TWI668784B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供如下技術，即，於使用能夠並行地使用之複數個基板處理單元執行基板處理之情形時，直至自基板處理單元搬出由基板處理單元實施基板處理後之基板為止的搬出待機時間不會成為長期間。
以待機時間不超過允許時間之方式，自複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述待機時間係等待藉由基板搬送部自基板處理單元搬出由基板處理單元實施基板處理後之基板的時間。又，製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由基板搬送部向上述兩個以上之基板處理單元進行之基板搬送處理、上述兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由基板搬送部自上述兩個以上之基板處理單元進行之基板搬出處理。繼而，根據該基板處理排程，控制基板處理單元與基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
本發明係關於一種對半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等(以下僅稱為「基板」)實施處理之基板處理方法及基板處理裝置，尤其係關於一種基板搬送處理之改良。
於專利文獻1中揭示有如下基板處理裝置，該基板處理裝置具備複數個逐塊地對基板進行處理之處理單元，並且具備相對於各處理單元而將基板搬入搬出之搬送機器人。於此種基板處理裝置中，為了提高裝置之產量，由複數個處理單元並行地執行基板處理。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-198884號公報
根據專利文獻1所揭示之基板處理裝置，能夠由複數個處理單元並行地對複數塊基板進行處理。然而，專利文獻1所揭示之技術僅為如下技術，即，若並行地使用複數個處理單元，則產量提高，具體而言，未揭示任何應如何選擇處理單元這一與處理單元之選擇相關之技術。如下所述，發明者發現：若僅根據提高產量之觀點而選擇並行地 使用之處理單元，則處理後之基板會長時間放置於處理單元中，有可能會對基板處理品質產生不良影響。因此，本發明之一個目的在於提供製成如下基板處理排程之技術，該基板處理排程能夠適當地根據提高產量及基板處理品質之觀點而選擇並行地使用之處理單元，相對於該選擇之處理單元而搬入及搬出基板。
為了解決上述問題，技術方案1之發明係一種基板處理裝置，其包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理裝置包括：選擇部，其以使搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部，自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成部，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元進行之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理，及由上述基板搬送部自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元進行之基板搬出處理；以及控制部，其根據由上述排程製成部製成之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理。
如技術方案1之基板處理裝置，於技術方案2之發明中，上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分，當上述控制部根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，上述排程製成部於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述 並行地使用之兩個以上之全部之基板處理單元成組地搬送基板的搬送週期。
如技術方案2之基板處理裝置，技術方案3之發明進而包括支持上述基板之基板支持部，上述基板搬送部係於支持上述基板之基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動的部分，上述排程製成部以如下方式設定第2數量，並基於該第2數量而製成上述基板處理排程，上述方式係於上述基板搬送部連續地執行上述前一搬送週期與上述下一搬送週期之情形時，當上述下一搬送週期之上述基板搬送部於上述基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動所需之時間較上述前一搬送週期者更長時，使上述下一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之上述第2數量，少於上述前一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之第1數量。
如技術方案1至3中任一項之基板處理裝置，於技術方案4之發明中，於上述基板處理單元中包含將上述基板洗淨之基板洗淨處理單元。
如技術方案4之基板處理裝置，於技術方案5之發明中，於上述複數個基板處理單元中包含將上述基板之表面洗淨之表面洗淨處理單元、及將上述基板之背面洗淨之背面洗淨處理單元，
將使用有上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用有上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
技術方案6之發明係一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；以及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理方法包括：選擇步驟，其以使搬出待機時間不超過特定之允 許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成步驟，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元進行之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元進行之基板搬出處理；以及排程執行步驟，其根據上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理。
如技術方案6之基板處理方法，於技術方案7之發明中，上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分，當根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述並行地使用之兩個以上之全部之基板處理單元成組地搬送基板的搬送週期。
