KR20230140670A - 냉각 유닛 및 기판 처리 장치 - Google Patents

냉각 유닛 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230140670A
KR20230140670A KR1020220039166A KR20220039166A KR20230140670A KR 20230140670 A KR20230140670 A KR 20230140670A KR 1020220039166 A KR1020220039166 A KR 1020220039166A KR 20220039166 A KR20220039166 A KR 20220039166A KR 20230140670 A KR20230140670 A KR 20230140670A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow path
passage
substrate
cooling
support plate
Prior art date
Application number
KR1020220039166A
Other languages
English (en)
Inventor
엄성훈
윤태원
유지형
정현양
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220039166A priority Critical patent/KR20230140670A/ko
Publication of KR20230140670A publication Critical patent/KR20230140670A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 냉각 유닛은, 기판을 지지 하는 지지 플레이트;와 상기 지지 플레이트의 내부에 구비되고, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 포함하고, 상기 냉각 유로는, 제1방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제1유로;와 상기 제1방향과 반대인 제2방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제2유로를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 기판에 대한 냉각 처리를 균일하게 수행할 수 있는 효과가 있다.

Description

냉각 유닛 및 기판 처리 장치{Cooling unit and apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 냉각 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다.
패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 포토레지스트막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거공정 및 에지 노광 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다.
이러한 기판 처리 단계들은 하나의 처리 단계가 진행된 후 다음 단계의 진행을 위해 기판을 임시 보관하는 과정을 거친다. 기판을 임시 보관하는 과정 중에는, 일반적으로 처리가 완료된 기판이 고온의 상태를 유지하므로, 이를 냉각시키기 위한 기판을 냉각시키는 공정이 수행된다. 따라서, 일반적으로 기판에 대해 사진 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 기판을 임시 보관하는 과정 중에 기판을 냉각시키는 지지 플레이트를 포함한다.
도 1은 일반적인 지지 플레이트를 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 일반적으로 지지 플레이트(1000)는 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(1100)가 형성된다. 그리고, 냉각 유로(1100)의 일단은 냉각 유체를 공급하는 공급 라인(1210)과 연결된다. 그리고 공급 라인(1210)은 냉매 공급원(1200)과 연결된다. 냉각 유로(1100)의 타단은 배출 라인(1220)과 연결된다. 냉매 공급원(1200)은 냉각 유로(1100)로 냉각 유체를 공급한다. 냉각 유체(5100)로 공급된 냉각 유체는 냉각 유로(1100)에 흐르고, 배출 라인(1220)을 통해 외부로 배출된다.
냉각 유체가 가지는 냉열은 냉각 유로(1100)를 따라 흐르면서 지지 플레이트(1000)의 온도를 낮춘다. 그리고, 지지 플레이트(1000)는 지지 플레이트(1000)에 놓이는 기판과 열 교환한다. 그러나, 냉각 유로(1100)에 흐르는 냉각 유체의 온도는 냉각 유로(1100)의 영역 별로 상이하다. 예를 들어, 공급 라인(1210)과 연결된 냉각 유로(1100)의 일단과 배출 라인(1220)과 연결된 냉각 유로(1100)의 타단은 온도가 상이하다. 이에 기판에 대한 냉각 처리가 균일하게 수행되지 않는다.
