TW201519352A - 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明旨在提供一種基板處理裝置等，可對應基板之處理時間，變更基板搬運機構之動作。 於基板處理裝置1中，基板處理部14包含對基板W實行處理之複數之處理模組2，基板搬運機構121等設於載置部11與處理模組2之間。參數記憶部3記憶有複數組搬運參數33，該搬運參數33係使基板搬運機構121等之動作速度的設定值與每單位時間基板W之處理片數相對應而構成。參數選擇部4，將依照基板W之處理相關之配方31而決定之每單位時間基板的處理片數，與對應於搬運參數的處理片數加以比較，而選擇與依照配方31所決定之處理片數以上之處理片數中最小之處理片數相對應之搬運參數。搬運控制部151～153，根據所選擇之搬運參數之設定值，控制基板搬運機構121等。

Description

基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
本發明係關於一種技術，使用基板搬運機構，相對於處理基板之處理模組，搬運基板。
對作為基板之半導體晶圓（以下，稱晶圓）等，進行清洗處理或光阻之塗布、曝光後之顯影等各種處理之基板處理裝置中，有包含自收納處理對象之晶圓之載具，朝實行各種處理之處理模組，搬運晶圓之晶圓搬運機構者。
此種基板處理裝置中，定有根據處理模組之設置數或處理時間等決定之每單位時間之處理片數（以下，本說明書中，每1小時可處理之晶圓之片數（wph）稱「處理能力」）之最大值。此時晶圓搬運機構之動作速度，設定為在實現上述最大處理能力之條件下使處理模組運轉時，不產生起因於晶圓搬運機構之動作之遲滯之等待時間等之程度地，充分快的速度。
然而，實際之基板處理裝置中，於處理模組至結束處理止所需之時間，會對應處理之內容或設定條件變化，處理模組，不經常在達成最大處理能力之條件下運轉。另一方面，即使在如此之條件下，晶圓搬運機構之動作速度若經常設定為可實現最大處理能力之值，即亦有因不必要之酷使而加快零件損耗之虞。
針對如此之課題，例如專利文獻1中記載一技術，對使用於FPD（Flat Panel Display）之玻璃基板實行蝕刻處理之處理裝置中，在切換常壓氛圍與真空氛圍之真空預備室（前段模組），及實行處理之處理室（處理模組）之間，搬運基板時，因於處理室處理未結束而產生等待時間之際，減緩基板之搬運機構之搬運速度。 【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2010－283285號公報：段落0046～0050、圖7。
【發明所欲解決之課題】
引用文獻1所記載之技術中，因與處理室中蝕刻處理之時間之關係，於處理室內更換基板之動作產生等待時間時，減緩搬運機構之動作速度，俾蝕刻結束之時機，與下一處理之基板抵達處理室之時機相同。然而如此例，若觀察與蝕刻處理之結束時間之時間差，任意使動作速度變化，有時即會變更為未進行動作確認之動作速度。未進行動作確認之動作速度，亦可能導致基板搬運不良，需保證搬運之可靠度，同時可變更搬運機構之動作速度之技術。
鑒於如此之情事，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置、基板處理方法及記憶此方法之記憶媒體，可對應基板之處理時間變更基板搬運機構之動作速度，搬運之可靠度高。 【解決課題之手段】
本發明之基板處理裝置，包含： 載置部，載置處理對象之基板； 基板處理部，包含對基板實行處理之複數之處理模組； 基板搬運機構，設於該載置部與處理模組之間； 參數記憶部，記憶複數組使對應於該基板處理部中之處理片數之基板搬運機構之動作速度之設定值，與該基板處理部中每單位時間基板之處理片數對應之搬運參數； 參數選擇部，比較對應與該基板之處理相關之配方而決定，該基板處理部中每單位時間基板之處理片數，與對應記憶於該參數記憶部之搬運參數之處理片數，自參數記憶部中，選擇與依該配方而決定之處理片數以上之對應於該搬運參數之處理片數中，最小之處理片數對應之搬運參數；及 搬運控制部，根據於該參數選擇部選擇之搬運參數之設定值，控制該基板搬運機構。
該基板處理裝置，亦可具有下述之構成。 （a）於該基板處理部內之處理模組混雜有處理時間互異之基板時，該參數選擇部，根據比較對應處理時間最短之基板之配方而決定之處理片數，與對應於該搬運參數之處理片數之結果，選擇該搬運參數。 依該配方而決定之處理片數，係在基板載置於該載置部後，參照設定於該基板之配方而獲得。 （b）該基板處理部，分別設於在該載置部與處理模組之間之基板之搬運通道上分叉之複數之分叉路， 該基板搬運機構，分為下列者： 獨立基板搬運機構，相對於該各分叉路內之基板處理部搬運基板；及 共通基板搬運機構，於連結複數之分叉路之共通之搬運通道搬運基板； 該參數選擇部，就用於控制該各獨立基板搬運機構之搬運參數之選擇，指定對應將設於設有該獨立基板搬運機構之分叉路以外之分叉路之處理模組除外時，處理時間最短之基板之配方而決定之處理片數。 （c）該參數選擇部，根據使載置於該載置部之複數之基板，與該基板之搬運目的地之處理模組沿搬運通道相對應，將搬運此等基板之順序依時間順序排列而製作之搬運排程，指定依該處理時間最短之基板的配方而決定之處理片數。 （d）該參數記憶部內之該搬運參數中，除該動作速度之設定值外，使基板搬運機構之加速度之設定值，與該基板處理部中每單位時間之基板處理片數對應。 【發明之效果】
本發明，準備複數組使基板搬運機構之動作速度之設定值，與每單位時間基板之處理片數對應之搬運參數，根據對依照基板之處理相關之配方而決定之實際之每單位時間之處理片數不加以限制，且動作速度最慢而選擇之搬運參數之設定值，控制基板搬運機構，故可抑制對基板搬運機構施加之負載至必要最低標準。
以下，作為本發明之實施形態之一例，說明本發明適用於清洗作為基板之晶圓W之液體處理裝置1之例。如圖1、圖2所示，液體處理裝置1，包含： 載置區塊11，將作為收納複數之晶圓W之載具之FOUP100加以載置； 送入送出區塊12，相對於載置於載置區塊11之FOUP100，送入、送出晶圓W； 傳遞區塊13，在送入送出區塊12與後段之液體處理區塊14之間，傳遞晶圓W； 液體處理區塊14，用來對晶圓W施行液體處理；及 搬運區塊142a、142b，在與設於此液體處理區塊14之液體處理模組2之間，搬運晶圓W。
液體處理區塊14，相當於本例之基板處理部，如圖2、圖3所示，分為上段側之第1處理區塊141a與下段側之第2處理區塊141b，上下堆疊配置此等處理區塊141a、141b。處理區塊141a、141b中，設有複數台液體處理模組2，可並行處理複數片晶圓W。且載置區塊11在前時，載置區塊11、送入送出區塊12、傳遞區塊13、液體處理區塊14，自前側依此順序鄰接設置。
載置區塊11中，將以水平狀態收納複數之晶圓W之FOUP100，載置在載置台111上。亦即，載置區塊11，相當於以FOUP100載置晶圓W之本例之載置部。送入送出區塊12，搬運自FOUP100移出之晶圓W。傳遞區塊13，傳遞晶圓W。將送入送出區塊12及傳遞區塊13，收納於框體內。
送入送出區塊12，包含晶圓搬運機構121。晶圓搬運機構121，包含固持晶圓W之搬運臂122，及使搬運臂122沿前後（X方向）移動之機構。且晶圓搬運機構121，包含： 順著沿FOUP100之排列方向（Y方向）延伸之水平導件123（參照圖1）移動之機構、 順著沿垂直方向（Z方向）設置之不圖示之垂直導件移動之機構、及 於水平面內使搬運臂122繞著鉛直軸（θ方向）旋轉之機構。 以此晶圓搬運機構121，在FOUP100與傳遞區塊13之間搬運晶圓W。
傳遞區塊13，包含可載置晶圓W之傳遞棚架131。如圖2所示，傳遞棚架131，沿上下區分設置： 在與上段側之第1處理區塊141a之間，送入、送出晶圓W之第1傳遞棚架131a、及 在與下段側之第2處理區塊141b之間，送入、送出晶圓W之第2傳遞棚架131b。 將於第1處理區塊141a處理之晶圓W，暫時，載置至下段側之第2傳遞棚架131b，以包含可沿前後方向（X方向）任意移動之搬運臂133，可沿上下方向（Z方向）任意昇降之移載機構132（參照圖1），移載至第1傳遞棚架131a。又，同樣地，將處理結束之晶圓W，以移載機構132自第1傳遞棚架131a移載至第2傳遞棚架131b，以晶圓搬運機構121朝FOUP100搬運。
如已述，液體處理區塊14中，沿上下堆疊設置第1處理區塊141a與第2處理區塊141b，各處理區塊141a、141b中，配置複數之液體處理模組2。自前側（載置區塊11）側觀察即知，各處理區塊141a、141b中，包夾搬運區塊（上段側之第1搬運區塊142a、下段側之第2搬運區塊142b），沿左右排列有複數台液體處理模組2。
本例中，順著以與傳遞區塊13之連接部為基端，沿前後方向延伸之搬運區塊142a、142b，分別以2列之方式，沿上下配置2段5台液體處理模組2。因此，本例之液體處理裝置1，包含合計20台液體處理模組2。
各段搬運區塊142a、142b中，設有晶圓搬運機構143。此等晶圓搬運機構143，相互構成大致相同，例如圖1所示，包含可固持晶圓W，朝各液體處理模組2沿前後方向（X方向）任意滑動之2片搬運臂144，可沿液體處理模組2之排列方向（Y方向）及上下方向（Z方向）任意移動，繞著鉛直軸（θ方向）任意旋轉。
設於處理區塊141a、141b內之各液體處理模組2，例如可以旋轉處理逐一對晶圓W進行液體處理。如圖3之縱剖正視圖所例示，液體處理模組2，使由配置於杯體21內之晶圓固持部22大致水平地固持之晶圓W，繞著鉛直軸旋轉。又，令由噴嘴臂24固持之噴嘴231，進入旋轉之晶圓W之上方，依預先決定之順序，供給各種化學液（例如SC1液（氨與過氧化氫溶液之混合液）或作為酸性化學液之稀氫氟酸水溶液（以下，稱DHF（Diluted HydroFluoric acid））等）或潤洗液，藉此，對晶圓之上表面側（使表面朝上方固持時係表面，使背面朝上方時係背面），進行液體處理。
