TWI401761B - 基板處理裝置以及使用該裝置轉移基板的方法 - Google Patents

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Description

基板處理裝置以及使用該裝置轉移基板的方法
本發明是關於一種基板處理裝置以及一種使用該基板處理裝置轉移基板之方法，且特別是關於一種線上型基板處理裝置(in-line type substrate treating apparatus)，其具有一介面單元(interface unit)，用於在進行塗佈製程(coating process)和顯影製程(developing process)之處理單元與進行曝光製程之曝光單元之間轉移基板，以及一種使用該基板處理裝置轉移基板之方法。
半導體元件藉由在矽晶圓上重複地進行依序堆叠薄膜以形成預定電路圖案之製程來製造。為了形成並堆叠薄膜，必須重複地進行多個單元製程，諸如沈積製程(deposition process)、微影製程(photolithography process)以及蝕刻製程(etching process)。
微影製程用於在晶圓上形成圖案。微影製程包括塗佈製程、曝光製程、寬曝光邊緣(wide expose edge，WEE)製程和顯影製程(developing process)。顯影製程用於藉由使用圖案來蝕刻晶圓之最上層而使半導體元件對應於晶圓上之預定圖案。
塗佈製程用於使用塗佈機在晶圓表面上均勻地塗覆感光的光阻(photo-resist,PR)。曝光製程用於藉由使用步進機(stepper)允許光穿過遮罩之電路圖案來曝光晶圓上的電路圖案，其中光阻形成於電路圖案上。WEE製程用於使 用週邊曝光單元(peripheral exposing unit)來使塗覆到晶圓邊緣之不必要的光阻曝光。顯影製程用於使用顯影器(developer)來使經由曝光製程而曝光之晶圓的一部份顯影。
當上述製程藉由單獨單元而個別地進行時，部件的移動長度增加且因此在工作之間的轉移是耗時的。此外，由於晶圓曝光於空氣較長時間，因此晶圓將容易受到污染。為了解決這些局限性，開發了一種線上型基板處理裝置，其中塗佈機、顯影機、烘培單元(baking unit)、週邊曝光單元和步進機以預定佈置依序設置。
用於進行光微影製程之線上型基板處理裝置包括旋轉器元件(spinner device)和掃描器元件(scanner device),旋轉器元件用於進行塗佈和顯影製程，掃描器元件用於進行曝光製程以轉移經受塗佈製程之晶圓上的圖案。晶圓藉由在旋轉器與掃描器元件之間的介面單元在旋轉器與掃描器元件之間轉移。
本發明提供一種基板處理裝置以及一種轉移基板之方法，其能夠在旋轉器元件與掃描器元件之間更有效地轉移基板。
自描述和附圖以及申請專利範圍，對於本領域熟知此項技藝者而言，其他特點將顯而易見。
本發明之實施例提供基板處理裝置，其包括：第一處理單元，其具有雙層結構，其中進行塗佈製程之第一處理 部份和進行顯影製程之第二處理部份豎向佈置；第一緩衝單元，其提供一空間，在此暫時存放已在第一處理部份經受處理之基板；第二緩衝單元，其提供一空間，在此暫時存放將在第二處理部份經受處理之基板；以及介面單元，其在第一緩衝單元和第二緩衝單元與進行曝光製程之第二處理單元之間轉移基板，其中介面單元包括：鄰近第一處理單元設置之框架；以及設置於該框架中之第一基板接收部份，其接收在第一緩衝單元中接收且將要轉移至第二處理單元之基板。
在一些實施例中，第一緩衝單元可設於該框架中第一基板接收部份之第一側，使得第一緩衝單元位於對應於第一處理部份之高度，而第二緩衝單元可設於該框架中第一基板接收部份之第二側，使得第二緩衝單元位於對應於第二處理部份之高度。
在其他實施例中，介面單元更包括第二基板接收部份，第二基板接收部份設置於框架中且用於接收自第二處理單元轉移之已曝光的基板。
在其他實施例中，第一基板接收部份和第二基板接收部份可以與豎向佈置之第一處理部份和第二處理部份相同的次序來佈置。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於框架中，使得第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份之相對側，而第二緩衝單元可設於框架中，使得第二緩衝單元關於第二基板接收部份設置於第一基板接收部份 的相對側。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於框架中，使得第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份的相對側，而第二緩衝單元可設於第一緩衝單元與第一基板接收部份之間。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於第一處理部份中鄰近介面單元處，而第二緩衝單元設於框架中，使得第二緩衝單元關於第二基板接收部份設置於第一基板接收部份的相對側。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於框架中，使得第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份的相對側，而第二緩衝單元可設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於第一處理部份中鄰近介面單元處，而第二緩衝單元設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
在本發明之其他實施例中，基板處理裝置包括：第一處理單元，其具有雙層結構，其中進行塗佈製程之第一處理部份和進行顯影製程之第二處理部份豎向佈置；第一緩衝單元，其提供一空間，在此暫時存放已在第一處理單元經受處理之基板；第二緩衝單元，其提供一空間，在此暫時存放將在第二處理部份經受處理之基板；介面單元，其在第一緩衝單元和第二緩衝單元與進行曝光製程之第二處理單元之間轉移基板，其中所述介面單元包括：鄰近第一 處理單元設置之框架；設置於框架中之第二基板接收部份，其接收已曝光且自第二處理單元轉移之基板。
