JPH07231027A - 半導体装置の金属プラグ形成装置 - Google Patents
半導体装置の金属プラグ形成装置Info
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- JPH07231027A JPH07231027A JP4494794A JP4494794A JPH07231027A JP H07231027 A JPH07231027 A JP H07231027A JP 4494794 A JP4494794 A JP 4494794A JP 4494794 A JP4494794 A JP 4494794A JP H07231027 A JPH07231027 A JP H07231027A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクト形状の加工精度を高く維持しつ
つ、ウェハにおける金属プラグ形成工程のスループット
を向上させることができる半導体装置の金属プラグ形成
装置を提供する。 【構成】 ウェハ１を搬送する搬送アーム１３の下部に
冷却水を溜める冷却水溜１５と、この冷却水溜１５に冷
却ポンプ１６から冷却水を送水する送水チューブ１７
と、冷却水溜１５から冷却水を排水する排水チューブ１
８とが設けられ、第１反応室１０から第２反応室１１に
ウェハを搬送する際、ウェハ１の熱を冷却水によって短
時間に十分に吸熱させる。この結果、プラグ・ロス量の
少ないエッチバック処理が連続的に実行可能となる。
つ、ウェハにおける金属プラグ形成工程のスループット
を向上させることができる半導体装置の金属プラグ形成
装置を提供する。 【構成】 ウェハ１を搬送する搬送アーム１３の下部に
冷却水を溜める冷却水溜１５と、この冷却水溜１５に冷
却ポンプ１６から冷却水を送水する送水チューブ１７
と、冷却水溜１５から冷却水を排水する排水チューブ１
８とが設けられ、第１反応室１０から第２反応室１１に
ウェハを搬送する際、ウェハ１の熱を冷却水によって短
時間に十分に吸熱させる。この結果、プラグ・ロス量の
少ないエッチバック処理が連続的に実行可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の金属プラ
グ形成装置に係り、特にコンタクト孔を有するウェハに
金属プラグを効率よく形成できる金属プラグ形成装置に
関する。
グ形成装置に係り、特にコンタクト孔を有するウェハに
金属プラグを効率よく形成できる金属プラグ形成装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の金属プラグを形成する工程
は、高温の反応室においてコンタクト孔を有するウェハ
に金属膜を堆積させる工程と、該ウェハに堆積させた金
属膜の一部をエッチバックする工程とから構成されてい
る。従って、ウェハに金属プラグを形成する工程に要す
る時間を短縮するには、金属膜を形成する工程とエッチ
バックする工程とを連続的に行うことが望ましい。
は、高温の反応室においてコンタクト孔を有するウェハ
に金属膜を堆積させる工程と、該ウェハに堆積させた金
属膜の一部をエッチバックする工程とから構成されてい
る。従って、ウェハに金属プラグを形成する工程に要す
る時間を短縮するには、金属膜を形成する工程とエッチ
バックする工程とを連続的に行うことが望ましい。
【０００３】そこで、従来、図６に示すように、ウェハ
１上に金属膜を形成する第１反応室２と、ウェハ１に堆
積した金属膜の一部をエッチバックする第２反応室３と
をロードロックチャンバ４を介して隣接させた装置を使
用している。なお、ロードロックチャンバ４は、第１及
び第２反応室２、３を大気中に開放しないでウェハ１の
取り入れ、取り出しができるような真空室によって構成
されている。
１上に金属膜を形成する第１反応室２と、ウェハ１に堆
積した金属膜の一部をエッチバックする第２反応室３と
をロードロックチャンバ４を介して隣接させた装置を使
用している。なお、ロードロックチャンバ４は、第１及
び第２反応室２、３を大気中に開放しないでウェハ１の
取り入れ、取り出しができるような真空室によって構成
されている。
【０００４】図６は従来の半導体装置の金属プラグ形成
装置の構成を、図４（ａ）及び（ｂ）はエッチバック工
