JPH11288990A - プロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよびそれにおける被処理基板の搬送方法 - Google Patents

プロセス処理方法およびその装置並びに半導体製造ラインおよびそれにおける被処理基板の搬送方法

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JPH11288990A
JPH11288990A JP8892698A JP8892698A JPH11288990A JP H11288990 A JPH11288990 A JP H11288990A JP 8892698 A JP8892698 A JP 8892698A JP 8892698 A JP8892698 A JP 8892698A JP H11288990 A JPH11288990 A JP H11288990A
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carrier
wafer
processing
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JP8892698A
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Yoshio Iwata
義雄 岩田
Hide Kobayashi
秀 小林
Toshiyuki Uchino
敏幸 内野
Takashi Yamada
孝 山田
Kenji Tokunaga
謙二 徳永
Shinji Nishihara
晋治 西原
Tomoyuki Masui
知幸 増井
Kazuya Ichikawa
一弥 市川
Minoru Ikeda
稔 池田
Mitsuyasu Yagyu
充泰 柳生
Yoshiaki Kobayashi
義明 小林
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハ等の被処理基板を混流させて製造する混
流生産ライン方式においてタクトタイムの短縮、および
スループットの向上をはかったプロセス処理方法および
その装置並びに半導体製造ラインおよび半導体製造ライ
ンにおける被処理基板の搬送方法を提供することにあ
る。 【解決手段】本発明は、被処理基板移載装置(EFE
M)に保管された被処理基板を収納した1つまたは複数
のキャリアについてのキャリアおよび被処理基板に関す
る情報を基に、複数種類の被処理基板供給ルールに従っ
て前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに収納
された被処理基板を1つのプロセス処理手段(PM)を
備えた製造装置(EQ)内に供給し、この供給された被
処理基板に対して前記プロセス処理手段によってプロセ
ス処理することを特徴とするプロセス処理方法その装置
並びに半導体製造ラインである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体や電子部品等
の被処理基板(ウェハ)に対してプロセス処理するプロ
セス処理方法およびその装置並びにプロセス処理装置を
備えた半導体製造ラインおよびプロセス処理装置内の被
処理基板の供給方法も含めた半導体製造ラインにおける
被処理基板(ウェハ)の搬送方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体工場は、半導体ウェハ、ウェハを
収納するキャリア、キャリアを収納するストッカ、ウェ
ハの処理を行う製造装置、該製造装置が備えるウェハの
受け渡しを行うウェハ受け渡し手段、製造装置内のウェ
ハの搬送を行うウェハ搬送手段、ウェハの処理を行う少
なくとも1つのプロセス処理手段から構成される。
【0003】従来技術1では、半導体ウェハはキャリア
に収納されており、キャリアに収納された形態でストッ
カに保管される。製造管理システムが、ストッカに保管
された1つあるいは複数のキャリアから、製造装置に搬
入するキャリアを決定し、キャリア搬送装置を用いてキ
ャリアを装置前に設置されたウェハ移載装置に搬入す
る。1つあるいは複数のキャリアがウェハ移載装置上に
ある場合、製造装置へのウェハの供給は、キャリア搬送
装置から搬入されたキャリアの搬入順序に従い、キャリ
ア単位にキャリアの下段から上段へ、順次ウェハを製造
装置に供給する。すなわち第1のキャリア、第2のキャ
リアを順次、ウェハ移載装置に搬入した場合、第1のキ
ャリアに収納されたウェハを下段から上段に順次ウェハ
を供給し、第1のキャリアに収納されたウェハがすべて
供給した後、第2のキャリアに収納されたウェハを下段
から上段に順次ウェハを供給する。
【0004】また、製造装置の状態やプロセスの状態を
確認するために製品ウェハとは別にダミーウェハを用い
て処理を行う場合がある。ダミーウェハの処理に関して
は、特開平08−203978号公報(従来技術2)に
あるように、製品キャリアとは別にダミーウェハを収納
したキャリアを用意し、キャリア搬送装置を用いて、製
品ウェハの処理を行う前に、ダミーウェハの処理を行い
たい場合、ダミーウェハを収納したキャリアをまず搬送
し、次に製品ウェハを収納したキャリアを搬送し、ダミ
ーウェハの処理を行い、次に製品ウェハの処理を行う必
要がある。
【0005】また、製造装置のスループット向上をねら
いに下記のような取り組みが行われている。例えば、特
開平09−246347号公報(従来技術3)におい
て、製造装置の前面にウェハを収納したカセット(キャ
リア)を配置するロードステーションを設置し、ウェハ
をロードステーションからカセットモジュールに搬送す
る方法が述べられている。ここでは製造装置のスループ
ット向上を図るために複数のカセットモジュールを備え
ている。ロードステーション上の第1のカセットに収納
されたウェハをカセットモジュールに搬送し、第2のカ
セットに収納されたウェハを別のカセットモジュールに
搬送する。第1のカセットモジュールに収納されたすべ
てのウェハの処理が完了した時に、第2のカセットモジ
ュールに収納されたウェハの処理を行うことにより、ウ
ェハ処理を絶え間なく行うことが出来る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術1によれ
ば、ウェハ移載装置上に同一の製造条件で処理可能なウ
ェハが存在している場合でも、搬入したキャリアの順
序、キャリアに収納されたウェハを下段から上段に順次
ウェハを供給するため、段取り替え作業が多くなるとい
う課題を有していた。
【0007】また、従来技術2によれば、キャリア内に
異なる製造条件で処理を行うウェハが収納されていて、
例えば下段から12枚目までは製造条件Aで、13枚目
から25枚目までは製造条件Bで行う場合に、13枚目
の製品ウェハを処理する前に、ダミーウェハを用いて処
理を行うことが出来ないという課題を有していた。さら
にウェハ移載装置に搬入したキャリアの順序、キャリア
に収納されたウェハを下段から上段に順次ウェハを供給
するため、特別に早く生産したいウェハが存在する場合
でも、ウェハ移載装置上に保管されたキャリアに収納さ
れたウェハの処理が完了するまで、該ウェハの処理は待
たされるという課題がある。
【0008】また、従来技術3によれば、半導体製造装
置が半導体製品の多様化、微細化に伴い、多様な処理が
行えるように多くのプロセスモジュールを持つようにな
った場合、第1のカセットモジュールに収納されたウェ
ハを処理した後、第2のカセットモジュールに収納した
ウェハを連続処理するだけでは、個々のプロセスモジュ
ールのスループットを向上させるのは困難である。
【0009】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
ウェハ等の被処理基板を混流させて製造する混流生産ラ
イン方式においてタクトタイムの短縮、およびスループ