於以上說明之液體處理裝置1內，使晶圓W，在依載置區塊11上之FOUP100→送入送出區塊12→傳遞區塊13→搬運區塊142a、搬運區塊142b→各液體處理模組2之順序構成之搬運通道內通過，於液體處理裝置1內搬運，實行於液體處理模組2內預先設定之液體處理。又，使液體處理結束之晶圓W，通過與送入時之通道相反之搬運通道，回到原來的FOUP100。
本例之液體處理裝置1，可對應每單位時間處理晶圓W之片數，變更上述於搬運通道內實行晶圓W之搬運之晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143（以下，亦可彙總此等者而稱為基板搬運機構）之動作速度。以下，說明關於用來變更此等基板搬運機構之動作速度之構成。
如於圖4之方塊圖顯示電性構成者，液體處理裝置1，包含具有控制部4與記憶體3之電腦。控制部4，由CPU（Central Processing Unit）41與程式儲存部42構成，程式儲存部42中，記錄有：安裝有與關於該液體處理裝置1之作用，亦即，自載置於載置區塊11之FOUP100取出晶圓W，沿搬運通道搬運晶圓W後，於各液體處理模組2實行液體處理，沿搬運通道搬運處理後之晶圓W，將其收納於FOUP100止之動作之控制相關之步驟（命令）群組之程式。此程式，例如收納於硬碟、光碟、磁光碟、記憶卡等記憶媒體，自此安裝於電腦。又，圖4中，程式儲存部42與後述之記憶體3雖作為不同之記憶媒體記載，但亦可以共通之記憶媒體構成此等者。且控制部4，連接以設於液體處理裝置1之框體之觸控面板式液晶顯示器等構成之運轉操作部43。
除用以實行此等者之動作之程式外，作為與變更基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143）之動作速度之動作相關之程式，程式儲存部42中，儲存有： 排程器程式421，製作依時間順序排列FOUP100內晶圓W之搬運目的地及搬運順序之搬運排程；及 參數選擇程式422，選擇各基板搬運機構之動作速度。
作為用來製作晶圓W之搬運排程之資料，記憶體3中，記憶搬運配方32、處理配方31。搬運配方32，設定有表示在FOUP100與液體處理模組2之間搬運晶圓W之搬運通道（載置區塊11－送入送出區塊12－傳遞區塊13－搬運區塊142a、搬運區塊142b）之資訊。包含複數之模組之區塊13、142a、142b中，可辨識各模組（傳遞區塊13之第1傳遞棚架131a、第2傳遞棚架131b、第1處理區塊141a、第2處理區塊141b各液體處理模組2），選擇搬運目的地。又，圖13～圖15中，作為各液體處理模組2之辨識資訊，附有第1～第20編號。可對應處理配方31之選擇結果等，自複數種類中選擇搬運配方32。
處理配方31中，設定有關於在各液體處理模組2實行之處理內容（液體處理、乾燥處理），或供給之處理液種類（化學液、潤洗液），晶圓W之旋轉速度或處理時間，各處理實行順序等之資訊。可對應設定於FOUP100內之晶圓W之資訊，自複數種類中選擇處理配方31。
另一方面，對於工廠內搬運，於各處理裝置實行處理之FOUP100內之晶圓W，預先設定於液體處理裝置1內實行之處理內容。例如圖5所示，於FOUP100內之晶圓W，設定控制工作（CJ）及處理工作（PJ）。CJ，係針對各晶圓W設定之PJ之群組單位，本例中，設定於每一FOUP100。PJ，設定有指定對各晶圓W實施之處理配方之資訊等。
例如各FOUP100，呈沿上下方向重疊以水平姿態固持晶圓W之25段槽部之構成。如圖5所例示之CJ、PJ之設定、確認畫面（例如顯示於運轉操作部43）所示，CJ中，包含作為各CJ之個別編號之ID，與指定設定有具有該ID之CJ之FOUP100之資訊。
各CJ中，可設定複數之PJ，PJ中，包含作為各PJ之個別編號之ID，與指定設定有具有該ID之PJ之晶圓W之資訊或指定實施之處理配方31之資訊。依FOUP100之槽部之位置指定實施各PJ之晶圓W。對各FOUP100或收納於其內部之晶圓W個別設定關於此等CJ或PJ之資訊，控制部4，藉由與管理工廠內之裝置之電腦主機之通信等，取得此等資訊。
依排程器程式421作動之控制部4，根據設定於PJ之資訊，選擇實行於該晶圓W之處理配方31，選擇可實行設定於此處理配方31之處理之液體處理模組2。又，選擇設定在載置於載置區塊11之FOUP100，與根據處理配方31選擇之液體處理模組2之間，搬運晶圓W之通道之搬運配方32。
如此，對FOUP100內各晶圓W，依晶圓W之搬運順序決定搬運通道，製作依時間順序排列搬運此等晶圓W之順序之搬運排程。藉由此搬運排程，基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143），可指定於沿時間順序實行之各搬運步驟，自哪一搬運來源，朝哪一搬運目的地（就晶圓搬運機構121，係載置區塊11上FOUP100各槽部，與第2傳遞棚架131b之槽部之間，就移載機構132，係第2傳遞棚架131b之槽部與第1傳遞棚架131a之槽部之間，就搬運區塊142a之晶圓搬運機構143，係第1傳遞棚架131a之槽部，與第1處理區塊141a各液體處理模組2之間，就搬運區塊142b之晶圓搬運機構143，係第2傳遞棚架131b之槽部，與第2處理區塊141b各液體處理模組2之間），搬運哪一晶圓W。