程におけるコンタクトの断面形状を、それぞれ示す。以
下、従来の金属プラグ形成装置を使用してブランケット
タングステン等の金属プラグを形成する手順について説
明する。
装置の構成を、図４（ａ）及び（ｂ）はエッチバック工
程におけるコンタクトの断面形状を、それぞれ示す。以
下、従来の金属プラグ形成装置を使用してブランケット
タングステン等の金属プラグを形成する手順について説
明する。
【０００５】金属プラグを形成するウェハ１は、予め、
Ｓiの基板１ａ上にＳiＯ2の酸化膜１ｂを形成する工
程、コンタクト孔１ｃを設けるエッチング工程、更に、
ウェハ１の上にＴiＮ／Ｔiの薄膜１ｄを堆積する工程を
経た後、第１反応室２内にセットされる（図４（ａ）参
照）。
Ｓiの基板１ａ上にＳiＯ2の酸化膜１ｂを形成する工
程、コンタクト孔１ｃを設けるエッチング工程、更に、
ウェハ１の上にＴiＮ／Ｔiの薄膜１ｄを堆積する工程を
経た後、第１反応室２内にセットされる（図４（ａ）参
照）。
【０００６】第１反応室２の内部圧力を、例えば１．０
４×１０4Ｐa（８０Ｔorr）、その内部温度を４５０℃
に設定し、第１反応室２にはＨ2を４５０sccm、ＷＦ6を
７５sccm、Ａrを２０００sccmの流量で、それぞれ流入
させる。これにより、図４（ａ）に示すようにウェハ１
にＷの金属膜１ｅが形成される。次に、ウェハ１は搬送
アーム５によって第１反応室２から第２反応室３へ搬送
され、そこで、エッチバックが施される。
４×１０4Ｐa（８０Ｔorr）、その内部温度を４５０℃
に設定し、第１反応室２にはＨ2を４５０sccm、ＷＦ6を
７５sccm、Ａrを２０００sccmの流量で、それぞれ流入
させる。これにより、図４（ａ）に示すようにウェハ１
にＷの金属膜１ｅが形成される。次に、ウェハ１は搬送
アーム５によって第１反応室２から第２反応室３へ搬送
され、そこで、エッチバックが施される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の半導体装置の金属プラグ形成装置を使用して、即座
にエッチバック処理を行うと、図４（ｂ）に示すように
ウェハの金属プラグ形成領域に生じるプラグ・ロス量ｄ
が安定しない。エッチバック処理においてプラグ・ロス
量が大きくなると言うことは、金属プラグ形成において
コンタクト形状の加工精度が悪くなることを意味し、結
果として製品歩留りが低下し、半導体装置の信頼性も低
下するという問題が生じる。
来の半導体装置の金属プラグ形成装置を使用して、即座
にエッチバック処理を行うと、図４（ｂ）に示すように
ウェハの金属プラグ形成領域に生じるプラグ・ロス量ｄ
が安定しない。エッチバック処理においてプラグ・ロス
量が大きくなると言うことは、金属プラグ形成において
コンタクト形状の加工精度が悪くなることを意味し、結
果として製品歩留りが低下し、半導体装置の信頼性も低
下するという問題が生じる。
【０００８】そのため、エッチバック終了時のプラグ・
ロス量を安定させるために、上述の第１反応室２で金属
膜を形成したウェハ１を一度カセットに収容し、大気に
さらした後、上述の第２反応室３に搬送し、エッチバッ
ク処理をしていた。しかし、この従来方法では、金属プ
ラグ形成工程のスループットが低下し、又、金属成膜し
たウェハ１を一度大気にさらすことから、ダストが付着
する可能性もあり、結果として半導体装置の信頼性が低
下するという問題がある。
ロス量を安定させるために、上述の第１反応室２で金属
膜を形成したウェハ１を一度カセットに収容し、大気に
さらした後、上述の第２反応室３に搬送し、エッチバッ
ク処理をしていた。しかし、この従来方法では、金属プ
ラグ形成工程のスループットが低下し、又、金属成膜し
たウェハ１を一度大気にさらすことから、ダストが付着
する可能性もあり、結果として半導体装置の信頼性が低
下するという問題がある。
【０００９】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、コンタクト形状の加工精度を高く維持しつ
つ、ウェハにおける金属プラグ形成工程のスループット
を向上させることができる、半導体装置の金属プラグ形
成装置を提供することを目的とする。
れたもので、コンタクト形状の加工精度を高く維持しつ
