JPH0334441A - 半導体基板の連続処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体基板を順次連続的に処理するためのシステムに関
し、 処理システムの一部に故障が生じたりメンテナンスを行
う場合においても該処理システムの稼働が可能であり、
多品種の生産品目に対する自由度と生産性の高い処理シ
ステムを実現することを目的とし、 半導体基板にそれぞれ所定の加工を行う各プロセス加工
部を、該半導体基板の搬送機構で結合し、該半導体基板
の連続処理を行うシステムにおいて、前記各プロセス加
工部は、搬送機構と該プロセス加工部との間で半導体基
板の移載を行う移ｆ２Ｊａ構と、該半導体基板の識別を
行うウェハ識別部と、該半導体基板の一時的収納を行う
バッファ部と、から成るインタフェース部を介して搬送
機構と結合し、プロセス加工中の半導体基板を一時的に
収納するストッカと、搬送機構の搬送を制御する搬送制
御部と、前記各部と通信し制御するシステム制御部と、
を備えるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置を生産するためのシステム、特に
半導体基板を順次連続的に処理するためのシステムに関
する。

従来より、半導体基板にそれぞれ所定の加工を行う各プ
ロセス加工部を、該半導体基板の搬送機構で結合し、半
導体装置の連続−貫した生産を行っている。

しかし、従来のシステムでは、各加工部や搬送機構の一
部に故障が生じた場合においても、半導体装置を生産す
るための処理システム全体を停止する必要があり、該故
障の復旧に長い時間を要する場合などにおいては、著し
い生産性の低下と生産計画の混乱を招いている。

そのため、前記処理システムの一部に故障が生したりメ
ンテナンスを行う場合においても、処理システムが稼働
可能である事が望まれている。

〔従来の技術〕

（１）半導体装置と生産のための処理システム１）　Ｒ
Ａ　Ｍ　（ｄｙｎａｍｉｃ　ｒａｎｄｏＩＩＩａｃｃｅ
ｓｓ　ｍｅｍｏｒｙ）のような少品種大量生産品の生産
においては、半導体基板を処理するための同一処理シス
テム内に、複数の生産品目が同時に存在し処理されるこ
とはない。

そのため、半導体基板を同一の処理手順にしたがって順
序よく処理することによって、生産可能である。

他方、Ａ　Ｓ　Ｉ　Ｃ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　５ｐ
ｅｃｉｆｉｃ　ｉｎＬｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ
）のような多品種少量生産品の生産においては、半導体
基板を処理するための処理システム内で、複数の生産品
目を同時に処理する必要があり、しかも、所定納期を満
足するように生産する必要がある。

今日、ＡＳＩＣに限らず、半導体装置への多品種少量の
需要を積極的に満足する必要から、多品種の生産品目に
対する自由度が高い半導体基板の連続処理システムが求
められている。

（２）従来の連続的処理システムの例 従来技術の例として、特公昭５９−３１２１１号公報記
載の処理装置を挙げることができる。

第１４図は、同公報に記載されている装置の概略平面図
である。

ＩＡ−ＩＰは各々独立したウェハの処理セクタ、２は往
復動作を行い、各セクタ間でウェハを授受するための中
央輸送装置である。すなわち、各処理セクタを中央輸送
装置２で結合することによって、ウェハの連続的な処理
を可能としている。

−例として、Ｆ　ＥＴ　（ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｃｔ　ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）製造の為の処理手順を説明する。