ットの向上をはかったプロセス処理方法およびその装置
を提供することにある。
【0010】また、本発明の他の目的は、ウェハ等の被
処理基板を混流させて製造する混流生産ライン方式にお
いてタクトタイムの短縮、およびスループットの向上を
はかった半導体製造ラインおよび半導体製造ラインにお
ける被処理基板の搬送方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、1つあるいは複数のキャリアがウェハ移
載装置上にあるとき、キャリア搬送装置から搬入された
キャリアの搬入順序に依存せず、キャリア内のウェハの
着工順序に関しても、キャリア内のウェハの所在位置に
依存することなく、1つあるいは複数のキャリアに収納
されたウェハを、種々なルールで決定した順序でウェハ
を供給することを特徴とする。
【0012】また、本発明は、被処理基板移載装置に保
管された被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリ
アについてのキャリアおよび被処理基板に関する情報を
基に、複数種類の被処理基板供給ルールから適宜決定さ
れた所望のルールに従って前記被処理基板移載装置に保
管されたキャリアに収納された被処理基板を1つのプロ
セス処理手段を備えた製造装置内に供給し、この供給さ
れた被処理基板に対して前記プロセス処理手段によって
プロセス処理することを特徴とするプロセス処理方法で
ある。
【0013】また、本発明は、前記プロセス処理方法に
おいて、前記複数種類の被処理基板供給ルールとして、
同一レシピで処理される被処理基板を連続処理するよう
に被処理基板を供給するルールを含むことを特徴とす
る。また、本発明は、前記プロセス処理方法において、
前記複数種類の被処理基板供給ルールとして、製品被処
理基板およびダミー被処理基板を収納した1つまたは複
数のキャリアから製品被処理基板を供給し、該供給する
製品被処理基板に対するダミー被処理基板の供給順序に
従ってダミー被処理基板を供給するルールを含むことを
特徴とする。また、本発明は、前記プロセス処理方法に
おいて、前記複数種類の被処理基板供給ルールとして、
着工優先度に応じて被処理基板を供給するルールを含む
ことを特徴とする。
【0014】また、本発明は、前記プロセス処理方法に
おいて、前記複数種類の被処理基板供給ルールとして、
複数のプロセス処理手段で並列プロセス処理ができるよ
うに被処理基板を供給するルールを含むことを特徴とす
る。また、本発明は、前記プロセス処理方法において、
前記キャリアおよび被処理基板に関する情報として、収
納されているキャリア識別子、被処理基板の識別子ある
いはその代替えとなるキャリア内の被処理基板収納位置
情報、プロセス処理条件を識別するためのレシピ情報等
から構成することを特徴とする。
【0015】また、本発明は、被処理基板を収納した1
つまたは複数のキャリアを保管する被処理基板移載装置
と、1つのプロセス処理手段を備えた製造装置と、前記
被処理基板移載装置に保管された被処理基板を収納した
1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよび被
処理基板に関する情報を基に、異なる複数種類の被処理
基板供給ルールから適宜決定された所望のルールに従っ
て前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに収納
された被処理基板を前記製造装置内に供給する供給制御
手段とを備え、該供給制御手段で供給された被処理基板
に対して前記製造装置内のプロセス処理手段によってプ
ロセス処理するように構成することを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
【0016】また、本発明は、前記プロセス処理装置に
おいて、前記供給制御手段における複数種類の被処理基
板供給ルールとして、同一レシピで処理される被処理基
板を連続処理するように被処理基板を供給するルールを
含むことを特徴とする。また、本発明は、前記プロセス
処理装置において、前記供給制御手段における複数種類
の被処理基板供給ルールとして、製品被処理基板および
ダミー被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリア
から製品被処理基板を供給し、該供給する製品被処理基
板に対するダミー被処理基板の供給順序に従ってダミー
被処理基板を供給するルールを含むことを特徴とする。
また、本発明は、前記プロセス処理装置において、前記
供給制御手段における複数種類の被処理基板供給ルール
として、着工優先度に応じて被処理基板を供給するルー
ルを含むことを特徴とする。
【0017】また、本発明は、前記プロセス処理装置に
おいて、前記供給制御手段における複数種類の被処理基
板供給ルールとして、複数のプロセス処理手段で並列プ
ロセス処理ができるように被処理基板を供給するルール
を含むことを特徴とする。また、本発明は、前記プロセ
ス処理装置において、前記供給制御手段におけるキャリ
アおよび被処理基板に関する情報として、収納されてい
るキャリア識別子、被処理基板の識別子あるいはその代
替えとなるキャリア内の被処理基板収納位置情報、プロ
セス処理条件を識別するためのレシピ情報等から構成す
ることを特徴とする。
【0018】また、本発明は、被処理基板を収納したキ
ャリアを多数保管しておくストッカと、被処理基板の受
け渡しを行う被処理基板受け渡し手段、および該被処理
基板搬送手段によって搬送されてくる被処理基板に対し
て処理を行う少なくとも1つのプロセス処理手段を備え
た製造装置と、該製造装置の被処理基板受け渡し手段へ
被処理基板を供給できるように製造装置の投入口近傍に
設けられ、被処理基板を収納した1つまたは複数のキャ
リアを一時保管する被処理基板移載装置と、前記ストッ
カに保管されたキャリアを持ち出して被処理基板移載装
置のところまで搬送するキャリア搬送装置とを備えた半
導体製造ラインにおける被処理基板の搬送方法であっ
て、前記製造装置が要求するキャリアを前記ストッカか
ら前記被処理基板移載装置まで前記キャリア搬送装置に
よって搬送する工程と、前記被処理基板移載装置に保管
された被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリア
についてのキャリアおよび被処理基板に関する情報を基
に、複数種類の被処理基板供給ルールから適宜決定され
た所望のルールに従って前記被処理基板移載装置に保管
されたキャリアに収納された被処理基板を1つのプロセ
ス処理手段を備えた製造装置内に供給する工程とを有す
ることを特徴とする半導体製造ラインにおける被処理基
板の搬送方法である。
【0019】また、本発明は、被処理基板を収納したキ
ャリアを多数保管しておくストッカと、被処理基板を収
納した1つまたは複数のキャリアを保管する被処理基板
移載装置と1つのプロセス処理手段を備えた製造装置と
前記被処理基板移載装置に保管された被処理基板を収納
した1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよ
び被処理基板に関する情報を基に、異なる複数種類の被
処理基板供給ルールから適宜決定された所望のルールに
従って前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに
収納された被処理基板を前記製造装置内に供給する供給
制御手段とを有し、該供給制御手段で供給された被処理
基板に対して前記製造装置内のプロセス処理手段によっ
てプロセス処理するように構成するプロセス処理装置
と、前記ストッカに保管されたキャリアを持ち出して前
記プロセス処理装置の被処理基板移載装置のところまで
搬送するキャリア搬送装置とを備えたことを特徴とする
半導体製造ラインである。
【0020】また、本発明は、前記半導体製造ラインに
おいて、前記プロセス処理装置の供給制御手段における