본 발명은 기판에 대한 냉각 처리를 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 기판에 대한 냉각 처리를 균일하게 수행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 유닛은 기판을 지지 하는 지지 플레이트와 상기 지지 플레이트의 내부에 구비되고, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 포함하고, 상기 냉각 유로는, 제1방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제1유로와 상기 제1방향과 반대인 제2방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제2유로를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1유로와 상기 제2유로는, 서로 인접하게 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1유로와 상기 제2유로는 각각, 나선형으로 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1방향은, 상기 지지 플레이트의 중심 영역에서 가장자리 영역을 향해 흐르는 방향이고, 상기 제2방향은, 상기 지지 플레이트의 가장자리 영역에서 중심 영역을 향해 흐르는 방향으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1유로와 상기 제2유로는, 동일 평면에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트 내에서 서로 인접하는 상기 제1유로 및 상기 제2유로 사이에 위치하는 열 전달 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 열 전달 부재는, 상기 지지 플레이트보다 열전도성이 높은 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트 내에 형성되며, 상기 제1유로와 상기 제2유로 간에 유체가 이동 가능하도록 연결 유로를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 연결 유로의 통로 면적은, 상기 제1유로의 통로 면적 및 상기 제2유로의 통로 면적보다 작게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 기판이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트가 제공되는 인덱스 모듈과 상기 인덱스 모듈로부터 반송되는 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 처리하는 공정 챔버와 기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 챔버를 포함하고, 상기 버퍼 챔버는, 내부에 공간을 가지는 하우징과 상기 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되, 상기 냉각 유닛은, 상하 방향으로 적층되게 배치되며, 기판을 지지하는 복수의 지지 플레이트와 인접하는 상기 지지 플레이트가 서로 상하 방향으로 이격 되도록 상기 지지 플레이트들 사이에 위치되는 복수의 연결 블록 그리고, 상기 복수의 지지 플레이트에 각각 구비되고, 기판을 냉각하는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 포함하고, 상기 냉각 유로는, 제1방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제1유로와 상기 제1방향과 반대인 제2방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제2유로를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1유로와 상기 제2유로는, 동일 평면에 제공되되, 서로 인접하게 배치될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1유로와 상기 제2유로는, 각각 나선형으로 배치되되, 상기 제1방향은, 상기 지지 플레이트의 중심 영역에서 가장자리 영역을 향해 흐르는 방향이고, 상기 제2방향은, 상기 지지 플레이트의 가장자리 영역에서 중심 영역을 향해 흐르는 방향으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트 내에서 서로 인접하는 상기 제1유로 및 상기 제2유로 사이에 위치하는 열 전달 부재를 더 포함하고, 상기 열 전달 부재는, 상기 지지 플레이트보다 열전도성이 높은 소재로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 플레이트 내에 형성되며, 상기 제1유로와 상기 제2유로 간에 유체가 이동 가능하도록 연결 유로를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 연결 유로의 통로 면적은, 상기 제1유로의 통로 면적 및 상기 제2유로의 통로 면적보다 작게 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 기판에 대한 냉각 처리를 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 기판에 대한 냉각 처리를 균일하게 수행할 수 있다.
또한, 기판 냉각 처리 시 냉각 유로 간의 온도 격차를 줄일 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 지지 플레이트를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 유닛의 핸드를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 버퍼 모듈의 일부를 나타낸 계략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 버퍼 유닛의 사시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 버퍼 유닛에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 버퍼 유닛에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 버퍼 유닛에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 판에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반송 플레이트에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는데 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하에서는, 도 2 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 실시 예에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다. 도 3은 도 2의 도포 블록 또는 현상 블록을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다. 도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2 내지 도 4을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 인덱스 모듈(100, index module), 처리 모듈(300, processing module), 버퍼 모듈(400, buffer module) 그리고 인터페이스 모듈(500, interface module)을 포함한다. 이하에서 인덱스 모듈(100), 처리 모듈(300), 버퍼 모듈(400a, 400b) 그리고 인터페이스 모듈(500)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)으로 정의한다.