■ローダ３から、初期酸化セクタＩＡにウェハを供給す
る。

■初期酸化セクタＩＡにおいて、ウェハ表面の浄化、初
期酸化膜の形成、フォトレジストの塗布、を行う。

■中央輸送装置２で前記■のウェハをピックアップし、
レジスト露光セクタＬＤへ搬送する。

■レジスト露光セクタｌＤにおいて、所定パターンの露
光を行う。

■中央輸送装置２で前記■のウェハをピックアップし、
ドレイン・セクタＩＢへ搬送する。

■ドレイン・セクタＩＢにおいて、レジストの現像、酸
化膜のエツチング、ドレイン層の拡散、を行う。

そして、フォトレジストを塗布する。

■中央輸送装置２で前記■のウェハをピックアップし、
レジスト露光セクタ１０へ搬送する。

■レジスト露光セクタ１Ｄにおいて、ゲート領域パター
ンの露光を行う。

■中央輸送装置２で前記■のウェハをピックアップし、
ゲート酸化セクタｔＣへ搬送する。

［相］ゲート酸化セクタＩＣにおいて、レジストの現像
、エツチング、酸化膜の形成、を行う。

そして、フォトレジストを塗布する。

■中央輸送装置２で前記［相］のウェハをピックアップ
し、レジスト露光セクタＩＤへ搬送する。

＠レジスト露光セクタＩＤにおいて、所定パターンの露
光を行う。

■中央輸送装置２で前記＠のウェハをピックアップし、
金属化セクタＩＥへ搬送する。

［相］金属化セクタＩＢにおいて、レジストの現像、エ
ツチング、ウェハ表面の金属化、を行う。

そして、フォトレジストを塗布する。

■中央輸送装置２で前記［相］のウェハをピックアップ
し、レジスト露光セクタ１０へ搬送する。

［相］レジスト露光セクタＩＤにおいて、所定パターン
の露光を行う。

０中央輸送装置２で前記［相］のウェハをピックアンプ
し、焼結セクタＩＦへ搬送する。

■焼結セクタＩＦにおいて、レジストの現像、金属膜の
エツチング、ウェハの焼結、を行う。

そして、アンローダ１０４にウェハを収容する。

以上をもって、ウェハプロセスが完了する。

以上に説明したように、ウェハを各処理セクタへ所定順
序にしたがって順次搬送し処理することによって、一連
のウェハプロセスが完了する。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、このような処理システムでは、各々の処理セク
タＩＡ−１Ｆおよび中央輸送装置２のいずれか一部に故
障を生じると、一連のウェハプロセス処理を行うことが
できなくなり、処理システム全体を停止する必要がある
。

その結果、著しい生産性の低下と生産計画の混乱を招く
ことになる。

また、ウェハの処理は基本的に先人−先出方式であるた
めに、後行ウェハの処理速度（処理時間）は先行ウェハ
の処理速度（処理時間）に規定され、全処理セクタの中
で最も処理速度の遅い処理セクタの処理時間によって、
処理システムの処理タクトが決まることになる。

そのため、多品種の生産を行う場合には、各品目のプロ
セシング・タイムの相違によって、著しくスループット
の低い処理システムとなっている。

本発明の技術的課題は、従来の処理システムにおける以
上のような問題を解消し、処理システムの一部に故障が
生じたりメンテナンスを行う場合においても該処理シス
テムの稼働が可能であり、多品種の生産品目に対しても
処理タクトの変動が少なく、多品種の生産品目に対する
自由度と生産性の高い処理システムを実現することにあ
る。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は、本発明の基本原理を説明するブロック図であ
る。

また、第２図は、インタフェース部の基本構成を説明す
るブロック図、第３図は、ストッカの基本構成を説明す
るブロック図、である。

本発明の処理システムは、半導体基板の一時的収納が可
能であること、半導体基板の加工処理優先順序が設定可
能であること、半導体基板のキャリアによる運搬が可能
であること、等々に特徴がある。

（１）基本構成 すなわち、半導体基板にそれぞれ所定の加工を行う各プ
ロセス加工部５を、該半導体基板の搬送機構４で結合し
、該半導体基板の連続処理を行うシステムにおいて、 前記各プロセス加工部５は、搬送機構４と該プロセス加
工部５との間で半導体基板の移載を行う移載機構１１と
、該半導体基板の識別を行うウェハ識別部１３と、該半
導体基板の一時的収納を行うバッファ部１２と、から戒
るインタフェース部６を介して搬送機構４と結合し、 搬送機構４に結合しており、プロセス加工中の半導体基
板を一時的に収納するために、該半導体基板を収納する
ためのウェハ収納部１５と、該ウェハ収納部１５と搬送
機構４との間で半導体基板の移載を行う移載機構１４と
、該半導体基板の識別を行うウェハ識別部１６と、該半
導体基板の搬入・搬出が可能なキャリア搬入／搬出部１
７と、から成るストッカ７と、 前記搬送機構４の搬送を制御する搬送制御部９と、 前記プロセス加工部５と、インタフェース部６と、スト
ッカ７と、搬送制御部９との間において、それぞれと通
信し制御するシステム制御部１０と、を備えるように構
成する。

また、各プロセス加工部５で処理した半導体基板を検査
する検査装置８を、前記構成に加えることも有効である
。さらに、必要に応じて前記プロセス加工部５は、各々
同種の処理を行う複数個５−１１．５−１２．・・・で
構成すればよい。

（２）半導体基板のキャリアによる運搬に対応する構成 前記（１）の構成において、インタフェース部６のバッ
ファ部１２を、半導体基板を収納すると同時に該インタ
フェース部６と着脱可能で該半導体基板の運搬を行うた
めのキャリアで構威し、他方、ストッカ７のキャリア搬
入／搬出部１７は、前記キャリアの装着が可能である構
成とする。

〔作用〕

本発明の半導体基板の連続処理システムは、次のように
作用する。

（１）半導体基板１枚重位の管理 ■インタフェース部６には、半導体基板の個別識別が可
能なウェハ識別部１３が有り、搬送機構４からプロセス
加工部５へ移載する半導体基板を１枚重位で管理する。

■ストッカ７には、半導体基板の個別識別が可能なウェ
ハ識別部１６が有り、搬送機構４からウェハ収納部１５
へ移載する半導体基板を１枚重位で管理する。

■搬送制御部９は、システム制御部１０の指示により搬
送機構４を制御し、半導体基板を１枚重位で所定の工程
に搬送する。

■システム制御部１０は、プロセス加工部５、インタフ
ェース部６、ストッカ７、搬送制御部９、とそれぞれと
通信し制御することによって、半導体基板の処理内容の
決定と搬送、処理進行管理を個別に行う。

すなわち、本発明の半導体基板の連続処理システムは、
システム制御部１０に予めプログラムした加工処理内容
・加工処理手順・加工処理計画に基づいて、半導体基板
を１枚重位で個別に加工処理することが可能である。

（２〉半導体基板間の処理優先順序の柔軟性インタフェ
ース部６のバッファ部１２は、搬送機構４で搬送されて
くる半導体基板を一時的に収納し、移載機構１１は、シ
ステム制御部ＩＯの指示する処理順序でプロセス加工部
５への半導体基板の移載を行う。

すなわち、本発明の半導体基板の連続処理システムは、
半導体基板がインタフェース部６に搬送されてくる順序
ではなく、システム制御部１ｏの加工処理計画に基づい
て、半導体基板の処理優先順序を決定することが可能で
ある。

（３）各プロセス加工部間の工程バランスに対する柔軟
性 プロセス加工部５における各半導体基板のプロセシング
・タイムの相違があると、各プロセス加工部５間の工程
バランスを不平衡化し、次工程の半導体基板の受け入れ
余裕が無くなる状態を生じる。

このようなときシステム制御部１０は、前記次工程に搬
送する予定の半導体基板をストッカ７に一時的に収納し
、前記次工程が受け入れ可能となれば前記次工程に搬送
するための指示を、搬送機構４とストッカ７に与える。

すなわち、本発明の半導体基板の連続処理システムは、
非同期で作動する各プロセス加工部５の加工処理の渋滞
に対しても、連続処理を円滑に行うための弾力的な余裕
を有する。

（４）Ｒ送機構の故障およびメンテナンスに対する柔軟
性 インタフェース部６のバッファ部１２とストッカ７のキ
ャリア搬入／搬出部１７は、半導体基板を運搬するキャ
リアの装着が可能である。

したがって、搬送機構４に依らずに半導体基板の運搬を
行うことが可能である。

〔実施例〕

（１）連続処理システムの運用例 前記、第１図、第２図、第３図、に説明する基本的な半
導体基板の連続処理システムにおいて、一連の加工処理
が実際上どのように行われるかを次に説明する。

前記半導体基板の連続処理システムは、搬送機構によっ
て半導体基板を搬送する第１モードのシステム運用手順
と、搬送機構に依らずに半導体基板を運搬する第２モー
ドのシステム運用手順とを設定することができる。

ｌ）第１モードのシステム運用手順 第４図は、第１モードのシステム運用手順を説明するフ
ローチャートで、該フローチャートは同図（ａ）図→（
ｂ）図→（ｃ）図→（ｄ）図の順に作業を行う。

次に順を追って説明する。

（１）成るロフトを所定プロセス加工部５の工程に受け
入れる場合、対応するインタフェース部６のウェハ識別
部１３で半導体基板を１枚づつ個別識別し、その後バッ
ファ部１２に収納する。

（２）インタフェース部６はシステム制御部１０へ半導
体基板の識別結果を送信し、該システム制御部１０はバ
ッファ部１２内の半導体基板の処理優先順を決定し、処
理開始を指示する。

（３）プロセス加工部５は、システム制御部１０が指示
する通りの加工処理を半導体基板に行う。

（４）前記（３）の加工処理が正しく行われたかを検査
する場合は、半導体基板を検査装置８へ搬送するように
システム制御部１０が搬送制御部９に指示する。

（５）検査装置８でシステム制御部１０の指示する半導
体基板の検査を行い、さらに加工処理の物理的状態およ
び電気的状態の測定が必要なときは当該の測定を行う。

（６）前記（４）において検査が不要の場合、および前
記（５）において検査・測定が終了した場合、半導体基
板を次工程へ搬送するための指示を、システム制御部１
０から搬送制御部９へ与える。

ただし、前記搬送指示を与える場合、システム制御部１
０は、次工程プロセス加工部５の稼働状況を調べ、稼働
停止状態である場合および仕掛品の容量が過大であると
判断すると、前記半導体基板をストッカ７へ搬送するた
めの指示を、搬送制御部９へ与える。

（７）前記（６）において、ストッカ７へ搬送した半導
体基板は、ウェハ識別部１６で個別識別した後にウェハ
収納部１５に収納する。

（８）システム制御部１０は、次工程のプロセス加工部
５が稼働し、かつ仕掛品の容量が適正であると判断する
と、ストッカ７へ指示を出し、前記（７）において収納
した半導体基板をウェハ収納部１５から搬出し、ウェハ
識別部１６で個別識別した後に搬送機構４へ搬出させる
。

そして、前記半導体基板を次工程へ搬送するための指示
を搬送制御部９へ与える。

（９）前記（６）および（８）において次工程に搬送す
る半導体基板は、該次工程が同種複数のプロセス加工部
で構成されている場合は、システム制御部１０が該同種
複数のプロセス加工部の仕掛品量を比較し、適当である
と判断したプロセス加工部へ搬送する。

θの次工程のプロセス加工部５が、次ロフトの半導体基
板を受け入れる。

以後、フローチャートの加工処理開始点に戻り、同様の
加工処理作業を繰り返し、半導体基板の所定処理が完了
する。

２）第２モードのシステム運用手順 第５図は、第２モードのシステム運用手順を説明するフ
ローチャートで、該フローチャートは同図（ａ）図→（
ｂ）図の順に作業を行う。

次に順を追って説明する。

（１）成るロフトの半導体基板を収容したキャリアを、
所定プロセス加工部５に対応するインタフェース部６の
バッファ部１２に装着する。

（２）インタフェース部６は、キャリア中の半導体基板
をウェハ識別部１３で１枚づつ個別識別したのちにバッ
ファ部１２に収納する。

そして、半導体基板の識別結果をシステム制御部１０へ
送信し、該システム制御部１０はバッファ部１２内の半
導体基板の処理優先順を決定し、処理開始を指示する。

（３）前記（１）のプロセス加工部５は、システム制御
部１０が指示する通りの加工処理を半導体基板に行い、
加工処理が終了するとバッファ部１２へ収納する。

（４）前記（３）において、すべての半導体基板に対し
て加工処理が終了した後、例えば作業員がキャリアをス
トッカ７へ運搬し、キャリア搬入／搬出部１７に装着す
る。

（５）ストッカ７は、キャリア内の半導体基板をウェハ
識別部１６で個別識別した後、ウェハ収納部１５に収納
する。また、該個別識別結果をシステム制御部１０へ送
信する。

（６）システム制御部１０は、次工程の同一プロセス加
工部で加工処理する半導体基板のみをキャリアに搬出す
るために、ストッカ７へ指示を与える。

（７）ストッカ７は、ウェハ収納部１５から半導体基板
を搬出し、ウェハ識別部１６で該半導体基板の個別識別
を行い、次工程の同一プロセス加工部で加工処理する半
導体基板のみを、キャリア搬入／搬出部１７のキャリア
へ搬出する。

（８）システム制御部１０が指示するプロセス加工部５
へ、前記（７）のキャリアを例えば作業員が運搬する。

以後、フローチャートの加工処理開始点に戻り、同様の
加工処理作業を繰り返し、半導体基板の所定処理が完了
する。

尚、前記キャリアの運搬は、作業員以外に例えば搬送ロ
ボットによって行うことも可能である。

また、システム制御部１０が作業員に対して次工程への
キャリアの運搬を指示する場合の指示方法は、ストッカ
７やインタフェース部６に例えばデイスプレィ装置など
の表示手段を設けることによって可能である。

（２）連続処理システムの構成例 第６図は、実施例を説明するブロック図で、特にゲート
アレイ（ｇａｔｅ　ａｒｒａｙ）を用いたＡＳＩＣ生産
のための連続処理システムである。

本実施例は、電子ビーム露光装置を２台、ステッパ露光
装置を２台、レジスト塗布装置とレジスト現像装置とを
それぞれ１台、ＡＬ（ａｌｕ＋ｗｉｎｕｍ）エツチング
装置を２台、ＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ　５ｉｌｌｉｃａ
ｔｅ　ｇｌａｓＳ）エツチング装置を２台、ＡＬデポジ
ション（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を２台、ＰＳＧデ
ポジション装置を２台、検査装置を３台、ストッカを２
台、測定装置を１台、ナンバリング装置を１台、を備え
ており、ストッカを除く各装置はインタフェース装置１
８−６〜３４−（ｉ、　３７−６．３８−６を介して搬
送機構に結合している。

また、システム制御装置１０ａは、前記各装置とオンラ
イン（ｏｎ　１ｉｎｅ）で通信し制御可能であり、加工
処理する半導体基板の個々についての加工内容データを
有し、また、その加工処理の進行状態を把握している。

