JP3793004B2 - 基板の搬送方法 - Google Patents
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【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の搬送方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では,ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理,ウェハにパターンを照射して露光する露光処理,露光後であって現像処理前のウェハを加熱するポストエクスポージャーベーキング処理,そのポストエクスポージャーベーキング処理後のウェハを冷却する冷却処理,ウェハ上のレジスト膜の現像を行う現像処理等が順次行われている。これらの処理は,個別に設けられた各処理装置において行われ,これらの各処理装置間のウェハの搬送は,各処理装置にアクセス可能な搬送装置によって行われる。
【0003】
前記ウェハの搬送は,通常,前記搬送装置を制御する主制御装置が各処理装置からの処理終了信号を受信して,これを記憶しておき,一のウェハの搬送が終了する度に前記搬送装置がその記憶されている処理終了信号を認識し,確認してから搬送装置が送信元の当該処理装置に移動し,当該処理装置内で所定の処理の終了したウェハを次工程の行われる処理装置に搬送することによって行われていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述した搬送装置の制御機構によると,現ウェハの搬送が終了し,搬送装置が主制御装置の処理終了信号を確認した後にその送信元の処理装置に移動していたため,当該処理装置でのウェハの処理が終了してから当該処理装置にウェハを受け取りに行くまでの時間が,その時の搬送装置の状態や処理終了信号の数によって相異し,また総じて長くなる。したがって,各処理装置間のウェハの搬送が迅速,かつ一定時間に行うことができない。
【0005】
特に,熱に敏感な化学増幅型のレジスト液を使用した場合には,ポストエクスポージャーベーキング処理では,露光によってレジスト膜内に発生した触媒としての酸を高温にすることによって活性化させ,レジスト膜を現像液に対して可溶にする化学反応を促進させる処理が行われており,その後の冷却処理では,温度を低下させてその酸の触媒作用を停止させる処理が行われている。そのため,ポストエクスポージャーベーキング装置〜冷却処理装置間のウェハの搬送が迅速に行われないと,オーバーベークとなり,酸の触媒作用によって前記化学反応が過剰に進行し,現像液に対して可溶である幅が広くなってしまうため,最終的にはウェハ上に形成される回路パターンの線幅が広くなってしまう。また,ポストエクスポージャーベーキング装置〜冷却処理装置間のウェハの搬送が一定で行われないと,ウェハ間においてウェハ上に形成される回路パターンの線幅が不均一になることが懸念される。
【0006】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,加熱処理終了から基板が冷却されるまでの時間を短縮し,一定にする基板の搬送方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
参考例として,加熱処理装置において加熱処理された基板を,搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって,少なくとも基板の加熱処理が終了する際には,前記搬送装置を,前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に待機させる基板の搬送方法が提供される。
【0008】
このように,前記搬送装置を前記加熱処理が終了する前に,加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に待機させることにより,加熱処理が終了した基板を直ちに受け取り,冷却処理装置に搬送することができる。こうすることにより,加熱処理終了から冷却処理されるまでの時間が短縮され,当該時間が一定に維持される。したがって,加熱処理のオーバーベークや基板上に最終的に形成されるパターンの基板間におけるばらつきが抑制される。
【0009】
前記参考例において,前記搬送装置が,搬送制御装置によってその動作が制御されており,前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され,前記搬送制御装置は,当該終了予告信号に基づいて前記搬送装置を前記所定位置に移動させる工程を有するようにしてもよい。このように,前記加熱処理装置が加熱処理の終了することを予め前記搬送制御装置に予告し,その予告に基づいて搬送制御装置が搬送装置を前記待機位置に移動させることによって,前記搬送装置が当該加熱処理が終了直前であることをより早い段階で認識し,当該加熱処理が終了する前に前記所定位置に移動し,待機することができる。したがって,加熱処理が終了した際には,前記搬送装置は加熱処理装置内にアクセス可能な位置に待機でき,加熱の終了した基板を直ちに冷却処理装置に搬送することができる。なお,前記所定時間は,搬送装置が前記搬送制御装置の制御によって当該加熱処理が終了する前に前記所定位置に移動できる程度の時間である。
【0010】
前記参考例において,前記加熱処理が終了した基板を直ちに前記冷却処理装置に搬送するようにしてもよい。このように加熱処理が終了した基板を直ちに搬送すると,加熱処理終了から冷却処理までの時間をより短縮できる。
