JP2022071846A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022071846A
JP2022071846A JP2021173277A JP2021173277A JP2022071846A JP 2022071846 A JP2022071846 A JP 2022071846A JP 2021173277 A JP2021173277 A JP 2021173277A JP 2021173277 A JP2021173277 A JP 2021173277A JP 2022071846 A JP2022071846 A JP 2022071846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
transfer
region
cooling
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021173277A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7354206B2 (ja
Inventor
ハン，キウォン
Kiwon Han
キョン コン，テ
Tae Kyung Kong
ソン ソン，ジン
Jin Sung Sun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of JP2022071846A publication Critical patent/JP2022071846A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7354206B2 publication Critical patent/JP7354206B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

【課題】塗布モジュールや現像モジュールのような液処理ユニットの数量を増やして生産量を向上させることができる基板処理装置及び方法を提供する。【解決手段】本発明の基板処理装置は搬送路と、前記搬送路の長さ方向に沿って配置される第１搬送ロボットと第２搬送ロボットと、前記搬送路の一側面に配置され、基板に液を供給して基板上に液を塗布する液処理部と、前記第１工程処理部と対向されるように前記搬送路の他側面に配置され、基板を熱処理する熱処理部と、を含み、前記熱処理部は前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板搬送及び基板クーリングのために提供されるクーリング搬送モジュールを含むことができる。【選択図】図３

Description

本発明は基板を処理する装置及び方法に関り、さらに詳細には基板上に感光液のような液膜を形成する装置及び方法に係る。
半導体素子を製造するためには半導体ウエハのような基板上に様々なパターンを形成しなければならない。半導体パターン形成は蒸着工程（ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、写真工程（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｐｒｏｃｅｓｓ）、そして蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）等のような様々な工程を連続的に遂行することによって成される。
この中で、写真工程は基板上にフォトレジストのような感光液を塗布して基板上にフォトレジスト層（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｌａｙｅｒ）を形成する塗布工程、レチクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）に形成されたパターンを基板の上のフォトレジスト層に転写して回路を形成する露光工程、そして現像液を基板の上のフォトレジスト層に供給して露光された領域又はその反対領域を選択的に除去する現像工程を含む。基板上にフォトレジストを塗布する前と後、そして基板上に現像液を供給する前と後には各々基板に対して熱処理が行われる。
特許文献１には上述した塗布工程と現像工程を遂行する基板処理装置の一例が開示されている。これによれば、基板処理装置は互いに積層された塗布モジュール及び現像モジュールを有し、塗布モジュールと現像モジュールの各々は搬送チャンバー、液処理チャンバー、そしてベークユニットを有する。搬送チャンバーはその長さ方向が第１方向に沿って長く提供され、第１方向を基準に両側部の中で１つの側部にはベークチャンバーが配置され、他の側部には液処理チャンバーが提供される。また、インデックスモジュール及びインターフェイスモジュールとの基板を搬送するために搬送チャンバーの両終端には各々バッファが提供される。ベークチャンバーのハウジング内には冷却ユニットと加熱ユニットが順次的に配置され、ハウジングにはその内部で基板を搬送する搬送プレートが提供される。搬送プレートは基板を加熱ユニットに搬送し、加熱が完了されれば、基板が搬送プレートに置かれる状態で基板は搬送プレートを通じて冷却ユニットによって冷却される。
しかし、上述した構造の基板処理装置は搬送チャンバーの長さ方向を基準に両側部の中で１つの側部にはベークチャンバーが提供されるので、塗布モジュールや現像モジュール内に提供される液処理チャンバーの数が制限される。したがって、設備の生産量を増大するためには液処理チャンバー（コーティングユニット）のプロセス時間を短縮するか、又は液処理チャンバーの数を増やすことと対応することができるが、液処理チャンバーの数を増やす場合、一台の搬送ロボットではその処理能力を対応するのが困難な問題点がある。
韓国公開特許１０－２０１６－００１７６９９号公報
本発明の一目的は塗布モジュールや現像モジュールのような液処理ユニットの数量を増やして生産量を向上させることができる基板処理装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の一目的は２台の基板搬送ロボット間の基板搬送の時、クーリングが可能な基板処理装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の一目的は処理工程を進行する時、基板の搬送ステップを減らすことができる基板処理装置及び方法を提供することにある。
また、本発明の一目的は基板に対して冷却処理と基板搬送を同時に遂行することができる基板処理装置及び方法を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
本発明の一側面によれば、搬送路と、前記搬送路の長さ方向に沿って配置される第１搬送ロボットと第２搬送ロボットと、前記搬送路の一側面に配置され、基板に液を供給して基板上に液を塗布する液処理部と、前記第１工程処理部と対向されるように前記搬送路の他側面に配置され、基板を熱処理する熱処理部と、を含み、前記熱処理部は前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板搬送及び基板クーリングのために提供されるクーリング搬送モジュールを含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは前記第１搬送ロボットの第１移動通路と前記第１搬送ロボットの第２移動通路が互いに接する境界に配置されることができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは前記搬送路の長さ方向に沿って提供される第１領域と第２領域を有するハウジングと、前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域との間の基板を搬送する搬送プレートと、を含むことができる。
また、前記第１領域は前記第１搬送ロボットが接近可能な第１基板搬送領域内に提供され、前記第２領域は前記第２搬送ロボットが接近可能な第２基板搬送領域内に提供されることができる。