인덱스 모듈(100)은 기판(W)이 수납된 용기(F)로부터 기판(W)을 처리 모듈(300)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(F)로 수납한다. 인덱스 모듈(100)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(110)와 인덱스 프레임(130)을 가진다. 인덱스 프레임(130)을 기준으로 로드 포트(110)는 처리 모듈(300)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(F)는 로드 포트(110)에 놓인다. 로드 포트(110)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드 포트(110)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(F)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(F)가 사용될 수 있다. 용기(F)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(110)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(130)의 내부에는 인덱스 로봇(132)이 제공된다. 인덱스 프레임(130) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(136)이 제공되고, 인덱스 로봇(132)은 가이드 레일(136) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(132)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(300)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 용기(F)에 수납된 기판(W)을 전달받아 기판 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리 모듈(300)은 도포 블록(300a) 및 현상 블록(300b)을 가진다. 도포 블록(300a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블록(300b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블록(300a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블록(300b)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시 예에 의하면, 도포 블록(300a)과 현상 블록(300b)은 각각 2개씩 제공된다. 도포 블록(300a)들은 현상 블록(300b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블록(300a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블록(300b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 4를 참조하면, 도포 블록(300a)은 열 처리 챔버(320), 반송 챔버(350), 액 처리 챔버(360), 열 처리 챔버(320)는 기판(W)에 대해 열 처리 공정을 수행한다. 열 처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(360)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액 막을 형성한다. 액 막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(350)는 도포 블록(300a) 내에서 열 처리 챔버(320)와 액 처리 챔버(360) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(350)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(350)에는 반송 로봇(352)이 제공된다. 반송 로봇(352)은 열 처리 챔버(320), 액 처리 챔버(360), 그리고 버퍼 모듈(400) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(352)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 가지며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(350) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(356)이 제공되고, 반송 로봇(352)은 가이드 레일(356) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 5는 도 4의 반송 로봇(352)의 핸드(354)의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(354)는 베이스(354a) 및 지지돌기(354b)를 가진다. 베이스(354a)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(354a)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지돌기(354b)는 베이스(354a)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지돌기(354b)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지돌기(354b)는 등간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열 처리 챔버(320)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버(320)들은 제1 방향(12)을 따라 배치된다. 열처리 챔버(320)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 위치된다.
도 6은 도 4의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 6과 도 7을 참조하면, 열 처리 챔버(320)는 하우징(321), 냉각 유닛(322), 가열 유닛(323), 그리고 반송 플레이트(324)를 가진다.
하우징(321)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(321)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(322), 가열 유닛(323), 그리고 반송 플레이트(324)는 하우징(321) 내에 제공된다. 냉각 유닛(322) 및 가열 유닛(323)은 제2 방향(14)을 따라 배열된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(322)은 가열 유닛(323)에 비해 반송 챔버(350)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(322)은 냉각 판(322a)을 가진다. 냉각 판(322a)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각 판(322a)에는 냉각 부재(322b)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 부재(322b)는 냉각 판(322a)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(323)은 가열 판(323a), 커버(323c), 그리고 히터(323b)를 가진다. 가열 판(323a)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열 판(323a)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열 판(323a)에는 히터(323b)가 설치된다. 히터(323b)는 전류가 인가되는 발열 저항체로 제공될 수 있다. 가열 판(323a)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(323e)들이 제공된다. 리프트 핀(323e)은 가열 유닛(323) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열 판(323a) 상에 내려놓거나 가열 판(323a)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(323) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(323e)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(323c)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다.
커버(323c)는 가열 판(323a)의 상부에 위치되며 구동기(3236d)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(323c)가 이동되어 커버(323c)와 가열 판(323a)이 형성하는 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(324)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(324)의 가장자리에는 노치(324b)가 형성된다. 노치(324b)는 상술한 반송 로봇(352)의 핸드(354)에 형성된 돌기(3543)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(324b)는 핸드(354)에 형성된 돌기(3543)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3543)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(354)와 반송 플레이트(324)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(354)와 반송 플레이트(324)의 상하 위치가 변경하면 핸드(354)와 반송 플레이트(324) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(324)는 가이드 레일(324d) 상에 장착되고, 구동기(324c)에 의해 가이드 레일(324d)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(324)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(324a)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(324a)은 반송 플레이트(324)의 끝 단에서 반송 플레이트(324)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(324a)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(324a)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(324a)은 반송 플레이트(324)와 가열 유닛(323) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(324)와 리프트 핀(323e)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(324)가 냉각 판(322a)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각 판(322a)과 기판(W) 간에 열 전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(324)는 열 전도성이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(324)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
열 처리 챔버(320)들 중 일부의 열처리 챔버(320)에 제공된 가열 유닛(323)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 기판 상에 포토 레지스트의 부착율을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(HMDS, hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액 처리 챔버(360)는 복수 개로 제공된다. 액 처리 챔버(360)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버(360)들은 반송 챔버(350)의 일 측에 배치된다. 액 처리 챔버(360)들은 제1 방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버(360)들 중 어느 일부는 인덱스 모듈(100)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 인덱스 모듈(100)에 인접하게 위치한 액 처리 챔버(360)를 전단 액 처리 챔버(362)(front liquid processing chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버(360)들 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(500)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 인터페이스 모듈(500)에 인접하게 위치한 액 처리 챔버(360)를 후단 액처리 챔버(364)(rear heat processing chamber)라 칭한다.
전단 액 처리 챔버(362)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액 처리 챔버(364)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사 방지막일 수 있다. 이 경우, 반사 방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
현상 블록(300b)은 도포 블록(300a)과 동일한 구조를 가지며, 현상 블록(300b)에 제공된 액 처리 챔버는 기판 상에 현상액을 공급한다.
인터페이스 모듈(500)은 버퍼 모듈(400b)을 외부의 노광 모듈(700)과 연결한다. 인터페이스 모듈(500)은 인터페이스 프레임(510), 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)을 가진다.
인터페이스 프레임(510)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520), 인터페이스 버퍼(530), 그리고 인터페이스 로봇(550)은 인터페이스 프레임(510)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(520)는 도포 블록(300a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 모듈(700)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)는 노광 모듈(700)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블록(300b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(520)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(520)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(530)는 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 모듈(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(530)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼(530)들은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(350)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(520)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(530)가 배치될 수 있다.
인터페이스 로봇(550)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 노광 모듈(700), 그리고 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송한다. 인터페이스 로봇(550)은 기판(W)을 반송하는 반송 핸드를 가질 수 있다. 인터페이스 로봇(550)은 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 인터페이스 로봇(550)은 제1로봇(552) 및 제2로봇(554)을 가진다. 제1로봇(552)은 도포 블록(300a), 부가 공정 챔버(520), 그리고 인터페이스 버퍼(530) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(554)은 인터페이스 버퍼(530)와 노광 모듈(700) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(554)은 인터페이스 버퍼(530)와 현상 블록(300b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(552) 및 제2로봇(554)은 각각 기판(W)이 놓이는 반송 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(132), 제1로봇(552), 그리고 제2로봇(554)의 핸드는 모두 반송 로봇(352)의 핸드(354)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(324)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(352)의 핸드(354)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(132)은 도포 블록(300a)에 제공된 전단 열처리 챔버(320)의 가열 유닛(323)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블록(300a) 및 현상 블록(300b)에 제공된 반송 로봇(352)은 열처리 챔버(320)에 위치된 반송 플레이트(324)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
버퍼 모듈(400a, 400b)은 복수 개로 제공된다. 버퍼 모듈(400a, 400b)들 중 일부는 인덱스 모듈(100)과 처리 모듈(300) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 모듈(400a, 400b)을 전단 버퍼(400a, front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼(400a)들은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 모듈(400a, 400b) 중 다른 일부는 처리 모듈(300)과 인터페이스 모듈(500) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 모듈(400a, 400b)을 후단 버퍼(400b, rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼(400b)들은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼(400a)들 및 후단 버퍼(400b)들 각각은 복수의 기판(W)들을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(400a)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(132) 및 반송 로봇(352)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(352) 및 제1로봇(552)에 의해 반입 또는 반출된다.
이하 버퍼 모듈(400a, 400b)은 전단 버퍼(400a)를 기준으로 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 버퍼 모듈의 일부를 나타낸 계락도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 버퍼 유닛의 사시도이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 버퍼 유닛에 포함되는 냉각 유로를 보여주는 도면이다.
이하, 도 8 내지 도 10을 참조하면, 버퍼 모듈(400a)은 프레임(401), 버퍼 유닛(410) 그리고 버퍼 로봇(430)을 포함한다.
프레임(401)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공될 수 있다. 프레임(401)은 인덱스 모듈(100)과 액 처리 챔버(360) 사이에 배치된다. 프레임(401)은 내부에 버퍼 유닛(410) 및 버퍼 로봇(430)이 제공된다.
버퍼 유닛(410)은 기판(W)을 처리하는 공정 중에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 버퍼 유닛(410)은 기판(W)을 냉각하는 구조로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(410)은 하우징(412), 지지 플레이트(414), 연결 블록(416)을 포함한다.
하우징(412)은 내부에 빈공간을 가진다. 하우징(412)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징(412)은 버퍼 모듈(400a)의 프레임(401) 내부에 위치한다. 하우징(412)은 인덱스 모듈(100)과 처리 모듈(300)의 사이에 위치한다. 하우징(412)은 측부가 개방된다. 일 예로 하우징(412)은 측면의 두 면이 개방된다. 하우징(412)의 개방된 공간은 기판(W)이 출입하는 통로로 제공된다. 하우징(412)의 내부에는 받침대(413)가 제공된다.
받침대(413)는 직사각형의 플레이트로 제공될 수 있다. 받침대(413)는 복수개가 제공될 수 있다. 각각의 받침대(413)는 상하로 평행하게 위치한다. 각각의 받침대(413)의 상부에는 복수의 지지 플레이트(414)가 적층 되어 위치할 수 있다. 일 예로 받침대(413)는 3개가 제공될 수 있다.
지지 플레이트(414)에는 기판(W)이 놓인다. 지지 플레이트(414)는 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(414)는 기판(W)과 상응하는 크기로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 버퍼 유닛(410)이 하우징(412) 내부에 3개의 공간으로 분리되어 지지 플레이트(414)가 제공된 예로 설명하였으나, 이와는 다른 개수로 제공될 수 있다.
지지 플레이트(414)는 복수개로 제공된다. 각각의 지지 플레이트(414)는 상하 방향으로 적층 되도록 배치된다. 지지 플레이트(414)는 알루미늄 소재로 제공될 수 있다. 지지 플레이트(414)들 사이에는 연결 블록(416)이 위치된다. 지지 플레이트(414)들은 연결 블록(416)에 의해 서로 이격 되어 위치한다. 각각의 지지 플레이트(414)는 연결 블록(416)에 고정 결합된다. 각각의 지지 플레이트(414)는 서로 동일한 크기로 제공될 수 있다. 각각의 지지 플레이트(414)는 서로 동일한 높이로 이격 되어 제공될 수 있다. 지지 플레이트(414)는 내부에 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(4142)가 형성된다.
냉각 유로(4142)는 지지 플레이트(414)의 내부에 형성된다. 냉각 유로(4142)는 냉각 유체가 흐르는 통로로 제공된다. 냉각 유체는 냉각수로 제공될 수 있다. 냉각 유로(4142)는 복수개로 제공된다. 냉각 유로(4142)는 제1방향으로 흐르는 제1유로(4142a)와 제1방향과 반대인 제2방향으로 흐르는 제2유로(4142b)를 포함한다.
제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)는 서로 인접하게 제공된다. 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)는 지지 플레이트(414) 내에서 동일 평면상에 제공될 수 있다. 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)는 각각 나선형으로 배치될 수 있다.
제1방향은 지지 플레이트(414)의 중심 영역에서 가장자리 영역을 향해 흐르는 방향일 수 있다. 제2방향은 지지 플레이트(414)의 가장자리 영역에서 중심 영역을 향해 흐르는 방향일 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(414) 내에서 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b) 사이에 위치하는 열 전달 부재(4144)를 더 포함할 수 있다. 열 전달 부재(4144)는 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b) 간에 열이 전도 가능하도록 제공된다. 열 전달 부재(4144)는 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)에 접촉되도록 제공될 수 있다. 열 전달 부재(4144)는 지지 플레이트(414)보다 열 전도성이 높은 소재로 제공된다.
열 전달 부재(4144)를 제공하여 제1유로(4142a)를 흐르는 냉각수와 제2유로(4142b)를 흐르는 냉각수 간에 직접 열전달이 더 잘 이루어지도록 함으로써 제1유로(4142a)의 전체 영역 및 제2유로(4142b)의 전체 영역에서 온도 편차를 줄일 수 있다.
이와 달리, 도 12에 도시된 바와 같이, 지지 플레이트(414) 내에서 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b) 사이에 형성되는 연결 유로(4146)를 더 포함할 수 있다. 연결 유로(4146)는 일측이 제1유로(4142a)에 연결되고 타측에 제2유로(4142b)에 연결된다. 연결 유로(4146)는 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)간에 유체가 이동 가능하도록 제공된다. 연결 유로(4146)는 복수개로 제공될 수 있다. 연결 유로(4146)의 통로 면적은 제1유로(4142a)의 통로 면적 및 제2유로(4142b) 통로 면적 보다 작게 제공될 수 있다.
연결 유로(4146)를 제공하여 제1유로(4142a)를 흐르는 냉각수의 일부가 인접한 제2유로(4142b)로 흐르거나 반대로, 제2유로(4142b)를 흐르는 냉각수의 일부가 인접한 제1유로(4142a)로 흐름으로써 제1유로(4142a)의 전체 영역 및 제2유로(4142b)의 전체 영역에서 온도 편차를 줄일 수 있다.
상술한 예에서는 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)가 동일 평면상에 제공되는 것으로 설명하였으나 이와 달리, 제1유로(4142a)와 제2유로(4142b)는 상부에서 바라보았을 때 일치하도록 상하 방향으로 제공될 수 있다.
연결 블록(416)은 지지 플레이트(414)들 사이에 각각 위치된다. 연결 블록(416)은 인접하는 지지 플레이트(414)가 서로 상하 방향으로 이격 되도록 한다. 연결 블록(416)은 대략 직육면체 형상으로 복수개로 제공될 수 있다. 연결 블록(416)은 서로 적층 되어 제공된다.
베이스 블록(420)은 최하단의 지지 플레이트(414)를 지지한다. 베이스 블록(420)의 하부에는 지지판(415)이 위치한다. 지지판(415)은 베이스 블록(420)을 지지한다. 베이스 블록(420)은 유입 포트(422), 유출 포트(424), 냉각 유체 공급 유로(423) 그리고 냉각 유체 회수 유로(425)가 제공된다.
유입 포트(422)는 외부에 냉각 유체를 공급받아 냉각 유체 공급 유로(423)에 공급한다. 유입 포트(422)는 베이스 블록(420)의 일측면에 위치한다.
유출 포트(424)는 냉각 유체 회수 유로(425)의 냉각 유체를 외부로 배출한다. 유출 포트(424)는 베이스 블록(420)의 일측면에 위치한다.
유입 포트(422)와 유출 포트(424)가 제공되는 베이스 블록(420)의 측면은 서로 수직한 면일 수 있다. 유입 포트(422)와 유출 포트(424)는 지지판(415)으로 부터 서로 동일한 높이로 제공될 수 있다.
냉각 유체 공급 유로(423)는 베이스 블록(420) 및 연결 블록(416)의 내부에 제공된다. 냉각 유체 공급 유로(423)는 유입 포트(422)로부터 공급받은 냉각 유체를 지지 플레이트(414)에 공급되도록 한다. 냉각 유체 공급 유로(423)는 일측이 유입 포트(422)와 연결되고, 타측이 각각의 지지 플레이트(414)의 내부에 형성된 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)의 유입구로 분기되어 연결된다.
냉각 유체 회수 유로(425)는 베이스 블록(420) 및 연결 블록(416)의 내부에 제공된다. 냉각 유체 회수 유로(425)는 지지 플레이트(414)에서 배출된 냉각 유체를 유출 포트(424)로 배출되도록 한다. 냉각 유체 회수 유로(425)는 일측이 각각의 지지 플레이트(414)의 내부에 형성된 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)의 배출구에 연결되고, 타측이 유출 포트(424)에 연결된다. 냉각 유체 회수 유로(425)와 냉각 유체 공급 유로(423)는 서로 평행하게 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)가 지지 플레이트(414)에 형성되는 것으로 설명하였으나, 도 13에 도시된 바와 같이, 냉각 유닛(322)의 냉각 판(322a)에 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)가 형성될 수 있다. 이 때, 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)의 기능은 앞에 설명한 바와 동일하다.
상술한 예에서는 반송 플레이트(324)가 기판(W)을 반송하는 것으로만 설명하였으나, 도 14에 도시된 바와 같이, 반송 플레이트(324)는 기판(W)을 반송하는 중 기판(W)을 냉각하는 기능을 수행할 수 있다. 반송 플레이트(324)는 내부에 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)가 형성될 수 있다. 제1유로(4142a) 및 제2유로(4142b)의 기능은 앞에 설명한 바와 동일하다.
버퍼 로봇(430)은 기판(W)을 이송한다. 버퍼 로봇(430)은 핸드(432), 아암(434), 그리고 지지대(436)를 포함한다. 핸드(432)는 아암(434)에 고정 설치된다. 아암(434)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(432)가 제2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(434)은 지지대(436)를 따라 제3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 이보다 상부 또는 하부 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(430)은 핸드(432)가 제2 방향(14) 및 제3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
버퍼 모듈(400b)은 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 모듈(700)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 버퍼 모듈(400b)은 버퍼 모듈(400a)과 대체로 동일하게 제공된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
414 : 지지 플레이트
4142 : 냉각 유로
4142a : 제1유로
4142b : 제2유로
4144 : 열 전달 부재
4146 : 연결 유로

Claims (15)

  1. 기판을 냉각하는 냉각 유닛에 있어서,
    기판을 지지 하는 지지 플레이트;와
    상기 지지 플레이트의 내부에 구비되고, 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 포함하고,
    상기 냉각 유로는,
    제1방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제1유로;와
    상기 제1방향과 반대인 제2방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제2유로를 포함하는 냉각 유닛.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로는,
    서로 인접하게 배치되는 냉각 유닛.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로는,
    각각 나선형으로 배치되는 냉각 유닛.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1방향은,
    상기 지지 플레이트의 중심 영역에서 가장자리 영역을 향해 흐르는 방향이고,
    상기 제2방향은,
    상기 지지 플레이트의 가장자리 영역에서 중심 영역을 향해 흐르는 방향인 냉각 유닛.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로는,
    동일 평면에 제공되는 냉각 유닛.
  6. 제 1항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 플레이트 내에서 서로 인접한 상기 제1유로 및 상기 제2유로 사이에 위치하는 열 전달 부재를 더 포함하는 냉각 유닛.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 열 전달 부재는,
    상기 지지 플레이트보다 열전도성이 높은 소재로 제공되는 냉각 유닛.
  8. 제 1항 내지 제5항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 플레이트 내에 형성되며, 상기 제1유로와 상기 제2유로 간에 유체가 이동 가능하도록 제공되는 연결 유로를 더 포함하는 냉각 유닛.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 연결 유로의 통로 면적은,
    상기 제1유로의 통로 면적 및 상기 제2유로의 통로 면적보다 작게 제공되는 냉각 유닛.
