの板状になした金属綿板５
ｂをターゲツト２と同じサイズの形状になすと共
に取付用のねじ穴３″を冷却板電極１のねじ穴
３′と同じ位置に加工し、この金属綿板５ｂを数
多く用意し、使用時に冷却板電極１とターゲツト
２との間に挾んで使用するもので、これによると
熱伝導効果が無くなつた時の交換が容易である。
細線を固めて厚さ３mmの板状になした金属綿板５
ｂをターゲツト２と同じサイズの形状になすと共
に取付用のねじ穴３″を冷却板電極１のねじ穴
３′と同じ位置に加工し、この金属綿板５ｂを数
多く用意し、使用時に冷却板電極１とターゲツト
２との間に挾んで使用するもので、これによると
熱伝導効果が無くなつた時の交換が容易である。
第５図ａ，ｂは、第３図及び第４図に示した実
施例に於ける金属綿板５ａ，５ｂの表面に、深さ
１〜２mm、幅５mmの溝６を、横向きに中央に１
本、縦向きに左右に２本設け、各溝６の終端が真
空槽と直接連がるようにしたものである。このよ
うな金属綿板５a′，５b′を、冷却板電極１とター
ゲツト２との間に挾んで使用すると、真空槽の真
空度を上げて最終到達真空度に至る迄の時間が溝
無しの金属綿板５ａ，５ｂに比べて早くなり、約
１／２に短縮できた。尚、溝６の形状、幅、深さは、
使用するターゲツト材料、成膜率、温度上昇許容
度に応じて最適なものにすれば良いのは言うまで
もない。
施例に於ける金属綿板５ａ，５ｂの表面に、深さ
１〜２mm、幅５mmの溝６を、横向きに中央に１
本、縦向きに左右に２本設け、各溝６の終端が真
空槽と直接連がるようにしたものである。このよ
うな金属綿板５a′，５b′を、冷却板電極１とター
ゲツト２との間に挾んで使用すると、真空槽の真
空度を上げて最終到達真空度に至る迄の時間が溝
無しの金属綿板５ａ，５ｂに比べて早くなり、約
１／２に短縮できた。尚、溝６の形状、幅、深さは、
使用するターゲツト材料、成膜率、温度上昇許容
度に応じて最適なものにすれば良いのは言うまで
もない。
発明の効果
以上のように本発明によるスパツタリング装置
のスパツタガンは、金属及び合金の細線を集めた
金属綿を、ターゲツトと冷却板電極との間に挾み
込んで成るものであるから、スパツタ時のターゲ
ツトの発熱を急速に冷却でき、従つて被着基板の
熱損傷を防止でき、大電力の投入が可能となつ
て、基板への成膜速度を著しく高めることができ
るという優れた効果を奏する。
のスパツタガンは、金属及び合金の細線を集めた
金属綿を、ターゲツトと冷却板電極との間に挾み
込んで成るものであるから、スパツタ時のターゲ
ツトの発熱を急速に冷却でき、従つて被着基板の
熱損傷を防止でき、大電力の投入が可能となつ
て、基板への成膜速度を著しく高めることができ
るという優れた効果を奏する。
第１図は従来のスパツタリング装置のスパツタ
ガンの要部を微視的に示した断面図、第２図は本
発明のスパツタリング装置のスパツタガンの一実
施例の要部を微視的に示した断面図、第３図及び
第４図は夫々他の実施例を示した断面図、第５図
ａ，ｂは第３図及び第４図のスパツタガンに於け
る金属綿板の変形例を示す平面図及び断面図であ
る。 １……冷却板電極、２……ターゲツト、３……
ねじ、３′，３″……ねじ穴、５……金属綿の薄
層、５ａ，５ｂ……金属綿板、６……溝。
ガンの要部を微視的に示した断面図、第２図は本
発明のスパツタリング装置のスパツタガンの一実
施例の要部を微視的に示した断面図、第３図及び
第４図は夫々他の実施例を示した断面図、第５図
ａ，ｂは第３図及び第４図のスパツタガンに於け
る金属綿板の変形例を示す平面図及び断面図であ
る。 １……冷却板電極、２……ターゲツト、３……
ねじ、３′，３″……ねじ穴、５……金属綿の薄
層、５ａ，５ｂ……金属綿板、６……溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ターゲツトと冷却板電極との間に、金属及び
合金の細線を集めた金属綿を挾み込んで成るスパ
ツタリング装置のスパツタガン。 ２ 冷却板電極の面上に、直接金属綿が取付けら
れている特許請求の範囲第１項記載のスパツタリ
ング装置のスパツタガン。 ３ 金属綿が、平板状に成形され且つターゲツト
の外形と同一になされたものである特許請求の範
囲第１項記載のスパツタリング装置のスパツタガ
ン。 ４ 金属綿を構成する金属及び合金が、形状記憶
合金である特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
ずれかに記載のスパツタリング装置のスパツタガ
ン。 ５ 金属綿の面上に、縦及び横に数本のスリツト
状の金属綿の無い部分が設けられている特許請求
の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載のスパ
ツタリング装置のスパツタガン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634484A JPS61104073A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | スパツタリング装置のスパツタガン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22634484A JPS61104073A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | スパツタリング装置のスパツタガン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104073A JPS61104073A (ja) | 1986-05-22 |