製作此搬運排程後，控制部4，即可指定於各基板搬運機構搬運晶圓W之時點，液體處理裝置1內各液體處理模組2中，實行根據哪一處理配方31之處理。設定基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143）之動作速度之際，控制部4，參照此搬運排程，判斷何種程度之動作速度適當。
記憶體3中，記憶作為用來進行基板搬運機構之動作設定之資料之搬運參數33。分別針對晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143準備搬運參數33，如圖6所示，對應複數種類之處理能力，記憶該處理能力用設定值。如圖6所示，本例中，記憶以處理能力為100wph時為最小值，處理能力每50wph一刻度增加之複數組搬運參數33。
如已述，本例中，以各基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143）為基準，以搬運臂122、133、144之滑動方向為X方向，以圖1之俯視圖觀察，與此滑動方向交叉之基板搬運機構之移動方向為Y方向，以上下方向為Z方向，以繞著鉛直軸之旋轉方向為θ方向，控制動作速度（惟，移載機構132中，未設置沿Y方向、θ方向移動之功能）。如圖7所示，本例之搬運參數33中，可選擇設定沿此等各方向移動之動作速度（vX 、vY 、vZ 、vθ ），及到達此等動作速度止各方向之加速度（aX 、aY 、aZ 、aθ ）。又，搬運參數33中，亦可不設定加速度，僅設定動作速度。
如圖8所示，各基板搬運機構中，對應可移動之方向，進行使用搬運參數33之動作速度之變更。例如圖8所示之例中，送入送出區塊12之晶圓搬運機構121及搬運區塊142a、142b之晶圓搬運機構143，雖沿X、Y、Z、θ方向皆可移動，但使用搬運參數33，變更此等方向中，對處理能力之影響大的X、Y方向之動作速度、加速度之設定。另一方面，Z、θ方向之動作速度及加速度，不進行使用搬運參數33之變更，設定例如固定值。且移載機構132，僅可沿X、Z方向移動，使用搬運參數33，變更關於此等者全方向之動作速度、加速度之設定。亦可因應所需，適當變更設定此等動作速度、加速度之方向。
藉由變更此等動作速度及加速度之設定，於搬運排程各搬運動作，基板搬運機構，如圖9所示，將動作速度v1 ，及到達此動作速度v1 之加速度a1 ，分別變更為動作速度v2 、加速度a2 。又，調節搬運時間，俾於搬運排程指定之搬運來源與搬運目的地之間之距離（圖9各梯形之面積）相等。就此等動作速度或加速度，預先進行動作確認，作為搬運參數33設定保證各基板搬運機構不發生搬運不良而可搬運晶圓W之值。又，此等動作速度或加速度，係設定為於液體處理區塊14，可分別實現既定之處理片數之晶圓W之處理之設定值。因此，可說係對應液體處理區塊14中之處理片數設定動作速度或加速度。
如此，自複數之搬運參數33中，設定各基板搬運機構之動作速度時，根據參數選擇程式422作動之控制部4，根據液體處理裝置1內實行之液體處理，計算液體處理裝置1之處理能力，根據此處理能力，選擇適當之搬運參數33。根據參數選擇程式422動作之控制部4，相當於本例之參數選擇部。以下，說明處理能力之計算方法之例。
如已述，製作搬運排程後，即可於各基板搬運機構搬運晶圓W之搬運步驟，掌握在液體處理模組2中選擇哪一處理配方31進行處理。如圖10所示意顯示，處理配方31中，設定於化學液體處理P1或潤洗處理P2、乾燥處理P3使用之處理液種類或處理之實行順序、處理時間等資訊。在此，控制部4，根據記憶於處理配方31之資訊，計算液體處理裝置1中晶圓W之處理能力，根據此計算結果，自圖6所示之搬運參數名單中，選擇對液體處理裝置1之處理能力不加以限制之搬運參數33。
例如圖10所示，依某處理配方31實施之化學液體處理P1、潤洗處理P2、乾燥處理P3之處理時間分別為t1 、t2 、t3 （切換複數種類化學液供給時，t1 ～t3 表示各化學液體處理、潤洗處理、乾燥處理各總時間）。此時，去除液體處理模組2與晶圓搬運機構143之間傳遞晶圓W之時間之淨液體處理時間T，係此等處理時間之合計。
且可並行實行相同之液體處理之液體處理模組2之數量愈增加，液體處理裝置1之處理能力愈增加，故以液體處理模組2之數量除該液體處理時間T之值，係以液體處理裝置1整體處理1片晶圓W所需之液體處理時間。因此，液體處理裝置1之處理能力，可作為以液體處理裝置1處理1片晶圓W之時間（液體處理時間T／液體處理模組2之數量），除3600秒（1小時）之值計算（參照圖10）。
控制部4，依搬運排程之製作結果，計算各基板搬運機構中液體處理裝置1之處理能力，比較此處理能力與設定於搬運參數33之處理能力。又，自設定液體處理裝置1之處理能力以上之處理能力之搬運參數33群組中，選擇處理能力值最小之搬運參數33。以下，為便於說明，設定於搬運參數33之處理能力，稱為晶圓W之可處理片數，根據處理配方31計算之處理能力，稱為晶圓W之實行處理片數，區別此等處理能力。