つ、ウェハにおける金属プラグ形成工程のスループット
を向上させることができる、半導体装置の金属プラグ形
成装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明者は、エッチバック処理におけるプラグ・ロ
スの発生原因を研究し、次のことを見い出した。
め、本発明者は、エッチバック処理におけるプラグ・ロ
スの発生原因を研究し、次のことを見い出した。
【００１１】図５のグラフに示すように、エッチバック
を連続的に行うと、通常のエッチバック処理に比べてプ
ラグ・ロス量が大きくなるという現象が起きる。このよ
うに金属プラグとなる部分が所定量以上にエッチングさ
れるのは、高温の第１反応室でウェハに金属膜を形成し
た後、高い温度状態のウェハを直に第２反応室に搬送
し、高温のウェハに対してエッチバック処理を行うこと
に原因があると見い出した。従って、プラグ・ロス量を
小さくするには、エッチバック処理を行う前にウェルの
温度を低下させるのが重要であると考えた。
を連続的に行うと、通常のエッチバック処理に比べてプ
ラグ・ロス量が大きくなるという現象が起きる。このよ
うに金属プラグとなる部分が所定量以上にエッチングさ
れるのは、高温の第１反応室でウェハに金属膜を形成し
た後、高い温度状態のウェハを直に第２反応室に搬送
し、高温のウェハに対してエッチバック処理を行うこと
に原因があると見い出した。従って、プラグ・ロス量を
小さくするには、エッチバック処理を行う前にウェルの
温度を低下させるのが重要であると考えた。
【００１２】ここで、図５はエッチバック処理によるプ
ラグ・ロス量を示す。なお、４０秒オーバエッチによる
エッチバック処理を行った場合のプラグ・ロス量は、ａ
１、ａ２、ａ３、ａ４で示し、コンタクト中央部の最大
値をａ１、同最小値をａ２、コンタクト縁部の最大値を
ａ３、同最小値をａ４とする。また、１００秒オーバエ
ッチによるエッチバック処理を行った場合のプラグ・ロ
ス量は、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４で示し、コンタクト中
央部の最大値をｂ１、同最小値をｂ２、コンタクト縁部
の最大値をｂ３、同最小値をｂ４とする。
ラグ・ロス量を示す。なお、４０秒オーバエッチによる
エッチバック処理を行った場合のプラグ・ロス量は、ａ
１、ａ２、ａ３、ａ４で示し、コンタクト中央部の最大
値をａ１、同最小値をａ２、コンタクト縁部の最大値を
ａ３、同最小値をａ４とする。また、１００秒オーバエ
ッチによるエッチバック処理を行った場合のプラグ・ロ
ス量は、ｂ１、ｂ２、ｂ３、ｂ４で示し、コンタクト中
央部の最大値をｂ１、同最小値をｂ２、コンタクト縁部
の最大値をｂ３、同最小値をｂ４とする。
【００１３】エッチバックをする前にウェハの温度を低
下させる方法としては、金属膜を形成した後のウェハを
外気に露出させたり、ウェハを第２反応室に搬送して５
分程度放熱させる方法も考えられるが、これらの方法で
は金属プラグ形成工程のスループットを極めて低下させ
るという問題がある。
下させる方法としては、金属膜を形成した後のウェハを
外気に露出させたり、ウェハを第２反応室に搬送して５
分程度放熱させる方法も考えられるが、これらの方法で
は金属プラグ形成工程のスループットを極めて低下させ
るという問題がある。
【００１４】上記問題を解決するため、本発明の半導体
装置の金属プラグ形成装置は、コンタクト孔を有するウ
ェハ上に金属膜を形成する第１反応室と、ウェハに堆積
した金属膜の一部をエッチバックする第２反応室と、前
記第１反応室から前記第２反応室へウェハを搬送する搬
送アームを有する搬送装置とを備え、ウェハ搬送中に該
ウェハを積極的に冷却する冷却手段が前記搬送アームに
設けてあることを特徴としている。
装置の金属プラグ形成装置は、コンタクト孔を有するウ
ェハ上に金属膜を形成する第１反応室と、ウェハに堆積
した金属膜の一部をエッチバックする第２反応室と、前
記第１反応室から前記第２反応室へウェハを搬送する搬
送アームを有する搬送装置とを備え、ウェハ搬送中に該
ウェハを積極的に冷却する冷却手段が前記搬送アームに
設けてあることを特徴としている。
【００１５】本発明の望ましい実施態様では、本発明に
おける冷却手段は、前記搬送アームの下部に冷却水を溜