【0011】
本発明によれば,加熱処理装置において加熱処理された基板を,搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって,前記搬送装置は,搬送制御装置によってその動作が制御されており,前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され,前記搬送制御装置が前記終了予告信号を受信する工程と,前記終了予告信号を受信した前記搬送制御装置が,前記搬送装置が他の基板を搬送しているか否かを確認する工程とを有し,前記搬送装置が他の基板を搬送していない場合には,前記搬送制御装置が前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて,待機させ,前記搬送装置が他の基板を搬送している場合には,前記搬送装置が前記他の基板の搬送を終了させた後に,前記搬送制御装置は前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて,待機させ,各基板に予め識別標識を付す工程と,基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が前記所定位置に待機できなかった場合には,当該終了した加熱処理にかかる基板を要注意基板として前記識別標識に基づいて認識する工程とを,さらに有し,前記加熱処理は,基板の塗布現像処理工程における露光処理後であって現像処理前の加熱処理であることを特徴とする基板の搬送方法が提供される。なお,前記搬送装置が他の基板を搬送しているとは,基板を保持して基板を搬送する搬送装置の場合には,搬送装置が他の基板を保持しているとしてもよい。
【0012】
このように,加熱処理装置から前記終了予告信号を受信した搬送制御装置が,先ず搬送装置が他の基板を搬送中であるか否かを確認し,他の基板を搬送中でない場合には,終了予告信号を発信した当該加熱処理装置内の基板を受け取り可能な位置に搬送装置を移動させて,待機させる。また搬送装置が他の基板を搬送中の場合には,その搬送が終了するのを待ってから前記搬送装置を前記所定位置に移動させて,待機させる。こうすることによって,搬送装置が他の基板を搬送中の場合にも好適に対応することができる。また,搬送装置が他の基板を搬送中の場合においても,前記他の基板の搬送が終了した後に他の搬送に優先して直ちに前記搬送装置が前記所定位置に移動するため,加熱処理が終了するまで搬送装置の移動が行われなかった従来に比べて,より早く搬送装置が前記所定位置に移動することができ,その分加熱処理終了から冷却処理までにかかる時間が短縮され,加熱処理のオーバーベークが防止できる。
また,予め各基板に識別標識を付しておき,基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が所定位置に待機できなかった場合,例えば搬送装置の前記所定位置への移動が他の基板を搬送していることによって遅延され,加熱処理が終了するまでに待機できなかった場合に,その時加熱処理されていた基板であって他の基板よりも長時間高温に状態に放置されていると推認される基板を前記識別標識に基づいて要注意基板として認識させることによって,オーバーベークされている可能性の高い基板を認識し,必要な場合には,その要注意基板を他の基板から取り除くこともできる。なお,基板に付される識別標識は,実際に基板上に付されるもののみならず,架空の識別標識,例えばコードを例えば制御装置等において認識させることによって,結果的に各基板を識別できるようにしたものであってもよい。
さらに,基板の塗布現像処理工程における露光処理後の前記加熱処理は,上述したように基板の品質を決定する回路パターンの線幅に大きく影響するものであり,その加熱処理において,加熱処理〜冷却処理までの時間を短縮し,オーバーベークを抑制することは,基板の品質を維持し,歩留まりを向上させる意味で非常に重要である。
【0013】
参考までに,前記加熱処理が終了した基板を直ちに前記冷却処理装置に搬送するようにしてもよい。このように加熱処理が終了した基板を直ちに搬送すると,加熱処理終了から冷却処理までの時間がより短縮できる。
【0016】
また,前記要注意基板を他の加熱処理済みの基板から分別する工程を有するようにしてもよい。前記要注意基板を他の基板から分別することによって,その要注意基板を再利用したり,廃棄したりすることができる。したがって,前記基板を再利用できれば,歩留まりの向上が図られ,また,廃棄すれば製品の中に所定の品質水準に達しない基板が含まれることを防止できる。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は本発明の基板の搬送方法が実施される塗布現像処理システム1の斜視図であり,図2は,その塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【0019】
図1,図2に示すように、塗布現像処理システム1は,例えば複数のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程において枚葉式に所定の処理をウェハWに施す各種処理装置をY方向に2列に並列させて配置している処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0020】
カセットステーション2は,複数のカセットCがX方向に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体8が搬送路9に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0021】