尚、前記構成において特に重要なことは、必ずしも全て
のプロセス加工部を複数の装置で構成する必要はなく、
装置故障を短時間で復旧できるような装置は１台だけで
もよく、装置故障の際の復旧に長い時間を要するような
装置、例えば真空雰囲気中で加工処理を行うような装置
について複数の装置で構成することが極めて有効である
。

すなわち、装置の一方に故障が生じたとしても他方の装
置での加工処理が可能であり、該工程における長い時間
に渡る加工処理の停止を防止できるからである。

（３）ウェハプロセスの例 ゲートアレイを用いたＡＳＩＣは、基本論理素子を行列
状に配置したバルクウェハ（ｂｕｌｋ　ｗａｆｅｒ）に
、所定の配線を行うことによって製造する。

本実施例は前記配線を札で行い、ＡＬ配線各層間をＰＳ
Ｇで絶縁するものである。

第７図は、ＡＳＩＣ製造のウェハプロセスを説明するフ
ローチャートで、（ａ）は基本的な作業を工程順に示し
、（ｂ）は前記（ａ）の各工程間にそれぞれ在るサブル
ーチンである。

同図（ｂ）のサブルーチンは、次工程の装置が繁忙であ
るときに、半導体基板を一時ストッカに収納することを
説明している。

次に同図（ａ）にしたがってウェハプロセスを説明する
。

（１）工程ｌ ＡＬデポジション済のバルクウェハ（半導体基板）を、
第１ストツカ３５に収納する。

（２）工程２ バルクウェハをナンバリング装置３８へ搬送し、ウェハ
番号を例えばバーコードによって付与し、製造ロフトを
編成する。

（３）工程３ レジスト塗布装置２２でレジスト剤を塗布する。

（４）工程４ 第１電子ビーム露光装置１１Ｂあるいは第２電子ビーム
露光装置１９で、−層目のＡＬ配線を露光する。

（５）工程５ レジスト現像装置２３でレジスト剤を現像する。

（６）工程６ 第１ＡＬエツチング装置２４あるいは第２ＡＬエツチン
グ装置２５で、−層目ＡＬ配線のエツチングを行う。

（７）工程７ 第１　ＰＳＧデポジション装置３０あるいは第２　ＰＳ
Ｇデポジション装置３１で、層間絶縁膜を形成する。

（８）工程８ レジスト塗布装置２２でレジスト剤を塗布する。

（９）工程９ 第１ステツパ露光装置２０あるいは第２ステツパ露光装
置２１で、第２層目ＡＬ配線を行うコンタクト窓を露光
する。

００）工程１０ レジスト現像装置２３でレジスト剤を現像する。

（１１）工程１１ 第１　ＰＳＧエツチング装置２６あるいは第２　ＰＳＧ
エツチング装置２７で、ＰＳＧ層のエツチングを行う。

０２＋工程１２ 第１ＡＬデポジシヨン装置２８あるいは第２ＡＬデポジ
シヨン装置２９で、次層配線のためのへ１層を形成する
。

以後、前記工程３に戻り、２層目、３層目の配線を行い
、所定論理ＡＳＩＣのウェハを製造する。

尚、各工程においては、仕掛品量が適切である装置を選
択し、各装置における処理優先順は、システム制御装置
１０ａにプログラムした処理生産計画に基づいて決定す
る。

また、ウェハを搬送機構４８に依らずに運搬する場合（
例えば作業員や搬送ロボット等によって運搬する場合）
においても前記の工程順には変化がなく、ウェハを収容
したキャリアを運搬する際に、必ず第１ストツカ３５あ
るいは第２ストツカ３６を経由して行う点のみ相違する
だけである。

（４）インタフェース部の実施例 第８図は、インタフェース部の実施例を説明するブロッ
ク図である。

本実施例は、プロセス加工部５ａの入力側と出力側とに
、それぞれインタフェース装置６ａ、６ｂを設けたもの
である。また、インタフェース装置６ａ、６ｂは、バッ
フｙ　１２ａ、１２ｂ　、ウェハ識別装置１３ａ、　１
３ｂ、移載機横１１ａ、ｌｌｂとから成り、制御装置３
９ａ、３９ｂが該インタフェース装置６ａ、６ｂの作動
を制御する。

他方、プロセス加工部５ａは制御装置４０を有し、該プ
ロセス加工部５ａの加工処理を制御する。

そして、工程制御装置４１は、前記制御装置３９ａ。

３９ｂ、４０を統括制御し、インタフェース装置６ａ、
６ｂとプロセス加工部５ａ間との作業同期を行う。

尚、前記制御装置３９ａ、３９ｂ、４０．４１は、第６
図に示すシステム制御装置１０ａと通信することによっ
て制御される。

第９図は、インタフェース部の実施例を説明する図で、
（ａ）はインタフェース部の斜視図、（ｂ）はキャリア
の斜視図、である。

本実施例のインタフェース部は、ウェハ４２を移載する
ためのハンドラ１４ｂを中心として、ウェハ４２を識別
するためのバーコードリーダ１３ｃ　、ウェハ４２を一
時収納するバッファ部１２ｃとしてキャリア４５、から
成る。また、エレベータ４３は搬送機構とインタフェー
ス部の設置高さが異なる場合に、ウェハ４２を上下方向
に搬送するためのものである。

キャリア４５は、バッファ１２ｃと着脱可能であり、作
業員が運搬し易いように取手４６を備えている。

（５）ストッカの実施例 第１Ｏ図は、ストッカの実施例を説明するブロック図で
ある。

本実施例のストッカ７ａは、キャリア搬入装置１７ａと
キャリア搬出装置１７ｂとを別々に有している。

また、ウェハ収納部１５ａ　、ウェハ識別装置１６ａ、
移載機構１４ａから成り、制御装置４７が該ストッカ７
ａの作動を制御する。

尚、前記制御装置４７は、第６図に示すシステム制御装
置１０ａと通信することによって制御される。

第１１図は、ストッカの実施例を説明する平面図である
。

本実施例のストッカは、ウェハ４２を移載する移載ハン
ド１４ｄを中心として、ウェハを収納するためのウェハ
収納部１５ａ１ウエハを識別するためのバーコードリー
ダ１６ｂ、キャリア４５を搬入するためのキャリア搬入
口４８、キャリア４５を搬出するためのキャリア搬出口
４９、キャリア４５からウェハ４２を引き出すハンドラ
１４ｃ＞キャリア４５ヘウエハを収容するハンドラ１４
ｂ　、から成る。

また、バーコードリーダ１６ｂは、搬送機構４８との間
で出入りするウェハ４２と、キャリア４５との間で出入
りするウェハ４２とに対し読み取り可能とするため、前
記搬送機構４ａとキャリア４５のそれぞれの方向からウ
ェハ４２が通過可能となる位置に設けている。

（６）小規模搬送機構の実施例 第１２図は、プロセス加工部と小規模搬送機構を説明す
るブロック図である。

全てのプロセス加工装置を、直接に搬送機構に結合する
と、工場のスペース利用効、率が低下する場合が多い。

その場合、搬送機構４ａに小規模搬送機構４ｂを枝状に
設け、該小規模搬送機構４ｂに処理装置５ａ、５ｂ＋５
ｃ、５ｄを結合すると便利である。

ただし、搬送機構４８と小規模搬送機構４ｂとの結合部
には、ウェハの移載機構５０を設ける必要がある。

第１３図は、処理装置と搬送機構の結合状態を説明する
斜視図である。

処理装置５８〜５ｄの上部に小規模搬送機構４ｂを配置
し、該処理装置５ａ〜５ｄと該小規模搬送機構４ｂとの
間のウェハの移載は、インタフェース装置６ａ、６ｂの
エレベータ４３で行う。

そして、加工部５１へとウェハを搬送する。

（発明の効果） 以上のように本発明の半導体基板の連続処理システムは
、次に記載する特徴を有している。

（１）半導体基板１枚重位での管理が可能である。

（２）搬送機構とプロセス加工部との間にはインタフェ
ース部が有り、該インタフェース部は半導体基板の一時
的収納と該収納半導体基板の処理優先順を設定すること
ができる。

（３）半導体基板を次工程のプロモス加工部へ搬送する
場合に、該プロセス加工部が非稼働あるいは該プロセス
加工部の加工処理仕掛品が過大である場合は、半導体基
板を一旦ストツカに収納し、該プロセス加工部の稼働開
始あるいは加工処理仕掛品が適正量となる迄収納する。

（４）半導体基板を次工程のプロセス加工部へ搬送する
際に、該次工程に同種の加工処理を行うプロセス加工部
を複数有する場合は、該同種の加工処理を行うプロセス
加工部のうち仕掛品量の少ないプロセス加工部へ搬送す
る。

（５）！送機構の故障あるいはメンテナンス時において
も、システム制御部によるオンライン制御が可能であり
、半導体基板の運搬を該搬送機構に依らずキャリア単位
で行うことにより処理システムの稼働が可能である。

したがって、本発明の半導体基板の連続処理システムは
、次に記載する効果を有している。

（１）搬送機構の故障あるいはメンテナンス時において
も、処理システムの稼働が可能であり、処理生産計画の
遅滞を最小限に止めることができる。

（２）加工処理生産計画に遅延する半導体基板を優先的
に処理することが可能であり、複数ロットの半導体基板
に対し、同時にしかも高水準で所定納期を満足すること
ができる。

（３）複数種の半導体基板を同時に処理することが可能
であり、該半導体基板のプロセシング・タイムがそれぞ
れ異なる場合においても、同時にしかも高水準で所定納
期を満足することができる。

以上のような結果、複数ロットあるいは複数種の半導体
基板の連続処理に対し、極めて柔軟で生産ｔ’ｔの高い
処理システムを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の基本原理を説明するブロック図、 第２図は、インタフェース部の基本構成を説明するブロ
ック図、 第３図は、ストッカの基本構成を説明するブロック図、 第４図は、第１モードのシステム運用手順を説明するフ
ローチャート、 第５図は、第２モードのシステム運用手順を説明するフ
ローチャート、 第６図は、実施例を説明するブロック図、第７図は、Ａ
ＳＩＣ製造のウェハプロセスを説明するフローチャート
で、（ａ）は基本的な作業を説明するフローチャート、
（ｂ）は前記（ａ）の各工程間にそれぞれ在るサブルー
チンを説明するフローチャート、 第８図は、インタフェース部の実施例を説明するブロッ
ク図、 第９図は、インタフェース部の実施例を説明する図で、
（ａ）はインタフェース部の斜視図、（ｂ）はキャリア
の斜視図、 第１Ｏ図は、ストッカの実施例を説明するブロック図、 第１１図は、ストッカの実施例を説明する平面図、第１
２図は、プロセス加工部と小規模搬送機構を説明するブ
ロック図、 第１３図は、処理装置と搬送機構の結合状態を説明する
斜視図、 第１４図は、従来の処理装置の概略を説明する平面図、
である。 図において、ＩＡは初期酸化セクタ、ＩＢはドレイン・
セクタ、ＩＣはゲート酸化セクタ、１０はレジスト露光
セクタ、ＩＥは金属化セクタ、ＩＦは焼結セクタ、２は
中央輸送装置、３はローダ、４は搬送機構、５はプロセ
ス加工部、６はインタフェース部、７はストッカ、８は
検査装置、９は搬送制御部、１０はシステム制御部、１
１．１４．５０は移載機構、１２はバッファ部、１３．
１６はウェハ識別部、１７はキャリア１般人／＊出部、
１８は第１電子ビーム露光装置、１９は第２電子ビーム
露光装置、２０は第１ステツパ露光装置、２１は第２ス
テツパ露光装置、２２はレジスト塗布装置、２３はレジ
スト現像装置、２４は第１糺エツチング装置、２５は第
２ＡＬエツチング装置、２６は第１　ＰＳＧエツチング
装置、２７は第２　ＰＳＧエツチング装置、２８は第１
＾Ｌデポジシヨン装置、２９は第２ＡＬデポジシヨン装
置、３０は第１　ＰＳＧデポジション装置、３１は第２
　ＰＳＧデポジション装置、３２は第１検査装置、３３
は第２検査装置、３４は第３検査装置、３５は第１スト
ツカ、３６は第２ストツカ、３７は測定装置、３８はナ
ンバリング装置、３９ａ　、　３９ｂはインタフェース
装置の制御装置、４０はプロセス加工部の制御装置、４
１は工程制御装置、４２はウェハ、４３はエレベータ、
４４はウェハ台、４５はキャリア、４６は取手、４７は
ストッカの制御装置、４８はキャリア搬入口、４９はキ
ャリア搬出口、５１は加工部、１０４ はアンローダ、 をそれぞれ示している。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板にそれぞれ所定の加工を行う各プロセス
   加工部（５）を、該半導体基板の搬送機構（４）で結合
   し、該半導体基板の連続処理を行うシステムにおいて、 前記各プロセス加工部（５）は、搬送機構（４）と該プ
   ロセス加工部（５）との間で半導体基板の移載を行う移
   載機構（１１）と、該半導体基板の識別を行うウェハ識
   別部（１３）と、該半導体基板の一時的収納を行うバッ
   ファ部（１２）と、から成るインタフェース部（６）を
   介して搬送機構（４）と結合し、搬送機構（４）に結合
   しており、プロセス加工中の半導体基板を一時的に収納
   するために、該半導体基板を収納するためのウェハ収納
   部（１５）と、該ウェハ収納部（１５）と搬送機構（４
   ）との間で半導体基板の移載を行う移載機構（１４）と
   、該半導体基板の識別を行うウェハ識別部（１６）と、
   該半導体基板の搬入・搬出が可能なキャリア搬入／搬出
   部（１７）と、から成るストッカ（７）と、 前記搬送機構（４）の搬送を制御する搬送制御部（９）
   と、 前記プロセス加工部（５）と、インタフェース部（６）
   と、ストッカ（７）と、搬送制御部（９）との間におい
   て、それぞれと通信し制御するシステム制御部（１０）