複数種類の被処理基板供給ルールとして、同一レシピで
処理される被処理基板を連続処理するように被処理基板
を供給するルールを含むことを特徴とする。また、本発
明は、前記半導体製造ラインにおいて、前記プロセス処
理装置の供給制御手段における複数種類の被処理基板供
給ルールとして、製品被処理基板およびダミー被処理基
板を収納した1つまたは複数のキャリアから製品被処理
基板を供給し、該供給する製品被処理基板に対するダミ
ー被処理基板の供給順序に従ってダミー被処理基板を供
給するルールを含むことを特徴とする。また、本発明
は、前記半導体製造ラインにおいて、前記プロセス処理
装置の供給制御手段における複数種類の被処理基板供給
ルールとして、着工優先度に応じて被処理基板を供給す
るルールを含むことを特徴とする。また、本発明は、前
記半導体製造ラインにおいて、前記プロセス処理装置の
供給制御手段における複数種類の被処理基板供給ルール
として、複数のプロセス処理手段で並列プロセス処理が
できるように被処理基板を供給するルールを含むことを
特徴とする。
【0021】また、本発明は、前記半導体製造ラインに
おいて、前記プロセス処理装置の供給制御手段における
キャリアおよび被処理基板に関する情報として、収納さ
れているキャリア識別子、被処理基板の識別子あるいは
その代替えとなるキャリア内の被処理基板収納位置情
報、プロセス処理条件を識別するためのレシピ情報等か
ら構成することを特徴とする。また、本発明は、前記半
導体製造ラインにおいて、更に、前記プロセス処理装置
の供給制御手段における少なくともキャリアおよび被処
理基板に関する情報を取得するための半導体製造ライン
を統括管理する製造管理装置を備えることを特徴とす
る。また、本発明は、前記半導体製造ラインにおいて、
前記プロセス処理装置を複数備えることを特徴とする。
【0022】以上説明した前記構成によれば、ウェハ等
の被処理基板を混流させて製造する混流生産ライン方式
においてタクトタイムの短縮、およびスループットの向
上をはかったプロセス処理を実現することができる。ま
た、前記構成によれば、ウェハ等の被処理基板を混流さ
せて製造する混流生産ライン方式においてタクトタイム
の短縮、およびスループットの向上をはかった半導体製
造を実現することができる。また、前記構成によれば、
段取り替え頻度を低減でき、更に製造装置あるいはプロ
セスの確認作業のフレキシビィティを向上させることが
でき、更に優先度の高いウェハを優先着工することによ
り納期の短縮を図ることができ、更に製造装置のスルー
プットを向上させることができる。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態を図面を
参照して説明する。本実施の形態では半導体ウェハの製
造ライン(半導体工場)を対象に記述しているが、ガラ
ス基板の等の他の電子部品の製造ラインへの適用も可能
である。
【0024】図1は、本発明に係る半導体ウェハ製造ラ
インにおける、半導体ウェハ搬送システムの構成図であ
る。
【0025】半導体ウェハ製造ラインは、ウェハ(被処
理基板)(a11、a12等)、ウェハ(被処理基板)
(a11、a12等)を収納するキャリア(a、b
等)、ウェハの処理を行う製造装置(EQ1、EQ
2)、キャリア(a、b等)を収納するストッカ(ST
K)から構成され、ストッカ(STK)と製造装置(E
Q1、EQ2)、および製造装置(EQ1、EQ2)間
でライン内のキャリアを搬送するキャリア搬送装置(C
TR)を持ち、前記キャリア搬送装置(CTR)とのキ
ャリア(a、b等)の受け渡しを行い、更に製造装置
(EQ1、EQ2)とキャリア(a、b等)内のウェハ
の受け渡しを行うウェハ移載装置(EFEM1、EFE
M2)を持つ。
【0026】ここで、半導体製造装置(EQ1)は、半
導体ウェハ(a11、a12等)の処理を行う少なくと
も1つのプロセスモジュール(プロセス処理手段)(P
M11、PM12、PM13、PM14)、半導体ウェ
ハ(a11、a12等)の搬送を行うトランスファーモ
ジュール(ウェハ搬送手段)(TM11)、ウェハ移載
装置(EFEM1)とのウェハの受け渡しを行う受け渡
し部(ウェハ受け渡し手段)(LL11、LL12)か
ら構成される。半導体製造装置(EQ2)も同様に、半
導体ウェハ(a11、a12等)の処理を行う少なくと
も1つのプロセスモジュール(プロセス処理手段)(P
M11、PM12、PM13、PM14)、ウェハの搬
送を行うトランスファーモジュール(ウェハ搬送手段)
(TM11)、ウェハ移載装置(EFEM2)とのウェ
ハの受け渡しを行う受け渡し部(ウェハ受け渡し手段)
(LL11、LL12)から構成される。これら受け渡
し部(LL11、LL12)には、ロードロック室が有
っても良い。また、ウェハ移載装置(EFEM1、EF
EM2)と受け渡し部(LL11、LL12)との間に
は、ウェハを受け渡すロボット等の受け渡し手段(RB
11,RB21)が設けられている。ここでは、スパッ
タリング、CVD、エッチング等のプロセス処理をする
半導体製造装置(EQ1、EQ2)を対象に記述してい
るが、半導体製造ライン内に設けられた半導体ウェハ上
の異物やパターンの欠陥等の外観検査等を行う検査装置
にも同様に適用することができる。即ち、検査装置は、
異物等の欠陥等の検査を行うモジュールと、ウェハ移載
装置とのウェハの受け渡しを行う受け渡し部とから構成
される。また、半導体製造装置(EQ1、EQ2)とし
ては、複数のプロセスモジュールを持つ製造装置を対象
として記述しているが、1つのプロセスモジュールのみ
を持つ製造装置に対しても当然適用可能である。
【0027】また、搬送制御装置10は、各半導体製造
装置(EQ)に設けられた製造装置メインコントローラ
32、キャリア搬送装置(CTR)に設けられたキャリ
ア搬送コントローラ33、ストッカ(STK)に設けら
れたストッカコントローラ34、および各ウェハ移載装
置(EFEM)に設けられたEFEMコンローラ35等
をネットワーク13を介して接続し、管理している半導
体製造ラインにウェハを流す情報や管理している図2に
示すウェハ移載装置(EFEM)におけるキャリア内の
ウェハ情報21や搬送キャリア決定プログラム等の処理
プログラムを記憶する記憶手段と、上記各コントローラ
から得られる各種の情報等を記憶する記憶手段と、半導
体製造ラインにウェハを流す情報等を基に搬送キャリア
決定プログラムに従ってキャリア搬送装置(CTR)に
よりストッカ(STK)からウェハ移載装置(EFE
M)へ搬送するキャリアを決定し、ウェハ移載装置(E
FEM)におけるキャリア内のウェハ情報21等を基に
ウェハ供給ルールのプログラム22に従ってウェハ移載
装置(EFEM1、EFEM2)上の1つまたは複数の
キャリア(a、b等)に収納されたウェハ(a11、a
12等)の中から半導体製造装置(EQ1、EQ2)に
供給するウェハの供給順序若しくは供給するウェハを決
定するCPUとを備えている。さらに、搬送制御装置1
0には、各種情報を入力するキーボード、マウス、記録
媒体等の入力手段と、各種情報を出力する表示手段とを
備えても良い。このように構成された搬送制御装置10
は、搬送キャリア決定手段11と、供給ウェハ決定手段
12とを持つことになる。搬送キャリア決定手段11
は、搬送制御装置10において、ストッカ(STK)に
保管した1つまたは複数のキャリア(a、b等)の中か
らキャリア搬送装置(CTR)によって搬送するキャリ
アを決定する機能である。供給キャリア決定手段12
は、搬送制御装置10において、ウェハ移載装置(EF
EM1、EFEM2)上の1つまたは複数のキャリア
(a、b等)に収納されたウェハ(a11、a12等)
で、半導体製造装置へ未供給のウェハの中から半導体製
造装置(EQ1、EQ2)に供給するウェハの供給順序
あるいは供給するウェハを適宜決定する機能である。
【0028】供給ウェハ決定手段12について、より詳
