JPS6022344A - 半導体装置の気密封止方法 - Google Patents
半導体装置の気密封止方法Info
- Publication number
- JPS6022344A JPS6022344A JP13141283A JP13141283A JPS6022344A JP S6022344 A JPS6022344 A JP S6022344A JP 13141283 A JP13141283 A JP 13141283A JP 13141283 A JP13141283 A JP 13141283A JP S6022344 A JPS6022344 A JP S6022344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- semiconductor
- semiconductor device
- header
- welding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 14
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の気密封止方法、特にシームウェ
ルドによる半導体装置の気密封止方法に関するものであ
る。
ルドによる半導体装置の気密封止方法に関するものであ
る。
近年、半導体装置は、マイクロ波通信、海底中継１人工
衛星通信等の高信頼性を要求される用途に使用される様
になった。このため半導体素子を気凹封止する必要があ
る。
衛星通信等の高信頼性を要求される用途に使用される様
になった。このため半導体素子を気凹封止する必要があ
る。
第１図は従来のシームウェルドによる気密方法を説明す
るための封止装置の断面図で、一般にシームウェルドに
よる気密封止方法は、ウェルド用電極１間の通電時に、
ウェルド用電極ｌと半導体装置の蓋部材２との間の接触
部における接触抵抗および蓋部材２．半導体ヘッダ４の
溶接用金属層５ならびにＡｕ−８’ｙＬ等からなる低温
で溶融するシールろう材３の個有抵抗によシ発生するジ
ュール熱全利用して、半導体ヘッダ４と蓋部材２との間
に挾まれたシールろう材３を溶融して、蓋部材２を半導
体ヘッダ４の溶接用金属層５に融層させる封止方法であ
る。
るための封止装置の断面図で、一般にシームウェルドに
よる気密封止方法は、ウェルド用電極１間の通電時に、
ウェルド用電極ｌと半導体装置の蓋部材２との間の接触
部における接触抵抗および蓋部材２．半導体ヘッダ４の
溶接用金属層５ならびにＡｕ−８’ｙＬ等からなる低温
で溶融するシールろう材３の個有抵抗によシ発生するジ
ュール熱全利用して、半導体ヘッダ４と蓋部材２との間
に挾まれたシールろう材３を溶融して、蓋部材２を半導
体ヘッダ４の溶接用金属層５に融層させる封止方法であ
る。
この封止方法において、シールろう材３の溶融のための
熱の発生源は、ウェルド用電４Ｍ１間に通電し、蓋部材
２とウェルド用電極１との間の接触部における接触抵抗
および蓋部材２．半導体ヘッダ４の溶接用金属層５なら
びにシールろう材３の１１ｇ１石抵抗により発生するジ
ー−−ル熱を利用するために、半導体ヘッダ４の熱容量
が大きい場合に。
熱の発生源は、ウェルド用電４Ｍ１間に通電し、蓋部材
２とウェルド用電極１との間の接触部における接触抵抗
および蓋部材２．半導体ヘッダ４の溶接用金属層５なら
びにシールろう材３の１１ｇ１石抵抗により発生するジ
ー−−ル熱を利用するために、半導体ヘッダ４の熱容量
が大きい場合に。
熱量全増大するために過大電流を流す必要がある。
この定めに
（ｉ） ウェルド用電極ｌと接触する蓋部材２に溶融部
が形成される。この溶融部は半導体装置の外観を損なう
ばかシでなく、この溶融部からの酸化あるいは腐食が進
行する事によシ気密性の劣化をまねく。
が形成される。この溶融部は半導体装置の外観を損なう
ばかシでなく、この溶融部からの酸化あるいは腐食が進
行する事によシ気密性の劣化をまねく。
（ｉｉ） 過大電流を流すために、ＴＩｔａサージに弱
い半導体素子への適用が困離である。
い半導体素子への適用が困離である。
という欠点ｔ″有していた。
本発明は従来方法のこのような欠点を除去した気密封止
方法を提供するものである。
方法を提供するものである。
本発明によると半導体ヘッダと蓋部材との間に多らかし
め加熱した状態でシームウニ代ドにより気密封止するこ
とを特徴とする半導体装置の気密封止方法が得られる。
め加熱した状態でシームウニ代ドにより気密封止するこ
とを特徴とする半導体装置の気密封止方法が得られる。
本発明の１実施例を図面を用いて説明する。第２図紘１
本発明の１実施例を説明する封止装置の縦断面図である
。
本発明の１実施例を説明する封止装置の縦断面図である
。
第２図において半導体ヘッダ４は、あらかじめ加熱され
たヒータ６上にのせられている。このためにシールろう
材を溶融するためのジュール熱は従来方法に比べて少な
くてすみ、ウェルド用ｒｔ極１間に流れる電流を従来方
法に比べて少なくできる。
たヒータ６上にのせられている。このためにシールろう
材を溶融するためのジュール熱は従来方法に比べて少な
くてすみ、ウェルド用ｒｔ極１間に流れる電流を従来方
法に比べて少なくできる。
また、ヒータ６によシ半導体ヘッダ４はあらかじめ加熱
されているために、半導体ヘッダ４の熱咎量が大きい場
合でも電流量全増加させる必要がない。このために、従
来方法の欠点であった蓋部材２のウェルド電極１との接
触部に解融部が形成され、靜＠部からの酸化あるいは腐
食が進行する事による気密性の劣化′ｌｃまねくことは
なくなる。
されているために、半導体ヘッダ４の熱咎量が大きい場
合でも電流量全増加させる必要がない。このために、従
来方法の欠点であった蓋部材２のウェルド電極１との接
触部に解融部が形成され、靜＠部からの酸化あるいは腐
食が進行する事による気密性の劣化′ｌｃまねくことは
なくなる。
る。
本発明によれば５以上詳細に説明したように蓋部材上に
溶融部の形成される挙がないために、溶融部からの酸化
あるいは腐食による気密性の劣化を生ぜず、また″ｔｊ
Ｌ流址を少なくできる事によシミ
溶融部の形成される挙がないために、溶融部からの酸化
あるいは腐食による気密性の劣化を生ぜず、また″ｔｊ
Ｌ流址を少なくできる事によシミ
第１図は従来のシームウェルドによる半導体装置の気密