如技術方案7之基板處理方法，於技術方案8之發明中，上述基板搬送部係於支持上述基板之基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動的部分，以如下方式設定第2數量，且基於該第2數量而製成上述基板處理排程，上述方式係指於上述基板搬送部連續地執行上述前一搬送週期與上述下一搬送週期之情形時，當上述下一搬送週期之上述基板搬送部於上述基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動所需之時間較上述前一搬送週期者更長時，使上述下一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之上述第2數量，少於上述前一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之第1數量。
如技術方案6至8中任一項之基板處理方法，於技術方案9之發明中，於上述基板處理單元中包含將基板洗淨之基板洗淨處理單元。
如技術方案9之基板處理方法，於技術方案10之發明中，於上述複數個基板處理單元中包含將上述基板之表面洗淨之表面洗淨處理單元、及將上述基板之背面洗淨之背面洗淨處理單元，
將使用有上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用有上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
技術方案11之發明係一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其對上述複數個基板處理單元進行基板之搬送；且上述基板處理方法包括：設定步驟，其以出現搬送限速狀態之方式，設定並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量，上述搬送限速狀態係指上述各基板處理單元中之上述基板之滯留時間不超過上述基板搬送部之一次搬送週期所需之時間的長度；製成步驟，其基於上述並行地使用之基板處理單元之數量而製成基板處理排程；計算步驟，其計算搬出待機時間，該搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出根據上述基板處理排程而由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；修正步驟，若上述搬出待機時間超過允許時間，則重新設定上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量，並基於進行該重新設定後之上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元的數量，修正上述基板處理排程；以及處理步驟，其基於在上述修正步驟中經修正之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元及上述基板搬送部，依序對複數個基板執行基板處理。
根據第1態樣至第5態樣之基板處理裝置及第6態樣至第11態樣之 基板處理方法，均可防止於基板處理單元中超過允許時間地放置基板處理後之基板。藉此，由於基板處理後之基板不會於基板處理用之處理液之霧等中長時間放置，故而可防止或抑制基板處理性能之劣化。
尤其，根據第2態樣之基板處理裝置及第7態樣之基板處理方法，均可與執行基板處理並行地變更基板處理排程。
又，根據第3態樣之基板處理裝置及第8態樣之基板處理方法，均能夠適當地對應於連續地執行如下搬送週期之情形，該搬送週期係基板支持部與基板處理單元之往返移動所需之時間不同的搬送週期。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧載置區域
3‧‧‧處理區域(處理部)
4‧‧‧載具保持部
6a、7a、13a~16a‧‧‧機械臂
6b、6c、7b、7c、13b~16b‧‧‧機械手
8、29‧‧‧進退驅動機構
9、31‧‧‧回轉機構
10、32‧‧‧升降驅動機構
11‧‧‧表面洗淨處理部
12‧‧‧背面洗淨處理部
15‧‧‧IR移動機構
17‧‧‧CR移動機構
18、28‧‧‧基台部
33‧‧‧固定板
34‧‧‧可動板
35‧‧‧支持板
36‧‧‧導引件
37‧‧‧旋轉致動器
38、55‧‧‧支持銷
50‧‧‧中繼部
50a‧‧‧中繼單元
51、52‧‧‧開口部
54‧‧‧支持構件
60‧‧‧控制部(排程製成裝置)
61‧‧‧CPU
62‧‧‧ROM
63‧‧‧RAM
64‧‧‧記憶裝置
65‧‧‧匯流排線
66‧‧‧輸入部
67‧‧‧顯示部
68‧‧‧通信部
71‧‧‧排程功能部
72‧‧‧處理執行部
111‧‧‧旋轉夾盤
112‧‧‧洗淨刷
113‧‧‧噴嘴
114‧‧‧旋轉夾盤旋轉支持部
115‧‧‧單元箱
116‧‧‧狹縫
117‧‧‧閘門
118‧‧‧單元洗淨液噴嘴
A-A‧‧‧剖面
A1、A2、a、b‧‧‧箭頭
C‧‧‧載具
CDB‧‧‧製程配方變更資料庫
CR‧‧‧中心機器人(搬送部)
FR‧‧‧流程製程配方
h1、h2‧‧‧距離
IR‧‧‧載置機器人
PASS、PASS1~PASS4‧‧‧基板載置部
RT1‧‧‧翻轉單元
RT2‧‧‧翻轉交接單元
SD‧‧‧排程資料
SS(SS1~SS8)‧‧‧表面洗淨處理單元(基板處理單元)
SSR(SSR1~SSR8)‧‧‧背面洗淨處理單元(基板處理單元)
ST1~ST16‧‧‧步驟
t0~t45‧‧‧時刻
UDB‧‧‧單元製程配方資料庫
W、W1~W8‧‧‧基板
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1係表示各實施形態之基板處理裝置1之整體構成之模式圖。
圖2係各實施形態之處理區域3之側面圖。
圖3係各實施形態之處理區域3之側面圖。
圖4係表示各實施形態之載置機器人IR之構成之模式圖。
圖5係表示各實施形態之洗淨處理單元之構成之模式圖。
圖6係表示各實施形態之翻轉處理單元RT之構成之模式圖。
圖7(a)、圖7(b)係表示各實施形態之中心機器人CR之構成之模式圖。
圖8係各實施形態之中繼部50之側面圖。
圖9係各實施形態之中繼部50之俯視圖。
圖10係各實施形態之基板處理裝置1之系統方塊圖。
圖11係表示各實施形態之控制部60所具備之構成之方塊圖。
圖12(a)~圖12(d)係對各實施形態之中心機器人CR與洗淨處理單元中之基板交接動作進行說明之概念圖。
圖13(a)~圖13(d)係對各實施形態之中心機器人CR與洗淨處理單元中之基板交接動作進行說明之概念圖。
圖14(a)~圖14(c)係對各實施形態之中心機器人CR與中繼部50中 之基板交接動作進行說明之概念圖。
圖15係表示本基板處理裝置1所能夠實施之基板搬送模式之例子之表。
圖16係表示各實施形態之流程製程配方FR1之資料構造之圖表。
圖17係表示各實施形態之流程製程配方FR2之資料構造之圖表。
圖18係表示第1實施形態之基板處理排程例之時序圖。
圖19係表示第1實施形態之基板處理排程例之時序圖。
圖20係表示進行第1實施形態之基板處理時之處理流程之流程圖。
圖21係表示第1實施形態之排程例之時序圖。
圖22係表示進行第2實施形態之基板處理時之處理流程之流程圖。
圖23係用以對第2實施形態之基板處理排程之變更之見解進行說明之時序圖。