細な構成を図2を用いて説明する。すなわち供給ウェハ
決定手段12は、各ウェハ移載装置(EFEM)におけ
るキャリアについてのキャリア識別子、キャリア内に収
納されたウェハについてのウェハ識別子、各ウェハにつ
いてのレシピ情報等からなるウェハ情報21を記憶する
記憶手段と、同一レシピ連続処理、ダミーウェハ供給ル
ール、着工優先ルール、およびプロセスモジュール並列
処理ルール等からなるウェハ供給ルールのプログラム2
2を記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された各ウェ
ハ移載装置(EFEM)におけるウェハ情報21を基に
記憶手段に記憶されたウェハ供給ルールのプログラム2
2に従ってウェハ移載装置(EFEM)から半導体製造
装置(EQ)に供給するウェハの供給順序あるいは供給
するウェハを適宜決定するCPU等から構成された供給
ウェハ決定処理部23とを有することになる。
【0029】ウェハ情報21は、ウェハ移載装置(EF
EM)上にある1つあるいは複数のキャリア内のウェハ
に関して、収納されているキャリア識別子、ウェハの識
別子あるいはその代替えとなるキャリアのスロットNo
等の位置情報、半導体製造装置(EQ)内のプロセスモ
ジュール(PM)による処理条件を識別するためのレシ
ピ情報等から構成される。このウェハ情報21は、半導
体製造ラインに対するウェハの流れを管理している製造
管理装置31から得ることができる。
【0030】ウェハ供給ルール22は、ウェハ移載装置
(EFEM)上のキャリア内のウェハを、製造装置(E
Q)のウェハ受け渡し部(LL)へ供給する順序あるい
は供給ウェハを決定するためのルールである。
【0031】また、供給ウェハ決定処理部23は、前記
ウェハ情報21とウェハ供給ルール22からウェハの供
給順序あるいは供給ウェハを適宜決定する。
【0032】またウェハ供給ルール22には、(1)同
一レシピ(レシピ情報から与えられる。)で処理される
ウェハ(ウェハの識別子で与えられる。)を連続処理す
るようにウェハの供給順序あるいは供給ウェハを決定す
るもの、(2)ウェハ移載装置(EFEM)上に搭載さ
れた1つまたは複数のキャリア(キャリア識別子で与え
られる。)に収納された製品ウェハあるいはダミーウェ
ハの中で、ダミーウェハ(ウェハの識別子で与えられ
る。)を製品ウェハ(ウェハの識別子で与えられる。)
の処理を行う前、あるいは製品ウェハ処理の間、あるい
は製品ウェハ処理後等、ダミーウェハを供給する順序を
決定するもの、(3)ウェハ移載装置(EFEM)上の
キャリアに収納されたウェハの中で、該キャリア、ウェ
ハの着工優先度情報に基づき、優先度の高いウェハを優
先着工するようにウェハの供給順序あるいは供給ウェハ
を決定するもの、(4)ウェハ移載装置(EFEM)上
のキャリアに収納されたウェハの中で、ウェハの処理す
るプロセスモジュール(PM)の順序を定義した搬送フ
ロー情報から異なるプロセスモジュール(プロセス処理
手段)(PM)で処理できるウェハを並列に処理するよ
うにウェハの供給順序あるいは供給ウェハを決定するも
の等がある。これら各種ルールの中からどのルールを適
宜選択して決定するかの指令も、半導体製造ラインに対
するウェハの流れを管理している製造管理装置31から
得ることができる。
【0033】図3は、キャリア搬送制御装置10におけ
る搬送キャリア決定手段11及び供給ウェハ決定手段1
2を割り当てる全体の製造システム構成の一実施例を示
している。製造管理装置31は、半導体製造ラインを構
成する検査装置も含めた製造装置(EQ)、ストッカ
(STK)、およびキャリア搬送装置(CTR)等の設
備群全体をネットワーク38を介して管理するものであ
る。即ち、製造管理装置31は、スパッタリング、CV
D、エッチング等のプロセス処理を実行する各半導体製
造装置(EQ)に設置された製造装置メインコントロー
ラ32、ストッカ(STK)に設置されたキャリヤ搬送
コントローラ33、およびキャリア搬送装置(CTR)
に設置されたストッカコントローラ34等をネットワー
ク38を介して接続している。そして、各半導体製造装
置(EQ1、EQ2)に設けられた製造装置メインコン
トローラ32a、32bの夫々は、半導体製造装置を構
成するプロセスモジュール(PM)、トランスファモジ
ュール(TM)、カセットモジュール(LL)等のモジ
ュール単位に設置されたプロセスモジュールコントロー
ラ321a、321b、トランスファモジュールコント
ローラ322a、322b、カセットモジュールコント
ローラ323a、323bの夫々をバス等39a、39
bを介して接続し、更に各ウェハ移載装置(EFEM
1、EFEM2)に設置されたEFEMコントローラ3
5a、35bの夫々をバス等39a、39bを介して接
続している。従って、各製造装置メインコントローラ3
2は、バス等39を介して接続したコントローラ群(3
21、322、323、35)を統括管理・制御するこ
とになる。また、キャリア搬送装置(CRT)とストッ
カ(STK)はそれぞれのコントローラ33、34によ
って管理・制御される。
【0034】そして、この実施例においては、キャリア
搬送装置(CRT)によってストッカ(STK)に保管
したキャリアの中から製造装置(EQ)に搬送するキャ
リアを決定する機能からなる搬送キャリア決定手段11
を設備群管理をする製造管理装置31に持たせ、ウェハ
移載装置(EFEM)上の1つまたは複数のキャリアを
保管し、保管したキャリアに収納されたウェハで、製造
装置へ未供給のウェハの中から製造装置(EQ)に供給
するウェハの供給順序あるいは供給ウェハを決定する機
能からなる供給ウェハ決定手段12を製造装置メインコ
ントローラ32に持たせるように構成した。即ち、図1
に示す搬送制御装置10における搬送キャリア決定手段
11の機能を製造管理装置31に持たせ、図1に示す搬
送制御装置10における供給ウェハ決定手段12の機能
を各製造装置メインコントローラ32に持たせることに
なる。従って、各製造装置メインコントローラ32は、
製造管理装置31からネットワーク38を介して取得さ
れるウェハ情報21を一時記憶手段に記憶し、該記憶さ
れたウェハ情報21を基に、製造管理装置31からネッ
トワーク38を介して記憶手段に記憶されたウェハ供給
ルール22に対して選択指令される所望のルールに従っ
て、ウェハ移載装置(EFEM)から半導体製造装置
(EQ)に供給するウェハの供給順序あるいは供給する
ウェハを決定し、この決定されたウェハの供給順序ある
いは供給するウェハに関する情報をEFEMコントロー
ラ35に提供することによって、所望のウェハがウェハ
移載装置(EFEM)から半導体製造装置(EQ)内の
プロセスモジュール(PM)に供給されることになる。
【0035】また、図4に示すようなEFEMコントロ
ーラ35a、35bを直接ネットワーク38を介して製
造管理装置31に接続することが可能となる。この実施
例の場合、製造管理装置31に搬送キャリア決定手段1
1、および供給キャリア決定手段12の機能を持たせれ
ばよい。製造管理装置31は、半導体製造ラインの全体
を管理しているものであるため、図2に示すウェハ情報
21はもとより、ウェハ供給ルール22の中からどのル
ールを適宜選択して決定するかの情報も容易に得ること
ができる。
【0036】また、供給キャリヤ決定手段12の機能を
各EFEMコントローラ35に持たせることも可能であ
る。
【0037】以上説明したように、本発明に係る供給キ
ャリヤ決定手段12の機能を持たせるシステム構成は、
図3および図4に示す実施例に限定されるものでない。
【0038】次にある製造装置(EQ)を新たに立ち上
げウェハを供給するまでの各システム間の通信シナリオ
の一実施例について、図5を用いて説明する。ウェハ供
給ルールとしては、(4)ウェハ移載装置(ウェハ移載
手段)(EFEM)上のキャリアに収納されたウェハの
中で、図7に示す搬送フロー情報から、異なるプロセス
処理手段(PM)で処理できるウェハを並列に処理する
ようにウェハの供給順序を決定するものとする。
【0039】まずはじめに、オペレータが製造装置(E
Q)を立ち上げ(step11)、キャリアの受け入れ
が可能になったことを製造装置メインフレームコントロ
ーラ32から製造管理装置31に報告し(step1
2)、製造管理装置31は各種コントローラから検知さ
れる製造ライン内のキャリアの仕掛かり情報から当該設
備で着工可能なキャリアを検索し、予め設定された搬送
キャリア決定ルールから搬送するキャリアを決定し(s
tep13)、キャリア搬送の命令を作成し(step
14)、キャリア搬送コントローラ33とストッカコン
トローラ34に搬送要求を出す(step15)。キャ
リア搬送装置(CTR)により当該キャリアaが製造装
置(EQ)に搬入され(step16)、キャリア搬送
コントローラ33から製造管理装置31に搬送が完了し
た事を報告し(step17)、一方で製造装置メイン
フレームコントローラ32から製造管理装置31にウェ
ハ移載装置(EFEM)上にキャリアが搬入されたこと
を報告する(step18)。ウェハ移載装置(EFE
M)はキャリア内のウェハの所在情報を確認し(ste
p19)、ウェハ所在情報を製造装置メインフレームコ
ントローラ32に報告する(step20)。製造管理
装置31は製造装置メインフレームコントローラ32に
搬入したキャリア及びウェハに関するキャリヤ・ウェハ
情報を通知する(step21)。ここで、製造管理装
置31が通知するキャリヤ・ウェハ情報の例を図6に示
す。即ち、製造管理装置31は、製造ラインを構成する
設備群のコントローラとネットワーク38によって接続
し、製造ラインの全体のキャリアやウェハの流れを管理
しているものであるため、キャリア及びウェハに関する
キャリヤ・ウェハ情報として、図6に示すように、キャ
リアを識別するキャリア識別子、ウェハの品種、仕掛か
り工程、ウェハ枚数、当該工程の処理が可能な着工可能
設備、レシピ名称、またウェハ毎にレシピが異なる場合
にはウェハ別のレシピ名称を管理することができる。
【0040】図7には、搬送フロー情報(搬送フローマ
スタ情報)であるレシピ情報の詳細を示す。製造管理装
置31は、レシピ情報として、製造装置メインコントロ
ーラ32が半導体製造装置(EQ)で行うすべての処理
の識別子であるレシピNoに関し、処理するモジュール
(PM)No、及びモジュール(PM)で処理するモジ
ュールレシピ名、ウェハが処理されるモジュールの順序
(ステップ)を管理する。たとえばレシピRCP01は
ウェハをプロセスモジュール(PM11)で処理し、そ
の後プロセスモジュール(PM12)あるいは(PM1
3)で処理されることを示している。またプロセスモジ
ュール(PM11)での処理内容を示すモジュールレシ
ピNoがPM11RCP01であることを示している。
またモジュールレシピRCP011はウェハをプロセス
モジュール(PM14)で処理することを示している。
【0041】次に、図5に示すように製造管理装置31
からキャリヤ・ウェハ情報を通知された製造装置メイン
コントローラ32等における供給ウェハ決定機能12
は、ウェハ移載装置(EFEM)上の1つまたは複数の
キャリアに収納されたウェハで、製造装置(EQ)へ未
供給のウェハの中からウェハ情報21とウェハ供給ルー
ル22から製造装置に供給するウェハの供給順序あるい
は供給ウェハを決定し(step22)、ウェハ移載装
置(EFEM)にウェハの投入要求を行う(step2
3)。
【0042】次に、製造装置メインフレームコントロー
ラ32あるいは製造管理装置31が行うウェハ移載装置
(EFEM)上のキャリアに収納されたウェハを処理す
るプロセスモジュールの割り当て手順を図8を用いて説
明する。製造装置メインフレームコントローラ32等に
おける供給ウェハ決定機能12は、製造管理装置31か
らウェハ移載装置(EFEM)に搬入されたキャリアの
各ウェハの搬送フロー情報(図7に示す。)を含めたウ
ェハ情報を取得し(ステップS81)、該取得されたウ
ェハ情報に基づいて搬入されたキャリアの各ウェハを、
ウェハの処理を行うプロセスモジュール(PM)に割り
付ける(ステップS82)。即ち、製造装置メインフレ
ームコントローラ32等における供給ウェハ決定機能1
2は、キャリア搬入順にキャリア内に収納されたウェハ
に関して、スロットの下段から上段方向に順次着工する
ウェハを搬送フローのステップ数分、プロセスモジュー
ルを割り付ける(ステップS83)。もし、着工できる
プロセスモジュールが複数ある場合には、ウェハの割り
当てが少ないプロセスモジュールに割り付ける。これを
搬入キャリアのウェハ枚数分のウェハをプロセスモジュ
ールに割り付ける(ステップS84)。
【0043】図9には、製造装置メインフレームコント
ローラ32等がウェハのプロセスモジュールへの割り付
けを行った結果を示す。キャリアaに収納されたウェハ
はすべてPM11で処理を行う必要があるので、順次割
り付けられ、PM12、PM13は同じ処理が行えるの
で交互にウェハを割り付けている。
【0044】次に、製造装置メインフレームコントロー
ラ32等がプロセスモジュールコントローラ321から
得られるプロセスモジュールからの搬入要求に応じて、
EFEMコントローラ35およびトランスファコントロ
ーラ322等を制御してウェハを供給する手順につい
て、図10を用いて説明する。製造装置メインフレーム
コントローラ32等における供給ウェハ決定機能12
は、プロセスモジュールから搬入要求がある(ステップ
S101)と、搬入要求を行ったプロセスモジュールに
割り付けられた先頭ウェハについて製造装置(EQ)へ
未投入かどうか確認し(ステップS102)、未投入
(YES)ならば、当該プロセスモジュールに割り付け
られた未投入ウェハをウェハ移載装置(EFEM)から
製造装置のウェハ受け渡し部(LL)に投入し(ステッ
プS103)、該投入されたウェハをトランスファーモ
ジュール(TM)によりプロセスモジュール(PM)に
搬入し(ステップS104)、当該ウェハの上記プロセ
スモジュールへの割り付けを削除する(ステップS10
5)。なお、ステップS102において、搬入要求を行
ったプロセスモジュールに割り付けられた先頭ウェハが
製造装置(EQ)に投入されている(NO)ならば、製
造装置(EQ)内で前処理が必要か否かを判断し(ステ
ップS106)、前処理が必要の場合(YES)、前処
理が実行されてウェハの前処理完了待ちとなり(ステッ
プS107)、前処理が完了するとステップS106に
戻ることになる。ステップS106において前処理が不
要の場合(NO)、ステップS104へ進み、投入され
たウェハをトランスファーモジュール(TM)によりプ
ロセスモジュール(PM)に搬入されることになる。
【0045】以上説明したように、図5に示す如く、ウ
ェハ移載装置(EFEM)はウェハa1の投入を行い
(step24)、ウェハの投入が完了した時に、それ
をEFEMコントローラ35から製造装置メインコント
ローラ32に通知する(step25)。この間に別の
キャリアbをウェハ移載装置(EFEM)に上記と同じ
手順で搬送する(step26〜31)。製造管理装置
31は、ウェハ移載装置(EFEM)に搬入されたキャ
リア及びウェハに関するキャリア・ウェハ情報を製造装
置メインフレームコントローラ32に通知する(ste
p32)。キャリアbに関するキャリア・ウェハ情報を
図11に示す。即ち、製造管理装置31は、製造ライン
を構成する設備群のコントローラとネットワーク38に
よって接続し、製造ラインの全体のキャリアやウェハの
流れを管理しているものであるため、キャリア及びウェ
ハに関するキャリヤ・ウェハ情報として、図11に示す
ように、キャリアを識別するキャリア識別子、ウェハの
品種、仕掛かり工程、ウェハ枚数、当該工程の処理が可
能な着工可能設備、レシピ名称、またウェハ毎にレシピ
が異なる場合にはウェハ別のレシピ名称を管理すること