且如使用圖1～圖3所說明，本例之液體處理裝置1中，晶圓W之搬運通道於途中朝第1處理區塊141a與第2處理區塊141b分叉。又，基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143），可分為： 於分叉後之分叉路（搬運區塊142a、搬運區塊142b）內搬運晶圓W之晶圓搬運機構143（相當於獨立基板搬運機構），及 於連結此等分叉路之共通搬運通道（FOUP100－送入送出區塊12―傳遞區塊13）搬運晶圓W之晶圓搬運機構121、移載機構132（相當於共通基板搬運機構）。
控制部4，可設定相對於此等獨立基板搬運機構（晶圓搬運機構143）與共通基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132），分別成為實行處理片數之計算基準之液體處理模組2之範圍，選擇搬運參數33。關於此功能，於圖13～圖15之動作說明詳述。
本例中，與依上述基準選擇之搬運參數33相對應而設定之可處理片數（例如圖6顯示「100wph」或「250wph」之資訊），作為控制各基板搬運機構中晶圓W之搬運步驟之資訊，與指定搬運來源、搬運目的地及搬運之晶圓W之資訊，一齊設定於搬運排程中。
參照圖11～圖15，同時說明關於具有上述之構成之液體處理裝置1中，變更基板搬運機構之動作速度之動作。一開始，將收納處理對象之晶圓W之FOUP100載置於載置區塊11後（圖11之開始），即根據設定於各晶圓W之PJ，及由PJ指定之處理配方31，依晶圓W之搬運順序（例如自FOUP100之最上段之槽部朝下段側之順序），製作晶圓W之搬運排程（步驟S101）。
製作搬運排程後，即於基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143）搬運各晶圓W之期間中，計算該基板搬運機構負責之液體處理模組2中最大之實行處理片數（步驟S102）。在此，於「基板搬運機構負責之液體處理模組2」中，針對作為共通基板搬運機構之送入送出區塊12之晶圓搬運機構121、或傳遞區塊13之移載機構132，選擇第1處理區塊141a、第2處理區塊141b合計20台液體處理模組2。且針對分別設於搬運區塊142a、搬運區塊142b，作為獨立基板搬運機構之晶圓搬運機構143，選擇搬運區塊142a之晶圓搬運機構143中，第1處理區塊141a之10台液體處理模組2係負責範圍，搬運區塊142b之晶圓搬運機構143中，第2處理區塊141b之10台液體處理模組2係負責範圍。
且所謂「最大之實行處理片數」，係於負責範圍之液體處理模組2並行（混雜）實行實行處理片數（已述之液體處理時間T）不同之複數種類之液體處理時，於此等負責範圍之所有液體處理模組2，進行實行處理片數多（液體處理時間T短）之液體處理之際，計算之實行處理片數。
計算最大之實行處理片數後，即自搬運參數名單（圖6），選擇該實行處理片數以上之搬運參數33群組中與最小之可處理片數相對應之搬運參數33（步驟S103）。又，就各基板搬運機構之所有晶圓W之搬運步驟，將關於此最小之可處理片數之資訊，與其他資訊（指定基板搬運機構搬運晶圓W之搬運來源、搬運目的地，及搬運之晶圓W之資訊），一齊設定於搬運排程（步驟S104），結束搬運參數之選擇動作（結束）。
製作搬運排程，及選擇搬運參數33結束，為各基板搬運機構實際搬運晶圓W之時機後（圖12之開始），即讀取設定於搬運排程，關於搬運對象之晶圓W之搬運來源、搬運目的地、可處理片數之資訊（步驟S201）。又，根據讀取之可處理片數，選擇搬運參數33，進行作為搬運控制部之搬運機構控制器151～153控制各基板搬運機構之動作速度或加速度之參數值之設定（步驟S202）。根據如此設定之搬運參數33，搬運機構控制器151～153控制基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143），以設定之動作速度自既定之搬運來源朝搬運目的地搬運晶圓W。搬運機構控制器151～153，相當於本例之搬運控制部。
參照圖13、圖14之示意圖，說明關於如此選擇基板搬運機構之動作速度之液體處理裝置1之作用。為使說明簡單，說明關於僅使用此等圖中設於下段側之第2處理區塊141b之第1～第10止之10台液體處理模組2，進行液體處理之情形。
於圖13中載置區塊11上，載置實行處理片數為140wph（以斜線之影線表示FOUP100），及實行處理片數為220wph（以灰色的影線表示FOUP100）之FOUP100。又，於液體處理裝置1內，自實行處理片數為140wph之FOUP100取出晶圓W，於各液體處理模組2處理（以斜線之影線表示140wph之處理晶圓W之液體處理模組2）。
此時，作為基板搬運機構之送入送出區塊12之晶圓搬運機構121、傳遞區塊13之移載機構132、搬運區塊142b之晶圓搬運機構143，自圖6所示之搬運參數名單中之搬運參數33中，選擇實行處理片數以上之搬運參數33群組內，可處理片數之值最小之150wph之搬運參數33，設定動作速度（以斜線之影線表示各基板搬運機構）。