める冷却水溜と、前記冷却水溜に冷却水を供給する送水
チューブと、前記冷却水溜から冷却水を排水する排水チ
ューブとによって構成され、ウェハは前記冷却水溜上に
保持されることを特徴とする。
おける冷却手段は、前記搬送アームの下部に冷却水を溜
める冷却水溜と、前記冷却水溜に冷却水を供給する送水
チューブと、前記冷却水溜から冷却水を排水する排水チ
ューブとによって構成され、ウェハは前記冷却水溜上に
保持されることを特徴とする。
【００１６】また、本発明における半導体装置の金属プ
ラグ形成装置は、前記第１反応室においてウェハ上に形
成する金属膜が、タングステン、チタン、アルミ、銅の
うちの少なくとも１種又は２種以上を含む金属である場
合にも適用できる。
ラグ形成装置は、前記第１反応室においてウェハ上に形
成する金属膜が、タングステン、チタン、アルミ、銅の
うちの少なくとも１種又は２種以上を含む金属である場
合にも適用できる。
【００１７】
【作用】本発明の半導体装置の金属プラグ形成装置で
は、搬送装置がウェハを冷却する手段を備えているの
で、第１反応室で加熱され、高温になったウェハを第２
反応室に搬送する過程で、ウェハの熱を短時間で十分に
放熱させることができる。この結果、適当な温度に低下
させたウェハに対してエッチバック処理が行えるので、
プラグ・ロス量が減少する。よって、金属プラグ形成工
程のスループットを低下させることなく、コンタクト形
状の加工精度を高めることができ、製品歩留りを向上さ
せることができる。
は、搬送装置がウェハを冷却する手段を備えているの
で、第１反応室で加熱され、高温になったウェハを第２
反応室に搬送する過程で、ウェハの熱を短時間で十分に
放熱させることができる。この結果、適当な温度に低下
させたウェハに対してエッチバック処理が行えるので、
プラグ・ロス量が減少する。よって、金属プラグ形成工
程のスループットを低下させることなく、コンタクト形
状の加工精度を高めることができ、製品歩留りを向上さ
せることができる。
【００１８】特にタングステン、チタン、アルミ、銅の
うちの１つ以上の材料を使用してウェハに金属膜を形成
した直後は、ウェハが極めて高温になるので、搬送アー
ムの冷却手段が有用に機能する。
うちの１つ以上の材料を使用してウェハに金属膜を形成
した直後は、ウェハが極めて高温になるので、搬送アー
ムの冷却手段が有用に機能する。
【００１９】冷却手段として、搬送アームに冷却水溜と
送水チューブ及び排水チューブとを設ける構成を採用す
る場合では、送水チューブ及び排水チューブを介して冷
却水溜に冷却水が循環し、常に搬送アーム上を一定の低
い温度に維持してウェハを冷却することが可能となる。
送水チューブ及び排水チューブとを設ける構成を採用す
る場合では、送水チューブ及び排水チューブを介して冷
却水溜に冷却水が循環し、常に搬送アーム上を一定の低
い温度に維持してウェハを冷却することが可能となる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の金属プラグ形成
装置の一実施例について図面を参照して説明する。図１
は同実施例の金属プラグ形成装置の構成を、図２及び図
３は同装置における搬送アームの冷却手段の構造を、そ
れぞれ示している。
装置の一実施例について図面を参照して説明する。図１
は同実施例の金属プラグ形成装置の構成を、図２及び図
３は同装置における搬送アームの冷却手段の構造を、そ
れぞれ示している。
【００２１】本実施例の半導体装置の金属プラグ形成装
置は、コンタクト孔を設けたウェハ１上に金属膜を形成
する第１反応室１０と、ウェハ１に堆積した金属膜の一
部をエッチバックする第２反応室１１とをロードロック
チャンバ１２を介して隣接させた構成になっている。
置は、コンタクト孔を設けたウェハ１上に金属膜を形成
する第１反応室１０と、ウェハ１に堆積した金属膜の一
部をエッチバックする第２反応室１１とをロードロック
チャンバ１２を介して隣接させた構成になっている。
【００２２】また、第１反応室１０から第２反応室１１
へウェハ１を搬送するには、搬送アーム１３を有する搬
送装置１４によって行われる。なお、ロードロックチャ
ンバ１２は、第１及び第２反応室１０、１１を大気中に
開放しないでウェハ１の取り入れ、取り出しが可能な真
空室によって構成される。