圖24係用以對第3實施形態之基板處理排程之變更之見解進行說明之時序圖。
圖25係用以對第3實施形態之基板處理排程之變更之見解進行說明之時序圖。
圖26係表示進行第3實施形態之基板處理時之處理流程之流程圖。
圖27係表示第3實施形態之排程例之時序圖。
以下，參照隨附圖式，詳細地對本發明之實施形態進行說明。
{第1實施形態}
<1.基板處理裝置1之概略構成>
圖1係表示本發明第1實施形態之基板處理裝置1之佈局之平面 圖。又，圖2係自圖1中之A-A剖面沿著箭頭a之方向進行觀察所見之基板處理裝置1的側面圖。又，圖3係自圖1中之A-A剖面沿著箭頭b之方向進行觀察所見之基板處理裝置1的側面圖。再者，於本說明書所隨附之圖中，X方向及Y方向為規定水平面之二維座標軸，Z方向規定了垂直於XY面之鉛垂方向。
該基板處理裝置1係逐塊地對半導體晶圓等基板W進行處理之單片型之基板洗淨裝置。如圖1所示，基板處理裝置1具備載置區域2與結合於該載置區域2之處理區域3，於載置區域2與處理區域3之邊界部分配置有中繼部50。中繼部50包含：中繼單元50a，其用以於載置機器人IR與中心機器人CR之間交接基板W；翻轉單元(RT1)，其用以於與中心機器人CR之間翻轉基板W；以及翻轉交接單元(RT2)，其用以一面翻轉基板W，一面於載置機器人IR與中心機器人CR之間交接基板W。如圖2所示，中繼部50具有如下積層構造，即，於中繼單元50a之上方配置有翻轉單元RT1，於中繼單元50a之下方配置有翻轉交接單元RT2。
又，基板處理裝置1中具備控制部60，該控制部60用以對基板處理裝置1中之各裝置之動作進行控制。處理區域3係進行後述之刷洗洗淨處理等基板處理之區域，整個基板處理裝置1成為單片型之基板洗淨裝置。
控制部60經由LAN(Local Area Network，區域網路)而與放置於基板處理裝置1外部之主電腦連接。自主電腦向控制部60發送流程製程配方FR，該流程製程配方FR決定基板處理裝置1內部之各個基板W之搬送內容或表面洗淨處理單元SS‧背面洗淨處理單元SSR中之基板處理內容。控制部60參照已接收之流程製程配方FR而製成基板處理裝置1內部之各基板W之搬送排程以及表面處理部SS及背面處理部SSR中之基板處理排程。
於該第1實施形態之基板處理裝置1中，如下電腦程式預先記憶於控制部60中，該電腦程式用於以數位資料之形式而製成各基板之處理或搬送之排程。繼而，控制部60之電腦執行該電腦程式，藉此，實現排程製成裝置作為該控制部60之一個功能。該等之詳情將後述。
<1.1載置區域>
載置區域2為如下區域，其用以將自基板處理裝置1外部接受之基板W(未處理基板W)交予處理區域3，並且將自處理區域3接受之基板W(處理後之基板W)搬出至基板處理裝置1之外部。
載置區域2具備：載具保持部4，其可保持載具C，該載具C可收容複數塊基板W；作為基板之搬送部之載置機器人IR；以及載置機器人移動機構15(以下稱為「IR移動機構15」)，其使載置機器人IR水平移動。
載具C例如可上下隔開固定之間隔而水平地保持複數塊基板W，其使表面(2個主面中之形成電子器件之主面)朝上而保持複數塊基板W。複數個載具C以沿特定之排列方向(於第1實施形態中為Y方向)排列之狀態而保持於載具保持部4。IR移動機構15可使載置機器人IR沿Y方向水平移動。
收納有未處理基板W之載具C自裝置外部，藉由OHT(Overhead Hoist Transfer，懸吊式升降運輸機)、AGV(Automated Guided Vehicle，自動導引車)等而被搬入且載置於各載具保持部4。又，處理區域3中之刷洗洗淨處理等基板處理已結束之處理後之基板W自中心機器人CR經由中繼部50而被交接至載置機器人IR，從而再次儲存至載具保持部4所載置之載具C。儲存有處理後之基板W之載具C藉由OHT等而被搬出至裝置外部。即，載具保持部4係作為集聚未處理基板W及處理後之基板W之基板集聚部而發揮功能。
對本實施形態中之IR移動機構15之構成進行說明。於載置機器 人IR固設有可動台，該可動台螺合於與載具C之排列平行地沿Y方向延伸之滾珠螺桿，並且以相對於導軌自如滑動之方式設置。藉此，滾珠螺桿藉由旋轉馬達而旋轉之後，可動台與所固設之載置機器人IR之整體沿Y軸方向水平移動(圖示均省略)。
如此，載置機器人IR能夠沿Y方向自如移動，其可移動至能夠相對於各載具C或中繼部50而搬入搬出基板(以下，有時將該基板之搬入搬出稱為「接取」)之位置為止。
圖4係載置機器人IR之圖解性側面圖。對圖4之各要素所附加之參照記號中，括號內所示之參照符號係與如下情形相關之中心機器人CR中之要素之參照符號，該情形係指將具有與載置機器人IR大致相同之自由度之機器人機構亦用作中心機器人CR之情形。因此，於此處之載置機器人IR之構成說明中，參照處於括號外之參照符號。
載置機器人IR具有基台部18。機械臂6a及機械臂7a之一端安裝於基台部18，機械手6b、6c及機械手7b、7c以彼此不干涉之方式，於上下方向上錯開高度地配置於各個機械臂之另一端(圖1中，機械手6b、6c及機械手7b、7c上下重合)。
因此，機械手6b、6c經由機械臂6a而保持於基台部18。又，機械手7b、7c經由機械臂7a而保持於基台部18。
各機械手6b、6c、7b、7c之前端均具有一對手指部。即，各機械手6b、6c、7b、7c之前端於俯視時形成為兩股之叉狀，藉由自下方支持基板W之下表面，可水平地保持一塊基板W。又，於本實施形態中，機械手7b、7c僅於搬送進行洗淨處理之前之未處理基板時使用，機械手6b、6c僅於搬送洗淨處理後之處理後之基板時使用。再者，各機械手之一對手指部之外尺寸小於對向地配置於中繼部50(圖9)之一對支持構件54之間隔。因此，於後述之基板搬入及搬出作業中，各機械手6b、6c、7b、7c可不干涉該支持構件54而相對於中繼部50搬入搬 出基板W。
又，各機械手6b、6c、7b、7c之一對手指部之外尺寸小於基板W之直徑。因此，可穩定地保持基板W。因此，該載置機器人IR成為如下機器人機構，該機器人機構雖具有4個機械手6b、6c、7b、7c，但於同時搬送未處理基板時，最多能夠搬送兩塊基板，於同時搬送處理後之基板時，亦最多能夠搬送兩塊基板。
機械臂6a及機械臂7a均為多關節型之屈伸式機械臂。載置機器人IR可藉由進退驅動機構8而使機械臂6a及機械臂7a個別地伸縮。因此，可分別使對應於該機械臂6a、7a之機械手6b、6c及7b、7c水平進退。又，於基台部18中內置有用以使基台部18圍繞鉛垂軸線旋轉之回轉機構9、及用以使基台部18於鉛垂方向上升降之升降驅動機構10。
由於成為以上之構成，故而載置機器人IR能夠藉由IR移動機構15而沿Y方向自如移動。又，載置機器人IR可藉由回轉機構9及升降機構10，對水平面上之各機械手之角度、及鉛垂方向上之各機械手之高度進行調節。
因此，載置機器人IR可使各機械手6b、6c及機械手7b、7c與載具C或中繼部50相對向。載置機器人IR於機械手6b、6c及機械手7b、7c與載具C相對向之狀態下，使機械臂6a或機械臂7a伸長，藉此，可使對應於該機械臂6a、7a之機械手6b、6c及機械手7b、7c對該載具C或中繼部50進行接取。
<1.2處理區域>
處理區域3為如下區域，即，對自載置區域2搬送來之未處理之基板W實施洗淨處理，再次向載置區域2搬送實施了該洗淨處理之處理後之基板W。
處理區域3具備：表面洗淨處理部11，其逐塊地對基板之表面實施洗淨處理；背面洗淨處理部12，其逐塊地對基板之背面實施洗淨處 理；作為基板搬送部之中心機器人CR；以及中心機器人移動機構17(以下稱為「CR移動機構17」)，其使中心機器人CR水平移動。以下，對處理區域3中之各裝置之構成進行說明。
如圖1~圖3所示，表面洗淨處理部11具備2組表面洗淨處理單元SS1~SS4、SS5~SS8，該2組表面洗淨處理單元SS1~SS4、SS5~SS8中之各組於上下方向上重疊而成為4段構成，另外，背面洗淨處理部12具備2組背面洗淨處理單元SSR1~SSR4、SSR5~SSR8，該2組背面洗淨處理單元SSR1~SSR4、SSR5~SSR8中之各組於上下方向上重疊而成為4段構成。
如圖1所示，表面洗淨處理部11及背面洗淨處理部12係以於Y方向上隔開特定距離之狀態而並排地配置。中心機器人CR配置於表面洗淨處理部11與背面洗淨處理部12之間。
圖5係表示表面洗淨處理部11之各洗淨處理單元SS1~SS8中之基板W表面之刷洗洗淨處理的情況之圖。洗淨處理單元SS1~SS8具備：旋轉夾盤111，其以水平姿勢保持表面朝向上側之基板W，使該基板W圍繞沿鉛垂方向之軸心而旋轉；洗淨刷112，其抵接或靠近旋轉夾盤111上所保持之基板W之表面而進行刷洗洗淨；噴嘴113，其將洗淨液(例如純水)噴出至基板W之表面；旋轉夾盤旋轉支持部114，其使旋轉夾盤111旋轉驅動；杯(圖示省略)等，其圍繞於旋轉夾盤111上所保持之基板W之周圍；以及單元箱115，其儲存該等構件。於單元箱115中形成有閘門117，該閘門117配設有用以將基板W搬入及搬出之能夠滑動開閉之狹縫116。
進而，於各洗淨處理單元SS1~SS8之頂板或側板，設置有噴出用以將各洗淨處理單元SS1~SS8之內部洗淨之洗淨液之單元洗淨液噴嘴118。
於背面洗淨處理部12中，對基板W之背面進行刷洗洗淨處理。背 面洗淨處理單元SSR1~SSR8亦與表面洗淨處理單元SS1~SS8同樣地，具備旋轉夾盤、洗淨刷、噴嘴、旋轉馬達、杯及儲存該等構件之單元箱，進而具備單元洗淨液噴嘴。又，於單元箱中形成有閘門，該閘門配設有用以將基板W搬入及搬出之能夠開閉之狹縫(圖示均省略)。
再者，為了自背面側保持基板W，表面洗淨處理單元SS1~SS8之旋轉夾盤111亦可為真空吸附方式之旋轉夾盤，為了自表面側保持基板W，背面洗淨處理單元SSR1~SSR8之旋轉夾盤111較佳為機械地持握基板端緣部之形式之旋轉夾盤。
當藉由洗淨刷112將基板W之表面洗淨時，藉由未圖示之刷移動機構而使洗淨刷112於基板W之上方移動，該基板W係表面朝上地被保持於旋轉夾盤111。繼而，一面藉由旋轉夾盤111而使基板W旋轉，一面將處理液(例如純水(去離子水))自噴嘴113供給至基板W之上表面，使洗淨刷112與基板W之上表面接觸。進而，於使洗淨刷112與基板W之上表面接觸之狀態下，使該洗淨刷112沿基板W之上表面移動。藉此，可藉由洗淨刷112而掃描基板W之上表面，對基板W之整個表面區域進行刷洗洗淨。如此，進行對於基板W表面之處理。基板W之背面洗淨亦相同。
進行基板W洗淨之後，執行淋洗處理，自基板W之表面將洗淨液替換為淋洗液，其後，例如使基板W高速旋轉，執行自基板W除去淋洗液之乾燥處理。
雖省略了圖示，但於洗淨處理單元SS(SSR)之各部設置有感測器，該感測器偵測噴嘴113或旋轉夾盤111、旋轉夾盤旋轉支持部114之異常。
洗淨處理單元SS(SSR)所執行之洗淨處理‧淋洗處理‧乾燥處理等標準處理之順序及條件已作為單元製程配方而預先決定。於控制部 60之後述之記憶裝置64中，設置有儲存複數個單元製程配方之單元製程配方資料庫UDB。對單元製程配方分別賦予不同之製程配方序號。單元製程配方除了可藉由作業者對輸入部66進行操作而製成之外，亦可自主機電腦經由LAN65而賦予至控制部60，且儲存於單元製程配方資料庫UDB。
再者，於本實施形態中，將洗淨處理部11、12內之洗淨處理單元SS1~SS8及SSR1~SSR8作為對基板W進行刷洗洗淨之裝置而進行了說明。然而，洗淨處理部11、12內之洗淨處理單元SS1~SS8及SSR1~SSR8所進行之基板處理並不限定於該刷洗洗淨。例如，亦可為如下洗淨處理單元，該洗淨處理單元不進行刷洗淨，而是藉由自與基板之表面或背面相對向之噴嘴等噴出之處理液(洗淨液‧淋洗液等)或氣體等流體而對基板W進行單片洗淨。
圖6係翻轉單元RT1及翻轉交接單元RT2圖解性側面圖。翻轉單元RT1與翻轉交接單元RT2之不同點僅在於：前者僅能夠自中心機器人CR接取，而後者不僅能夠自中心機器人CR接取，亦能夠自載置機器人IR接取，因此，使用相同之圖6進行說明。
翻轉單元RT1係對由中心機器人CR搬入之基板W實施翻轉處理之處理單元，藉由翻轉單元RT1而使基板W翻轉後，中心機器人CR自翻轉單元RT1搬出該基板。
翻轉交接單元RT2能夠自載置機器人IR及中心機器人CR兩者進行接取。藉由載置機器人IR將基板W搬入至翻轉交接單元RT2之後，翻轉交接單元RT2使該基板W翻轉。其後，中心機器人CR自翻轉交接單元RT2搬出該基板。又，藉由中心機器人CR將基板W搬入至翻轉交接單元RT2之後，翻轉交接單元RT2使該基板W翻轉。其後，載置機器人IR自翻轉交接單元RT2搬出該基板。
於第1實施形態中之基板處理裝置1中，利用表面洗淨處理部11及 背面洗淨處理部12之各洗淨處理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8對基板之上表面(與基板之表背無關，該時點之鉛垂方向上側為上表面，鉛垂方向下側為下表面)實施洗淨處理。因此，例如於對基板之兩個面進行洗淨處理之情形時，需要與洗淨處理不同地進行基板W之翻轉處理，此時所使用之單元為翻轉單元RT1及翻轉交接單元RT2。
如圖6所示，翻轉單元RT具有水平地配置之固定板33、上下地夾持固定板33而水平地配置之4塊可動板34。固定板33及4塊可動板34分別為矩形狀，且以俯視時重合之方式配置。固定板33以水平狀態固定於支持板35，各可動板34經由沿鉛垂方向延伸之導引件36，以水平狀態安裝於支持板35。
各可動板34能夠相對於支持板35而於鉛垂方向上移動。各可動板34可藉由空氣缸等未圖示之致動器而於鉛垂方向上移動。又，於支持板35安裝有旋轉致動器37。固定板33及4塊可動板34藉由旋轉致動器37，與支持板35一併圍繞水平之旋轉軸線而一體地旋轉。旋轉致動器37使支持板35圍繞水平之旋轉軸線而旋轉180度，藉此，可使固定板33及4塊可動板34之上下翻轉。
又，於固定板33及4塊可動板34之彼此相對向之面(例如，上側之可動板34之下表面與固定板33之上表面)，分別安裝有複數根支持銷38。複數根支持銷38於各個面，隔開適當之間隔而配置於與基板W之外周形狀相對應之圓周上。各支持銷38之高度(自基端至前端為止之長度)固定，且大於機械手6b、6c、機械手7b、7c及機械手13b~16b之厚度(鉛垂方向上之長度)。
固定板33可經由複數根支持銷38，於其上方水平地支持一塊基板W。又，4塊可動板34於分別位於下側時，可經由複數根支持銷38，於其上方水平地支持一塊基板W。固定板33之基板支持位置與可動板34之基板支持位置於鉛垂方向上之間隔係設定為與載置機器人IR 之各機械手6b、6c、機械手7b、7c所保持之兩塊基板W於鉛垂方向上之間隔、及中心機器人CR之各機械手13b~16b所保持之兩塊基板W於鉛垂方向上之間隔相等。