また、前記ハウジングは前記第１搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第１領域と隣接する第１開口と、前記第２搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第２領域と隣接する第２開口と、を含むことができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは基板をクーリングする冷却ユニットを含み、前記冷却ユニットは前記第１領域及び前記第２領域の中で少なくとも１つに提供されることができる。
また、前記搬送プレートは内部に基板クーリングのための冷媒が通過する冷却流路を含むことができる。
また、前記液処理部は、前記第１搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第１液を塗布する工程を遂行する第１液処理チャンバーと、前記第２搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第２液を塗布する工程を遂行する第２液処理チャンバーと、を含むことができる。
また、前記第１液は基板上に反射防止膜を形成するための液であり、前記第２液は前記基板上に形成された前記反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するための液であり得る。
本発明の他の側面によれば、第１方向に沿って順次的に配置されるインデックスモジュールと処理モジュールを含み、前記インデックスモジュールは、基板が収容される容器が置かれるロードポートと、前記ロードポートに置かれる容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するインデックスロボットが提供されたインデックスフレームと、を含み、前記処理モジュールは搬送路と、前記搬送路の長さ方向に沿って配置される第１搬送ロボットと第２搬送ロボットと、前記搬送路の一側面に配置され、基板に液を供給して基板上に液を塗布する液処理部と、前記第１工程処理部と対向されるように前記搬送路の他側面に配置され、基板を熱処理する熱処理モジュール及び前記第１搬送ロボットの第１移動通路と前記第１搬送ロボットの第２移動通路が互いに接する境界に配置され、前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板搬送及び基板クーリングのためのクーリング搬送モジュールを有する熱処理部と、を含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域間の基板を搬送する搬送プレートと、前記第１領域及び前記第２領域の中でいずれか１つに提供される基板をクーリングする冷却ユニットと、を含むことができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域間の基板を搬送する搬送プレートと、を含み、前記搬送プレートは内部に基板クーリングのための冷媒が通過する冷却流路を含むことができる。
また、前記ハウジングは前記第１搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第１領域と隣接する第１開口と、前記第２搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第２領域と隣接する第２開口と、を含むことができる。
また、前記液処理部は、前記第１搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第１液を塗布する工程を遂行する第１液処理チャンバーと、前記第２搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第２液を塗布する工程を遂行する第２液処理チャンバーと、を含むことができる。
本発明の他の側面によれば、第１方向に沿って第１搬送区間と第２搬送区間を提供する搬送路と、前記第１搬送区間に配置される第１搬送ロボットと、前記第２搬送区間に配置される第２搬送ロボットと、前記第１搬送区間の両側に配置され、基板に反射防止膜を塗布する第１液処理モジュールと、反射防止膜塗布と関連して基板を熱処理する第１熱処理モジュールを含む第１処理グループと、前記第２搬送区間の両側に配置され、反射防止膜が塗布された基板にフォトレジスト膜を塗布する第２液処理モジュールと、フォトレジスト塗布と関連して基板を熱処理する第２熱処理モジュールを含む第２処理グループと、前記第１搬送区間と前記第２搬送区間が互いに接する境界に隣接するように配置されるように前記第１熱処理モジュールと前記第２熱処理モジュールとの間に提供され、前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板伝達及び基板クーリングのためのクーリング搬送モジュールと、を含む基板処理装置が提供されることができる。
また、前記クーリング搬送モジュールは前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、前記ハウジング内に提供され、前記第１領域で前記第２領域に基板を搬送する搬送プレートと、前記搬送プレート、前記第１領域、そして前記第２領域の中でいずれか１つに提供され、基板をクーリングする冷却ユニットと、を含むことができる。
また、前記第２領域には前記搬送プレートによって搬送された基板が置かれる、そして前記第２搬送ロボットによって搬送される基板が待機する第１プレートが提供されることができる。
本発明の他の側面によれば、第１処理グループで基板に反射防止膜を形成する反射防止膜塗布段階と、第２処理グループで前記基板に形成された反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜塗布段階と、前記フォトレジスト膜塗布段階の前に、前記第１処理グループと前記第２処理グループとの間に提供されるクーリング搬送モジュールで反射防止膜が形成された基板をクーリングするクーリング段階と、を含み、前記クーリング段階は前記第１処理グループで基板を搬送する第１搬送ロボットがクーリングの前に基板を前記クーリング搬送モジュールに搬入し、前記第２処理グループで基板を搬送する第２搬送ロボットがクーリングの後に基板を前記クーリング搬送モジュールから搬出する基板処理方法が提供されることができる。
また、前記クーリング段階で基板は前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域、前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域、前記第１領域で前記第２領域に基板を搬送する搬送プレートの中でいずれか１つでクーリングされることができる。
また、前記第１液は基板上に反射防止膜を形成するための液であり、前記第２液は前記基板上に形成された前記反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するための液であり得る。
本発明によれば、塗布モジュールや現像モジュールで制限された空間内に多数の処理チャンバーを提供することができる。
また、本発明によれば、処理工程を進行する時、基板の搬送ステップを減らすことができる。
また、本発明によれば、搬送空間での気流制御が容易することができる。
また、本発明によれば、クーリング搬送チャンバー内で基板を搬送する過程で基板に対して冷却処理を遂行することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図である。 図１の基板処理装置の正面図である。 塗布ブロックを示す図１の基板処理装置の平面図である。 搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。 熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図である。 図５の熱処理チャンバーの正面図である。 液処理チャンバーの一例を概略的に示す図面である。 クーリング搬送モジュールを説明するための図面である。 クーリング搬送モジュールを説明するための図面である。 基板処理方法を順次的に示すフローチャートである。 容器で露光装置に搬入される前まで基板の搬送経路の一例を概略的に示す図面である。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたことである。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の基板処理装置の正面図である。図３は塗布ブロックを示す図１の基板処理装置の平面図である。