へウェハ１を搬送するには、搬送アーム１３を有する搬
送装置１４によって行われる。なお、ロードロックチャ
ンバ１２は、第１及び第２反応室１０、１１を大気中に
開放しないでウェハ１の取り入れ、取り出しが可能な真
空室によって構成される。
【００２３】搬送装置１４には、先端のウェハ保持部１
３ａにウェハ１を保持した状態で回動し、第１反応室１
０から第２反応室１１にウェハ１を搬送する搬送アーム
１３が設けられている。図２及び図３に示すように、搬
送アーム１３のウェハ保持部１３ａの下側には冷却水溜
１５が設けられ、更に搬送アーム１３の下側には冷却ポ
ンプ１６から冷却水溜１５へ冷却水を送水する送水チュ
ーブ１７と、冷却水溜１５から冷却水を排水する排水チ
ューブ１８とが取り付けられている。このような構成に
することにより、ウェハ保持部１３ａは冷却ポンプ１６
の駆動により送水される冷却水の吸熱作用によって冷却
され、低い温度に維持される。
３ａにウェハ１を保持した状態で回動し、第１反応室１
０から第２反応室１１にウェハ１を搬送する搬送アーム
１３が設けられている。図２及び図３に示すように、搬
送アーム１３のウェハ保持部１３ａの下側には冷却水溜
１５が設けられ、更に搬送アーム１３の下側には冷却ポ
ンプ１６から冷却水溜１５へ冷却水を送水する送水チュ
ーブ１７と、冷却水溜１５から冷却水を排水する排水チ
ューブ１８とが取り付けられている。このような構成に
することにより、ウェハ保持部１３ａは冷却ポンプ１６
の駆動により送水される冷却水の吸熱作用によって冷却
され、低い温度に維持される。
【００２４】また、搬送アーム１３は、回動して第１反
応室１０から第２反応室１１にウェハ１を搬送する過程
で、図を省略した制御系の制御により、ウェハ保持部１
３ａにウェハ１を約１０秒間保持し、その間にウェハ１
の熱を冷却水に吸熱させて、十分にウェハ１を冷却す
る。
応室１０から第２反応室１１にウェハ１を搬送する過程
で、図を省略した制御系の制御により、ウェハ保持部１
３ａにウェハ１を約１０秒間保持し、その間にウェハ１
の熱を冷却水に吸熱させて、十分にウェハ１を冷却す
る。
【００２５】［実験例］次に本実施例の半導体装置の金
属プラグ形成装置をブランケットタングステン・プラグ
の形成に使用した例を示す。ウェハ１は、予め、基板上
に酸化膜を形成する工程、コンタクト孔を設けるエッチ
ング工程、更に、ウェハ１の上にＴiＮ／Ｔiの薄膜を堆
積する工程を経た後、第１反応室１０内にセットさせ
た。
属プラグ形成装置をブランケットタングステン・プラグ
の形成に使用した例を示す。ウェハ１は、予め、基板上
に酸化膜を形成する工程、コンタクト孔を設けるエッチ
ング工程、更に、ウェハ１の上にＴiＮ／Ｔiの薄膜を堆
積する工程を経た後、第１反応室１０内にセットさせ
た。
【００２６】第１反応室１０の内部圧力を１．０４×１
０4Ｐa（８０Ｔorr）、その内部温度を４５０℃に設定
し、第１反応室１０内にＨ2を４５０sccm、ＷＦ6を７５
sccm、Ａrを２０００sccmの流量で、それぞれ流入させ
た。
０4Ｐa（８０Ｔorr）、その内部温度を４５０℃に設定
し、第１反応室１０内にＨ2を４５０sccm、ＷＦ6を７５
sccm、Ａrを２０００sccmの流量で、それぞれ流入させ
た。
【００２７】搬送アーム１３のウェハ保持部１３ａは、
冷却ポンプ１６の駆動による冷却水の循環によって約２
０℃に保持され、金属膜を形成する第１反応室１０から
エッチバック処理をする第２反応室１１にウェハ１を搬
送する過程で約１０秒間ウェハ１をホールドする。この
結果、ウェハ１は熱を放熱し、ウェハ温度は室温と同じ
温度にまで低下する。
冷却ポンプ１６の駆動による冷却水の循環によって約２
０℃に保持され、金属膜を形成する第１反応室１０から
エッチバック処理をする第２反応室１１にウェハ１を搬
送する過程で約１０秒間ウェハ１をホールドする。この
結果、ウェハ１は熱を放熱し、ウェハ温度は室温と同じ
温度にまで低下する。
【００２８】次に、第２反応室１１の内部圧力を４５．
５Ｐa（３５０Ｔorr）に設定し、第２反応室１１内には
ＳＦ6を１１０sccm、Ａrを９０sccm、Ｈeを５sccmの流
量で送り込み、第２反応室１１の高周波コイルに２７５
ＷのＲＦ電圧を印加してエッチバック処理を施した。