  10. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 수납된 용기가 놓이는 로드 포트가 제공되는 인덱스 모듈과;
    상기 인덱스 모듈로부터 반송되는 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    기판을 처리하는 공정 챔버와;
    기판을 일시적으로 보관하는 버퍼 챔버를 포함하고,
    상기 버퍼 챔버는,
    내부에 공간을 가지는 하우징과;
    상기 공간에서 기판을 냉각하는 냉각 유닛을 포함하되,
    상기 냉각 유닛은,
    상하 방향으로 적층되게 배치되며, 기판을 지지하는 복수의 지지 플레이트;와
    인접하는 상기 지지 플레이트가 서로 상하 방향으로 이격 되도록 상기 지지 플레이트들 사이에 위치되는 복수의 연결 블록; 그리고,
    상기 복수의 지지 플레이트에 각각 구비되고, 기판을 냉각하는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로;를 포함하고,
    상기 냉각 유로는,
    제1방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제1유로;와
    상기 제1방향과 반대인 제2방향을 따라 냉각 유체가 흐르는 제2유로를 포함하는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로는,
    동일 평면에 제공되되, 서로 인접하게 배치되는 기판 처리 장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제1유로와 상기 제2유로는,
    각각 나선형으로 배치되되,
    상기 제1방향은,
    상기 지지 플레이트의 중심 영역에서 가장자리 영역을 향해 흐르는 방향이고,
    상기 제2방향은,
    상기 지지 플레이트의 가장자리 영역에서 중심 영역을 향해 흐르는 방향인 기판 처리 장치.
  13. 제 10항 내지 제12항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 플레이트 내에서 서로 인접하는 상기 제1유로 및 상기 제2유로 사이에 위치하는 열 전달 부재를 더 포함하고,
    상기 열 전달 부재는,
    상기 지지 플레이트보다 열전도성이 높은 소재로 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제 10항 내지 제12항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 지지 플레이트 내에 형성되며, 상기 제1유로와 상기 제2유로 간에 유체가 이동 가능하도록 연결 유로를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 연결 유로의 통로 면적은,
    상기 제1유로의 통로 면적 및 상기 제2유로의 통로 면적보다 작게 제공되는 기판 처리 장치.
KR1020220039166A 2022-03-29 2022-03-29 냉각 유닛 및 기판 처리 장치 KR20230140670A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220039166A KR20230140670A (ko) 2022-03-29 2022-03-29 냉각 유닛 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220039166A KR20230140670A (ko) 2022-03-29 2022-03-29 냉각 유닛 및 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230140670A true KR20230140670A (ko) 2023-10-10

Family

ID=88292356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220039166A KR20230140670A (ko) 2022-03-29 2022-03-29 냉각 유닛 및 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230140670A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7871265B2 (en) Heat treatment device
CN110896043A (zh) 用于处理基板的装置
JP3416078B2 (ja) 基板処理装置
KR102000013B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210009891A (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230140670A (ko) 냉각 유닛 및 기판 처리 장치
JP2006351864A (ja) 処理システム及び処理方法
KR102119685B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102168380B1 (ko) 냉각 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102010265B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102143914B1 (ko) 세정 지그 및 기판 처리 장치
KR102583261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220014475A (ko) 기판 처리 장치
KR102607809B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치
US11651979B2 (en) Transfer unit and apparatus for treating substrate
US20230195001A1 (en) Buffer unit and substrate treating apparatus including the same
KR20240009809A (ko) 인터페이스 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20190053340A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102289939B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102403199B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102119682B1 (ko) 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
CN116313884A (zh) 压差测量装置和包括该装置的基板处理设备
KR20220094745A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230064401A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20230099778A (ko) 기판 반송 장치 및 기판 반송 장치의 충돌 방지 방법 그리고 이를 갖는 기판 처리 설비