図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール２０（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール３０（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール４０（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。
一実施形態によれば、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０は順次的に一列に配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０が配列された方向を第１方向１２とし、上部から見る時、第１方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１方向１２及び第２方向１４と全て垂直になる方向を第３方向１６とする。
インデックスモジュール２０は基板Ｗが収納された容器１０から基板Ｗを処理モジュール３０に搬送し、処理が完了された基板Ｗを容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準にロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数が提供されることができ、複数のロードポート２２は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器１０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器１０が使用されることができる。容器１０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板Ｗが置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸とした回転、そして第３方向１６を沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３０は基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。
処理モジュール３０は塗布ブロック３０ａ及び現像ブロック３０ｂを有する。塗布ブロック３０ａは基板Ｗに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０ｂは基板Ｗに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０ａは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０ｂは複数が提供され、現像ブロック３０ｂは互いに積層されるように提供される。
図１の実施形態によれば、塗布ブロック３０ａは３つが提供され、現像ブロック３０ｂは３つが提供される。塗布ブロック３０ａは現像ブロック３０ｂの下に配置されることができる。一例によれば、３つの塗布ブロック３０ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。また、３つの現像ブロック３０ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。
図２を参照すれば、塗布ブロック３０ａは熱処理部３２００（ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｐａｒｔ）、搬送部３４００（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐａｒｔ）、そして液処理部３６００（ｌｉｑｕｉｄ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｐａｒｔ）を含む。
搬送部３４００は塗布ブロック３０ａ内で熱処理部３２００と液処理部３６００との間に基板Ｗを搬送する。搬送部３４００は第１移動通路である第１搬送区間３４０２と、第２移動通路である第２搬送区間３４０４を含むことができる。第１、２搬送区間３４０２、３４０４はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供され、互いに連結される。第１、２搬送区間３４０２、３４０４には第１、２搬送ロボット３４２２、３４２４が各々提供される。
一例によれば、第１、２搬送ロボット３４２２、３４２４は基板Ｗが置かれるハンド３４２０を有し、ハンド３４２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸とした回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー３４０２、３４０４内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、搬送ロボット３４２２、３４２４はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
図４は搬送ロボットのハンドの一例を示す図面である。
図４を参照すれば、ハンド３４２０はベース３４２８及び支持突起３４２９を有する。ベース３４２８は円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース３４２８は基板Ｗの直径より大きい内径を有する。支持突起３４２９はベース３４２８からその内側に延長される。支持突起３４２９は複数が提供され、基板Ｗの縁領域を支持する。一実施形態によれば、支持突起３４２９は等間隔に４つが提供されることができる。
図２を参照すれば、第１、２搬送区間３４０２、３４０４は互いに同一な構造で提供されることができる。第１搬送区間３４０２はインデックスモジュール２０にさらに隣接するように位置され、第２搬送区間３４０４はインターフェイスモジュール４０にさらに隣接するように位置される。
熱処理部３２００は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理部３６００は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜及び反射防止膜であり得る。
液処理部３６００は基板に反射防止膜を塗布する液処理チャンバーを有する第１液処理部３６００－１と、反射防止膜が塗布された基板にフォトレジスト膜を塗布する液処理チャンバーを有する第２液処理部３６００－２を含むことができる。第１液処理部３６００－１は第１搬送区間３４０２の一側に配置され、第２液処理部３６００－２は第２搬送区間３４０４の一側に配置される。
熱処理部３２００は反射防止膜塗布と関連して基板を熱処理する熱処理チャンバー３２０２を有する第１熱処理部３２００－１とフォトレジスト塗布と関連して基板を熱処理する熱処理チャンバー３２０４を有する第２熱処理部３２００－２を含むことができる。第１熱処理部３２００－１は第１搬送区間３４０２の他側に配置され、第２熱処理部３２００－２は第２搬送区間３４０４の他側に配置される。第１搬送区間３４０２の側部に配置される熱処理チャンバー３２０２を前段熱処理チャンバーと称し、第２搬送区間３４０４の側部に配置される熱処理チャンバー３２０４を後段熱処理チャンバーと称する。
即ち、基板に反射防止膜を形成するための処理部３６００－１、３２００－１は第１搬送区間３４０２に配置され、基板にフォトレジスト膜を形成するための処理部３６００－２、３２００－２は第２搬送区間３４０４に配置される。