在一些實施例中，第一緩衝單元可設於框架中第二基板接收部份之第一側，使得第一緩衝單元位於對應於第一處理部份之高度，而第二緩衝單元可設於框架中第二基板接收部份之第二側，使得第二緩衝單元位於對應於第二部份之高度。
在其他實施例中，第一緩衝單元可設於框架中第二基板接收部份之上側和下側中之一側，其對應於第一處理部份所在的高度，而第二緩衝單元可設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
在其他實施例中，使用上述基板處理裝置之基板處理裝置在第一處理單元與第二處理單元之間轉移之方法包括：將在第一處理部份經受處理之基板轉移至第一緩衝單元；將基板自第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份；將基板自第一基板接收部份轉移至第二處理單元；將在第二處理單元被曝光之基板轉移至第二緩衝單元；以及將基板自第二緩衝單元轉移至第二處理部份。
在一些實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元設於框架中第一基板接收部份之第一側，使得第一緩衝單元位於對應於第一處理部份之高度，而在第二處理單元被曝光之基板經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於框架中第一基板接收部份的第二側，使得 第二緩衝單元可位於對應於第二處理部份之高度。
在本發明之其他實施例中，使用上述之基板處理裝置之基板處理裝置在第一處理單元與第二處理單元之間轉移之方法包括：將在第一處理部份經受處理之基板轉移至第一緩衝單元；將基板自第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份；將基板自第一基板接收部份轉移至第二處理單元；將在第二處理單元被曝光之基板轉移至第二基板接收部份；將基板自第二基板接收部份轉移至第二緩衝單元；以及將基板自第二緩衝單元轉移至第二處理部份。
在一些實施例中，第一基板接收部份和第二基板接收部份可以與豎向佈置之第一處理部份和第二處理部份相同的次序來佈置。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份之相對側，而被曝光並在第二基板接收部份中接收之基板經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元關於第二基板接收部份設置於第一基板接收部份的相對側。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元設於框架中，使得第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份的相對側，且被曝光並在第二基板接收部份中接收之基板可經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於框架中，使得第二緩衝單元 設置於第一緩衝單元與第一基板接收部份之間。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元設於第一處理基板中鄰近介面單元處，而被曝光並在第一基板接收部份中接收之基板經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於框架中，使得第二緩衝單元關於第二基板接收部份設置於第一基板接收部份的相對側。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元設於框架中，使得第一緩衝單元關於第一基板接收部份設置於第二基板接收部份的相對側，而被曝光且在第二基板接收部份中接收之基板可經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第一基板接收部份，第一緩衝單元設於第一處理部份中鄰近介面單元處，而被曝光並在第二基板接收部份中接收之基板可經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
在本發明之其他實施例中，使用上述之基板處理裝置之基板處理裝置在第一處理單元與第二處理單元之間轉移之方法包括：將在第一處理部份經受處理之基板轉移至第 一緩衝單元；將基板自第一緩衝單元轉移至第二處理單元；將在第二處理單元曝光之基板轉移至第二基板接收部份；將基板自第二基板接收部份轉移至第二緩衝單元；以及將基板自第二緩衝單元轉移至第二處理部份。
在一些實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第二處理單元，第一緩衝單元設於框架中第二基板接收部份的第一側，使得第一緩衝單元位於對應於第一處理部份之高度，在第一處理單元被曝光之基板可轉移至在第一緩衝單元與第二緩衝單元之間的第二基板接收部份，而在第二基板接收部份中接收的基板可經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於框架中第二基板接收部份之第二側，使得第二緩衝單元位於對應於第二處理部份之高度。
在其他實施例中，在第一處理部份經受處理之基板可經由第一緩衝單元轉移至第二處理單元，第一緩衝單元設於框架中第二基板接收部份之上側和下側中之一側，其對應於第一處理部份所在的高度，在第二處理單元被曝光之基板可轉移至第二基板接收部份，而在第二基板接收部份接收之基板可經由第二緩衝單元轉移至第二處理部份，第二緩衝單元設於第二處理部份中鄰近介面單元處。