処理ステーション3には,その中央部にY方向に延伸する搬送レール10が設けられており,この搬送レール10には,搬送レール10上を移動自在な搬送装置としての主搬送装置11が設けられている。搬送レール10を挟んでその両端には,各種処理装置がY方向に並んで配置されている。すなわち,搬送レール10のX方向正方向側には,カセットステーション2側から順に,カセットCから取り出されたウェハWを洗浄するためのブラシスクラバ12,ウェハWに対して高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置13,ウェハWに対して所定の熱処理を行う複数の熱処理装置を多段に配置した処理装置群14,15,16が並べて配置されており,搬送レール10のX方向負方向側には,カセットステーション2側から順に,ウェハWにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置17,18と,露光処理後のウェハWを現像処理する現像処理装置19,20が並べて配置されている。
【0022】
主搬送装置11は,上述したY方向の他に,図1,図2に示すように回転方向(θ方向),Z方向に移動自在であり,処理ステーション3内の各処理装置とカセットステーション2のウェハ搬送体8及び後述するインタフェイス部4の受け渡し部としてのエクステンション装置35,36に対してアクセスし,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。また,主搬送装置11は,図2に示すように搬送制御装置としての主制御装置21によって制御可能に構成されており,主搬送装置11は,主制御装置21によってウェハWの処理フローに従ってウェハWを搬送するように制御されている。
【0023】
前記処理装置群14には,例えば図3に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング装置22,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置23,レジスト液中の溶剤を蒸発させるためのプリベーキング装置24,25が下から順に重ねられている。また,処理装置群15には,クーリング装置26,27,現像処理後のウェハWに加熱処理を施すポストベーキング装置28,29が下から順に重ねられている。
【0024】
処理装置群16には,クーリング装置30,31,露光処理後であって,現像処理前のウェハWに加熱処理を施す加熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置(以下「PEB装置」とする)32,33が下から順に重ねられている。また,PEB装置32,33のケーシングには,図1に示すようにウェハWの搬入出を行うための搬送口32a,33aが搬送レール10に面してそれぞれ設けられている。また,それらの搬送口32a,33aには,PEB装置32,33内の熱の放熱を防止するためのシャッタ32b,33bがそれぞれ設けられており,ウェハWを搬入出する場合にのみ開放されるようになっている。
【0025】
また,PEB装置32,33には,図4に示すようにウェハWのPEB処理におけるPEB装置32,33の動作を制御するコントローラ32c,33cが設けられている。このコントローラ32c,33cは,主制御装置21にPEB処理が終了する所定時間T前であることを予告する終了予告信号としてダミーエンド信号を送信可能に構成されている。なお,所定時間Tは予めコントローラ32c,33cに設定されるものであり,変更可能である。
【0026】
主制御装置21は,上述したPEB装置32,33のコントローラ32c,33cからの信号を受信可能に構成されており,前記ダミーエンド信号を受信することができる。また,主制御装置21は,上述したように主搬送装置11を制御するために,主搬送装置11との間でも信号を送受信可能に構成されており,その信号をやり取りすることによって制御命令を出したり,互いの状態を認識したりすることができるようになっている。また,主制御装置21には,受信したデータを記憶する記憶機能が設けられており,必要に応じて主制御装置21で受信した信号を記憶することができるようになっている。
【0027】
また,主制御装置21は,処理ステーション3内のPEB装置32,33以外の各処理装置との間でも信号を送受信できるように構成されており,前記各処理装置から発信されたウェハ処理の終了信号を受信し,その信号を前記記憶機能により記憶させておくことができるようになっている。そして主搬送装置11は,その主制御装置21内に記憶された前記ウェハ処理終了信号を認識し,確認して,その終了信号の送信元の処理装置まで移動し,ウェハWを次工程の行われる処理装置まで搬送できるように構成されている。
【0028】
インタフェイス部4には,図1,図2に示すように処理ステーション3と図示しない露光装置との間のウェハWの搬送を行う搬送体40がX方向,Z方向,θ方向に移動自在に設けられている。インタフェイス部4の処理ステーション3側であって搬送レール10の延長線上には,主搬送装置11と搬送体40との間でウェハWの受け渡しを行うためのエクステンション装置35,36が下から順に重ねられて配置されている。各エクステンション装置35,36は,図示しないウェハWを載置するため載置台とウェハWを昇降させるための昇降ピンとを備えている。また,エクステンション装置35は,主搬送装置11から搬送体5にウェハWが搬送される際に利用され,エクステンション装置36は,搬送体5から主搬送装置11にウェハWを搬送される際に利用される。