一方、処理モジュール３０は複数のバッファチャンバー３８０２、３８０４を含む。バッファチャンバー３８０２、３８０４の中で一部はインデックスモジュール２０と搬送部３４００との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーは前段バッファ３８０２（ＦＲＯＮＴ ＢＵＦＦＥＲ）と称する。前段バッファ３８０２は複数に提供されて上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー３８０２、３８０４の中で他の一部は搬送部３４００とインターフェイスモジュール４０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを後段バッファ３８０４（ＲＥＡＲ ＢＵＦＦＥＲ）と称する。後段バッファ３８０４は複数に提供されて上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。前段バッファ３８０２及びリアーバフファ３８０４の各々は複数の基板Ｗを一時的に保管する。一方、バッファチャンバーには基板を搬送するためのバッファ搬送ロボット３８１２、３８１４が提供されることができる。
図５は熱処理部の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図であり、図６は図５の熱処理チャンバーの正面図である。
熱処理チャンバー３２０２、３２０４はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０を有する。
ハウジング３２１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３２１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口３２１１が形成される。搬入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に、搬入口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして搬送プレート３２４０はハウジング３２１０内に提供される。ハウジング３２１０の内部は第１領域３２１２と第２領域３２１４を有する。第１領域３２１２と第２領域３２１４は第２方向１４に沿って並べて提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２０は第１領域３２１２に配置され、加熱ユニット３２３０は第２領域３２１４に配置される。
冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から見る時、大体に円形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一実施形態によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
加熱ユニット３２３０は加熱板３２３２、カバー３２３４、そしてヒーター３２３３を有する。加熱板３２３２は上部から見る時、大体に円形状を有する。加熱板３２３２は基板Ｗより大きい直径を有する。加熱板３２３２にはヒーター３２３３が設置される。ヒーター３２３３は電流が印加される発熱抵抗体で提供されることができる。加熱板３２３２には第３方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３２３８が提供される。リフトピン３２３８は加熱ユニット３２３０外部の搬送手段から基板Ｗを引き受けて加熱板３２３２上に置くか、或いは加熱板３２３２から基板Ｗを持ち上げて加熱ユニット３２３０の外部の搬送手段に引き渡す。一実施形態によれば、リフトピン３２３８は３つが提供されることができる。カバー３２３４は内部に下部が開放された空間を有する。カバー３２３４は加熱板３２３２の上部に位置され、駆動器３２３６によって上下方向に移動される。カバー３２３４が加熱板３２３２に接触されれば、カバー３２３４と加熱板３２３２によって囲まれた空間は基板Ｗを加熱する加熱空間として提供される。
搬送プレート３２４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した搬送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される数に提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンド３４２０と搬送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンド３４２０と搬送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンド３４２０と搬送プレート３２４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動器３２４６によってガイドレール３２４９に沿って第１領域３２１２と第２領域３２１４との間に移動されることができる。搬送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数が提供される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０の終端で搬送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２は第１方向１２に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０と加熱ユニット３２３０との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３２４０とリフトピン３２３８が互いに干渉されることを防止する。
図５の実施形態によれば、基板Ｗの加熱は基板Ｗが加熱板３２３２上に直接置かれた状態で行われ、基板Ｗの冷却は基板Ｗが置かれた搬送プレート３２４０が冷却板３２２２に接触された状態で行われる。冷却板３２２２と基板Ｗとの間に熱伝達がよく行われるように搬送プレート３２４０は熱伝達率が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート３２４０は金属材質で提供されることができる。
熱処理チャンバー３２０２、３２０４の中で一部の熱処理チャンバーに提供された加熱ユニット３２３０は基板Ｗ加熱のうちにガスを供給してフォトレジストの基板Ｗの付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ）ガスであり得る。
液処理部３６００は複数の液処理チャンバー３６０２、３６０４を有する。液処理チャンバー３６０２、３６０４は搬送部３４００の長さ方向に沿って複数が配置されることができる。また、液処理チャンバー３６０２、３６０４の中で一部は互いに積層されるように提供されることができる。
図７は液処理チャンバー３６０２、３６０４の一例を概略的に示す図面である。
図７を参照すれば、液処理チャンバー３６０２、３６０４はハウジング３６１０、カップ３６２０、支持ユニット３６４０、そして液供給ユニット３６６０を有する。
ハウジング３６１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３６１０の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口（図示せず）が形成される。搬入口はドア（図示せず）によって開閉されることができる。カップ３６２０、支持ユニット３６４０、そして液供給ユニット３６６０はハウジング３６１０内に提供される。ハウジング３６１０の上壁にはハウジング３２６０内に下降気流を形成するファンフィルターユニット３６７０が提供されることができる。カップ３６２０は上部が開放された処理空間を有する。支持ユニット３６４０は処理空間内に配置され、基板Ｗを支持する。支持ユニット３６４０は液処理途中に基板Ｗが回転可能するように提供される。液供給ユニット３６６０は支持ユニット３６４０に支持された基板Ｗに液を供給する。
再び図２を参照すれば、液処理チャンバー３６０２、３６０４の中で一部は第１搬送区間３４０２の側部に配置されることができる。以下、これらの液処理チャンバーを前段液処理チャンバー３６０２（ｆｒｏｎｔ ｌｉｑｕｉｄ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。液処理チャンバー３６０２、３６０４の中で他の一部は第２搬送区間３４０４の側部に配置されることができる。以下、これらの液処理チャンバーを後段液処理チャンバー３６０４（ｒｅａｒ ｈｅａｔ ｔｒｅａｔｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ）と称する。前段液処理チャンバー３６０２は第１搬送区間３４０２の長さ方向を基準に一側に提供されることができる。後段液処理チャンバー３６０４は第２搬送区間３４０４の長さ方向を基準に一側に提供されることができる。