翻轉單元RT1成為如上所述之構成，因此，中心機器人CR可相對於翻轉單元RT1而接取(搬入搬出)各機械手13b~16b所保持之基板W。又，翻轉交接單元RT2成為如上所述之構成，因此，載置機器人IR及中心機器人CR(以下，有時將載置機器人IR及中心機器人CR總稱為「機器人IR及CR」)可相對於翻轉交接單元RT2而接取(搬入搬出)各機械手6b、6c、機械手7b、7c及各機械手13b~16b所保持之基板W。再者，詳細之基板W之交接動作將後述。
載置機器人IR或中心機器人CR將第一塊基板W插入至固定板33與其正上方之可動板34之間隙，將第二塊基板W插入至該可動板34與更上方之可動板34之間隙。於該狀態下，使上述兩塊可動板34向固定板33移動，藉此，可使上述兩塊基板W保持於翻轉單元RT1或翻轉交接單元RT2。同樣地，可將第一塊基板W保持於固定板33與其正下方之可動板34之間隙，將第二塊基板W保持於該可動板34與更下方之可動板34之間隙。
繼而，於翻轉單元RT內保持有基板W之狀態下，藉由旋轉致動器37而使支持板35圍繞水平之旋轉軸線旋轉，藉此，可使所保持之兩塊基板W之上下翻轉。如以上之說明所述，翻轉單元RT1及翻轉交接單元RT2可水平地保持複數塊(該第1實施形態中為兩塊)基板W，且可使所保持之基板W之上下翻轉。
本實施形態中之CR移動機構17之構成與上述IR移動機構15之構成相同。即，CR移動機構17係由未圖示之可動台、於X方向上較長之滾珠螺桿、導軌、及使滾珠螺桿旋轉之旋轉馬達構成。滾珠螺桿旋轉之後，固設於可動台之整個中心機器人CR橫貫表面洗淨處理部11與 背面洗淨處理部12之間，於處理區域3之內部沿X方向水平移動。如此，中心機器人CR能夠沿X方向自如地移動，因此，可移動至能夠相對於各洗淨處理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8而進行接取(搬入搬出)之位置為止。又，同樣地，亦可移動至能夠相對於中繼部50而進行接取(搬入搬出)之位置為止。
中心機器人CR可使用與圖4之載置機器人IR實質上相同之構成，即以能夠獨立地進退驅動之方式而上下地構成有兩組已相對固定之兩段機械手的機器人機構(以下，以「兩組機械臂、4個機械手」之意思稱為「2A4H機構」)，亦可使用其他構成。將2A4H機構之機器人用作中心機器人CR時之各構成要素與圖4中關於載置機器人IR所說明之各構成要素相同，因此，省略此處之重複說明。
圖7(a)係以能夠利用4個機械臂13a~16a而獨立地進退驅動之形式(以下稱為「4A4H機構」)，分別構成4個機械手13b~16b時之中心機器人CR的圖解性側面圖。又，圖7(b)係表示於後述之基板搬入作業及搬出作業中，中心機器人CR對洗淨單元SS(SSR)進行接取之情況的圖解性俯視圖。
如圖7(a)所示，設為4A4H機構時之該中心機器人CR具有基台部28。各機械臂13a~16a之一端安裝於基台部28，於各機械臂13a~16a之另一端安裝有各機械手13b~16b。因此，各機械手13b~16b分別經由各機械臂13a~16a而保持於基台部28。
又，機械手13b~16b係以不與鄰接之機械手13b~16b彼此干涉之方式，於上下方向上錯開高度(於鉛垂方向上彼此以同一距離h1隔開)地配置。進而，各機械手13b~16b之前端均具有一對手指部。即，各機械手13b~16b之前端於俯視時形成為兩股之叉狀，各機械手13b~16b自下方支持基板W之下表面，藉此，可水平地保持一塊基板W。於本實施形態中，機械手15b、16b僅於搬送進行洗淨處理之前之 未處理基板時使用，機械手13b、14b僅於搬送洗淨處理後之處理後之基板時使用。
再者，各機械手13b~16b之一對手指部之外尺寸小於中繼部50中之一對相對向之支持銷55的間隔。因此，防止於後述之基板搬入及搬出作業中，各機械手13b~16b與中繼部50之支持構件54發生干涉。
進而，於各機械手13b~16b之一對手指部之間形成有構件通過區域。該區域大於洗淨處理單元SS(SSR)之旋轉夾盤111。因此，防止於後述之基板搬入及搬出作業中，各機械手13b~16b與旋轉夾盤111發生干涉(參照圖7(b))。又，各機械手13b~16b之厚度係設為較旋轉夾盤111之上表面與旋轉支持部114之上表面之間隔更小之大小。又，機械臂13a~16a均為多關節型之屈伸式機械臂。中心機器人CR可藉由進退驅動機構29而使各機械臂13a~16a個別地伸縮，從而可分別使對應於該機械臂之機械手13b~16b水平移動。又，於基台部28中內置有用以使基台部28圍繞鉛垂軸線旋轉之回轉機構31、及用以使基台部28於鉛垂方向上升降之升降驅動機構32。
藉由CR移動機構17，使中心機器人CR移動至能夠相對於各洗淨處理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8進行接取之位置為止之後，藉由回轉機構31而使基台部28旋轉，使各機械手13b~16b圍繞特定之鉛垂軸線旋轉，並且藉由升降驅動機構32而使基台部28於鉛垂方向上升降，藉此，可使上述任意之機械手13b~16b與所期望之洗淨處理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8相對向。繼而，於機械手13b~16b與洗淨處理單元相對向之狀態下，使機械臂13a~機械臂16a伸長，藉此，可使對應於該機械臂之機械手13b~16b對該洗淨處理單元進行接取。同樣地，中心機器人CR可使任意之機械手13b~16b向中繼部50進行接取。
無論於採用2A4H機構作為中心機器人CR之情形時，還是於採用4A4H機構作為作為中心機器人CR之情形時，可自中繼部50向洗淨處 理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8一次性搬送(同時搬送)之未處理基板最多均為兩塊，可自洗淨處理單元SS1~SS8、SSR1~SSR8向中繼部50一次性搬送之處理後之基板最多均為兩塊。因此，能夠一次性搬送之基板之最多塊數均相同，因此，以下為了便於說明，對構成為4A4H機構之中心機器人CR進行說明，但即使於將2A4H機構用作中心機器人CR之情形時，根據載置機器人IR之機械臂動作進行類推，藉此，亦能夠理解與中心機器人CR相關之各個機械臂動作。
再者，於上述內容中說明了如下形態，即，能夠藉由併用CR移動機構17而使中心機器人CR之各機械手13b~16b對洗淨處理單元SS、SSR及中繼部50進行接取。然而，當然亦能夠不使用CR移動機構17，僅藉由中心機器人CR之回轉機構31‧升降驅動機構32‧進退驅動機構29而使中心機器人CR之各機械手13b~16b對洗淨處理單元SS、SSR及中繼部50進行接取。
再者，於IR移動機構15、載置機器人IR、CR移動機構17、中心機器人CR之各部分設置有感測器，該感測器偵測該等機構之動作異常。
<1.3中繼單元50a>
於載置區域2與處理區域3之邊界部分配置有中繼單元50a，該中繼單元50a用以於載置機器人IR與中心機器人CR之間交接基板W。中繼單元50a係具備基板載置部PASS1~PASS4之框體，當於載置機器人IR與中心機器人CR之間交接基板W時，將基板W暫時載置於基板載置部PASS1~PASS4內。