ができる。図11で示すように、製造装置(EQ11)
でレシピRCP11で処理される。レシピRCP11は
プロセスモジュール(PM14)で処理される。そこで
製造装置のメインフレームコントローラ32における供
給ウェハ決定機能12は、製造管理装置31から得られ
るウェハ移載装置(EFEM)に搬入されたキャリア及
びウェハに関するキャリア・ウェハ情報を基に、図8に
示した手順に従い、ウェハの割り付けを行って、バス等
39を介してEFEMコントローラ35等を制御する。
割り付けられた結果を図12に示す。キャリアb内のウ
ェハはすべてPM14に割り付けられる(step3
3)。
【0046】この場合、キャリアbはキャリアaが使用
するプロセスモジュールとは別のプロセスモジュールを
使用するので、キャリアbとキャリアaに収納されたウ
ェハを並行して着工する(step34からstep3
9)。このように、キャリヤ・ウェハ情報に含まれる図
7に示す搬送フロー情報(搬送フローマスタ情報)から
異なるプロセス処理手段(PM11、PM12、PM1
3、PM14)で処理できるウェハを並列に処理するこ
とが可能となり製造装置(EQ)のスループットを向上
させることができる。
【0047】次に、製造装置メインコントローラ32等
における供給キャリア決定機能12において実行するそ
の他の各種供給ウェハ決定ルールに基づく、供給ウェハ
の決定方法の実施例について説明する。
【0048】(1)同一レシピで処理されるウェハを連
続処理するようにウェハの供給順序あるいは供給ウェハ
を決定するルールを採用する場合について説明する。ま
ず、キャリア搬送装置(CRT)がキャリアc、キャリ
アdをウェハ移載装置(EFEM)に搬入する。そし
て、キャリアdが搬入された時に、製造装置メインコン
トローラ32等におけるウェハ供給決定機能12は、製
造管理装置31から取得されるキャリア・ウェハ情報を
基に、キャリアc及びキャリアdのなかで、現在処理中
のウェハと同じレシピで処理されるウェハがないか確認
し、同じレシピで処理できるウェハを連続処理するよう
にウェハをプロセスモジュール(PM)に割り付ける。
同じレシピで処理が行えるウェハがなくなれば、次に異
なるレシピで処理されるウェハをプロセスモジュールに
割り当て該ウェハと同じレシピで処理できるウェハを連
続処理するようにプロセスモジュールに割り付ける。こ
れらの割り付けをウェハ移載装置(EFEM)上に搭載
されたキャリアに収納されたウェハに関して同様な処理
を行う。このように、製造装置メインコントローラ32
等におけるウェハ供給決定機能12は、同一レシピで処
理されるウェハを連続処理するようにウェハの供給順序
あるいは供給ウェハを決定し、これらの割り付け順序に
従い、ウェハ移載装置(EFEM)が製造装置(EQ)
にウェハを供給する。ここでキャリアc及びキャリアd
に収納されているウェハの構成を図13に示す。キャリ
アcはレシピrcp01とrcp02で処理されるウェ
ハがあり、キャリアdには、レシピrcp02とrcp
01を処理するウェハがある。この場合のプロセスモジ
ュールの割り付け結果を図14に示す。キャリアcのc
01は供給がすんでいるので割り付けから削除されてお
り、キャリアcのrcp01で処理されるウェハの次に
キャリアdのなかで同じ処理を行うウェハを連続処理す
るように割り付けられている。このように、1つあるい
は複数のキャリアがウェハ移載装置(EFEM)上にあ
る場合、キャリア搬送装置(CTR)から搬入されたキ
ャリアの搬入順序に依存せず、キャリア内のウェハの着
工順序に関しても、キャリア内のウェハの所在位置に依
存することなく供給することが出来る。すなわちウェハ
移載装置(EFEM)上の1つまたは複数のキャリアに
収納されたウェハで、製造装置(EQ)へ未供給のウェ
ハの中から製造装置に供給するウェハの供給順序あるい
は供給ウェハを決定することが出来る。これにより段取
り替え頻度を低減することが可能となる。
【0049】次に、(2)ウェハ移載装置(EFEM)
上に搭載された1つまたは複数のキャリアに収納された
製品ウェハあるいはダミーウェハの中で、製品ウェハの
レシピ切り替えでダミーウェハを供給するルールを採用
する場合について説明する。まず、キャリア搬送装置
(CTR)がキャリアe、キャリアfをウェハ移載装置
(EFEM)に搬入する。そして、キャリアfに収納さ
れたウェハがダミーウェハで、該キャリアfが搬入され
た時に、製造装置メインコントローラ32等の供給キャ
リア決定機能12は、製造管理装置31から取得される
キャリア・ウェハ情報を基に、キャリアeに収納された
製品ウェハを処理する際に、レシピの切り替えタイミン
グで、ダミーウェハを供給するようにウェハの供給順序
を決定し、これらの割り付け順序に従い、ウェハ移載装
置(EFEM)が製造装置(EQ)にウェハを供給す
る。ここでキャリアe及びキャリアfに収納されている
ウェハの構成を図15に示す。キャリアeは製品ウェハ
であり、ウェハe03とウェハe04でレシピの切り替
えが発生する。この場合のプロセスモジュールの割り付
け結果を図16に示す。ここではウェハe03とウェハ
e04の間にダミーウェハf01が供給される。
【0050】次に、(3)ウェハ移載装置(EFEM)
上のキャリアに収納されたウェハの中で、該キャリア、
ウェハの着工優先度情報に基づき、優先度の高いウェハ
を優先着工するようにウェハの供給順序あるいは供給ウ
ェハを決定するルールを採用する場合について説明す
る。まず、キャリア搬送装置(CTR)がキャリアg、
キャリアh、キャリアiをウェハ移載装置(EFEM)
に搬入する。そして、キャリアiが搬入された時に、製
造装置メインコントローラ32等の供給キャリア決定機
能12は、製造管理装置31から取得されるキャリア・
ウェハ情報を基に、キャリアiに収納されたウェハの着
工優先度が高いという着工優先度情報に基づき、当該ウ
ェハの処理を優先するようにウェハの供給順序を決定
し、これらの割り付け順序に従い、ウェハ移載装置(E
FEM)が製造装置(EQ)にウェハを供給する。ここ
でキャリアg、キャリアh及びキャリアiに収納されて
いるウェハの構成を図17に示す。キャリアg、キャリ
アhの中のウェハの優先度は普通(M)であり、キャリ
アiの優先度は特急(H)である。この場合のプロセス
モジュールの割り付け結果を図17に示す。後から搬入
されたキャリアに収納されたウェハが、優先度が高いた
め先に割り付けられている。
【0051】上記のようにいくつかのウェハ供給ルール
について実施例を示したが、本発明で適用されるウェハ
供給ルールは、これらに限定されるものではない。また
これらのルールの組み合わせも考えられる。また、製造
装置(EQ)のウェハ受け渡し手段(LL)がウェハ移
載手段(EFEM)から複数のウェハを受け取った後、
製造装置(EQ)のプロセス処理手段(PM)にウェハ
を搬送する場合にも適用することができる。
【0052】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウェハ、ウェハ
を収納するキャリア、キャリアを収納するストッカ、ウ
ェハの処理を行う製造装置、該製造装置が備えるウェハ
の受け渡しを行うウェハ受け渡し手段、製造装置内のウ
ェハの搬送を行うウェハ搬送手段、ウェハの処理を行う
少なくとも1つのプロセス処理手段から構成される半導
体製造ライン(半導体工場)において、1つあるいは複
数のキャリアがウェハ移載装置上にある場合、キャリア
搬送装置から搬入されたキャリアの搬入順序に依存せ
ず、キャリア内のウェハの着工順序に関しても、キャリ
ア内のウェハの所在位置に依存することなく供給するこ
とができ、その結果、ウェハ等の被処理基板を混流させ
て製造する混流生産ライン方式においてタクトタイムの
短縮、およびスループットの向上をはかったプロセス処
理または半導体製造を実現することができる効果を奏す
る。
【0053】また、本発明によれば、ウェハ移載手段上