藉此，基板搬運機構，以較實現最大處理能力之動作速度慢，且對液體處理模組2中之處理速度（對應實行處理片數）不加以限制之速度作動。因此，相較於經常以最大速度使此等基板搬運機構運轉時，可抑制基板搬運機構之酷使，減少零件損耗。且自預先設定之搬運參數33中，選擇適當者，藉此，可進行液體處理裝置1之設計或製造階段中搬運位置之精度確認或搬運位置偏移之修正，變更動作速度後亦可搬運晶圓W至正確位置。
如此實行晶圓W之處理，自實行處理片數為140wph之FOUP100，送出所有晶圓W，送入液體處理裝置1內。接著，自實行處理片數為220wph之FOUP100，取出晶圓W。此時，關於該晶圓W之搬運排程中，選擇於液體處理裝置1內搬運之晶圓W之實行處理片數（140wph與220wph）中，作為最大之實行處理片數之220wph以上之搬運參數33。亦即，進行選擇圖6所示之可處理片數在220wph以上之搬運參數33群組內，可處理片數之值最小之250wph之搬運參數33之設定。
其結果，晶圓搬運機構121，對應可處理片數250wph，變更動作速度，根據此動作速度搬運晶圓W。又，對傳遞區塊13之移載機構132或搬運區塊142b之晶圓搬運機構143，亦依序進行依晶圓W之搬運時機對應可處理片數250wph之動作速度之變更（以灰色的影線表示圖14中各基板搬運機構）。其結果，即使在於第2處理區塊141b內之液體處理模組2實行處理片數為140wph之處理晶圓W之期間中，亦依序切換各基板搬運機構之動作速度，可不對220wph之晶圓W之處理加以限制，搬運晶圓W至液體處理模組2。
接著，參照圖15，同時說明關於在共通基板搬運機構（送入送出區塊12之晶圓搬運機構121、傳遞區塊13之移載機構132）與獨立基板搬運機構（搬運區塊142a、搬運區塊142b之晶圓搬運機構143）設定不同搬運參數33之情形。為使說明簡單，在設於圖15所示之下段側之第2處理區塊141b之第1～第10液體處理模組2，處理實行處理片數為140wph之晶圓W，在設於上段側之第1處理區塊141a之第11～第20液體處理模組2，處理實行處理片數為220wph之晶圓W。附於各FOUP100、液體處理模組2或基板搬運機構之影線，分別表示與於圖13說明者相同之實行處理片數、可處理片數。
此例中，作為共通基板搬運機構之送入送出區塊12之晶圓搬運機構121、傳遞區塊13之移載機構132，搬運實行處理片數為140wph及220wph雙方之晶圓W時，根據其中，最大之實行處理片數220wph，選擇可處理片數250wph之搬運參數33，設定動作速度。
另一方面，作為獨立基板搬運機構之搬運區塊142b之晶圓搬運機構143，根據於第2處理區塊141b之液體處理模組2處理之晶圓W之實行處理片數140wph，選擇對應可處理片數150wph之搬運參數33，設定動作速度。且搬運區塊142a之晶圓搬運機構143，根據於第1處理區塊141a之液體處理模組2處理之晶圓W之實行處理片數220wph，選擇對應可處理片數250wph之搬運參數33，設定動作速度。
就設於分叉路之獨立基板搬運機構，限定各晶圓搬運機構143負責搬運晶圓W之液體處理模組2之範圍，（將設於其他分叉路之液體處理模組2除外）計算實行處理片數，藉此，可避免設定為過大之動作速度。另一方面，就設於連結分叉路之共通之搬運通道之共通基板搬運機構，以通往該共通之搬運通道之所有液體處理模組2為負責範圍，計算實行處理片數，藉此，可避免液體處理裝置1整體處理能力降低。
按照依本實施形態之液體處理裝置1有以下效果。準備複數種類用來控制基板搬運機構（晶圓搬運機構121、移載機構132、晶圓搬運機構143）之動作速度之搬運參數33，對應對晶圓W實行之處理之時間，選擇不對液體處理裝置1之處理能力加以限制，且動作速度最小之搬運參數33，控制基板搬運機構，故可抑制對基板搬運機構施加之負載至必要最低標準。
在此，實行處理片數，不由根據圖10所說明之例計算之情形限定。例如，亦可於同圖所示之液體處理時間，考慮相對於液體處理模組2之晶圓W之送入送出時間計算實行處理片數。且亦可例如於CJ、PJ等預先指定實行處理片數，自外部取得此等資訊。且搬運參數33之選擇，亦不限於設定為預先製作之搬運排程之情形。例如，亦可在開始搬運晶圓W之際，確認液體處理裝置1內液體處理模組2之運轉狀態，計算實行處理片數，選擇對應實行處理片數之搬運參數33，設定動作速度。
此外，使搬運參數33與基板搬運機構之動作速度之設定值對應而設定之數值，不限於直接表示晶圓W之處理能力之值。亦可例如，圖10所示之處理能力之計算式中液體處理時間T與處理模組2之數量之組合，使間接表示處理能力之值與動作速度之設定值對應，構成搬運參數33。