圖8係第1實施形態中之中繼單元50a之側面圖。又，圖9係自圖8中之A-A剖面之箭頭方向所見之俯視圖。於中繼單元50a之框體之側壁之與載置機器人IR相對向的一側壁，設置有用以將基板W搬入搬出之開口部51。又，於與上述一側壁相對向之位於中心機器人CR側之 另一側壁，亦設置有同樣之開口部52。
於框體內之與開口部51、52相對向之部位，設置有大致水平地支持上述基板W之基板載置部PASS1~PASS4。因此，載置機器人IR及中心機器人CR分別能夠自開口部51、52對基板載置部PASS1~PASS4進行接取。再者，於本實施形態中，上側之基板載置部PASS1、PASS2於自處理區域3向載置區域2搬送處理後之基板W時被使用，下側之基板載置部PASS3、PASS4於自載置區域2向處理區域3搬送未處理基板W時被使用。
如圖8、9所示，基板載置部PASS1~PASS4係由固設於框體內部之側壁之一對支持構件54、及以兩根為一組而設置於該支持構件54上表面之兩端部的合計4根支持銷55構成。又，支持構件54固設於與形成有開口部51、52之側壁不同之一對側壁。支持銷55之上端形成為圓錐狀。因此，基板W卡合於周緣部之4個部位而可裝卸地保持於兩對支持銷55。
此處，PASS1-PASS2之間、PASS2-PASS3之間、及PASS3-PASS4之間的各支持銷55係於鉛垂方向上隔開同一距離h2而設置(參照圖8)。該距離h2與上述中心機器人CR之機械手13b~16b之鉛垂方向之間隔h1相等。因此，於中心機器人CR與中繼單元50a相對向之狀態下，藉由進退驅動機構29而使中心機器人CR之機械手15b、16b同時伸長，藉此，可自中繼單元50a之基板載置部PASS3、PASS4同時接受兩塊未處理基板W。同樣地，藉由進退驅動機構29而使中心機器人CR之機械手13b、14b同時伸長，藉此，可將保持於該等機械手13b、14b之兩塊處理後之基板W同時交予中繼單元50a之基板載置部PASS1、PASS2。
<1.4控制部60>
圖10係用以對基板處理裝置1之電氣構成進行說明之方塊圖。 又，圖11係用以對控制部60之內部構成進行說明之方塊圖。控制部60如圖11所示，例如係由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)61、ROM(Read Only Memory，唯讀記憶體)62、RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)63、記憶裝置64等經由匯流排線65而相互連接而成之一般之電腦構成。ROM62儲存基本程式等，RAM63用作由CPU61進行特定處理時之作業區域。記憶裝置64係由快閃記憶體、或硬碟裝置等非揮發性記憶裝置構成。於記憶裝置64中儲存有製程配方變更資料庫CDB、及自主電腦發送至控制部60之流程製程配方FR、基於流程製程配方FR而製成之排程資料SD(後述)、單元製程配方資料庫UDB。
如圖10所示，控制部60於功能方面具備排程功能部71及處理執行部72。控制部60使CPU61執行預先儲存於ROM62等之控制程式，藉此，使CPU61作為排程功能部71及處理執行部72等功能部而發揮功能，並且使RAM63、記憶裝置64等記憶部作為流程製程配方FR記憶部、排程資料SD記憶部、單元製程配方資料庫UDB記憶部、允許時間記憶部等功能部而發揮功能。
排程功能部71基於流程製程配方FR，以依照時間序列順序排列之表格形式等，製成作為處理對象之各基板W之排程資料(以下稱為「SD」)。再者，所製成之排程資料SD儲存於記憶裝置64。
處理執行部72根據排程資料SD而使基板處理裝置1之各種功能起作用，執行對象基板W於基板處理裝置1內之搬送或洗淨處理單元SS(SSR)中之洗淨處理。
於控制部60中，輸入部66、顯示部67、通信部68亦連接於匯流排線65。輸入部66由各種開關、觸控面板等構成，自操作員接受處理製程配方等各種輸入設定指示。顯示部67係由液晶顯示裝置、燈等構成，其根據CPU61之控制而顯示各種資訊。通信部68具有經由LAN等 而進行資料通信之功能。載置機器人IR、中心機器人CR、IR移動機構15、CR移動機構17、表面洗淨處理部11、背面洗淨處理部12、翻轉單元RT1、及翻轉交接單元RT2作為控制對象而連接於控制部60。再者，於與基板處理裝置1之動作相關之說明之後，詳細地對排程資料SD之製成及變更進行說明。
<2.基板處理裝置1之動作>
至此為止，說明了基板處理裝置1中之各裝置之構成、及各裝置內之動作(洗淨處理或翻轉處理等)。以下，說明基板處理裝置1內部之各裝置(基板載置部PASS、翻轉單元RT1、翻轉交接單元RT2、洗淨處理單元SS等)與載置機器人IR或中心機器人CR之基板W的交接動作、及經由整個基板處理裝置1之基板處理動作。
<2.1基板W之交接動作>
如上所述，能夠於載置機器人IR及中心機器人CR中設置移動機構、回轉機構、升降機構、進退機構，使該機器人之各機械手對基板處理裝置1內部之各要素進行接取。
於此時之基板交接動作中，例舉中心機器人CR對表面洗淨處理單元SS進行接取之情形、及中心機器人CR對中繼部50進行接取之情形進行說明。圖12及圖13係表示中心機器人CR與表面洗淨處理單元SS之間之基板交接動作之一例的模式圖。又，圖14係表示中心機器人CR與基板載置部PASS(中繼部50)之間之基板交接動作的模式圖，為了便於理解，僅利用基板W、基板載置部PASS1~PASS4之支持構件54、及機械手13b~16b而簡單地表現基板交接動作。
[中心機器人CR與洗淨處理單元之接取]
如圖12(a)所示，於處理單元SS之旋轉夾盤111上載置有處理後之基板W1。又，洗淨處理單元SS之狹縫116已滑動而使閘門117開放。當中心機器人CR自此種表面洗淨處理單元SS搬出處理後之基板W1 時，首先，控制部60對回轉機構31進行控制，使機械手13b與該表面洗淨處理單元SS相對向。同時，控制部60對升降驅動機構32進行控制，使機械手13b之上表面位於較旋轉夾盤111之上表面更靠下之高度位置，使機械手13b之下表面位於較旋轉支持部114之上表面更靠上之高度位置(參照圖12(a))。
其次，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂13a伸長。藉此，機械手13b水平移動而進入至表面洗淨處理單元SS之內部，機械手13b前端之構件通過區域通過旋轉夾盤111，如圖12(b)所示，機械手13b配置於旋轉夾盤111所保持之基板W1之下方。本實施形態之各機械手13b~16b能夠個別地伸縮，因此，可僅使基板之搬入搬出作業所需之機械手(此處為機械手13b)進入至洗淨處理單元SS(SSR)之單元箱115中。藉此，可使有可能由機械手13b~16b帶入至單元箱115內之粉粒量為最小限度。又，可使旋轉夾盤111與旋轉支持部114之空間變窄至能夠僅由一根機械手13b~16b進入之程度的上下寬度。