５Ｐa（３５０Ｔorr）に設定し、第２反応室１１内には
ＳＦ6を１１０sccm、Ａrを９０sccm、Ｈeを５sccmの流
量で送り込み、第２反応室１１の高周波コイルに２７５
ＷのＲＦ電圧を印加してエッチバック処理を施した。
【００２９】第２反応室１１では、十分に冷却されたウ
ェハ１にエッチバック処理を施すので、連続的にエッチ
バックしてもプラグ・ロス量が図５に示す通常のエッチ
ング処理のプラグ・ロスと同じ程度となり、又所望のコ
ンタクト形状を得ることができた。
ェハ１にエッチバック処理を施すので、連続的にエッチ
バックしてもプラグ・ロス量が図５に示す通常のエッチ
ング処理のプラグ・ロスと同じ程度となり、又所望のコ
ンタクト形状を得ることができた。
【００３０】なお、上記実施例では、ウェハを搬送する
際にウェハ１を冷却する冷却媒体として冷却水を使用し
たが、これに限定するものではなく、他の冷媒を使用し
ても良い。
際にウェハ１を冷却する冷却媒体として冷却水を使用し
たが、これに限定するものではなく、他の冷媒を使用し
ても良い。
【００３１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ウェハに金属膜を形成する第１反応室からエッチバック
工程を実施する第２反応室にウェハを搬送する搬送アー
ムにウェハを冷却する冷却手段が設けられてるので、エ
ッチバック処理する前のウェハを、大気に露出すること
なく、短時間で十分に冷却させることができる。
ウェハに金属膜を形成する第１反応室からエッチバック
工程を実施する第２反応室にウェハを搬送する搬送アー
ムにウェハを冷却する冷却手段が設けられてるので、エ
ッチバック処理する前のウェハを、大気に露出すること
なく、短時間で十分に冷却させることができる。
【００３２】この結果、連続的なエッチバック処理での
プラグ・ロス量を減少させて、所望のコンタクト形状を
安定して得ることができるので、金属プラグ形成工程の
スループット及び半導体装置の生産効率を高めることが
できるという効果を奏する。
プラグ・ロス量を減少させて、所望のコンタクト形状を
安定して得ることができるので、金属プラグ形成工程の
スループット及び半導体装置の生産効率を高めることが
できるという効果を奏する。
【００３３】また、本発明では搬送アームに冷却手段を
設ける構成になっているので、装置自体のサイズを大き
くする必要がないので経済的である。更に、コンタクト
形状の制御性及び金属プラグの加工精度を向上させるこ
とができるので、製造する半導体装置の信頼性を高める
ことができる。
設ける構成になっているので、装置自体のサイズを大き
くする必要がないので経済的である。更に、コンタクト
形状の制御性及び金属プラグの加工精度を向上させるこ
とができるので、製造する半導体装置の信頼性を高める
ことができる。
【図１】本発明の半導体装置の金属プラグ形成装置の一
実施例の構成を示す図である。
実施例の構成を示す図である。
【図２】同実施例の金属プラグ形成装置における搬送ア
ームの冷却手段の構造を示す側面図である。
ームの冷却手段の構造を示す側面図である。
【図３】同冷却手段の構造を示す裏面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）はエッチバック工程における
コンタクトの断面形状を示す断面図である。。
コンタクトの断面形状を示す断面図である。。
【図５】エッチバック処理によるプラグ・ロス量を示す
グラフである。
グラフである。
【図６】従来の半導体装置の金属プラグ形成装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
１ ウェハ ２、１０ 第１反応室 ３、１１ 第２反応室 ４、１２ ロードロックチャンバ ５、１３ 搬送アーム １３ａ ウェハ保持部 １４ 搬送装置 １５ 冷却水溜 １６ 冷却ポンプ １７ 送水チューブ １８ 排水チューブ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768
Claims (3)
- 【請求項１】 コンタクト孔を有するウェハ上に金属膜
を形成する第１反応室と、ウェハに堆積した金属膜の一
部をエッチバックする第２反応室と、前記第１反応室か
ら前記第２反応室へウェハを搬送する搬送アームを有す
る搬送装置とを備え、 ウェハの搬送中に該ウェハを冷却する冷却手段が、前記
搬送アームに設けてあることを特徴とする半導体装置の
金属プラグ形成装置。 - 【請求項２】 前記冷却手段は、前記搬送アームの下部
に冷却水を溜める冷却水溜と、前記冷却水溜に冷却水を
供給する送水チューブと、前記冷却水溜から冷却水を排
水する排水チューブとによって構成され、ウェハは前記
冷却水溜上に保持されることを特徴とする、請求項１に
記載の半導体装置の金属プラグ形成装置。 - 【請求項３】 第１反応室においてウェハ上に形成する
金属膜が、タングステン、チタン、アルミ、銅のうちの
少なくとも１種又は２種以上を含む金属からなることを
特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の金属プラグ
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4494794A JPH07231027A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 半導体装置の金属プラグ形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4494794A JPH07231027A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 半導体装置の金属プラグ形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231027A true JPH07231027A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12705686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4494794A Pending JPH07231027A (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 半導体装置の金属プラグ形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07231027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102714171A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 具有基板冷却的传送机械手 |
| JP2022071846A (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-16 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP4494794A patent/JPH07231027A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102714171A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-10-03 | 应用材料公司 | 具有基板冷却的传送机械手 |
| JP2013518410A (ja) * | 2010-01-22 | 2013-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板冷却を備えた搬送ロボット |
| US10265868B2 (en) | 2010-01-22 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Transfer robot with substrate cooling |
| JP2022071846A (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-16 | セメス カンパニー，リミテッド | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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