現將參看附圖在下文中更詳細地描述本發明之較佳實施例。但本發明可體現為不同的形式且不應被理解為限於本文所陳述之實施例。而是提供此等實施例，使得本揭露 內容全面和完整，並向本領域熟知此項技藝者全面傳達本發明之範疇。元件符號在本發明之較佳實施例中詳細地表示，且其實例在參考附圖中標識。在所有可能的情況下，在描述和附圖中，使用相似的元件符號來指代相同或類似的元件。因此，在一些實施例中，將不再更詳細地描述熟知製程、熟知元件結構和熟知技術以避免混淆本對發明之理解。貫穿全文，相似元件符號指代類似元件。
圖1是根據本發明實施例之基板處理裝置的頂視平面圖，圖2是圖1之基板處理裝置之側視圖，以及圖3是圖1之基板處理裝置之第一處理單元之示意圖。
參看圖1至圖3，基板處理裝置10包括分度器(indexer)20、第一處理單元30以及介面單元50。分度器20、第一處理單元30和介面單元50沿著在第一方向12延伸的線平行地佈置。分度器20在第一方向12的線上鄰近第一處理單元30之前端部。介面單元50在第一方向12的線上鄰近第一處理單元30之後端部。分度器20和介面單元50中之每一者具有在垂直於第一方向12的第二方向14延伸之長度。第一處理單元30具有在豎向堆叠之多層結構。第一處理單元30包括在上層之第一處理部分32a和在下層之第二處理部份32b。若需要，進行曝光製程之第二處理單元(曝光單元60)可在第一方向12延伸的線上連接至介面單元50的後端。
分度器20安裝於第一處理單元30的前端部。分度器20包括載入埠22a、22b、22c和22d和分度器機器人(robot) 100，在載入埠中設置接收基板之盒。載入埠22a、22b、22c和22d沿著在第二方向14延伸的線平行地佈置。分度器機器人100設置於第一處理單元30與載入埠22a、22b、22c和22d之間。接收基板之盒(carsette)C藉由諸如架空轉移器(overhead transfer)、架空輸送機(overhead conveyer)或自動搬運車(automatic guided vehicle)之轉移單元(transferring unit)(未圖示)位於載入埠22a、22b、22c和22d上。諸如前開式晶圓盒(front open unified pod,FOUP)之封閉容器可用作盒C。分度器機器人100在位於載入埠22a、22b、22c和22d上之盒C與第一處理單元30之間轉移基板。
分度器機器人100包括水平導軌110、豎直導軌120和機器手臂130。機器手臂130可在第一方向12進行線性移動且可繞Z軸旋轉。水平導軌110在第二方向14引導機器手臂130之線性移動。豎直導軌120在第三方向16引導機器手臂130之線性移動。機器手臂130可沿著水平導軌110在第二方向14進行線性移動。機器手臂130可繞Z軸旋轉且可在第三方向16移動。
第一處理部份32a包括第一轉移通道34a、第一主機器人36a和處理模組40。第一轉移通道34a在第一方向12自鄰近分度器20之位置延伸至鄰近介面單元50之位置。處理模組40在第一轉移通道34a的兩側沿著第一轉移通道34a的長度方向佈置。第一主機器人36a安裝於第一轉移通道34a上。第一主機器人36a在分度器20、處理模組40 與介面單元50之間轉移基板。
第二處理部份32b包括第二轉移通道34b、第二主機器人36b和處理模組40。第二轉移通道34b在第一方向12自鄰近分度器20之位置延伸至鄰近介面單元50之位置。處理模組40在第二轉移通道34b的兩側沿著第二轉移通道34b的長度方向佈置。第二主機器人36b安裝於第二轉移通道34b上。第二主機器人36b在分度器20、處理模組40與介面單元50之間轉移基板。
第一處理部份32a包括進行塗佈製程之模組。第二處理部份32b包括進行顯影製程之模組。第一處理部份32a可設置於第一處理單元30之上層且第二處理部份32b可設置於第一處理單元30的下層。在此情況下，製程流程可始於第一處理單元30的上層並結束於第一處理單元30的下層。第二處理部份32b可設置於第一處理單元30的上層。在此情況下，製程流程可始於第一處理單元30的下層且結束於上層。
而且，第一處理部份32a和第二處理部份32b可具有全部進行塗佈製程之模組和進行顯影製程之模組。在此情況下，製程流程可始於第一處理單元30的上層且結束於第一處理單元30的上層。或者，製程流程可始於第一處理單元30的下層且結束於第一處理單元30的下層。
進行塗佈製程之模組可包括進行黏附製程之模組、進行基板之冷却製程之模組、進行光阻塗佈製程之模組和進行軟烘製程之模組。進行顯影製程之模組可包括將所曝光 之基板加熱至預定溫度之模組，冷却基板之模組，藉由在基板上塗覆顯影溶液以移除曝光區域或非曝光區域之模組和進行硬烘製程之模組。
介面單元50包括框架51、第一基板接收部份52、第一介面單元機器人200a以及第二介面單元機器人200b。框架51安裝於第一處理單元30的後端部，使得其與分度器20關於第一處理單元30對稱。第一介面單元機器人200a沿著在第一方向12延伸的線佈置於框架51內側的前端部。第二介面單元機器人200b佈置於框架51內部的後端。
第一介面單元機器人200a包括水平導軌210a、豎直導軌220a和機器手臂230a。機器手臂230a沿著在第一方向12延伸的線進行線性移動且可繞Z軸旋轉。水平導軌在第二方向14引導機器手臂230a的線性移動且豎直導軌220a在第三方向16引導機器手臂230a的線性移動。機器手臂230a沿著水平導軌210a在第二方向14進行線性移動並繞Z軸線旋轉。機器手臂230a可在第三方向16移動。
第二介面單元機器人200b具有與第一介面單元機器人200a相同的結構。並未描述的元件符號210b、220b和230b分別表示水平導軌、豎直導軌和機器手臂。
第一基板接收部份52設置於框架51的內中心。第一緩衝單元70可設置於第一基板接收部份52之第一側，使得其位於對應於第一處理部份32a的高度。第二緩衝單元80設置於第一基板接收部份52之第二側，使得其位於對 應於第二處理部份32b的高度。例如，當如圖2所示，第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70設於第一基板接收部份52上方且第二緩衝單元80設於第一基板接收部份52下方。或者，當第一處理部份32a位於下層且第二處理部份32b位於下層時，第一緩衝部份70設於第一基板接收部份52下方，而第二緩衝單元80設於第一基板接收部份52上方。第一基板接收部份52和第一緩衝單元70和第二緩衝單元80具有狹槽(slot)(未圖示)，基板可穿過該狹槽插入。