且可適用本發明之基板處理裝置，亦不由使用圖1～圖15說明之液體處理裝置1限定。例如，本發明亦可適用於圖16、圖17所示之塗布、顯影裝置5。本例之塗布、顯影裝置5，包含： 載具區塊D1，包含用來在FOUP100與塗布、顯影裝置5之間送入送出晶圓W之晶圓搬運機構； 處理區塊D2，分別堆疊2段下列者： BCT層，進行形成抗反射膜之處理； COT層，對晶圓W進行形成光阻膜之處理；及 DEV層，對曝光後之晶圓W進行用來形成光阻圖案之處理；及 介面區塊D3，在此等各處理層之間搬運晶圓W，並在與後段之曝光裝置D4之間傳遞晶圓W。
於處理區塊D2、介面區塊D3內，設有沿上下方向堆疊之傳遞棚架狀之工作柱T1、T2，以移載機構沿上下方向搬運晶圓W，在各處理層間搬運晶圓W。且於介面區塊D3，為與曝光裝置D4傳遞用等而設有其他工作柱，但在此省略圖示、說明。且於沿上下堆疊之各處理層內，設有對晶圓W塗布各抗反射膜之原料或光阻、顯影液等處理液之液體處理模組，或對塗布處理液之晶圓W進行熱處理之加熱處理模組等，設有用來於各層內搬運晶圓W之晶圓搬運機構。
將送入此塗布、顯影裝置5之晶圓W，依載具區塊D1→工作柱T1→BCT層→工作柱T1→COT層→介面區塊D3（工作柱T2）→曝光裝置D4→介面區塊D3（工作柱T2）→DEV層→工作柱T1→載具區塊D1之順序加以搬運，同時實行各種處理。
此時，藉由切換取出晶圓W之FOUP100，將例如實行處理片數自220wph切換為280wph。又，如圖17所示，BCT層、COT層中，可處理實行處理片數280wph之晶圓W，另一方面，DEV層中，還在處理實行處理片數為220wph之晶圓W。此時，設於相互獨立進行處理之BCT層、COT層、DEV層之晶圓搬運機構，亦作為獨立基板搬運機構，分別對應實行處理之晶圓W之實行處理片數，選擇可處理片數之搬運參數33（例如就BCT層、COT層，為300wph，就DEV層為250wph），設定晶圓搬運機構之動作速度。
另一方面，相對於此等不同處理層共通，進行晶圓W之搬運、工作柱T1、T2內之移送之晶圓搬運機構或移載機構，作為共通基板搬運機構，選擇對應最大之實行處理片數280wph之可處理片數之搬運參數33，設定動作速度。
且可適用本發明之基板處理裝置，當然亦可適用於對晶圓W進行蝕刻之蝕刻裝置，或以CVD（Chemical Vapor Deposition）等進行成膜之成膜裝置等各種裝置。且基板之種類亦不由半導體晶圓W限定，亦可係平板顯示器用玻璃基板等。
W‧‧‧晶圓
1‧‧‧液體處理裝置
2‧‧‧液體處理模組
3‧‧‧記憶體
4‧‧‧控制部
5‧‧‧塗布、顯影裝置
11‧‧‧載置區塊
14‧‧‧液體處理區塊
31‧‧‧處理配方
32‧‧‧搬運配方
33‧‧‧搬運參數
41‧‧‧CPU
42‧‧‧程式儲存部
43‧‧‧運轉操作部
100‧‧‧FOUP
121‧‧‧晶圓搬運機構
122、144、133‧‧‧搬運臂
132‧‧‧移載機構
143‧‧‧晶圓搬運機構
151～153‧‧‧搬運機構控制器
421‧‧‧排程器程式
422‧‧‧參數選擇程式
S101~S104、S201~S203‧‧‧步驟
【圖1】係依本發明之實施形態之液體處理裝置之橫剖俯視圖。 【圖2】係該液體處理裝置之縱剖側視圖。 【圖3】係該液體處理裝置之縱剖正視圖。 【圖4】係顯示該液體處理裝置之電性構成之方塊圖。 【圖5】係顯示設定於晶圓之處理資訊之構成例之說明圖。 【圖6】  係用於控制設於該液體處理裝置之晶圓搬運機構之搬運參數之名單。 【圖7】係顯示該搬運參數之設定值之例之說明圖。 【圖8】係顯示相對於種類不同之晶圓搬運機構之搬運參數之設定例之說明圖。 【圖9】係顯示變更搬運參數之設定值時晶圓搬運機構之搬運速度之變化之說明圖。 【圖10】係顯示顯示對晶圓實施之處理之內容之處理配方之例之說明圖。 【圖11】係顯示於晶圓設定可處理片數之資訊之動作之流程之流程圖。 【圖12】係顯示針對晶圓搬運機構設定動作速度等之動作之流程之流程圖。 【圖13】係依該液體處理裝置中晶圓之搬運動作之第1作用說明圖。 【圖14】係依該搬運動作之第2作用說明圖。 【圖15】係依該搬運動作之第3作用說明圖。 【圖16】係依本發明之另一實施形態之塗布、顯影裝置之外觀立體圖。 【圖17】係依該塗布、顯影裝置中晶圓之搬運動作之作用說明圖。
1‧‧‧液體處理裝置
3‧‧‧記憶體
4‧‧‧控制部
31‧‧‧處理配方
32‧‧‧搬運配方
33‧‧‧搬運參數
41‧‧‧CPU
42‧‧‧程式儲存部
43‧‧‧運轉操作部
121‧‧‧晶圓搬運機構
122、144、133‧‧‧搬運臂
132‧‧‧移載機構
143‧‧‧晶圓搬運機構
151~153‧‧‧搬運機構控制器
421‧‧‧排程器程式
422‧‧‧參數選擇程式