其後，控制部60對升降驅動機構32進行控制而使機械手13b上升。藉此，如圖12(c)所示，旋轉夾盤111上所載置之基板W1被交予機械手13b之上側。繼而，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂13a收縮。藉此，如圖12(d)所示，機械手13b自表面洗淨處理單元SS退離。又，於上述一系列之動作中，說明了使用機械手13b而自任一個表面洗淨處理單元SS搬出一塊基板W之情形，但即使於使用其他機械手14b~16b時，只要以成為與上述搬出一塊基板W時相同之條件之方式，藉由升降驅動機構32而變更機械手之高度，則亦可進行同樣之搬出動作。
繼而，對基板之搬入動作進行說明。控制部60對升降驅動機構32進行控制而使機械臂15a上升，直至機械手15b之上表面所保持之未 處理基板W2到達處於旋轉夾盤111上方之高度為止(圖13(a))。其次，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂15a伸長。藉此，機械手15b水平移動而進入至表面洗淨處理單元SS之內部，如圖13(b)所示，機械手15b之上側所保持之基板W2配置於旋轉夾盤111之上方。其後，控制部60對升降驅動機構32進行控制而使機械手15b下降。藉此，如圖13(c)所示，保持於機械手15b之基板W2被交予旋轉夾盤111。繼而，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂15a收縮。藉此，如圖13(d)所示，機械手15b自表面洗淨處理單元SS退離。
又，於上述一系列之動作中，說明了使用機械手15b而將一塊基板W搬入至表面洗淨處理單元SS之情形，但該一塊基板W之搬入動作於將一塊基板W搬入至背面洗淨單元SSR之情形時亦相同。
再者，當使機械手15b下降時，如圖13(b)、圖13(c)所示，機械手15b存在側視時(自水平方向觀察時)與旋轉夾盤111重合之時序。然而，如上所述，機械手15b呈兩股之叉狀，因此，此時，旋轉夾盤111不會進入至機械手15b之內側而與機械手15b發生干涉。同樣地，於基板載置部PASS或翻轉單元RT中之支持銷與各機械手之基板交接動作中，亦存在側視時(自水平方向觀察時)，支持銷與各機械手重疊之時序，但設計為並不會發生干涉。
[中心機器人CR對於中繼部50之接取]
圖14係用以對藉由中心機器人CR將兩塊基板W同時搬入至基板載置部PASS1、PASS2時之動作之一例進行說明的模式圖。當藉由中心機器人CR將兩塊基板W同時搬入至基板載置部PASS1、PASS2時，例如於使機械手13b、14b各保持一塊基板W之狀態下，將兩塊基板W同時搬入至基板載置部PASS1、PASS2(兩塊基板W之搬入動作)。
具體而言，控制部60對回轉機構31及升降驅動機構32進行控制，使機械手13b、14b與基板載置部PASS1、PASS2相對向。此時， 如圖14(a)所示，機械手13b、14b上升或下降，直至保持於機械手13b、14b之兩塊基板W分別到達較基板載置部PASS1、PASS2更靠上方之高度為止。
如上所述，將基板載置部PASS1~PASS4中之上下之基板支持位置之鉛垂方向的間隔，設定為與中心機器人CR之各機械手13b、14b所保持之兩塊基板W於鉛垂方向上之間隔相等。因此，只要藉由升降驅動機構32而將機械手13b所保持之基板W配置為到達基板載置部PASS1之上方，則關於其他機械手14b亦可分別配置於基板載置部PASS2之上方。
其次，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂13a及機械臂14a同時伸長。藉此，機械手13b、14b進入至基板載置部PASS1、PASS2之內部，如圖14(b)所示，機械手13b、14b所分別保持之兩塊基板W分別配置於基板載置部PASS1、PASS2之上方。
其後，控制部60對升降驅動機構32進行控制，使機械手13b、14b下降，直至該兩塊基板W被支持於基板載置部PASS1、PASS2為止。藉此，如圖14(c)所示，基板W同時載置於基板載置部PASS1、PASS2之未圖示之支持銷55上，兩塊基板W同時被自中心機器人CR被交予基板載置部PASS1、PASS2。繼而，控制部60對進退驅動機構29進行控制而使機械臂13a及機械臂14a同時收縮。藉此，機械手13b、14b自基板載置部PASS1、PASS2退離(兩塊基板W之搬入動作)。
省略使用圖式之說明，但當中心機器人CR自基板載置部PASS3、PASS4同時搬出兩塊未處理基板W時，以相反順序進行上述一系列之動作。即，使機械手15b、16b伸長至基板載置部PASS3、PASS4之下方。其次，使該機械手15b、16bc上升，繼而使機械臂15a及機械臂16a同時收縮，藉此，可使用機械手15b、16b而自基板載置部PASS3、PASS4同時搬出兩塊基板W(兩塊基板W之搬出動作)。
至此為止，說明了中心機器人CR與基板載置部PASS中之兩塊基板W之搬入動作及兩塊基板W之搬出動作，但該一系列之動作對於中心機器人CR與其他單元之間之基板交接而言亦相同。具體而言，可於中心機器人CR與翻轉單元RT1中之基板交接、載置機器人IR或中心機器人CR與翻轉交接單元RT2中之基板交接、載置機器人IR與基板載置部PASS中之基板交接、及載置機器人IR與載具C中之基板交接中，進行上述兩塊基板W之搬入動作及兩塊基板W之搬出動作。
再者，本實施形態中之各機器人(CR或IR)之各機械手根據所保持之基板W為洗淨處理前之未處理基板，還是洗淨處理後之處理後之基板而被分開使用。因此，作為上述搬入動作及搬出動作之原理，能夠利用未處理基板用之機械手即機械手7b、7c、機械手15b、16b將處理後之基板W搬入或搬出，但於本實施形態中不實施。對於處理後之基板用之機械手即機械手6b、6c、及機械手13b、14b亦相同。
再者，於中心機器人CR保持有複數塊基板W之情形時，有時逐塊地將基板W依序搬入至複數個洗淨處理單元SS(或SSR)。同樣地，有時中心機器人CR自複數個洗淨處理單元SS(或SSR)逐塊地搬出基板W。於該等情形時，若僅著眼於個別之洗淨處理單元SS(或SSR)與中心機器人CR之關聯性，則進行一塊基板W之搬入動作或一塊基板W之搬出動作，但於複數個洗淨處理單元SS(或SSR)之總體即洗淨處理部11(或12)與中心機器人CR之關係上，可視為進行兩塊基板W之搬入動作或兩塊基板W之搬出動作。因此，於本說明書中，說明了保持有複數個基板W之中心機器人CR依序搬入至複數個洗淨處理單元SS(或SSR)之情形、或自複數個洗淨處理單元SS(或SSR)依序搬出複數塊基板W而將其移動至其他區段之情形，亦與中心機器人CR對中繼部50進行接取而進行兩塊基板W之搬入(或搬出)動作之情形同樣地，與進行兩塊基板W之搬入(或搬出)動作相同。
<2.2基板處理模式>
此處，對本基板處理裝置1中所能夠實施之基板處理模式進行說明。
本基板處理裝置1能夠對基板W選擇性地實施「僅表面洗淨」、「僅背面洗淨」及「雙面洗淨(背面→表面)」「雙面洗淨(表面→背面)」等各種基板處理模式。於「僅表面洗淨」之模式下，自載具C搬出基板W之後，不使基板W之表背翻轉而對基板W之表面進行洗淨處理。於洗淨處理之後，不使基板W之表背翻轉而將該基板W歸還至載具C。於「僅背面洗淨」之模式下，自載具C搬出基板W之後，使基板W之表背翻轉，繼而對基板W之背面進行洗淨處理。於洗淨處理之後，使基板W之表背翻轉，繼而將該基板W歸還至載具C。於「雙面洗淨(背面→表面)」之模式俠，自載具C搬出基板W之後，使基板W之表背翻轉，繼而對基板W之背面進行洗淨處理。其後，使基板W之表背翻轉，設為基板W之表面朝上之狀態，對基板W之表面進行洗淨處理。其後，不使基板W之表背翻轉而將基板歸還至載具C。於「雙面洗淨(表面→背面)」之模式下，自載具C搬出基板W之後，不使基板W之表背翻轉而對基板W之表面進行洗淨處理。其後，使基板W之表背翻轉，設為基板W之背面朝上之狀態，對基板W之背面進行洗淨處理。其後，使基板W之表背翻轉之後，將該基板W歸還至載具C。