在第一處理單元30之製程時間由在第一處理單元30中之進行光阻塗佈、預烘、顯影和後烘焙製程所需之基板處理時間和送回時間所決定。此等時間是固定的。
在第二處理單元(曝光單元)60之製程時間由在第二處理單元60中之使用曝光元件對曝光圖案進行攝影所需的時間，基板送回時間以及判斷基板位置所需之時間來決定。在這些時間中，攝影所需時間和基板送回時間保持固定但判斷位置之時間可變。
當第二處理單元60之基板位置判斷時間改變時，在進行曝光製程之前的基板轉移和進行曝光製程之後的基板轉移不能依序進行且因此基板轉移可能會被延遲。為了防止基板轉移之延遲，第一緩衝單元70和第二緩衝單元80安裝於介面單元50中。
第一緩衝單元70提供一空間，在此暫時存放自第一處理部份32a轉移之基板以防止轉移延遲，且第二緩衝單元 80提供一空間，在此將暫時存放將轉移至第二處理部份32b之基板以防止轉移延遲。第一基板接收部份52接收在第一緩衝單元70中接收且將轉移至連接至框架51的後端部之第二處理單元60的基板。
下文將描述如上文所述之基板處理單元10結構之操作。盒C藉由操作者或轉移單元(未圖示)置於分度器20之載入埠22a。分度器機器人100自位於載入埠22a之盒C取出基板並將基板移交至第一處理部份32a的第一主機器人36a。第一主機器人36a在沿著第一轉移通道34a移動時將基板載入/卸載至各處理模組40。模組40進行光阻塗佈製程、預烘製程等。當處理模組40完成基板處理製程時，第一主機器人36a自處理模組40卸載基板且將卸載的基板轉移至第一介面單元機器人200a。
如圖4所示，第一介面單元機器人200a將自第一主機器人36a轉移之基板轉移至第一緩衝單元70。在第一緩衝單元70中接收之基板藉由第一介面單元機器人200a逐個轉移至第一基板接收部份52。在第一基板接收部份52中接收之基板藉由第二介面單元機器人200b轉移至第二處理單元60。在第二處理單元60曝光之基板轉移至第二介面單元機器人200b並藉由第二介面單元機器人200b依序轉移至第二緩衝單元80。在第二緩衝單元80中接收之基板藉由第一介面單元機器人200a逐個轉移至第二處理部份32b。
轉移至第二處理部份32b之基板在藉由第二主機器人 36b轉移至第二處理部份32b之處理模組40時被顯影。被顯影之基板藉由第二主機器人36b轉移至分度器機器人100且藉由分度器機器人100隨後轉移至位於載入埠22a上之盒C。
下面將描述根據基板處理裝置之其他實施例的基板處理裝置。此處，使用相似元件符號來知指代與圖2之部件相同的部件且相同的部件將不再詳細地描述。
圖5是根據第二實施例之基板處理裝置的側視圖。
如圖5所示，第一基板接收部份52和第二基板接收部份54佈置於框架51內部之上部和下部。第一基板接收部份52和第二基板接收部份54以與第一處理部份32a和第二處理部份32b相同的佈置來佈置。例如，如圖5所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一基板接收部份52設置於第二基板接收部份54上方。或者，當第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一基板接收部份52設置於第二基板接收部份54下方。
第一緩衝單元70可關於第一基板接收部份52設於第二基板接收部份54之相對側。第二緩衝單元80可關於第二基板接收部份54設於第一基板接收部份52之相對側。
例如，如圖5所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70設置於第一基板接收部份52上方且第二緩衝單元80設置於第二基板接收部份54下方。或者，當第一處理部份32a設置 於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一緩衝單元70設置於第一基板接收部份52下方且第二緩衝單元80設置於第二基板接收部份54上方。
第一緩衝單元70提供一空間，在此暫時存放自第一處理部份32a轉移之基板以防止轉移延遲，且第二緩衝單元80提供一空間，在此暫時存放將要轉移至第二處理部份32b之基板以防止轉移延遲。第一基板接收部份52接收在第一緩衝單元70中接收且將要轉移至連接至框架51的後端部之第二處理單元60的基板。
下文將描述藉由上文所述之佈置所進行之基板轉移過程。如圖6所示，自第一處理部份32a轉移之基板藉由第一介面單元機器人200a依序轉移至第一緩衝單元70。在第一緩衝單元70中接收之基板藉由第一介面單元機器人200a逐個轉移至第一基板接收部份52。在第一基板接收部份52中接收之基板藉由第二介面單元機器人200b轉移至第二處理單元60。在第二處理單元60被曝光之基板轉移至第二介面單元機器人200b並藉由第二介面單元機器人200b依序轉移至第二基板接收部份54。在第二基板接收部份54中接收之基板藉由第一介面單元機器人200a轉移至第二緩衝單元80。在第二緩衝單元80中接收之基板藉由第一介面單元機器人200a逐個轉移至第二處理部份32b。
圖7至圖10所示之基板處理裝置之第一基板接收部份52和第二基板接收部份54的佈置與圖5所示之基板處理裝置之佈置相同，因此將在此省略其之詳細描述。
圖7是根據本發明第三實施例之基板處理裝置的側視圖。
第一緩衝單元70可設於框架51中，使得其關於第一基板接收部份52設置於第二基板接收部份之相對側。第二緩衝單元80可設於第一緩衝單元70與第一基板接收部份52之間。
例如，如圖7所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70設置於第一基板接收部份52上方且第二緩衝單元80設置於第一緩衝單元70與第一基板接收部份52之間。或者，當第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一緩衝單元70設置於第一基板接收部份52下方且第二緩衝單元80設置於第一緩衝單元70與第一基板接收部份52之間。
沿著圖7之基板轉移路徑進行基板轉移。經過第一處理部份32a、第一緩衝單元70、第一基板接收部份52、第二處理單元60、第二基板接收部份54、第二緩衝單元80和第二處理部份32b來依序進行基板轉移。此與圖6之基板處理裝置之基板轉移過程相同。但是，由於第一緩衝單元70與第二緩衝單元80和第一基板接收部份52與第二基板接收部份54的佈置不同於圖6之佈置，因此在基板轉移過程中部件的移動長度不同。當參考第一緩衝單元70與第二緩衝單元80和第一基板接收部份52和第二基板接收部份54之上述佈置時將理解此實施例之部件的移動長度。因 此，將省略此實施例之部件的移動長度之詳細描述。
圖8是根據本發明第四實施例之基板處理裝置之側視圖。
參看圖8，第一緩衝單元70可設於第一處理部份32a中鄰近介面單元50處。第二緩衝單元80可設於框架51中，使得其關於第二基板接收部份54設置於第一基板接收部份52之相對側。
例如，如圖8所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70可設於在第一轉移通道34a(參看圖1和圖3)之長度方向延伸之區域鄰近介面單元50之區域。此外，第一緩衝單元70可設於在第一轉移通道34a(參看圖1和圖3)的長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之該區域的一側。第二緩衝單元80可設於第二基板接收部份54下方。
或者，當第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一緩衝單元70可設於佈置於下層之第一轉移通道(未圖示)之長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第一緩衝單元70可設於佈置於下層之第一轉移通道(未圖示)之長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之區域的一側。第二緩衝單元80可設於第二基板接收部份54上方。
沿著圖8之基板轉移路徑進行基板轉移，且因與圖7的情況相同，將省略其詳細描述。
圖9是根據本發明第五實施例之基板處理裝置的側視 圖。
參看圖9，第一緩衝單元70可設於框架51中，使得其關於第一基板接收部份52設置於第二基板接收部份54之相對側。第二緩衝單元80可設於第二處理部份32b中鄰近介面單元50處。
例如，如圖9所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第二緩衝單元80可設於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向中延伸的區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第二緩衝單元80可設於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域的一側。第一緩衝單元70可設於第一基板接收部份52上方。
或者，當第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第二緩衝單元80可設於在佈置於上層之第二轉移通道(未圖示)之長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第二緩衝單元80可設於佈置於上層中第二轉移通道(未圖示)之長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域的一側。第一緩衝單元70可設於第一基板接收部份54下方。
沿著圖9之基板轉移路徑進行基板轉移，且因與圖7之情況相同，將省略對其之詳細描述。
圖10是根據本發明第六實施例之基板處理裝置的側視圖。
參看圖10，第一緩衝單元70可設於第一處理部份32a 中鄰近介面單元50處。第二緩衝單元80可設於第二處理部份32b中鄰近介面單元50處。
例如，如圖10所示，當第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70可設於在第一轉移通道34a(參看圖3)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第一緩衝單元70可設於在第一轉移通道34a(參看圖3)的長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之區域的一側。在這一點上，第二緩衝單元80可設置於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向延伸之區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第二緩衝單元80可設於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域的一側。
或者，當第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一緩衝單元70設於設置於下層之第一處理單元32a中且第二緩衝單元80可設於上層之第二處理單元32b中。在這一點上，第一緩衝單元70和第二緩衝單元80之位置類似於其中第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層之情況且因此將在本文中省略其詳細描述。
如先前所述，在圖2中，僅第一基板接收部份52設於介面單元50之框架51中。在圖5至圖10中，第一基板接收部份52和第二基板接收部份54皆設於介面單元50之框架51中。與上述實施例不同，僅第二基板接收部份54可設於介面單元50之框架中。此將關於圖11和圖12來描述。
圖11是根據本發明第七實施例之基板處理裝置的側視圖。
參看圖11，第二基板接收部份54設置於框架51的內中心。第一緩衝單元70可設置於第二基板接收部份54之第一側，使得其位於對應於第一處理部份32a之高度。第二緩衝單元80設置於第二基板接收部份54之第二側，使得其位於對應於第二處理部份32b之高度。例如，當如圖11所示，第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70設於第二基板接收部份54上方且第二緩衝單元80設於第二基板接收部份54下方。或者，當第一處理部份32a位於下層且第二處理部份32b位於上層時，第一緩衝單元70設於第二基板接收部份54下方而第二緩衝單元80設於第二基板接收部份54上方。第二基板接收部份54和第一緩衝單元70和第二緩衝單元80具有狹槽(未圖示)，基板可透過該狹槽插入。
第一緩衝單元70提供一空間，在此暫時存放自第一處理部份32a轉移之基板以防止轉移延遲，且第二緩衝單元80提供一空間，在此暫時存放將要轉移至第二處理部份32b之基板以防止轉移延遲。第二基板接收部份54接收自連接至框架51的後端部的第二處理單元60所轉移之基板。
下文將描述藉由上文所述之佈置所進行之基板轉移過程。如圖11所示，自第一處理部份32a轉移之基板藉由第一介面單元機器人200a依序轉移至第一緩衝單元70。在第一緩衝單元70中接收之基板藉由第二介面單元機器人 200b逐個轉移至第二處理單元60。在第二處理單元60被曝光之基板藉由第二介面單元機器人200b依序轉移至第二基板接收部份54。在第二基板接收部份54中接收之基板逐個轉移至第二緩衝單元80且隨後藉由第一介面單元機器人200a轉移至第二處理部份32b。
圖12是根據本發明第八實施例之基板處理裝置的側視圖。
參看圖12，第一緩衝單元70可設於框架51中第二基板接收部份54之上部和下部中之一者的第一側，其對應於第一處理部份32a所在的高度。
例如，當如圖12所示，第一處理部份32a設置於上層且第二處理部份32b設置於下層時，第一緩衝單元70設於第二基板接收部份54上方且第二緩衝單元80設於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第二緩衝單元80可設於在第二轉移通道34b(參看圖3)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域的一側。第一緩衝單元70可設於第二基板接收部份54上方。
或者，當如圖11所示，第一處理部份32a設置於下層且第二處理部份32b設置於上層時，第一緩衝單元70設於第二基板接收部份54下方且第二緩衝單元80設於上層的第二轉移通道(未圖示)的長度方向延伸的區域中鄰近介面單元50之區域。此外，第二緩衝單元80可設於第二轉移通道(未圖示)的長度方向的區域中鄰近介面單元50 之區域的一側。
沿著圖12之基板轉移路徑進行基板轉移。經過第一處理部份32a、第一緩衝單元70、第二處理單元60、第二基板接收部份54、第二緩衝單元80和第二處理部份32b依序進行基板轉移。此與圖11之基板處理裝置的基板轉移過程相同。但是由於第一緩衝單元70與第二緩衝單元80之佈置不同於圖11之佈置，因此在基板轉移過程中部件的移動長度不同。當參考第一緩衝單元70與第二緩衝單元80和基板轉移次序時將理解此實施例之部件的移動長度。因此，將省略此實施例之部件的移動長度的詳細描述。
根據本發明之實施例，可在曝光製程之前和曝光製程之後處理基板之處理單元與用於使基板曝光之曝光單元之間有效地轉移基板。
上述主旨被認為是說明性的而不是限制性的，且所附申請專利範圍預期涵蓋屬於本發明之真實精神和範疇內之所有該等修改、改進和其他實施例。因此，在法律許可之最大範圍，本發明之範疇由對下文申請專利範圍和其等效物之最廣泛許可的解釋來決定，且不應受到前文詳細描述之限制或局限。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧第一方向
14‧‧‧第二方向
16‧‧‧第三方向
20‧‧‧分度器
22a‧‧‧載入埠
22b‧‧‧載入埠
22c‧‧‧載入埠
22d‧‧‧載入埠
30‧‧‧第一處理單元
32a‧‧‧第一處理部份
32b‧‧‧第二處理部份
34a‧‧‧第一轉移通道
34b‧‧‧第二轉移通道
36a‧‧‧第一主機器人
36b‧‧‧第二主機器人
40‧‧‧處理模組
50‧‧‧介面單元
51‧‧‧框架
52‧‧‧第一基板接收部份
54‧‧‧第二基板接收部份
60‧‧‧第二處理單元/曝光單元
62a‧‧‧第一處理部份
70‧‧‧第一緩衝單元
80‧‧‧第二緩衝單元
100‧‧‧分度器機器人
110‧‧‧水平導軌
120‧‧‧豎直導軌
130‧‧‧機器手臂
200a‧‧‧第一介面單元機器人
200b‧‧‧第二介面單元機器人
210a‧‧‧水平導軌
210b‧‧‧水平導軌
220a‧‧‧豎直導軌
220b‧‧‧豎直導軌
230a‧‧‧機器手臂
230b‧‧‧機器手臂
C‧‧‧盒
圖1是根據本發明實施例之基板處理裝置的頂視平面圖。
圖2是圖1之基板處理裝置之側視圖。
圖3是圖1之基板處理裝置之第一處理單元的示意圖。
圖4是說明在圖2之基板處理裝置中之基板轉移路徑之示意圖。
圖5是根據本發明第二實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖6是說明圖5之基板處理裝置中之基板轉移路徑的示意圖。
圖7是根據本發明第三實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖8是根據本發明第四實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖9是根據本發明第五實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖10是根據本發明第六實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖11是根據本發明第七實施例之基板處理裝置的側視圖。
圖12是根據本發明第八實施例之基板處理裝置的側視圖。
10‧‧‧基板處理裝置
12‧‧‧第一方向
14‧‧‧第二方向
16‧‧‧第三方向
20‧‧‧分度器
22a‧‧‧載入埠
30‧‧‧第一處理單元
32a‧‧‧第一處理部份
32b‧‧‧第二處理部份
40‧‧‧處理模組
50‧‧‧介面單元
51‧‧‧框架
52‧‧‧第一基板接收部份
54‧‧‧第二基板接收部份
60‧‧‧第二處理單元/曝光單元
70‧‧‧第一緩衝單元
80‧‧‧第二緩衝單元
100‧‧‧分度器機器人
110‧‧‧水平導軌
120‧‧‧豎直導軌
130‧‧‧機器手臂
200a‧‧‧第一介面單元機器人
200b‧‧‧第二介面單元機器人
C‧‧‧盒

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，包括：第一處理單元，具有雙層結構，其中進行塗佈製程之第一處理部份和進行顯影製程之第二處理部份豎向佈置；第一緩衝單元，提供一空間，在所述空間暫時存放已在所述第一處理部份經受處理之基板；第二緩衝單元，提供一空間，在所述空間暫時存放將在所述第二處理部份經受處理之基板；以及介面單元，在所述第一緩衝單元和所述第二緩衝單元與進行曝光之第二處理單元之間轉移所述基板，其中所述介面單元包括：框架，鄰近所述第一處理單元設置；以及第一基板接收部份，設置於所述框架中，接收在所述第一緩衝單元中接收並將要轉移至所述第二處理單元之所述基板，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第一側，使得所述第一緩衝單元位於對應於所述第一處理部份之高度；以及所述第二緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第二側，使得所述第二緩衝單元位於對應於所述第二處理部份之高度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中所述介面單元更包括第二基板接收部份，所述第二基板接收部份設置於所述框架中且用於接收自所述第二處理單元 轉移之已曝光的所述基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，其中所述第一基板接收部份與所述第二基板接收部份以與在所述豎向佈置之所述第一處理部份與所述第二處理部份相同的次序來佈置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中，使得所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及第二緩衝單元設於所述框架中，使得所述第二緩衝單元關於所述第二基板接收部份設置於所述第一基板接收部份之相對側。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中，使得所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及第二緩衝單元，設於所述第一緩衝單元與所述第一基板接收部份之間。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述第一處理部份中鄰近所述介面單元處；以及所述第二緩衝單元設於所述框架中，使得所述第二緩衝單元關於所述第二基板接收部份設置於所述第一基板接收部份之相對側。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中，使得所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述第一處理部份中鄰近所述介面單元處；以及所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
  9. 一種基板處理裝置，包括：第一處理單元，具有雙層結構，其中進行塗佈製程之第一處理部份和進行顯影製程之第二處理部份豎向佈置；第二處理單元，；第一緩衝單元，提供一空間，在所述空間暫時存放已在所述第一處理部份經受處理之基板；第二緩衝單元，提供一空間，在所述空間暫時存放將在所述第二處理部份經受處理之所述基板；以及介面單元，在所述第一緩衝單元和第二緩衝單元與進行曝光製程之第二處理單元之間轉移基板，其中所述介面單元包括：框架，鄰近所述第一處理單元設置；以及第二基板接收部份，設置於所述框架中，接收已曝光 並自所述第二處理單元轉移之所述基板，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之第一側，使得所述第一緩衝單元位於對應於所述第一處理部份之高度；以及第二緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之第二側，使得所述第二緩衝單元位於對應於所述第二處理部份之高度。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，其中所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之上側和下側中之一側，對應於所述第一處理部份所在的高度；以及所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
  11. 一種在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其使用如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，所述方法包括：將在所述第一處理部份經受處理之所述基板轉移至所述第一緩衝單元；將所述基板自所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份；將所述基板自所述第一基板接收部份轉移至所述第二處理單元；將在所述第二處理單元被曝光之所述基板轉移至所述第二緩衝單元；以及 將所述基板自所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第一側，使得所述第一緩衝單元位於對應於所述第一處理部份之高度；以及在所述第二處理單元被曝光之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第二側，使得所述第二緩衝單元位於對應於所述第二處理部份之高度。
  12. 一種在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其使用如申請專利範圍第2項所述之基板處理裝置，所述方法包括：將在所述第一處理部份經受處理之所述基板轉移至所述第一緩衝單元；將所述基板自所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份；將所述基板自所述第一基板接收部份轉移至所述第二處理單元；將在所述第二處理單元被曝光之所述基板轉移至所述第二基板接收部份；將所述基板自所述第二基板接收部份轉移至所述第二緩衝單元；以及 將所述基板自所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第一側，使得所述第一緩衝單元位於對應於所述第一處理部份之高度；以及在所述第二處理單元被曝光之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述框架中所述第一基板接收部份之第二側，使得所述第二緩衝單元位於對應於所述第二處理部份之高度。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中所述第一基板接收部份和所述第二基板接收部份與在所述豎向佈置之所述第一處理部份和第二處理部份相同的次序來佈置。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及被曝光且在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元關於所述第二基板接收部份設置於所述第一基板接收部份之相對側。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述框架中，使得所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及被曝光且在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述框架中，使得所述第二緩衝單元設置於所述第一緩衝單元與所述第一基板接收部份之間。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述第一處理部份中鄰近所述介面單元處；以及被曝光且在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述框架中，使得所述第二緩衝單元關於所述第二基板接收部份設置於所述第一基板接收部份之相對側。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述框架中，使 得所述第一緩衝單元關於所述第一基板接收部份設置於所述第二基板接收部份之相對側；以及被曝光並在所述第二基板接收部份接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
  18. 如申請專利範圍第13項所述之在第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第一基板接收部份，所述第一緩衝單元設於所述第一處理部份中鄰近所述介面單元處；以及被曝光並在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
  19. 一種在所述第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其使用如申請專利範圍第9項所述之基板處理裝置，所述方法包括：將在所述第一處理部份經受處理之所述基板轉移至所述第一緩衝單元；將所述基板自所述第一緩衝單元轉移至所述第二處理單元；將在所述第二處理單元被曝光之所述基板轉移至所述第二基板接收部份；將所述基板自所述第二基板接收部份轉移至所述第二 緩衝單元；以及將所述基板自所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第二處理單元，所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之第一側，使得所述第一緩衝單元位於對應於所述第一處理部份之高度；在所述第二處理單元被曝光之所述基板被轉移至所述第一緩衝單元與所述第二緩衝單元之間的所述第二基板接收部份；以及在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之第二側，使得所述第二緩衝單元位於對應於所述第二處理部份之高度。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之在所述第一處理單元與第二處理單元之間轉移的方法，其中在所述第一處理部份經受處理之所述基板經由所述第一緩衝單元轉移至所述第二處理單元，所述第一緩衝單元設於所述框架中所述第二基板接收部份之上側和下側中之一側，其對應於所述第一處理部份所處之高度；將在所述第二處理單元被曝光之所述基板轉移至所述第二基板接收部份；以及在所述第二基板接收部份中接收之所述基板經由所 述第二緩衝單元轉移至所述第二處理部份，所述第二緩衝單元設於所述第二處理部份中鄰近所述介面單元處。
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