   と、 を備えることを特徴とする半導体基板の連続処理システ
   ム。 ２、前記搬送機構（４）に結合しており、各プロセス加
   工部（５）で処理した半導体基板を検査する検査装置（
   ８）を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導
   体基板の連続処理システム。 ３、インタフェース部（６）のバッファ部（１２）は、
   半導体基板を収納すると同時に該インタフェース部（６
   ）と着脱可能で該半導体基板の運搬を行うためのキャリ
   アで構成し、 他方、ストッカ（７）のキャリア搬入／搬出部（１７）
   は、前記キャリアの装着が可能であることを特徴とする
   請求項１記載の半導体基板の連続処理システム。 ４、前記搬送機構（４）によって半導体基板を搬送し、 システム制御部（１０）が、プロセス加工部（５）と、
   インタフェース部（６）と、ストッカ（７）と、搬送制
   御部（９）と、の間で通信し制御することによって、該
   システム制御部（１０）に予めプログラムした手順にし
   たがい各プロセス加工部（５）に半導体基板を搬送し、
   該半導体基板の連続処理を行い、半導体基板を次工程の
   プロセス加工部（５）へ搬送する場合に、該次工程が半
   導体基板の受け入れ容量を超える時は、該半導体基板を
   ストッカ（７）へ搬送し、該ストッカ（７）では該半導
   体基板をウェハ識別部（１６）で個別識別した後にウェ
   ハ収納部（１５）に収納し、 前記次工程が半導体基板の受け入れを可能とした時は、
   システム制御部（１０）のプログラムにしたがって順に
   ストッカ（７）のウェハ収納部（１５）から半導体基板
   を搬出し、ウェハ識別部（１６）で個別識別した後に該
   次工程に搬送し、 前記各プロセス加工部（５）における各半導体基板の加
   工処理の優先順は、システム制御部（１０）がインタフ
   ェース部（６）と通信することによって決定し、該決定
   は、該インタフェース部（６）のウェハ識別部（１３）
   で個別識別しその後バッファ部（１２）に収納した半導
   体基板のうち、該システム制御部（１０）のプログラム
   にしたがって順に行うこと、を特徴とする請求項１記載
   の半導体基板の連続処理システム。 ５、前記各プロセス加工部（５）は、各々同種の処理を
   行う複数個（５−１１）（５−１２）・・・が備えられ
   ており、次工程のプロセス加工部（５）への半導体基板
   の搬送は、同種の複数プロセス加工部（５−１１）（５
   −１２）・・・のうち、該複数のプロセス加工部のそれ
   ぞれと結合するインタフェース部（６）のバッファ部（
   １２）の空き容量が大きいプロセス加工部を選択して行
   うことを特徴とする請求項１記載の半導体基板の連続処
   理システム。 ６、通常時は、請求項４の通りに作動し、 他方、搬送機構（４）の故障時およびメンテナンス時に
   は、半導体基板を該搬送機構（４）によらずに運搬し、 システム制御部（１０）がプロセス加工部（５）と、イ
   ンタフェース部（６）と、ストッカ（７）と、の間で通
   信し制御することによって、該システム制御部（１０）
   に予めプログラムした手順にしたがい各プロセス加工部
   （５）にキャリア単位での半導体基板の運搬を指示し、
   該半導体基板の連続処理を行い、キャリアを前工程から
   次工程へ運搬する場合は、まずキャリアをストッカ（７
   ）のキャリア搬入／搬出部（１７）に装着し、 前記ストッカ（７）ではキャリア中の半導体基板をウェ
   ハ識別部（１６）で個別識別した後にウェハ収納部（１
   ５）に一旦収納し、次にシステム制御部（１０）の指示
   によって前記次工程へ運搬する半導体基板のみをウェハ
   収納部（１５）から搬出し、ウェハ識別部（１６）で個
   別識別した後にキャリア搬入／搬出部（１７）に装着し
   たキャリアに収容し、 前記収容の完了したキャリアを搬送機構（４）によらず
   に前記次工程へ運搬し、 前記各プロセス加工部（５）における各半導体基板の加
   工処理の優先順は、システム制御部（１０）がインタフ
   ェース部（６）と通信することによって決定し、該決定
   は、該インタフェース部（６）のウェハ識別部（１３）
   で個別識別しその後バッファ部（１２）に収納した半導
   体基板のうち、該システム制御部（１０）のプログラム
   にしたがって順に行うこと、を特徴とする請求項３記載
   の半導体基板の連続処理システム。