前段液処理チャンバー３６０２は基板Ｗ上に第１液を塗布し、後段液処理チャンバー３６０４は基板Ｗ上に第２液を塗布する。第１液と第２液は互いに異なる種類の液であり得る。一実施形態によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。
インターフェイスモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェイスモジュール４０はインターフェイスフレーム４１００、付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００を有する。
インターフェイスフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００はインターフェイスフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバー４２００は塗布ブロック３０ａから工程が完了された基板Ｗが露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００は露光装置５０から工程が完了された基板Ｗが現像ブロック３０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程である。付加工程チャンバー４２００は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー４２００は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
インターフェイスバッファ４４００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂとの間に搬送される基板Ｗが搬送される途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ４４００は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ４４００は互いに積層されるように提供されることができる。
搬送部材４６００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂの間に基板Ｗを搬送する。搬送部材４６００は１つ又は複数のロボットが提供されることができる。一例によれば、搬送部材４６００は第１ロボット４６０２そしてインターフェイスロボット４６０６を含むことができる。
第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、そしてインターフェイスバッファ４４００の間に基板Ｗを搬送し、インターフェイスロボット４６０６はインターフェイスバッファ４４００と露光装置５０との間に基板Ｗを搬送するように提供されることができる。
インデックスロボット２２００、第１ロボット４６０２、インターフェイスロボット４６０６のハンドは全て搬送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０と同一な形状に提供されることができる。選択的に、熱処理チャンバーの搬送プレート３２４０と直接基板Ｗを受け渡すロボットのハンドは搬送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０と同一な形状に提供され、残りのロボットのハンドはこれと異なる形状に提供されることができる。
再び図２を参照すれば、クーリング搬送モジュール３９００は第１搬送ロボット３４２２と第２搬送ロボット３４２４との間の基板搬送及び基板クーリングのために提供される。クーリング搬送モジュール３９００は第１搬送ロボット３４２２の第１移動通路と第２搬送ロボット３４２４の第２移動通路が互いに接する境界に隣接する熱処理部３２００に配置される。クーリング搬送モジュール３９００は熱処理チャンバーのように多段に積層配置されることができる。
図８及び図９はクーリング搬送モジュールを説明するための図面である。
図２及び図８、そして図９を参照すれば、クーリング搬送モジュール３９００はハウジング３９１０、第１プレート３９２０、第２プレート３９３０、そして搬送プレート３９４０を含む。
ハウジング３９１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング３９１０の一側壁には基板Ｗが出入される第１、２開口３９１１、３９１２が形成される。第１、２開口３９１１、３９１２は開放された状態に維持されることができる。選択的に、開口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。第１開口３９１１は第１搬送ロボットによって基板が出入され、第２開口３９１２は第２搬送ロボットによって基板が出入される。
第１プレート３９２０、第２プレート３９３０、そして搬送プレート３９４０はハウジング３９１０内に提供される。ハウジング３９１０の内部は第１領域３９１４と第２領域３９１６を有する。第１領域３９１４と第２領域３９１６は搬送部の長さ方向である第１方向１２に沿って並べて提供される。一例によれば、第１プレート３９２０は第１領域３９１４に配置され、第２プレート３９３０は第２領域３２１４に配置される。第１領域３９１４は第１搬送ロボットが接近可能な第１基板搬送領域内に提供され、第２領域３９１６は第２搬送ロボットが接近可能な第２基板搬送領域内に提供される。
第１プレート３９２０は冷却板３９２２を有する。冷却板３９２２は上部から見る時、大体に円形状を有することができる。冷却板３９２２には冷却部材３９２４が提供される。一例によれば、冷却部材３９２４は冷却板３９２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
第２プレート３９３０は上部から見る時、大体に円形状を有する。第２プレート３９３０には第３方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３９３８が提供される。リフトピン３９３８は搬送プレート３９４０から基板Ｗを引き受けて第２プレート３９３２上に置くか、第２プレート３９３０の上面から基板を持ち上げて第２搬送ロボット引き渡す。一例として、第２プレート３９３０は上面に安着された基板を冷却するための冷却板３９３２を有することができる。冷却板３９３２の内部には冷却流体が流れる流路が提供される冷却部材３９３４が提供されることができる。
搬送プレート３９４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３９４０の縁にはノッチ３９４４が形成される。ノッチ３９４４は上述した第１、２搬送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される数に提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンド３４２０と搬送プレート３９４０が上下方向に整列された位置でハンド３４２０と搬送プレート３９４０の上下位置が変更すれば、ハンド３４２０と搬送プレート３９４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３９４０はガイドレール３９４９上に装着され、駆動器３９４６によってガイドレール３９４９に沿って第１領域３２１１と第２領域３２１２との間に移動されることができる。搬送プレート３９４０にはスリット形状のガイド溝３９４２が複数に提供される。ガイド溝３９４２は搬送プレート３９４０の終端で搬送プレート３９４０の内部まで延長される。ガイド溝３９４２はその長さ方向が第１方向１２に沿って提供され、ガイド溝３９４２は第２方向１４に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３９４２は搬送プレート３９４０と第２プレート３９３０との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３９４０とリフトピン３９３８が互いに干渉されることを防止する。
