JPS605516A - 半導体ウエ−ハ処理装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ処理装置Info
- Publication number
- JPS605516A JPS605516A JP59092849A JP9284984A JPS605516A JP S605516 A JPS605516 A JP S605516A JP 59092849 A JP59092849 A JP 59092849A JP 9284984 A JP9284984 A JP 9284984A JP S605516 A JPS605516 A JP S605516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- loader
- machine
- buffer
- processing sections
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハ処理装置に関し特に、ホトレジ
ストの塗布工程から外観検査まで一貫して行なうことの
できるホトレジスト加工装置に関する。
ストの塗布工程から外観検査まで一貫して行なうことの
できるホトレジスト加工装置に関する。
半導体装置の精密な素子のノくターンを形成する方法と
して、ホトレジストによる微細なノ（ターンを有する保
護膜を形成し、これを利用してシリコン基板上に形成さ
れたシリコン酸化膜やアルミニウム蒸着膜をエツチング
しており、この工程で得られる精度が直ちに半導体素子
の精度あるし・は特性に影響する。またこの工程が自動
化されるか否かによって製造コストが大きく変化するこ
とが知られている。
して、ホトレジストによる微細なノ（ターンを有する保
護膜を形成し、これを利用してシリコン基板上に形成さ
れたシリコン酸化膜やアルミニウム蒸着膜をエツチング
しており、この工程で得られる精度が直ちに半導体素子
の精度あるし・は特性に影響する。またこの工程が自動
化されるか否かによって製造コストが大きく変化するこ
とが知られている。
このような事情から自動加工機が種々検討されている。
自動加工機としては、ホトレジストの塗布機、ベーク材
、現像機、外観検査等の個々の装置がすでに提案されて
いるが、これらは（・ずれも単体自動機であり、数種の
工程を連続化することんζできないという問題がある。
、現像機、外観検査等の個々の装置がすでに提案されて
いるが、これらは（・ずれも単体自動機であり、数種の
工程を連続化することんζできないという問題がある。
また最近では自動的にホトレジスト塗布より現像まで一
貫的に行なえるように検討されているが完全に自動化あ
る（・は連続化した装置は見当らない。
貫的に行なえるように検討されているが完全に自動化あ
る（・は連続化した装置は見当らない。
ホトレジスト加工が一貫して行なわれない場合には、各
工程の間でウェーハがマガジンに収容され、その間に微
細な塵がウェーッ・の表面に付着する機会が多く、その
ために半導体装置の品質が低下する最大の原因となって
いる。また各工程の間の連結には、人手を必要とすると
共に、従来の装置では多品種を連続的に流すことが困難
であった。
工程の間でウェーハがマガジンに収容され、その間に微
細な塵がウェーッ・の表面に付着する機会が多く、その
ために半導体装置の品質が低下する最大の原因となって
いる。また各工程の間の連結には、人手を必要とすると
共に、従来の装置では多品種を連続的に流すことが困難
であった。
本発明は前記従来技術の欠点を解消するために得られた
ものであって、その目的とするところは、プロセスの安
定している工程を一貫して処理することのできる装置を
提供すること、多品種、異ロットを連続的に処理できる
、いわゆる汎用性に富んだ装置を提供すること、および
歩留りを向上すると共に省力化された装置を提供するこ
とにある。
ものであって、その目的とするところは、プロセスの安
定している工程を一貫して処理することのできる装置を
提供すること、多品種、異ロットを連続的に処理できる
、いわゆる汎用性に富んだ装置を提供すること、および
歩留りを向上すると共に省力化された装置を提供するこ
とにある。
本発明の適用工程は、（塗布）−（プリベーク）−（感
光）−（現像）−（ポストベーク）−（検査、特に外観
検査）の一連の工程であり、これを実施する装置の組合
せは第２図に示すとおりである。 ゛ 第１図は本発明に係る装置の概略を示す斜視図で、１は
機台、２はローダ−１３はホトレジストの塗布スピンナ
ー、４はプリベーク炉、５はバッファ、６は感光部（オ
ートアライナ−）、７は現像部−１８はポストベーク炉
、９はバッファー、１０はアンローダ−１１１は外観検
査部である。前記各装置の間はエアーベアリング等の輸
送装置】２で連結されている。各装置については従来公
知の装置をそのまま使用し、各装置の間は前記手段によ
り直結すればよ℃・０但し、ローダーとアンローダ−は
複数のマガジンを載置できるターンテーブル式とし、各
装置間に処理能力の差がある場合には、任意にバッファ
ーを設けておけばよい。
光）−（現像）−（ポストベーク）−（検査、特に外観
検査）の一連の工程であり、これを実施する装置の組合
せは第２図に示すとおりである。 ゛ 第１図は本発明に係る装置の概略を示す斜視図で、１は
機台、２はローダ−１３はホトレジストの塗布スピンナ
ー、４はプリベーク炉、５はバッファ、６は感光部（オ
ートアライナ−）、７は現像部−１８はポストベーク炉
、９はバッファー、１０はアンローダ−１１１は外観検
査部である。前記各装置の間はエアーベアリング等の輸
送装置】２で連結されている。各装置については従来公
知の装置をそのまま使用し、各装置の間は前記手段によ
り直結すればよ℃・０但し、ローダーとアンローダ−は
複数のマガジンを載置できるターンテーブル式とし、各
装置間に処理能力の差がある場合には、任意にバッファ
ーを設けておけばよい。
本発明によれば、前記のように複数、具体的には６作業
が直結されているので次の効果を奏する。
が直結されているので次の効果を奏する。
（イ）各工程間においてはカートリッジに−々出゛し入
れされないので自動的に処理され、運搬されるのでウェ
ーハに損傷を与えることがない。
れされないので自動的に処理され、運搬されるのでウェ
ーハに損傷を与えることがない。
（ロ）各作業毎にウェーハが停滞することがないのでそ
の間にウェーッ？の品質が劣化することがない。
の間にウェーッ？の品質が劣化することがない。
（ハ）従来の装置におい１ま汎用性がないために多数の
専用機を必要としたが本発明においては汎用性があり、
例えばマイクロコンピュータ−を利用することによって
異ロフト異品種のものを連続的に処理することができる
。
専用機を必要としたが本発明においては汎用性があり、
例えばマイクロコンピュータ−を利用することによって
異ロフト異品種のものを連続的に処理することができる
。
この場合、塗布、現像のスピンナーの条件（液種類、処
理時間、回転数）、感光部の条件（品種、露光時間）、
ベーク条件（ベーク温度、ベーク時間）をそれぞれ調節
する。
理時間、回転数）、感光部の条件（品種、露光時間）、
ベーク条件（ベーク温度、ベーク時間）をそれぞれ調節
する。
に）本発明の装置は全体としてコンパクト化され、しか
も塵が入り込む機会が少ないのでクリーンスペースを余
り大きく必要とせず、また装置の台数が著しく減るため
に発塵の機会が減少する。
も塵が入り込む機会が少ないのでクリーンスペースを余
り大きく必要とせず、また装置の台数が著しく減るため
に発塵の機会が減少する。
（（ホ）ステーションレイアウトが感光部、検査部を機
台の両側に持ってきているために中央部に作業者が入ら
なくてよい。また、工程間には作業者を介在さぜないた
めに人員を削減できる。
台の両側に持ってきているために中央部に作業者が入ら
なくてよい。また、工程間には作業者を介在さぜないた
めに人員を削減できる。
（へ） ウェーハの表面のホトレジスト膜がウェツトな
状態で移送することが可能であり、装置全体をクリーン
チャンネル化することができる。
状態で移送することが可能であり、装置全体をクリーン
チャンネル化することができる。
（ト）前記より、ウェーハの品質が向上し、作業人員が
著しく低減し、薬品、電気の使用量を減少させクリーン
ルームのスペース等の装置を簡略化することができる。
著しく低減し、薬品、電気の使用量を減少させクリーン
ルームのスペース等の装置を簡略化することができる。
前記実施例においては、環状レイアウトを示したが、直
線状のレイアウトでもよく、第３図に示すようにエツチ
ングおよび洗浄工程まで連続させた工程であってもよい
。
線状のレイアウトでもよく、第３図に示すようにエツチ
ングおよび洗浄工程まで連続させた工程であってもよい
。
第１図は本発明に係る装置の外観の１例を示す斜視図、
第２図および第３図は各工程のレイアウトを示す概略図
である。 １・・・機台、２・・・ローダ−１３・・・ホトレジス
ト塗布スピンナー、４・・・プリベーク炉、５・・・バ
ッファ、６・・・感光部、７・・・現像部、８・・・ポ
ストベーク炉、９・・・バッファー、１ｏ・・・アンロ
ー７−−、１１・・・外観検査部、１２・・・エアーベ
アリング（輸送装置）。
第２図および第３図は各工程のレイアウトを示す概略図
である。 １・・・機台、２・・・ローダ−１３・・・ホトレジス
ト塗布スピンナー、４・・・プリベーク炉、５・・・バ
ッファ、６・・・感光部、７・・・現像部、８・・・ポ
ストベーク炉、９・・・バッファー、１ｏ・・・アンロ
ー７−−、１１・・・外観検査部、１２・・・エアーベ
アリング（輸送装置）。
Claims (1)
- １、横長の機台と、この機台表面の一端に設けられたそ
れぞれに複数のマガジンが載置されるローダ一部とアン
ローグ一部と、上記機台表面の一端から他端に向って上
記機台表面に設けられた複数の処理部と、上記複数の処
理部を連結すると共に上記ローダ一部から取り出される
ウェーハを上記複数の処理部を介して上記ローダ一部ま
で輸送する輸送部とを有し、上記機台表面の一端に設け
られたローダ一部から取り出されるウェーハは上記機台
表面の他端まで移動しかつそこから上記機台表面の一端
に設けられたアンローダ部に収納されるような移動をす
ることを特徴とする半導体ウェーハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092849A JPS605516A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体ウエ−ハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092849A JPS605516A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体ウエ−ハ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10297175A Division JPS5227367A (en) | 1975-08-27 | 1975-08-27 | Photo resist processing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605516A true JPS605516A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14065872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092849A Pending JPS605516A (ja) | 1984-05-11 | 1984-05-11 | 半導体ウエ−ハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605516A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPH02225214A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Tokyo Electron Ltd | ロード・アンロード装置 |
| JPH0334441A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の連続処理システム |
| JPH0851067A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| KR20190073568A (ko) | 2016-12-12 | 2019-06-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 엘리베이터 장치 |
-
1984
- 1984-05-11 JP JP59092849A patent/JPS605516A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62198122A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
| JPH02225214A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-07 | Tokyo Electron Ltd | ロード・アンロード装置 |
| JPH0334441A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Fujitsu Ltd | 半導体基板の連続処理システム |
| JPH0851067A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-02-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| KR20190073568A (ko) | 2016-12-12 | 2019-06-26 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 엘리베이터 장치 |
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