【0029】
次に,以上のように構成された塗布現像処理システム1で行われるウェハWの搬送方法をフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0030】
先ず,カセットステーション2において,ウェハ搬送体8がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,そのウェハWを主搬送装置11が直接ウェハ搬送体8から受け取る。次いで主搬送装置11がウェハWをブラシスクラバ12,水洗洗浄装置13に順次搬送し,さらに,処理装置群14に属するアドヒージョン装置23,クーリング装置22に順次搬送し,ウェハWは各装置において所定の処理が施される。次に,ウェハWは主搬送装置11によってレジスト塗布装置17又は18に搬送され,化学増幅型のレジスト液がウェハW上に塗布され,ウェハ表面にレジスト膜が形成される。そして,その表面にレジスト膜が形成されたウェハWは,再び主搬送装置11によってプリベーキング装置24又は25,クーリング装置26に順次搬送され,所定の処理が施される。
【0031】
次に,クーリング装置26又は27によって所定温度に冷却されたウェハWは,主搬送装置11によってインタフェイス部4のエクステンション装置35に搬入され,図示しない載置台上に載置される。次いで,ウェハWは搬送体40によって図示しない露光装置に搬送され,ウェハW上に所定のパターンが露光される。このとき,露光部におけるレジスト膜中には,レジスト膜の現像液に対する可溶化反応の触媒としての役割を果たす酸が発生する。そして,露光処理の終了したウェハWは,再び搬送体40によってエクステンション装置36に搬送され,その後主搬送装置11によって,PEB装置33の搬送口33aからPEB装置33内に搬送される。
【0032】
以下のウェハ処理については,図5のフローチャートに沿って説明する。先ず,ウェハWはPEB装置33において所定温度で加熱され,レジスト膜中の酸が活性化し,レジスト膜の露光部における現像液に対する可溶化反応が促進される。そして,加熱処理終了の所定時間T前になると,コントローラ33cから主制御装置21に加熱処理終了直前であることを予告するダミーエンド信号が送信される。
【0033】
前記ダミーエンド信号を受信した主制御装置21は,直ちに主搬送装置11が他のウェハWを保持しているか否かを確認し,保持していない場合には,主搬送装置11に対してPEB装置33内のウェハWを受け取り可能な所定位置P,すなわちPEB装置33のシャッタ33bの前の位置に移動するように命令する。そしてその命令を受けた主搬送装置11は,図6に示すように搬送レール10上を移動して,前記所定位置Pに移動し,搬送口33aのシャッタ33bが開放されるまで待機する。
【0034】
一方,主搬送装置11が他のウェハWを保持していた場合には,前記ダミーエンド信号を主制御装置21に記憶し,随時主搬送装置11におけるウェハW保持の有無を確認し,主搬送装置11の前記他のウェハWの搬送作業が終了して,主搬送装置11がいわゆる空の状態になったところで,所定位置Pへの移動命令を出す。
【0035】
その後,PEB装置33の加熱処理が終了し,シャッタ33bが開放されると,待機していた主搬送装置11が直ちにウェハWをPEB装置33内から搬出し,クーリング装置31に搬送する。
【0036】
クーリング装置31に搬送されたウェハWは,所定の温度にまで冷却され,このとき酸の触媒作用が停止される。
【0037】
その後,ウェハWは主搬送装置11によって現像処理装置19又は20に搬送され,現像処理に付される。そして現像処理の終了したウェハWは,再び主搬送装置11よってポストベーキング装置28又は29,クーリング装置27に順次搬送され,その冷却処理の終了したウェハWは,搬送レール10上をY方向負方向側に搬送され,カセットステーション2のウェハ搬送体8に受け渡される。そしてウェハ搬送体8によってカセットCに戻され,一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【0038】
以上の実施の形態では,PEB装置33が予めダミーエンド信号を主制御装置21に送信し,そのダミーエンド信号を受信した主制御装置21の命令により,主搬送装置11がPEB装置33前の前記所定位置Pに移動し,そこでPEB処理が終了するのを待機するので,ウェハWのPEB処理が終了し,シャッタ33bが開放された際に,直ちにウェハWを受け取り,クーリング装置31に搬送することができる。したがって,PEB処理の終了したウェハWがPEB装置33内で主搬送装置11が来るのを待っていることが無くなるため,PEB処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され,また一定に保たれる。
【0039】
また,ダミーエンド信号を受信した主制御装置21が,主搬送装置11に前記移動命令を出す前に,主搬送装置11が他のウェハWを搬送しているか否かを確認し,搬送している場合には,その搬送が終了した後直ぐに前記移動命令を出すようにしたため,主搬送装置11が他のウェハWの搬送によって直ちに前記所定位置Pに移動できない場合にも適切に対応できる。また,ウェハWのPEB処理が終了した後にその終了信号が主制御装置21に発信され,その後主搬送装置11がその終了信号を確認した後前記所定位置Pに移動していた従来と比べて,主搬送装置11がより早くウェハWの受け取り可能な所定位置Pに移動することができるため,この場合においても,PEB処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され,また一定に保たれる。