の1つまたは複数のキャリアに収納されたウェハで、ウ
ェハ移載装置上の複数のキャリアに収納された、製造装
置へ未供給のウェハの中から製造装置に供給するウェハ
の供給順序あるいは供給ウェハを決定することができる
ことにより、同一のキャリアに収納されたウェハだけで
なく異なるキャリアに収納された、同一レシピで処理さ
れるウェハを連続処理することが可能となり、段取り替
え頻度を低減することができる効果を奏する。
【0054】また、本発明によれば、ウェハ移載手段上
の1つまたは複数のキャリアに収納されたウェハで、ウ
ェハ移載装置上の複数のキャリアに収納された、製造装
置へ未供給のウェハの中から製造装置に供給するウェハ
の供給順序あるいは供給ウェハを決定することができる
ことにより、製品ウェハあるいはダミーウェハの中で、
ダミーウェハを製品ウェハの処理を行う前、あるいは製
品ウェハ処理の間、あるいは製品ウェハ処理後等、ダミ
ーウェハを供給することが可能となり、製造装置あるい
はプロセスの確認作業のフレキシビィティを向上させる
ことができる効果を奏する。
【0055】また、本発明によれば、ウェハ移載手段上
の1つまたは複数のキャリアに収納されたウェハで、ウ
ェハ移載装置上の複数のキャリアに収納された、製造装
置へ未供給のウェハの中から製造装置に供給するウェハ
の供給順序あるいは供給ウェハを決定することができる
ことにより、ウェハの着工優先度情報に基づき、優先度
の高いウェハを優先着工することが可能となり、納期の
短縮をはかることができる効果を奏する。
【0056】また、本発明によれば、複数のプロセスモ
ジュールを持つ製造装置の場合に、ウェハ移載手段上の
1つまたは複数のキャリアに収納されたウェハで、ウェ
ハ移載装置上の複数のキャリアに収納された、製造装置
へ未供給のウェハの中から製造装置に供給するウェハの
供給順序あるいは供給ウェハを決定することができるこ
とにより、同一のキャリアに収納されたウェハだけでな
く異なるキャリアに収納されたウェハで、搬送フロー情
報から異なるプロセス処理手段で処理できるウェハを並
列に処理することが可能となり製造装置のスループット
を向上させることができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体の製造ラインの一実施の形
態を示す概略構成図である。
【図2】本発明に係る供給ウェハ決定手段の機能を示す
構成図である。
【図3】図1に示す搬送制御装置の第1の実施例を示す
構成図である。
【図4】図1に示す搬送制御装置の第2の実施例を示す
構成図である。
【図5】ウェハ供給時の通信シナリオを説明するための
図である。
【図6】キャリアaに収納されるキャリア・ウェハ情報
を示す図である。
【図7】搬送フローマスタ情報であるレシピ情報を示す
図である。
【図8】製造装置メインコントローラ等の供給ウェハ決
定機能によるウェハ割り付け手順を示す図である。
【図9】キャリアaに収納されたウェハの割り付け情報
を示す図である。
【図10】製造装置メインコントローラ等の供給ウェハ
決定機能によるウェハ投入手順を示す図である。
【図11】キャリアbに収納されるキャリア・ウェハ情
報を示す図である。
【図12】キャリアa、bに収納されたウェハの割り付
け情報を示す図である。
【図13】キャリアc、dに収納されるキャリア・ウェ
ハ情報を示す図である。
【図14】キャリアc、dに収納されたウェハの割り付
け情報を示す図である。
【図15】キャリアe、fに収納されるキャリア・ウェ
ハ情報(ダミー情報含む)を示す図である。
【図16】キャリアe、fに収納されたウェハの割り付
け情報を示す図である。
【図17】キャリアg、h,iに収納されるキャリア・
ウェハ情報(優先度含む)を示す図である。
【図18】キャリアg、h,iに収納されたウェハの割
り付け情報を示す図である。
【符号の説明】 a、b…キャリア、a01〜a25、b01〜b25…
ウェハ(被処理基板)、EQ、EQ1、EQ2…製造装
置、EFEM、EFEM1、EFEM2…ウェハ移載装
置、PM、PM11〜PM14、PM21〜PM24…
プロセスモジュール(プロセス処理手段)、LL、LL
11、LL12、LL21、LL22…ウェハ受け渡し
部、TM、TM11、TM12…トランスファーモジュ
ール(ウェハ搬送手段)、STK…ストッカ、CTR…
キャリア搬送装置、10…搬送制御装置、11…搬送キ
ャリア決定手段(機能)、12…供給ウェハ決定手段
(機能)、31…製造管理装置、32、32a、32b
…製造装置メインコントローラ、33…キャリア搬送コ
ントローラ、34…ストッカコントローラ、35、35
a、35b…EFEMコントローラ
フロントページの続き (72)発明者 山田 孝 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 徳永 謙二 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 西原 晋治 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 増井 知幸 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 市川 一弥 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 池田 稔 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 柳生 充泰 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 小林 義明 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理基板移載装置に保管された被処理基
    板を収納した1つまたは複数のキャリアについてのキャ
    リアおよび被処理基板に関する情報を基に、複数種類の
    被処理基板供給ルールから適宜決定された所望のルール
    に従って前記被処理基板移載装置に保管されたキャリア
    に収納された被処理基板を1つのプロセス処理手段を備
    えた製造装置内に供給し、この供給された被処理基板に
    対して前記プロセス処理手段によってプロセス処理する
    ことを特徴とするプロセス処理方法。
  2. 【請求項2】前記複数種類の被処理基板供給ルールとし
    て、同一レシピで処理される被処理基板を連続処理する
    ように被処理基板を供給するルールを含むことを特徴と
    する請求項1記載のプロセス処理方法。
  3. 【請求項3】前記複数種類の被処理基板供給ルールとし
    て、製品被処理基板およびダミー被処理基板を収納した
    1つまたは複数のキャリアから製品被処理基板を供給
    し、該供給する製品被処理基板に対するダミー被処理基
    板の供給順序に従ってダミー被処理基板を供給するルー
    ルを含むことを特徴とする請求項1または2記載のプロ
    セス処理方法。
  4. 【請求項4】前記複数種類の被処理基板供給ルールとし
    て、着工優先度に応じて被処理基板を供給するルールを
    含むことを特徴とする請求項1または2または3記載の
    プロセス処理方法。
  5. 【請求項5】前記複数種類の被処理基板供給ルールとし
    て、複数のプロセス処理手段で並列プロセス処理ができ
    るように被処理基板を供給するルールを含むことを特徴
    とする請求項1または2または3または4記載のプロセ
    ス処理方法。
  6. 【請求項6】前記キャリアおよび被処理基板に関する情
    報として、収納されているキャリア識別子、被処理基板
    の識別子あるいはその代替えとなるキャリア内の被処理
    基板収納位置情報、プロセス処理条件を識別するための
    レシピ情報等から構成することを特徴とする請求項1ま
    たは2または3または4または5記載のプロセス処理方