図８、図９の実施形態によれば、基板Ｗの冷却は基板Ｗが置かれる搬送プレート３９４０が第１プレート３９２０の冷却板３９２２に接触された状態で行われる。冷却板３９２２と基板Ｗとの間に熱伝達がよく行われるように搬送プレート３９４０は熱伝達率が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート３９４０は金属材質で提供されることができる。
その他の例として、基板の冷却は基板が第２プレート３９３０に置かれる状態で行われることができる。
その他の例として、基板の冷却は搬送プレート３９４０によって第１領域３９１４で第２領域３９１６に基板を搬送する間に行われることができる。このために、搬送プレート３９４０は内部に冷却流体が流れる流路が提供される冷却部材（図示せず）が提供されることができる。
本発明のクーリング搬送モジュール３９００は第１プレート３９２０、第２プレート３９３０、そして搬送プレート３９４０の中で少なくとも１つに冷却手段が提供されて基板を冷却させることができる。
上述した、本発明は処理モジュールに２台の搬送装置を配置し、２台の搬送装置が基板を引渡引受できるようにその間にクーリング搬送モジュールを配置することによって、搬送ロボットの接近性、メンテナンス、気流制御の難しいさを改善することができる。
次には、図１０及び図１１を参照して、図１の基板処理装置を利用して基板を処理する方法の一実施形態に対して説明する。
図１０は基板処理方法を順次的に示すフローチャートであり、図１１は容器で露光装置に搬入される前まで基板の搬送経路の一例を概略的に示す図面である。下では露光工程及び現像処理工程に対する説明は省略する。
図１０及び図１１を参照すれば、基板Ｗに対して塗布処理工程（Ｓ２０）は第１液処理部３６００－１の前段液処理チャンバー３６０２で反射防止膜塗布工程（Ｓ２２）、第１熱処理部（３２００－１）の前段熱処理チャンバー３２０２で熱処理工程（Ｓ２３）、クーリング搬送チャンバー３９００でクーリング工程（Ｓ２４）、第２液処理部３６００－２の後段液処理チャンバー３６０４でフォトレジスト膜塗布工程（Ｓ２５）、第２熱処理部３２００－２の後段熱処理チャンバー３２０４で熱処理工程（Ｓ２６）が順次的に遂行される。
以下、図１１を参照して塗布ブロックでの基板Ｗの搬送経路の一例を説明する。、
第１搬送ロボット３４２２は前段バッファ３８０２で基板を取り出して前段液処理チャンバー３６０２に搬送する。反射防止膜塗布が完了されれば、第１搬送ロボット３４２２は前段液処理チャンバー３６０２から基板を搬出して前段熱処理チャンバー３２０２に搬送する。熱処理が完了されれば、第１搬送ロボット３４２２は前段熱処理チャンバー３２０２から基板を搬出してクーリング搬送チャンバー３９００の第１開口３９１１を通じて搬送プレート３９４０に基板を搬送する。基板はクーリング搬送チャンバー３９００でクーリング及び搬送が行われる。クーリングが完了された基板は第２プレート３９３０で待機するようになる。第２搬送ロボット３４２４は第２開口３９１２を通じて基板を搬出して後段液処理チャンバー３６０４に搬送する。フォトレジスト膜塗布が完了されれば、第２搬送ロボット３４２４は後段液処理チャンバー３６０４から基板を搬出して後段熱処理チャンバー３２０４に搬送する。熱処理が完了されれば、第２搬送ロボット３４２４は後段熱処理チャンバー３２０４から基板を搬出して後段バッファ３８０４に基板を搬送する。後段バッファ３８０４で基板は冷却処理されることができる。その他の例として、熱処理が完了されれば、第２搬送ロボット３４２４は後段熱処理チャンバー３２０４から基板を搬出してクーリング搬送チャンバー３９００の第２開口３９１２を通じて第２プレート３９３０に基板を搬送して基板クーリングを実施した後、後段バッファ３８０４に基板を搬送することができる。
参考として、反射防止膜塗布の前とフォトレジスト膜塗布の前に基板熱処理工程が追加されることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
２０ インデックスモジュール
３０ 処理モジュール
３０ａ 塗布ブロック
３０ｂ 現像ブロック
４０ インターフェイスモジュール
５０ 露光装置
３２００ 熱処理チャンバー
３２０２ 前段熱処理チャンバー
３２０４ 後段熱処理チャンバー
３２０６ 中間熱処理チャンバー
３４００ 搬送部

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    搬送路と、
    前記搬送路の長さ方向に沿って配置される第１搬送ロボットと第２搬送ロボットと、
    前記搬送路の一側面に配置され、基板に液を供給して基板上に液を塗布する液処理部と、
    前記第１工程処理部と対向されるように前記搬送路の他側面に配置され、基板を熱処理する熱処理部と、を含み、
    前記熱処理部は、
    前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板搬送及び基板クーリングのために提供されるクーリング搬送モジュールを含む基板処理装置。
  2. 前記クーリング搬送モジュールは、
    前記第１搬送ロボットの第１移動通路と前記第１搬送ロボットの第２移動通路が互いに接する境界に配置される請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記クーリング搬送モジュールは、
    前記搬送路の長さ方向に沿って提供される第１領域と第２領域を有するハウジングと、
    前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域との間の基板を搬送する搬送プレートと、を含む請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１領域は、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１基板搬送領域内に提供され、
    前記第２領域は、前記第２搬送ロボットが接近可能な第２基板搬送領域内に提供される請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記ハウジングは、
    前記第１搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第１領域と隣接する第１開口と、
    前記第２搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第２領域と隣接する第２開口と、を含む請求項３に記載の基板処理装置。
  6. 前記クーリング搬送モジュールは、
    基板をクーリングする冷却ユニットを含み、
    前記冷却ユニットは、
    前記第１領域及び前記第２領域の中で少なくとも１つに提供される請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 前記搬送プレートは、
    内部に基板クーリングのための冷媒が通過する冷却流路を含む請求項３に記載の基板処理装置。
  8. 前記液処理部は、
    前記第１搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第１液を塗布する工程を遂行する第１液処理チャンバーと、
    前記第２搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第２液を塗布する工程を遂行する第２液処理チャンバーと、を含む請求項３に記載の基板処理装置。
  9. 前記第１液は、基板上に反射防止膜を形成するための液であり、
    前記第２液は、前記基板上に形成された前記反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するための液である請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 基板を処理する装置において、