封止方法を示す封止装置の縦断面図、第２図は本発明半
導体装置の気密封止方法の一実施例を示す封止装置の縦
断面図である。 ｌ・・・・・・ウェルド用電極、２・・・・・・蓋部材
、３・・・・・・シールろう材、４・・・・−・半導体
ヘッダ、５・・・・・・溶接用金属層、６・・・・・・
ヒータ。 華１回 茅２図
封止方法を示す封止装置の縦断面図、第２図は本発明半
導体装置の気密封止方法の一実施例を示す封止装置の縦
断面図である。 ｌ・・・・・・ウェルド用電極、２・・・・・・蓋部材
、３・・・・・・シールろう材、４・・・・−・半導体
ヘッダ、５・・・・・・溶接用金属層、６・・・・・・
ヒータ。 華１回 茅２図
Claims (1)
- 正方法において、半導体ヘッダｔ６らかしめ加熱した状
態でシームウェルドによシ気督封止すること全特徴とす
る半導体装置の気密封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13141283A JPS6022344A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体装置の気密封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13141283A JPS6022344A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体装置の気密封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022344A true JPS6022344A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=15057361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13141283A Pending JPS6022344A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体装置の気密封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201346A2 (en) * | 1985-05-09 | 1986-11-12 | South London Electrical Equipment Company Limited | Seam welding apparatus |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13141283A patent/JPS6022344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0201346A2 (en) * | 1985-05-09 | 1986-11-12 | South London Electrical Equipment Company Limited | Seam welding apparatus |
| EP0201346A3 (en) * | 1985-05-09 | 1988-02-03 | South London Electrical Equipment Company Limited | Seam welding apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4915719A (en) | Method of producing a hermetic glass to metal seal without metal oxidation | |
| JPS5852856A (ja) | 消耗性ヒ−タによるシ−ル方法及びその装置 | |
| JPS6022344A (ja) | 半導体装置の気密封止方法 | |
| US3213532A (en) | Method of forming titanium and aluminum seals | |
| JP2003224223A (ja) | セラミックパッケージ用シールキャップ | |
| JPH08141745A (ja) | Ｉｃの気密封止方法 | |
| US1660650A (en) | Seal | |
| JPH01244651A (ja) | セラミックパッケージ型半導体装置 | |
| JP2005166955A (ja) | ハーメチックシールキャップ及びその製造方法 | |
| US5994680A (en) | Method of welding a heating element to a vessel for forming a heating container | |
| JPH057770Y2 (ja) | ||
| JPS5917270A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63235469A (ja) | スパツタ装置 | |
| US1012077A (en) | Method of making homogeneous mechanical junctures. | |
| JPH0318471A (ja) | 鉄・ニッケル合金部材とアルミニウム部材との接合方法 | |
| JPH0356057Y2 (ja) | ||
| JPH01291452A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001079682A (ja) | 異種金属の溶接方法 | |
| TW408051B (en) | Welding method for heterogeneous metals | |
| JP2000100291A (ja) | 温度ヒュ−ズエレメントの取付け構造及び取付け方法 | |
| JP3279158B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS6160530B2 (ja) | ||
| JPS608568B2 (ja) | 真空機器の製造方法 | |
| JPS5917061B2 (ja) | ガラスコンパウンドによる封止方法 | |
| JPH0489367A (ja) | ナトリウム―硫黄電池及びその絶縁体と蓋体との接合方法 |