| JPH0348267B2 true JPH0348267B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=16843695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22634484A Granted JPS61104073A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | スパツタリング装置のスパツタガン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104073A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2680799B1 (fr) * | 1991-09-03 | 1993-10-29 | Elf Aquitaine Ste Nale | Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
| JP4877156B2 (ja) * | 2007-08-28 | 2012-02-15 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリングカソード及び成膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135572A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-18 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP22634484A patent/JPS61104073A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60135572A (ja) * | 1983-12-26 | 1985-07-18 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61104073A (ja) | 1986-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5282943A (en) | Method of bonding a titanium containing sputter target to a backing plate and bonded target/backing plate assemblies produced thereby | |
| US4320251A (en) | Ohmic contacts for solar cells by arc plasma spraying | |
| KR100274488B1 (ko) | 스퍼터링용 타겟과 지지판의 조립체의 접합 방법 및 그렇게 접합된 조립체 | |
| US5269899A (en) | Cathode assembly for cathodic sputtering apparatus | |
| KR20040095695A (ko) | 증발 장치의 고정 부재 | |
| CN104701449A (zh) | 一种柔性热电薄膜器件 | |
| US3719919A (en) | Connector for use with oxide coated conductors | |
| US20050127619A1 (en) | Electrostatic clampless holder module and cooling system | |
| TWI245808B (en) | Organic EL of evaporation device for evaporation | |
| US20140197025A1 (en) | Hot tile sputtering system | |
| US20040232109A1 (en) | Mask unit and film deposition apparatus using the same | |
| US6083360A (en) | Supplemental heating of deposition tooling shields | |
| JPH0348267B2 (ja) | ||
| CN105369204B (zh) | 溅射靶-背衬板接合体 | |
| WO2005007920A2 (en) | Sputtering target assembly having low conductivity backing plate and method of making same | |
| JPH08170170A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| CN100446649C (zh) | 散热装置 | |
| JPH0820868A (ja) | 真空加熱均熱ヒーター | |
| CN112420638A (zh) | 金刚石薄膜复铜基热沉及其制备方法 | |
| CN216074019U (zh) | 一种高性能溅射靶材组件 | |
| US20110195184A1 (en) | Substrate protection device and method | |
| JPS58697Y2 (ja) | スパッタ用タ−ゲット | |
| CN220887665U (zh) | 一种贵金属镶嵌复合靶 | |
| TW201043715A (en) | Deposition apparatus with high temperature rotatable target and method of operating thereof | |
| JPS616560A (ja) | 蒸発器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |