JPH0851067A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法Info
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- JPH0851067A JPH0851067A JP7074287A JP7428795A JPH0851067A JP H0851067 A JPH0851067 A JP H0851067A JP 7074287 A JP7074287 A JP 7074287A JP 7428795 A JP7428795 A JP 7428795A JP H0851067 A JPH0851067 A JP H0851067A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
- G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な処理工程を高スループットで自動的に
実行することのできる処理装置及び処理方法を提供す
る。 【構成】 ウエハカセットから半導体ウエハを取出して
搬送する機構１４，１５と、半導体ウエハの表面に第１
のフォトレジストを塗布する機構１６と、この半導体ウ
エハに第１の加熱処理を施す機構１７と、この半導体ウ
エハを一時的に収納保存し、次の処理工程での所要時間
に合せて送り出す機構１８と、この機構１８から搬送さ
れた半導体ウエハの表面に第２のフォトレジストを塗布
する機構１９と、この半導体ウエハに第２の加熱処理を
施す機構２０と、この半導体ウエハを一時的に収納保存
し、露光工程での所要時間に合せて送り出す機構２３
と、露光装置２２から、半導体ウエハを受取り、ウエハ
カセットに収納する機構２４，２５とを具備している。
実行することのできる処理装置及び処理方法を提供す
る。 【構成】 ウエハカセットから半導体ウエハを取出して
搬送する機構１４，１５と、半導体ウエハの表面に第１
のフォトレジストを塗布する機構１６と、この半導体ウ
エハに第１の加熱処理を施す機構１７と、この半導体ウ
エハを一時的に収納保存し、次の処理工程での所要時間
に合せて送り出す機構１８と、この機構１８から搬送さ
れた半導体ウエハの表面に第２のフォトレジストを塗布
する機構１９と、この半導体ウエハに第２の加熱処理を
施す機構２０と、この半導体ウエハを一時的に収納保存
し、露光工程での所要時間に合せて送り出す機構２３
と、露光装置２２から、半導体ウエハを受取り、ウエハ
カセットに収納する機構２４，２５とを具備している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置及び処理方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは複数の処理機構および、
搬送機構等を有した処理装置によって製造される。
搬送機構等を有した処理装置によって製造される。
【０００３】図４は、このような処理装置の一例を示す
もので、半導体ウエハ１をウエハカセット２内から１枚
ずつ順に取出す搬送機構［センダー（Ｓ）］３、半導体
ウエハ１の表面にフォトレジスト液を塗布するフォトレ
ジスト塗布機構（ＣＴ）４、半導体ウエハ１の表面に塗
布されたフォトレジスト液を膜状に安定化させる加熱機
構（ＨＰ）５、処理後の半導体ウエハ１を１枚ずつウエ
ハカセット７内に収納する搬送機構［レシーバ（Ｒ）］
６がこの順に配設されている。
もので、半導体ウエハ１をウエハカセット２内から１枚
ずつ順に取出す搬送機構［センダー（Ｓ）］３、半導体
ウエハ１の表面にフォトレジスト液を塗布するフォトレ
ジスト塗布機構（ＣＴ）４、半導体ウエハ１の表面に塗
布されたフォトレジスト液を膜状に安定化させる加熱機
構（ＨＰ）５、処理後の半導体ウエハ１を１枚ずつウエ
ハカセット７内に収納する搬送機構［レシーバ（Ｒ）］
６がこの順に配設されている。
【０００４】そして、まず搬送機構３がウエハカセット
２内から処理前の半導体ウエハ１を１枚ずつ順に取出し
た後、これをフォトレジスト塗布機構４に搬送すると、
そのフォトレジスト塗布機構４が半導体ウエハ１の表面
にフォトレジスト液を塗布する。
２内から処理前の半導体ウエハ１を１枚ずつ順に取出し
た後、これをフォトレジスト塗布機構４に搬送すると、
そのフォトレジスト塗布機構４が半導体ウエハ１の表面
にフォトレジスト液を塗布する。
【０００５】次に、加熱機構５がその半導体ウエハ１の
表面に塗布されたフォトレジスト液を加熱することによ
り、レジストの溶剤を蒸発させて膜状に安定化させた
後、搬送機構（Ｒ）６がその半導体ウエハ１を１枚ずつ
順にウエハカセット７内に収納する。
表面に塗布されたフォトレジスト液を加熱することによ
り、レジストの溶剤を蒸発させて膜状に安定化させた
後、搬送機構（Ｒ）６がその半導体ウエハ１を１枚ずつ
順にウエハカセット７内に収納する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
ＶＬＳＩにおける集積度の高密度化により、例えばフォ
トレジスト処理工程においての処理の工程の数および工
程の種類等も増大、複雑化する傾向にある。また、無人
による自動化の見地から複数の装置を結合することも検
討されつつある。
ＶＬＳＩにおける集積度の高密度化により、例えばフォ
トレジスト処理工程においての処理の工程の数および工
程の種類等も増大、複雑化する傾向にある。また、無人
による自動化の見地から複数の装置を結合することも検
討されつつある。
【０００７】これらを満たすためには、例えば全行程で
のスループットの調整を最適に設定したり、各工程での
処理機構を部分的に使用したり、他の装置との互換性を
図ったりして、実状に適合し得る構成を考慮する必要が
ある。
のスループットの調整を最適に設定したり、各工程での
処理機構を部分的に使用したり、他の装置との互換性を
図ったりして、実状に適合し得る構成を考慮する必要が
ある。
【０００８】しかし、上述した従来の処理装置では、特
にその搬送機構が単に半導体ウエハ１の取出しおよび収
納といった単一機能のみ有するものであるから、例えば
フォトレジスト処理工程においての処理工程の数および
工程の種類等の増大、複雑化を図るためには限度があ
る。
にその搬送機構が単に半導体ウエハ１の取出しおよび収
納といった単一機能のみ有するものであるから、例えば
フォトレジスト処理工程においての処理工程の数および
工程の種類等の増大、複雑化を図るためには限度があ
る。
【０００９】本発明は、このような事情に対処して成さ
れたもので、複雑な処理工程を高スループットで自動的
に実行することのできる処理装置及び処理方法を提供す
ることを目的とする。
れたもので、複雑な処理工程を高スループットで自動的
に実行することのできる処理装置及び処理方法を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、被処
理体を１枚ずつ順に搬送して該被処理体の表面に所定の
処理を施す処理装置において、被処理体収納カセットか
ら被処理体を１枚ずつ順に取出して搬送する手段と、前
記被処理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する手
段と、前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体
に第１の加熱処理を施す手段と、前記第１の加熱処理を
施された被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程
での所要時間に合せて送り出す収納・搬送手段と、この
収納・搬送手段から搬送された前記被処理体の表面に第
２のフォトレジストを塗布する手段と、前記第２のフォ
トレジストが塗布された被処理体に第２の加熱処理を施
す手段と、前記第２の加熱処理を施された被処理体を一
時的に収納保存し、露光装置による露光工程での所要時
間に合せて送り出す手段と、前記露光装置から、露光処
理を終えた前記被処理体を受取り、被処理体収納カセッ
トに収納する手段とを具備したことを特徴とする。
理体を１枚ずつ順に搬送して該被処理体の表面に所定の
処理を施す処理装置において、被処理体収納カセットか
ら被処理体を１枚ずつ順に取出して搬送する手段と、前
記被処理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する手
段と、前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体
に第１の加熱処理を施す手段と、前記第１の加熱処理を
施された被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程
での所要時間に合せて送り出す収納・搬送手段と、この
収納・搬送手段から搬送された前記被処理体の表面に第
２のフォトレジストを塗布する手段と、前記第２のフォ
トレジストが塗布された被処理体に第２の加熱処理を施
す手段と、前記第２の加熱処理を施された被処理体を一
時的に収納保存し、露光装置による露光工程での所要時
間に合せて送り出す手段と、前記露光装置から、露光処
理を終えた前記被処理体を受取り、被処理体収納カセッ
トに収納する手段とを具備したことを特徴とする。
【００１１】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の処理装置において、前記露光処理を終えた前記被処
理体に現像処理を施す手段と、現像処理を終了した前記
被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所要
時間に合せて送り出す手段と、この手段からの送り出さ
れた前記被処理体に第３の加熱処理を施す手段とを具備
したことを特徴とする。
載の処理装置において、前記露光処理を終えた前記被処
理体に現像処理を施す手段と、現像処理を終了した前記
被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所要
時間に合せて送り出す手段と、この手段からの送り出さ
れた前記被処理体に第３の加熱処理を施す手段とを具備
したことを特徴とする。
【００１２】また、請求項３記載の発明は、被処理体を
１枚ずつ順に搬送して該被処理体の表面に所定の処理を
施す処理方法において、被処理体収納カセットから被処
理体を１枚ずつ順に取出して搬送する工程と、前記被処
理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する工程と、
前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体に第１
の加熱処理を施す工程と、前記第１の加熱処理を施され
た被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所
要時間に合せて送り出す収納・搬送工程と、この収納・
搬送工程から搬送された前記被処理体の表面に第２のフ
ォトレジストを塗布する工程と、前記第２のフォトレジ
ストが塗布された被処理体に第２の加熱処理を施す工程
と、前記第２の加熱処理を施された被処理体を一時的に
収納保存し、露光装置による露光工程での所要時間に合
せて送り出す工程と、前記露光装置から、露光処理を終
えた前記被処理体を受取り、被処理体収納カセットに収
納する工程とを具備したことを特徴とする処理方法。
１枚ずつ順に搬送して該被処理体の表面に所定の処理を
施す処理方法において、被処理体収納カセットから被処
理体を１枚ずつ順に取出して搬送する工程と、前記被処
理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する工程と、
前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体に第１
の加熱処理を施す工程と、前記第１の加熱処理を施され
た被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所
要時間に合せて送り出す収納・搬送工程と、この収納・
搬送工程から搬送された前記被処理体の表面に第２のフ
ォトレジストを塗布する工程と、前記第２のフォトレジ
ストが塗布された被処理体に第２の加熱処理を施す工程
と、前記第２の加熱処理を施された被処理体を一時的に
収納保存し、露光装置による露光工程での所要時間に合
せて送り出す工程と、前記露光装置から、露光処理を終
えた前記被処理体を受取り、被処理体収納カセットに収
納する工程とを具備したことを特徴とする処理方法。
【００１３】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の処理方法において、前記露光処理を終えた前記被処
理体に現像処理を施す工程と、現像処理を終了した前記
被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所要
時間に合せて送り出す工程と、この工程からの送り出さ
れた前記被処理体に第３の加熱処理を施す工程とを具備
したことを特徴とする。
載の処理方法において、前記露光処理を終えた前記被処
理体に現像処理を施す工程と、現像処理を終了した前記
被処理体を一時的に収納保存し、次の処理工程での所要
時間に合せて送り出す工程と、この工程からの送り出さ
れた前記被処理体に第３の加熱処理を施す工程とを具備
したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明の処理装置及び処理方法では、複数層の
フォトレジストの塗布、及び加熱処理等の複雑な処理工
程を高スループットで自動的に実行することができる。
フォトレジストの塗布、及び加熱処理等の複雑な処理工
程を高スループットで自動的に実行することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の処理装置及び処理方法の一実
施例の詳細を図面に基づいて説明する。
施例の詳細を図面に基づいて説明する。
【００１６】処理装置本体１１には、被処理体例えば半
導体ウエハ１２を収納するウエハカセット１３からその
半導体ウエハ１２を１枚ずつ順に取出す搬送機構（Ｉ
Ａ）１４および（ＩＢ）１５、半導体ウエハ１２の表面
に第１のフォトレジストを塗布する第１の塗布機構（Ｃ
Ｔ）１６、その塗布した第１のフォトレジスト中に残留
する溶剤を加熱によって蒸発させる第１の加熱機構（Ｈ
Ｐ）１７がこの順で配設されている。
導体ウエハ１２を収納するウエハカセット１３からその
半導体ウエハ１２を１枚ずつ順に取出す搬送機構（Ｉ
Ａ）１４および（ＩＢ）１５、半導体ウエハ１２の表面
に第１のフォトレジストを塗布する第１の塗布機構（Ｃ
Ｔ）１６、その塗布した第１のフォトレジスト中に残留
する溶剤を加熱によって蒸発させる第１の加熱機構（Ｈ
Ｐ）１７がこの順で配設されている。
【００１７】また処理装置本体１１には、第１の加熱機
構（ＨＰ）１７によって加熱処理された半導体ウエハ１
２を次工程の処理機構に搬送する搬送機構（ＩＣ）１
８、半導体ウエハ１２の表面に第２のフォトレジストを
塗布する第２の塗布機構（ＣＴ）１９、その塗布した第
２のフォトレジスト中に残留する溶剤を加熱によって蒸
発させる第２の加熱機構（ＨＰ）２０がこの順で配設さ
れている。
構（ＨＰ）１７によって加熱処理された半導体ウエハ１
２を次工程の処理機構に搬送する搬送機構（ＩＣ）１
８、半導体ウエハ１２の表面に第２のフォトレジストを
塗布する第２の塗布機構（ＣＴ）１９、その塗布した第
２のフォトレジスト中に残留する溶剤を加熱によって蒸
発させる第２の加熱機構（ＨＰ）２０がこの順で配設さ
れている。
【００１８】さらに、処理装置本体１１には、第２の加
熱機構（ＨＰ）２０によって加熱処理された半導体ウエ
ハ１２を、例えばインターフェース機構（Ｉ／Ｆ）２１
を介して接続された露光装置２２側へ搬送する搬送機構
（ＩＤ）２３がこの順で配設されている。
熱機構（ＨＰ）２０によって加熱処理された半導体ウエ
ハ１２を、例えばインターフェース機構（Ｉ／Ｆ）２１
を介して接続された露光装置２２側へ搬送する搬送機構
（ＩＤ）２３がこの順で配設されている。
【００１９】さらにまた、処理装置本体１１には、露光
装置２２によって露光処理された半導体ウエハ１２をウ
エハカセット１３内に１枚ずつ順に収納する搬送機構
（ＩＥ）２４および（ＩＦ）２５が配設されている。
装置２２によって露光処理された半導体ウエハ１２をウ
エハカセット１３内に１枚ずつ順に収納する搬送機構
（ＩＥ）２４および（ＩＦ）２５が配設されている。
【００２０】なお、各搬送機構（ＩＡ）１４、（ＩＢ）
１５、（ＩＣ）１８、（ＩＤ）２３、（ＩＥ）２４、
（ＩＦ）２５にはそれぞれ各搬送機構の動作を制御する
コントローラ（Ａ）２６、（Ｂ）２７、（Ｃ）２８、
（Ｄ）２９、（Ｅ）３０、（Ｆ）３１が接続されてお
り、さらにこれらのコントローラ２６〜３１にはマニュ
アル操作によって所定の制御信号を与えるマニュアル操
作部（Ｍ）３２が接続されている。
１５、（ＩＣ）１８、（ＩＤ）２３、（ＩＥ）２４、
（ＩＦ）２５にはそれぞれ各搬送機構の動作を制御する
コントローラ（Ａ）２６、（Ｂ）２７、（Ｃ）２８、
（Ｄ）２９、（Ｅ）３０、（Ｆ）３１が接続されてお
り、さらにこれらのコントローラ２６〜３１にはマニュ
アル操作によって所定の制御信号を与えるマニュアル操
作部（Ｍ）３２が接続されている。
【００２１】また、上記の搬送機構（ＩＡ）〜（ＩＦ）
には、図２に示すように、基台３２Ａが備えられてお
り、この基台３２Ａの一縁部には例えば棒状の支持材
（Ａ）３３が立設され、この支持材（Ａ）３３の上端部
には図示を省略したモータ等により駆動するゴムベルト
３４等を用いて半導体ウエハ１２を載置搬送する搬送部
３５が設けられている。また基台３２Ａの他縁部には、
上記の各部と対称するごとく、棒状の支持材（Ｂ）３
６、ゴムベルト３７等を用いた搬送部３８が設けられて
いる。
には、図２に示すように、基台３２Ａが備えられてお
り、この基台３２Ａの一縁部には例えば棒状の支持材
（Ａ）３３が立設され、この支持材（Ａ）３３の上端部
には図示を省略したモータ等により駆動するゴムベルト
３４等を用いて半導体ウエハ１２を載置搬送する搬送部
３５が設けられている。また基台３２Ａの他縁部には、
上記の各部と対称するごとく、棒状の支持材（Ｂ）３
６、ゴムベルト３７等を用いた搬送部３８が設けられて
いる。
【００２２】搬送部３５および３８の中間に位置する基
台３２Ａ上には、センターリブ３９を有するウエハカセ
ット１３を略Ｈ字状のテーブル４０を介して載置すると
ともに、これを所定の距離だけ昇降させる昇降装置４１
が取付けられている。
台３２Ａ上には、センターリブ３９を有するウエハカセ
ット１３を略Ｈ字状のテーブル４０を介して載置すると
ともに、これを所定の距離だけ昇降させる昇降装置４１
が取付けられている。
【００２３】このような構成の処理装置は、次のような
動作を行う。
動作を行う。
【００２４】まず、マニュアル操作部（Ｍ）３２によっ
て設定された各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の具体的な動作
例について説明する。
て設定された各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の具体的な動作
例について説明する。
【００２５】センダー機能が設定された場合には、ウエ
ハカセット１３を所定の距離だけ下降させて半導体ウエ
ハ１２を搬送部３５および３８に載置した後、ゴムベル
ト３４および３７を駆動させてそのウエハカセット１３
内から半導体ウエハ１２を１枚ずつ順に取出す。これら
は、予め定められたプログラムで自動的に実行される。
パススルー機能が設定された場合には、テーブル４０
を上昇または下降させて半導体ウエハ１２を支障なく自
動的に通過させる。
ハカセット１３を所定の距離だけ下降させて半導体ウエ
ハ１２を搬送部３５および３８に載置した後、ゴムベル
ト３４および３７を駆動させてそのウエハカセット１３
内から半導体ウエハ１２を１枚ずつ順に取出す。これら
は、予め定められたプログラムで自動的に実行される。
パススルー機能が設定された場合には、テーブル４０
を上昇または下降させて半導体ウエハ１２を支障なく自
動的に通過させる。
【００２６】バッファ機能が設定された場合には、次の
処理工程での処理時間に合せてウエハカセット１３に対
する半導体ウエハ１２の搬入または搬出を自動的に行
う。
処理工程での処理時間に合せてウエハカセット１３に対
する半導体ウエハ１２の搬入または搬出を自動的に行
う。
【００２７】オーバー処理防止機能が設定された場合に
は、例えば耐熱性のウエハカセット１３を用いて一時的
に半導体ウエハ１２を収納保存し、所定時間が経過した
後にその半導体ウエハ１２を自動的に搬出する。
は、例えば耐熱性のウエハカセット１３を用いて一時的
に半導体ウエハ１２を収納保存し、所定時間が経過した
後にその半導体ウエハ１２を自動的に搬出する。
【００２８】ピックアップ機能が設定された場合には、
例えばウエハカセット１３内に半導体ウエハ１２を収納
した後、そのウエハカセット１３を上昇させて半導体ウ
エハ１２を自動的に抜取り易いようにする。
例えばウエハカセット１３内に半導体ウエハ１２を収納
した後、そのウエハカセット１３を上昇させて半導体ウ
エハ１２を自動的に抜取り易いようにする。
【００２９】レシーバ機能が設定された場合には、半導
体ウエハ１２を順に取込めるように上下動作を自動的に
繰返す。
体ウエハ１２を順に取込めるように上下動作を自動的に
繰返す。
【００３０】まずマニュアル操作部（Ｍ）３２によるマ
ニュアル指示により各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の機能を
例えば次のように設定する。
ニュアル指示により各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の機能を
例えば次のように設定する。
【００３１】すなわち、搬送機構（ＩＡ）１４および
（ＩＢ）１５にはセンダー機能、搬送機構（ＩＣ）１８
および（ＩＤ）２３にはバッファ機能、搬送機構（Ｉ
Ｅ）２４および（ＩＦ）２５にはレシーバ機能をそれぞ
れ持たせる。
（ＩＢ）１５にはセンダー機能、搬送機構（ＩＣ）１８
および（ＩＤ）２３にはバッファ機能、搬送機構（Ｉ
Ｅ）２４および（ＩＦ）２５にはレシーバ機能をそれぞ
れ持たせる。
【００３２】そして、搬送機構（ＩＡ）１４および（Ｉ
Ｂ）１５がウエハカセット１３から半導体ウエハ１２を
１枚ずつ順に取出して第１の塗布機構（ＣＴ）１６へ送
ると、第１の塗布機構（ＣＴ）１６が半導体ウエハ１２
の表面に第１のフォトレジストを塗布する。この塗布処
理を終えた半導体ウエハ１２は第１の加熱機構（ＨＰ）
１７へ搬送されると、その第１の加熱機構（ＨＰ）１７
が加熱処理を行う。
Ｂ）１５がウエハカセット１３から半導体ウエハ１２を
１枚ずつ順に取出して第１の塗布機構（ＣＴ）１６へ送
ると、第１の塗布機構（ＣＴ）１６が半導体ウエハ１２
の表面に第１のフォトレジストを塗布する。この塗布処
理を終えた半導体ウエハ１２は第１の加熱機構（ＨＰ）
１７へ搬送されると、その第１の加熱機構（ＨＰ）１７
が加熱処理を行う。
【００３３】次に、搬送機構（ＩＣ）１８が加熱処理を
終えた半導体ウエハ１２をウエハカセット１３内に取込
むとともに、その半導体ウエハ１２を次の処理工程での
所要時間に合せて一時的に収納保存した後、第２の塗布
機構（ＣＴ）１９へ搬出する。ここで、第２の塗布機構
（ＣＴ）１９が半導体ウエハ１２の表面に第２のフォト
レジストを塗布する。この塗布処理を終えた半導体ウエ
ハ１２は第２の加熱機構（ＨＰ）２０へ搬送されると、
その第２の加熱機構（ＨＰ）２０が加熱処理を行う。
終えた半導体ウエハ１２をウエハカセット１３内に取込
むとともに、その半導体ウエハ１２を次の処理工程での
所要時間に合せて一時的に収納保存した後、第２の塗布
機構（ＣＴ）１９へ搬出する。ここで、第２の塗布機構
（ＣＴ）１９が半導体ウエハ１２の表面に第２のフォト
レジストを塗布する。この塗布処理を終えた半導体ウエ
ハ１２は第２の加熱機構（ＨＰ）２０へ搬送されると、
その第２の加熱機構（ＨＰ）２０が加熱処理を行う。
【００３４】次いで、搬送機構（ＩＤ）２３が加熱処理
を終えた半導体ウエハ１２をウエハカセット１３内に取
込むとともに、次の処理工程での所要時間に合せてその
半導体ウエハ１２を一時的に収納保存し、この後露光装
置２２へ搬出すると、その露光装置２２が半導体ウエハ
１２の表面に露光処理を施す。
を終えた半導体ウエハ１２をウエハカセット１３内に取
込むとともに、次の処理工程での所要時間に合せてその
半導体ウエハ１２を一時的に収納保存し、この後露光装
置２２へ搬出すると、その露光装置２２が半導体ウエハ
１２の表面に露光処理を施す。
【００３５】しかる後、搬送機構（ＩＥ）２４および
（ＩＦ）２５が露光処理を終えた半導体ウエハ１２をウ
エハカセット１３内に取込む。
（ＩＦ）２５が露光処理を終えた半導体ウエハ１２をウ
エハカセット１３内に取込む。
【００３６】また、例えば第１の塗布機構（ＣＴ）１６
および第１の加熱機構（ＨＰ）１７のみを使用する場合
には、例えば搬送機構（ＩＡ）１４および（ＩＢ）１５
にセンダー機能、搬送機構（ＩＣ）１８にレシーバ機能
をそれぞれマニュアル操作部（Ｍ）３２の操作によって
持たせる。
および第１の加熱機構（ＨＰ）１７のみを使用する場合
には、例えば搬送機構（ＩＡ）１４および（ＩＢ）１５
にセンダー機能、搬送機構（ＩＣ）１８にレシーバ機能
をそれぞれマニュアル操作部（Ｍ）３２の操作によって
持たせる。
【００３７】さらに、例えば第２の塗布機構（ＣＴ）１
９および第２の加熱機構（ＨＰ）２０のみを使用する場
合には、例えば搬送機構（ＩＣ）１８にセンダー機能、
搬送機構（ＩＤ）２３にレシーバ機能をそれぞれマニュ
アル操作部（Ｍ）３２の操作によって持たせる。
９および第２の加熱機構（ＨＰ）２０のみを使用する場
合には、例えば搬送機構（ＩＣ）１８にセンダー機能、
搬送機構（ＩＤ）２３にレシーバ機能をそれぞれマニュ
アル操作部（Ｍ）３２の操作によって持たせる。
【００３８】このように、この実施例では、マニュアル
操作部（Ｍ）３２からの操作によりコントローラ２６〜
３１を介してそれぞれの各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）に各
機能を選択的に持たせることができ、これによりこれら
搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の動作にバリエーションを持た
せることができる。
操作部（Ｍ）３２からの操作によりコントローラ２６〜
３１を介してそれぞれの各搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）に各
機能を選択的に持たせることができ、これによりこれら
搬送機構（ＩＡ〜ＩＦ）の動作にバリエーションを持た
せることができる。
【００３９】なお、この実施例では、各搬送機構（ＩＡ
〜ＩＦ）に対する機能の選択をマニュアル操作部（Ｍ）
３２によって一括に設定する場合について説明したが、
この例に限らず各コントローラ２６〜３１毎に操作設定
するようにしてもよい。
〜ＩＦ）に対する機能の選択をマニュアル操作部（Ｍ）
３２によって一括に設定する場合について説明したが、
この例に限らず各コントローラ２６〜３１毎に操作設定
するようにしてもよい。
【００４０】図３は、例えば現像液塗布機構（ＤＥＶ）
と加熱機構（ＨＰ）との間にバッファ機能を有する搬送
機構（Ｉ）を配置させた構成をとる本発明の処理装置の
他の実施例を示すものである。
と加熱機構（ＨＰ）との間にバッファ機能を有する搬送
機構（Ｉ）を配置させた構成をとる本発明の処理装置の
他の実施例を示すものである。
【００４１】半導体ウエハ１２を例えば吸着保持し、図
示を省略したノズルからその半導体ウエハ１２の表面に
現像液の塗布が開始された際に回転してその塗布された
現像液を均一化させるターンテーブル４２を有した現像
液塗布機構（ＤＥＶ）４３、図示を省略したモータ等に
より駆動するローラ４４，４４……等を用い半導体ウエ
ハ１２を載置搬送する搬送部４５および略Ｈ字状のテー
ブル４０を介し、半導体ウエハ１２を一時的に収納保存
するウエハカセット１３を矢印ｂ，ｃ方向へ所定の距離
だけ移動させる昇降装置４１を有した搬送機構（Ｉ）４
６、現像液が塗布された半導体ウエハ１２に対して加熱
処理を施す加熱機構（ＨＰ）４７がこの順に配設されて
いる。
示を省略したノズルからその半導体ウエハ１２の表面に
現像液の塗布が開始された際に回転してその塗布された
現像液を均一化させるターンテーブル４２を有した現像
液塗布機構（ＤＥＶ）４３、図示を省略したモータ等に
より駆動するローラ４４，４４……等を用い半導体ウエ
ハ１２を載置搬送する搬送部４５および略Ｈ字状のテー
ブル４０を介し、半導体ウエハ１２を一時的に収納保存
するウエハカセット１３を矢印ｂ，ｃ方向へ所定の距離
だけ移動させる昇降装置４１を有した搬送機構（Ｉ）４
６、現像液が塗布された半導体ウエハ１２に対して加熱
処理を施す加熱機構（ＨＰ）４７がこの順に配設されて
いる。
【００４２】このような構成の処理装置は、次のような
動作を行う。
動作を行う。
【００４３】まず、先に所定の処理の施しを受けた半導
体ウエハ１２が現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３側へ搬送
されると、そのターンテーブル４２が半導体ウエハ１２
を例えば吸着保持する。次に、図示を省略したノズルか
らその半導体ウエハ１２の表面に現像液が塗布される
と、ターンテーブル４２が回転を開始し、これにより半
導体ウエハ１２の表面上の現像液が均一に塗布される。
ここで、現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３での現像液の塗
布処理に要する時間は、例えば５０秒程度である。
体ウエハ１２が現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３側へ搬送
されると、そのターンテーブル４２が半導体ウエハ１２
を例えば吸着保持する。次に、図示を省略したノズルか
らその半導体ウエハ１２の表面に現像液が塗布される
と、ターンテーブル４２が回転を開始し、これにより半
導体ウエハ１２の表面上の現像液が均一に塗布される。
ここで、現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３での現像液の塗
布処理に要する時間は、例えば５０秒程度である。
【００４４】次いで、搬送機構（Ｉ）４６の搬送部４５
がその半導体ウエハ１２を矢印ａ方向へ搬送する。この
とき、昇降装置４１によりウエハカセット１３が矢印ｃ
方向へ所定の距離だけ移動し、搬送部４５によって搬送
された半導体ウエハ１２を順に収納し一時的に保存す
る。
がその半導体ウエハ１２を矢印ａ方向へ搬送する。この
とき、昇降装置４１によりウエハカセット１３が矢印ｃ
方向へ所定の距離だけ移動し、搬送部４５によって搬送
された半導体ウエハ１２を順に収納し一時的に保存す
る。
【００４５】この後、搬送機構（Ｉ）４６の昇降装置４
１が略Ｈ字状のテーブル４０を介しウエハカセット１３
を矢印ｂ方向へ所定の距離だけ移動させると、搬送部４
５がウエハカセット１３内の半導体ウエハ１２を順に取
出して矢印ｄ方向の加熱機構（ＨＰ）４７側へ搬送す
る。
１が略Ｈ字状のテーブル４０を介しウエハカセット１３
を矢印ｂ方向へ所定の距離だけ移動させると、搬送部４
５がウエハカセット１３内の半導体ウエハ１２を順に取
出して矢印ｄ方向の加熱機構（ＨＰ）４７側へ搬送す
る。
【００４６】そして、加熱機構（ＨＰ）４７は、その半
導体ウエハ１２に対して加熱処理を施す。
導体ウエハ１２に対して加熱処理を施す。
【００４７】ここで、加熱機構（ＨＰ）４７での加熱処
理に要する時間は、例えば１２０秒程度である。
理に要する時間は、例えば１２０秒程度である。
【００４８】従って、加熱機構（ＨＰ）４７による加熱
処理に要する時間と現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３によ
る現像液の塗布処理に要する時間との差が７０秒程度と
なるため、現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３により現像液
の塗布処理を終えた半導体ウエハ１２は、ウエハカセッ
ト１３内に７０秒程度保存された後に加熱機構（ＨＰ）
４７側へ搬送される。
処理に要する時間と現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３によ
る現像液の塗布処理に要する時間との差が７０秒程度と
なるため、現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３により現像液
の塗布処理を終えた半導体ウエハ１２は、ウエハカセッ
ト１３内に７０秒程度保存された後に加熱機構（ＨＰ）
４７側へ搬送される。
【００４９】このように、この実施例では、バッファ機
能を有する搬送機構（Ｉ）４６が、加熱機構（ＨＰ）４
７の加熱処理に要する時間に合せてウエハカセット１３
内から半導体ウエハ１２を順に取出すので、現像液塗布
機構（ＤＥＶ）４３での処理時間と加熱機構（ＨＰ）４
７での処理時間との差を緩和させることができる。
能を有する搬送機構（Ｉ）４６が、加熱機構（ＨＰ）４
７の加熱処理に要する時間に合せてウエハカセット１３
内から半導体ウエハ１２を順に取出すので、現像液塗布
機構（ＤＥＶ）４３での処理時間と加熱機構（ＨＰ）４
７での処理時間との差を緩和させることができる。
【００５０】またバッファ機能を有する搬送機構（Ｉ）
４６のウエハカセット１３が、塗布処理を終えた半導体
ウエハ１２を立体的に収納保存するので、その半導体ウ
エハ１２の収納スペースを最小限にすることができ、こ
れによりクリーンルーム内の有効利用を図ることもでき
る。
４６のウエハカセット１３が、塗布処理を終えた半導体
ウエハ１２を立体的に収納保存するので、その半導体ウ
エハ１２の収納スペースを最小限にすることができ、こ
れによりクリーンルーム内の有効利用を図ることもでき
る。
【００５１】なお、この実施例では、バッファ機能を有
する搬送機構（Ｉ）４６を現像液塗布機構（ＤＥＶ）４
３と加熱機構（ＨＰ）４７との間に配置させた場合につ
いて説明したが、この例に限らず、その搬送機構（Ｉ）
４６を現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３と一体化させても
よく、さらには現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３に限ら
ず、レジスト塗布機構や現像処理機構等の他の塗布機構
と一体化させてもよい。
する搬送機構（Ｉ）４６を現像液塗布機構（ＤＥＶ）４
３と加熱機構（ＨＰ）４７との間に配置させた場合につ
いて説明したが、この例に限らず、その搬送機構（Ｉ）
４６を現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３と一体化させても
よく、さらには現像液塗布機構（ＤＥＶ）４３に限ら
ず、レジスト塗布機構や現像処理機構等の他の塗布機構
と一体化させてもよい。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理装置
及び処理方法によれば、複雑な処理工程を高スループッ
トで自動的に実行することができる。
及び処理方法によれば、複雑な処理工程を高スループッ
トで自動的に実行することができる。
【図１】本発明の一実施例を示すブロック図。
【図２】図１の搬送機構を説明する側面図。
【図３】本発明の他の実施例を示す図。
【図４】従来の処理装置の処理機構の一部を示す平面
図。
図。
１１……処理装置本体 １４，１５，１８，２３，２４，２５……搬送機構 １６……第１の塗布機構 １７……第１の加熱機構 １９……第２の塗布機構 ２０……第２の加熱機構 ２１……インターフェース機構 ２２……露光装置、 ２６〜３１……コントローラ ３２……マニュアル操作部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ (72)発明者 松山 雄二 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 被処理体を１枚ずつ順に搬送して該被処
理体の表面に所定の処理を施す処理装置において、 被処理体収納カセットから被処理体を１枚ずつ順に取出
して搬送する手段と、 前記被処理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する
手段と、 前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体に第１
の加熱処理を施す手段と、 前記第１の加熱処理を施された被処理体を一時的に収納
保存し、次の処理工程での所要時間に合せて送り出す収
納・搬送手段と、 この収納・搬送手段から搬送された前記被処理体の表面
に第２のフォトレジストを塗布する手段と、 前記第２のフォトレジストが塗布された被処理体に第２
の加熱処理を施す手段と、 前記第２の加熱処理を施された被処理体を一時的に収納
保存し、露光装置による露光工程での所要時間に合せて
送り出す手段と、 前記露光装置から、露光処理を終えた前記被処理体を受
取り、被処理体収納カセットに収納する手段とを具備し
たことを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理装置において、 前記露光処理を終えた前記被処理体に現像処理を施す手
段と、 現像処理を終了した前記被処理体を一時的に収納保存
し、次の処理工程での所要時間に合せて送り出す手段
と、 この手段からの送り出された前記被処理体に第３の加熱
処理を施す手段とを具備したことを特徴とする処理装
置。 - 【請求項３】 被処理体を１枚ずつ順に搬送して該被処
理体の表面に所定の処理を施す処理方法において、 被処理体収納カセットから被処理体を１枚ずつ順に取出
して搬送する工程と、 前記被処理体の表面に第１のフォトレジストを塗布する
工程と、 前記第１のフォトレジストが塗布された被処理体に第１
の加熱処理を施す工程と、 前記第１の加熱処理を施された被処理体を一時的に収納
保存し、次の処理工程での所要時間に合せて送り出す収
納・搬送工程と、 この収納・搬送工程から搬送された前記被処理体の表面
に第２のフォトレジストを塗布する工程と、 前記第２のフォトレジストが塗布された被処理体に第２
の加熱処理を施す工程と、 前記第２の加熱処理を施された被処理体を一時的に収納
保存し、露光装置による露光工程での所要時間に合せて
送り出す工程と、 前記露光装置から、露光処理を終えた前記被処理体を受
取り、被処理体収納カセットに収納する工程とを具備し
たことを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の処理方法において、 前記露光処理を終えた前記被処理体に現像処理を施す工
程と、 現像処理を終了した前記被処理体を一時的に収納保存
し、次の処理工程での所要時間に合せて送り出す工程
と、 この工程からの送り出された前記被処理体に第３の加熱
処理を施す工程とを具備したことを特徴とする処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074287A JPH0851067A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7074287A JPH0851067A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 処理装置及び処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1012650A Division JPH02192752A (ja) | 1989-01-20 | 1989-01-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851067A true JPH0851067A (ja) | 1996-02-20 |
Family
ID=13542770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7074287A Pending JPH0851067A (ja) | 1995-03-31 | 1995-03-31 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0851067A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133981A (en) * | 1997-06-11 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd. | Processing system |
| US7692764B2 (en) | 2004-08-30 | 2010-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940874A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS605516A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体ウエ−ハ処理装置 |
| JPS62195118A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
-
1995
- 1995-03-31 JP JP7074287A patent/JPH0851067A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940874A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS605516A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体ウエ−ハ処理装置 |
| JPS62195118A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Hitachi Ltd | フオトレジスト現像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6133981A (en) * | 1997-06-11 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd. | Processing system |
| US7692764B2 (en) | 2004-08-30 | 2010-04-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, operation decision method, substrate processing system, maintenance management method, and device manufacturing method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970701 |