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 載置部，載置處理對象之基板； 基板處理部，包含對基板實行處理之複數之處理模組； 基板搬運機構，設於該載置部與處理模組之間； 參數記憶部，記憶複數組搬運參數，該搬運參數係使下列數值相對應而構成：取決於該基板處理部中之處理片數的基板搬運機構之動作速度的設定值，與該基板處理部中每單位時間基板之處理片數； 參數選擇部，將依該基板之處理相關之配方而決定的該基板處理部中每單位時間基板之處理片數，與對應於記憶在該參數記憶部之搬運參數的處理片數加以比較，自參數記憶部中，選擇依該配方所決定之處理片數以上之對應於該搬運參數的處理片數中，最小之處理片數所對應之搬運參數；及 搬運控制部，根據於該參數選擇部選擇之搬運參數之設定值，控制該基板搬運機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中 於該基板處理部內之處理模組混雜有處理時間互異之基板時，該參數選擇部，根據將依照處理時間最短之基板的配方而決定之處理片數，與對應於該搬運參數之處理片數相比較之結果，選擇該搬運參數。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中 依該配方而決定之處理片數，係在基板載置於該載置部後，參照設定於該基板之配方而獲得。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中 該基板處理部，分別設於在該載置部與處理模組之間的基板之搬運通道上分叉的複數之分叉路上， 該基板搬運機構，分為下列者： 獨立基板搬運機構，相對於該各分叉路內之基板處理部搬運基板；及 共通基板搬運機構，於連結複數之分叉路的共通之搬運通道搬運基板； 該參數選擇部，就用於控制該各獨立基板搬運機構之搬運參數之選擇，在將於設有該獨立基板搬運機構之分叉路以外的分叉路所設置之處理模組除外的情形時，指定依處理時間最短之基板之配方所決定之處理片數。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中 該參數選擇部，根據使載置於該載置部之複數之基板，與該基板之搬運目的地之處理模組沿著搬運通道相對應，將搬運此等基板之順序依時間順序排列而製作之搬運排程，指定依該處理時間最短之基板的配方而決定之處理片數。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中 該參數記憶部內之該搬運參數，係令該動作速度之設定值和基板搬運機構之加速度的設定值，與該基板處理部中每單位時間之基板處理片數相對應。
  7. 一種基板處理方法，在載置處理對象之基板的載置部，與設有實行處理之複數之處理模組的基板處理部之間，藉由基板搬運機構搬運基板，於該處理模組進行基板處理，其特徵在於包含下列程序： 自使取決於該基板處理部中之處理片數的基板搬運機構之動作速度之設定值，與該基板處理部中每單位時間基板之處理片數相對應而構成的複數組之搬運參數，將依該基板之處理相關之配方而決定的該基板處理部中每單位時間基板之處理片數，與對應該搬運參數之處理片數加以比較，而選擇與依該配方所決定之處理片數以上之對應於該搬運參數之處理片數中的最小處理片數相對應之搬運參數；及 根據該選擇之搬運參數之設定值，控制該基板搬運機構。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中 於該基板處理部內之處理模組混雜有處理時間互異之基板的情形時，根據將對應於處理時間最短之基板的配方而決定之處理片數，與對應於該搬運參數之處理片數相比較之結果，而選擇該搬運參數。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中 依該配方而決定之處理片數，係在基板載置於該載置部後，參照設定於該基板之配方而獲得。
  10. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中 該基板處理部，係分別設於在該載置部與處理模組之間之基板之搬運通道上分叉之複數之分叉路上， 該基板搬運機構，分為下列者： 獨立基板搬運機構，相對於該各分叉路內之基板處理部搬運基板；及 共通基板搬運機構，於連結複數之分叉路之共通之搬運通道搬運基板； 於選擇該搬運參數之程序中，就用於控制該各獨立基板搬運機構之搬運參數之選擇，在將於設有該獨立基板搬運機構之分叉路以外的分叉路所設置之處理模組除外的情形時，選擇與依處理時間最短之基板之配方所決定之處理片數相對應的設定值。
  11. 如申請專利範圍第8或9項之基板處理方法，其中 於選擇該搬運參數之程序中，根據使載置於該載置部之複數之基板，與該基板之搬運目的地之處理模組沿著搬運通道相對應，將搬運此等基板之順序依時間順序排列而製作之搬運排程，指定依該處理時間最短之基板的配方而決定之處理片數。
  12. 如申請專利範圍第7至9項中任一項之基板處理方法，其中 該搬運參數，係令該動作速度之設定值和基板搬運機構之加速度的設定值，與該基板處理部中每單位時間之基板處理片數相對應。
  13. 一種記憶媒體，儲存有用於處理基板的基板處理裝置之電腦程式，其特徵在於： 該程式包含有用來實行如申請專利範圍第7至12項中任一項之基板處理方法的步驟。
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