    第１方向に沿って順次的に配置されるインデックスモジュールと処理モジュールを含み、
    前記インデックスモジュールは、
    基板が収容される容器が置かれるロードポートと、
    前記ロードポートに置かれる容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するインデックスロボットが提供されたインデックスフレームと、を含み、
    前記処理モジュールは、
    搬送路と、
    前記搬送路の長さ方向に沿って配置される第１搬送ロボットと第２搬送ロボットと、
    前記搬送路の一側面に配置され、基板に液を供給して基板上に液を塗布する液処理部と、
    前記第１工程処理部と対向されるように前記搬送路の他側面に配置され、基板を熱処理する熱処理モジュール及び前記第１搬送ロボットの第１移動通路と前記第１搬送ロボットの第２移動通路が互いに接する境界に配置され、前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板搬送及び基板クーリングのためのクーリング搬送モジュールを有する熱処理部と、を含む基板処理装置。
  11. 前記クーリング搬送モジュールは、
    前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、
    前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域との間の基板を搬送する搬送プレートと、
    前記第１領域及び前記第２領域の中でいずれか１つに提供される基板をクーリングする冷却ユニットと、を含む請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記クーリング搬送モジュールは、
    前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、
    前記ハウジング内に提供され、前記第１領域と前記第２領域との間の基板を搬送する搬送プレートと、を含み、
    前記搬送プレートは、
    内部に基板クーリングのための冷媒が通過する冷却流路と、を含む請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記ハウジングは、
    前記第１搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第１領域と隣接する第１開口と、
    前記第２搬送ロボットによって基板が出入する、そして前記第２領域と隣接する第２開口と、を含む請求項１１に記載の基板処理装置。
  14. 前記液処理部は、
    前記第１搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第１液を塗布する工程を遂行する第１液処理チャンバーと、
    前記第２搬送ロボットが接近可能な移動通路上に配置され、基板に対して第２液を塗布する工程を遂行する第２液処理チャンバーと、を含む請求項１１に記載の基板処理装置。
  15. 基板を処理する装置において、
    第１方向に沿って第１搬送区間と第２搬送区間を提供する搬送路と、
    前記第１搬送区間に配置される第１搬送ロボットと、
    前記第２搬送区間に配置される第２搬送ロボットと、
    前記第１搬送区間の両側に配置され、基板に反射防止膜を塗布する第１液処理モジュールと、反射防止膜塗布と関連して基板を熱処理する第１熱処理モジュールを含む第１処理グループと、
    前記第２搬送区間の両側に配置され、反射防止膜が塗布された基板にフォトレジスト膜を塗布する第２液処理モジュールと、フォトレジスト塗布と関連して基板を熱処理する第２熱処理モジュールを含む第２処理グループと、
    前記第１搬送区間と前記第２搬送区間が互いに接する境界に隣接するように配置されるように前記第１熱処理モジュールと前記第２熱処理モジュールとの間に提供され、前記第１搬送ロボットと前記第２搬送ロボットとの間の基板伝達及び基板クーリングのためのクーリング搬送モジュールを含む基板処理装置。
  16. 前記クーリング搬送モジュールは、
    前記搬送路の長さ方向に沿って提供され、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域及び前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域を有するハウジングと、
    前記ハウジング内に提供され、前記第１領域で前記第２領域に基板を搬送する搬送プレートと、
    前記搬送プレート、前記第１領域、そして前記第２領域の中でいずれか１つに提供され、基板をクーリングする冷却ユニットと、を含む請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第２領域には
    前記搬送プレートによって搬送された基板が置かれる、そして前記第２搬送ロボットによって搬送される基板が待機する第１プレートが提供される請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 基板を処理する方法において、
    第１処理グループで基板に反射防止膜を形成する反射防止膜塗布段階と、
    第２処理グループで前記基板に形成された反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜塗布段階と、
    前記フォトレジスト膜塗布段階の前に、前記第１処理グループと前記第２処理グループとの間に提供されるクーリング搬送モジュールで反射防止膜が形成された基板をクーリングするクーリング段階と、を含み、
    前記クーリング段階は、
    前記第１処理グループで基板を搬送する第１搬送ロボットがクーリングする前に、基板を前記クーリング搬送モジュールに搬入し、前記第２処理グループで基板を搬送する第２搬送ロボットがクーリングした後に基板を前記クーリング搬送モジュールから搬出する基板処理方法。
  19. 前記クーリング段階で、
    基板は、前記第１搬送ロボットが接近可能な第１領域、前記第２搬送ロボットが接近可能な第２領域、前記第１領域から前記第２領域に基板を搬送する搬送プレートの中でいずれか１つでクーリングされる請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記第１液は、基板上に反射防止膜を形成するための液であり、
    前記第２液は前記基板上に形成された前記反射防止膜上にフォトレジスト膜を形成するための液である請求項１８に記載の基板処理方法。
JP2021173277A 2020-10-28 2021-10-22 基板処理装置及び基板処理方法 Active JP7354206B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0141446 2020-10-28
KR1020200141446A KR102583261B1 (ko) 2020-10-28 2020-10-28 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022071846A true JP2022071846A (ja) 2022-05-16
JP7354206B2 JP7354206B2 (ja) 2023-10-02

Family

ID=81256761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021173277A Active JP7354206B2 (ja) 2020-10-28 2021-10-22 基板処理装置及び基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220130710A1 (ja)
JP (1) JP7354206B2 (ja)
KR (1) KR102583261B1 (ja)
CN (1) CN114496840A (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07231027A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Sony Corp 半導体装置の金属プラグ形成装置