    法。
  7. 【請求項7】被処理基板を収納した1つまたは複数のキ
    ャリアを保管する被処理基板移載装置と、 1つのプロセス処理手段を備えた製造装置と、 前記被処理基板移載装置に保管された被処理基板を収納
    した1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよ
    び被処理基板に関する情報を基に、異なる複数種類の被
    処理基板供給ルールから適宜決定された所望のルールに
    従って前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに
    収納された被処理基板を前記製造装置内に供給する供給
    制御手段とを備え、 該供給制御手段で供給された被処理基板に対して前記製
    造装置内のプロセス処理手段によってプロセス処理する
    ように構成することを特徴とするプロセス処理装置。
  8. 【請求項8】前記供給制御手段における複数種類の被処
    理基板供給ルールとして、同一レシピで処理される被処
    理基板を連続処理するように被処理基板を供給するルー
    ルを含むことを特徴とする請求項7記載のプロセス処理
    装置。
  9. 【請求項9】前記供給制御手段における複数種類の被処
    理基板供給ルールとして、製品被処理基板およびダミー
    被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリアから製
    品被処理基板を供給し、該供給する製品被処理基板に対
    するダミー被処理基板の供給順序に従ってダミー被処理
    基板を供給するルールを含むことを特徴とする請求項7
    または8記載のプロセス処理装置。
  10. 【請求項10】前記供給制御手段における複数種類の被
    処理基板供給ルールとして、着工優先度に応じて被処理
    基板を供給するルールを含むことを特徴とする請求項7
    または8または9記載のプロセス処理装置。
  11. 【請求項11】前記供給制御手段における複数種類の被
    処理基板供給ルールとして、複数のプロセス処理手段で
    並列プロセス処理ができるように被処理基板を供給する
    ルールを含むことを特徴とする請求項7または8または
    9または10記載のプロセス処理装置。
  12. 【請求項12】前記供給制御手段におけるキャリアおよ
    び被処理基板に関する情報として、収納されているキャ
    リア識別子、被処理基板の識別子あるいはその代替えと
    なるキャリア内の被処理基板収納位置情報、プロセス処
    理条件を識別するためのレシピ情報等から構成すること
    を特徴とする請求項7または8または9または10また
    は11記載のプロセス処理装置。
  13. 【請求項13】被処理基板を収納したキャリアを多数保
    管しておくストッカと、被処理基板の受け渡しを行う被
    処理基板受け渡し手段、および該被処理基板搬送手段に
    よって搬送されてくる被処理基板に対して処理を行う少
    なくとも1つのプロセス処理手段を備えた製造装置と、
    該製造装置の被処理基板受け渡し手段へ被処理基板を供
    給できるように製造装置の投入口近傍に設けられ、被処
    理基板を収納した1つまたは複数のキャリアを一時保管
    する被処理基板移載装置と、前記ストッカに保管された
    キャリアを持ち出して被処理基板移載装置のところまで
    搬送するキャリア搬送装置とを備えた半導体製造ライン
    における被処理基板の搬送方法であって、 前記製造装置が要求するキャリアを前記ストッカから前
    記被処理基板移載装置まで前記キャリア搬送装置によっ
    て搬送する工程と、 前記被処理基板移載装置に保管された被処理基板を収納
    した1つまたは複数のキャリアについてのキャリアおよ
    び被処理基板に関する情報を基に、複数種類の被処理基
    板供給ルールから適宜決定された所望のルールに従って
    前記被処理基板移載装置に保管されたキャリアに収納さ
    れた被処理基板を1つのプロセス処理手段を備えた製造
    装置内に供給する工程とを有することを特徴とする半導
    体製造ラインにおける被処理基板の搬送方法。
  14. 【請求項14】被処理基板を収納したキャリアを多数保
    管しておくストッカと、 被処理基板を収納した1つまたは複数のキャリアを保管
    する被処理基板移載装置と1つのプロセス処理手段を備
    えた製造装置と前記被処理基板移載装置に保管された被
    処理基板を収納した1つまたは複数のキャリアについて
    のキャリアおよび被処理基板に関する情報を基に、異な
    る複数種類の被処理基板供給ルールから適宜決定された
    所望のルールに従って前記被処理基板移載装置に保管さ
    れたキャリアに収納された被処理基板を前記製造装置内
    に供給する供給制御手段とを有し、該供給制御手段で供
    給された被処理基板に対して前記製造装置内のプロセス
    処理手段によってプロセス処理するように構成するプロ
    セス処理装置と、 前記ストッカに保管されたキャリアを持ち出して前記プ
    ロセス処理装置の被処理基板移載装置のところまで搬送
    するキャリア搬送装置とを備えたことを特徴とする半導
    体製造ライン。
  15. 【請求項15】前記プロセス処理装置の供給制御手段に
    おける複数種類の被処理基板供給ルールとして、同一レ
    シピで処理される被処理基板を連続処理するように被処
    理基板を供給するルールを含むことを特徴とする請求項
    14記載の半導体製造ライン。
  16. 【請求項16】前記プロセス処理装置の供給制御手段に
    おける複数種類の被処理基板供給ルールとして、製品被
    処理基板およびダミー被処理基板を収納した1つまたは
    複数のキャリアから製品被処理基板を供給し、該供給す
    る製品被処理基板に対するダミー被処理基板の供給順序
    に従ってダミー被処理基板を供給するルールを含むこと
    を特徴とする請求項14または15記載の半導体製造ラ
    イン。
  17. 【請求項17】前記プロセス処理装置の供給制御手段に
    おける複数種類の被処理基板供給ルールとして、着工優
    先度に応じて被処理基板を供給するルールを含むことを
    特徴とする請求項14または15または16記載の半導
    体製造ライン。
  18. 【請求項18】前記プロセス処理装置の供給制御手段に
    おける複数種類の被処理基板供給ルールとして、複数の
    プロセス処理手段で並列プロセス処理ができるように被
    処理基板を供給するルールを含むことを特徴とする請求
    項14または15または16または17記載の半導体製
    造ライン。
  19. 【請求項19】前記プロセス処理装置の供給制御手段に
    おけるキャリアおよび被処理基板に関する情報として、
    収納されているキャリア識別子、被処理基板の識別子あ
    るいはその代替えとなるキャリア内の被処理基板収納位
    置情報、プロセス処理条件を識別するためのレシピ情報
    等から構成することを特徴とする請求項14または15
    または16または17または18記載の半導体製造ライ
    ン。
  20. 【請求項20】更に、前記プロセス処理装置の供給制御
    手段における少なくともキャリアおよび被処理基板に関
    する情報を取得するための半導体製造ラインを統括管理
    する製造管理装置を備えることを特徴とする請求項14
    または15または16または17または18または19
    記載の半導体製造ライン。
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