【0040】
以上の実施の形態は,PEB処理終了前には,必ず主搬送装置11がPEB装置33にアクセス可能な所定位置Pに移動している場合であったが,主搬送装置11の他のウェハWの搬送に長時間要し,PEB処理終了時に間に合わない場合も想定される。このような場合の措置として,そのオーバーベークしたウェハWを適切に処理されたウェハWと分別することが提案される。
【0041】
例えば,予め各ウェハW毎に識別標識としての架空の番号を付しておき,その番号を例えば主制御装置21に認識させておく。そして,主搬送装置11がPEB処理終了時に間に合わなかった場合は,その時処理されていたウェハの番号を主制御装置21が要注意ウェハとして認識する。その後その要注意ウェハが所定の処理フローに従って処理され,カセットステーション2のカセットCに搬送されるときに,例えば図7に示すように要注意ウェハ用にカセットC1を設けておき,そこに分別して載置するようにする。こうすることによって,オーバーベークされたウェハWと正常にPEB処理されたウェハWを分別することができ,製品の中から品質の劣悪なものを取り除くことができる。
【0042】
また,PEB装置33でオーバーベークされたウェハWを,その後の処理をしないで直ちにカセットステーション2に搬送し,前記要注意ウェハ用のカセットC1に搬入するようにしてもよい。このような場合には,現像処理等が行われていないため,ウェハ上のレジスト膜を取り除きウェハを再利用することが可能になる。
【0043】
なお,通常は主搬送装置11がPEB処理終了に間に合わないことがないように,前記コントローラ33cの所定時間Tの設定時間を余裕を持って長めに設定しておいた方がよい。
【0044】
以上の実施の形態にかかるウェハWの搬送方法は,PEB装置33からクーリング装置31間の搬送であったが,他の加熱処理装置〜冷却処理装置間,例えばプリベーク装置24又は25〜クーリング装置26間,ポストベーク装置28又は29〜クーリング装置27間においても応用できる。
【0045】
また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハWの搬送方法についてであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばLCD基板の搬送方法においても応用できる。
【0046】
【発明の効果】
請求項1〜8の発明によれば,基板の加熱処理が終了する前に,基板の搬送装置が前記加熱処理の行われている加熱処理装置内の基板を受け取り可能な位置で待機し,加熱処理の終了した基板を直ちに冷却処理装置に搬送することができるため,加熱処理から冷却処理までにかかる時間が短縮され,一定に保たれる。したがって,オーバーベークや基板間における熱履歴の差異が抑制され,基板上に所定のパターンが形成されるため歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態にかかるウェハの搬送方法が実施される塗布現像処理システムの外観を示す斜視図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【図3】塗布現像処理システムの処理装置群内における処理装置の配置例を示す説明図である。
【図4】主搬送装置を制御するにあたっての制御機構の構成を模式的に示す説明図である。
【図5】主制御装置に関するウェハ処理のフローチャートを示す。
【図6】主搬送装置が所定位置で待機している状態を示す塗布現像処理システムの状態図である。
【図7】カセットステーションに要注意用のカセットを設けた場合の塗布現像処理システムの概略を示す平面図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
11 主搬送装置
21 主制御装置
33 PEB装置
33c コントローラ
P 所定位置
W ウェハ
Claims (2)
- 加熱処理装置において加熱処理された基板を,搬送装置によって基板の冷却処理が行われる冷却処理装置に搬送する基板の搬送方法であって,
前記搬送装置は,搬送制御装置によってその動作が制御されており,
前記加熱処理終了の所定時間前に前記加熱処理装置から前記搬送制御装置に終了予告信号が発信され,前記搬送制御装置が前記終了予告信号を受信する工程と,
前記終了予告信号を受信した前記搬送制御装置が,前記搬送装置が他の基板を搬送しているか否かを確認する工程とを有し,
前記搬送装置が他の基板を搬送していない場合には,前記搬送制御装置が前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて,待機させ,
前記搬送装置が他の基板を搬送している場合には,前記搬送装置が前記他の基板の搬送を終了させた後に,前記搬送制御装置は前記搬送装置を前記加熱処理装置内の基板を受け取り可能な所定位置に移動させて,待機させ,
各基板に予め識別標識を付す工程と,
基板の加熱処理が終了した際に前記搬送装置が前記所定位置に待機できなかった場合には,当該終了した加熱処理にかかる基板を要注意基板として前記識別標識に基づいて認識する工程とを,さらに有し,
前記加熱処理は,基板の塗布現像処理工程における露光処理後であって現像処理前の加熱処理であることを特徴とする,基板の搬送方法。 - 前記要注意基板を他の加熱処理済みの基板から分別する工程を有することを特徴とする,請求項1に記載の基板の搬送方法。
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