JPH10256344A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板冷却方法および基板処理装置および基板搬送装置
JP2003007795A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2003203960A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101058A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009010291A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009071008A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
US20160035601A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Semes Co., Ltd. Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
CN108107680A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 堆叠式涂胶显影系统

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5008268B2 (ja) * 2004-12-06 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5449720B2 (ja) 2008-08-26 2014-03-19 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR102098031B1 (ko) * 2017-05-10 2020-04-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 히터 유닛의 제조 방법
KR102000013B1 (ko) * 2017-11-10 2019-07-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07231027A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Sony Corp 半導体装置の金属プラグ形成装置
JPH10256344A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板冷却方法および基板処理装置および基板搬送装置
JP2003007795A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP2003203960A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2005101058A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2009010291A (ja) * 2007-06-29 2009-01-15 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP2009071008A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
US20160035601A1 (en) * 2014-07-31 2016-02-04 Semes Co., Ltd. Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
CN108107680A (zh) * 2016-11-25 2018-06-01 沈阳芯源微电子设备有限公司 堆叠式涂胶显影系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP7354206B2 (ja) 2023-10-02
KR102583261B1 (ko) 2023-09-27
KR20220056663A (ko) 2022-05-06
CN114496840A (zh) 2022-05-13
US20220130710A1 (en) 2022-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7168699B2 (ja) 基板処理装置
JP6792368B2 (ja) 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法
KR20020032339A (ko) 기판 처리장치
JP2000323370A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2021007147A (ja) 支持ユニット、これを含む基板処理装置
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3983481B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法
KR20170052333A (ko) 냉각 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
KR20210009891A (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022071846A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102282145B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102168380B1 (ko) 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102010265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102037900B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7236411B2 (ja) 搬送ユニット及びこれを有する基板処理装置
KR102319198B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102255278B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102139614B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220093563A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20170071809A (ko) 기판 처리 설비, 기판 처리 설비의 분리 방법
KR20220097026A (ko) 기판 처리 장치
KR20220094021A (ko) 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20230140670A (ko) 냉각 유닛 및 기판 처리 장치
KR20220021290A (ko) 기판 처리 장치
KR20230064401A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230605

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230912

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230920

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7354206

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150