圖15係將進行上述一系列之處理之處理區域分割為複數個處理區域S1~S13，且沿處理流程而配置上述複數個處理區域S1~S13之表。
處理區域S1為保持未處理基板W之處理區域。處理區域S2為搬送未處理基板W之處理區域。處理區域S3為將未處理基板W自載置區域2交予處理區域3之處理區域。處理區域S4為向進行第一次之基板處理之洗淨處理單元SS(SSR)搬送未處理基板W之處理區域。處理區域S5 為進行第一次之基板處理之處理區域。處理區域S6為自洗淨處理單元SS(SSR)搬出進行了第一次之基板處理之基板W，且將其搬入至中繼部50之處理區域。處理區域S7為使進行了第一次之基板處理之基板W翻轉之處理區域。處理區域S8為自中繼部50搬出進行了第一次之翻轉之基板W，且將其搬入至進行第二次之基板處理之洗淨處理單元SS(SSR)的處理區域。處理區域S9為進行第二次之基板處理之處理區域。處理區域S10為自洗淨處理單元SS(SSR)搬出進行了第二次之基板處理之基板W之處理區域。處理區域S11為將基板W自處理區域3交予載置區域2之處理區域。處理區域S12為搬送處理後之基板W之處理區域。處理區域S13為保持處理後之基板W之處理區域。
如圖15之表所示，於模式1之情形時，基板W於處理區域S1中保持於載具C，於處理區域S2中由載置機器人IR搬送，於處理區域S3中保持於基板載置部PASS，於處理區域S4中由中心機器人CR搬送，於處理區域S5中由表面洗淨處理單元SS對表面進行洗淨處理，於處理區域S6中由中心機器人CR搬送，於處理區域S11中保持於基板載置部PASS，於處理區域S12中由載置機器人IR搬送，於處理區域S13中保持於載具C。
又，於模式2之情形時，基板W於處理區域S1中保持於載具C，於處理區域S2中由載置機器人IR搬送，於處理區域S3中由翻轉交接單元RT2翻轉，於處理區域S4中由中心機器人CR搬送，於處理區域S5中由背面洗淨處理單元SSR對背面進行洗淨處理，於處理區域S6中由中心機器人CR搬送，於處理區域S11中由翻轉交接單元RT2翻轉，於處理區域S12中由載置機器人IR搬送，於處理區域S13中保持於載具C。
於模式3之情形時，基板W於處理區域S1中保持於載具C，於處理區域S2中由載置機器人IR搬送，於處理區域S3中由翻轉交接單元RT2翻轉，於處理區域S4中由中心機器人CR搬送，於處理區域S5中由 背面洗淨處理單元SSR對背面進行洗淨處理，於處理區域S6中由中心機器人CR搬送，於處理區域S7中由翻轉處理單元RT1翻轉，於處理區域S8中由中心機器人CR搬送，於處理區域S9中由表面洗淨處理單元SS將表面洗淨，於處理區域S10中由中心機器人CR搬送，於處理區域S11中由基板載置部PASS保持，於處理區域S12中由載置機器人IR搬送，於處理區域S13中保持於載具C。
於模式4之情形時，基板W於處理區域S1中保持於載具C，於處理區域S2中由載置機器人IR搬送，於處理區域S3中保持於基板載置部PASS，於處理區域S4中由中心機器人CR搬送，於處理區域S5中由表面洗淨處理單元SS對表面進行洗淨處理，於處理區域S6中由中心機器人CR搬送，於處理區域S7中由翻轉處理單元RT1翻轉，於處理區域S8中由中心機器人CR搬送，於處理區域S9中由背面洗淨處理單元SSR將背面洗淨，於處理區域S10中由中心機器人CR搬送，於處理區域S11中由翻轉交接單元RT2翻轉，於處理區域S12中由載置機器人IR搬送，於處理區域S13中保持於載具C。
<3.流程製程配方>
其次，參照圖16及圖17，對流程製程配方FR之資料構造進行說明。圖16及圖17係表示流程製程配方FR之例子(流程製程配方FR1及流程製程配方FR2)之資料構造的表。如圖16及圖17所示，流程製程配方FR包含第1項目「步驟」、第2項目「處理單元」、及第3項目「單元製程配方」之資料項目。
如上所述，未處理基板W經由中繼單元50a之基板載置部PASS等，由中心機器人CR搬入至處理單元SS(SSR)。流程製程配方FR之「Step1」列之「處理單元」係對首先搬送載置於基板載置部PASS等之基板W之洗淨處理單元SS(SSR)進行規定的資料項目。於流程製程配方FR1(圖16)及流程製程配方FR2(圖17)之例子中，於「處理單元」 之項目中記載有SS1至SS4。此意味著應首先將基板W搬送至表面洗淨處理單元SS1至SS4中之任一個表面洗淨處理單元。
以批量單位預先準備基板W，該基板W藉由載置機器人IR載置於基板載置部PASS等。中心機器人CR根據處理執行部72(參照圖10)之指示而依序搬出上述複數個基板W，且分派搬送至表面洗淨處理單元SS1至SS4。
本基板處理裝置1可進行雙面洗淨處理。於該情形時，基板W經由複數個洗淨處理單元SS(SSR)而受到處理(參照圖15之模式3及模式4)。如此，於經由複數個洗淨處理單元SS(SSR)而搬送處理對象之基板W之情形時，需要追加基板W之搬送目的地。於此種情形時，對流程製程配方FR追加與所追加之搬送目的地之數量相當之步驟之列的資料。
例如，若流程製程配方FR1為「模式4(雙面洗淨(表面→背面)」之模式，則於「Step1」下，追加「Step2」之列，於該列中，確定應將表面洗淨後之基板W搬送至哪一個背面洗淨處理單元SSR。
「單元製程配方」欄係根據製程配方序號而對洗淨處理單元SS(SSR)中之處理進行規定之資料項目。如上所述，洗淨處理單元SS(SSR)可執行基板處理。於流程製程配方FR之基板處理之欄中，對處理對象之基板W實施之基板處理之內容由製程配方序號確定。於流程製程配方FR1之基板處理之欄中指定有製程配方序號「單元製程配方1」，於流程製程配方FR2之基板處理之欄中指定有製程配方序號「單元製程配方2」。
其次，對洗淨處理單元SS(SSR)之選擇進行說明。
如上所述，本基板處理裝置1可利用複數個洗淨處理單元SS(SSR)並行地執行流程製程配方之各步驟所指定之基板處理。例如，洗淨處理單元SS1至SS4均可執行圖16之流程製程配方FR1之步驟 Step1。於該情形時，利用洗淨處理單元SS1至SS4並行地執行對應於「單元製程配方1」之內容之基板處理。
通常，排程功能部71(參照圖10)係以如下方式制定基板處理排程，即，自能夠於任務開始之時點使用之洗淨處理單元SS(SSR)中，抽出流程製程配方所指定之全部之洗淨處理單元SS(SSR)，利用全部之該等洗淨處理單元SS(SSR)並行地執行基板處理。
例如，製成如圖18所示之排程。
圖18係使用中心機器人CR之機械手13b、15b，於基板載置部PASS1、PASS3與4個洗淨處理單元SS1~SS4之間搬送基板W時之時序圖。
中心機器人CR(機械手15b)以固定之順序，向4個表面洗淨處理單元SS1~SS4逐塊地搬送基板W。即，中心機器人CR(機械手15b)以表面洗淨處理單元SS1、SS2、SS3及SS4之順序搬送基板W。
更具體而言，於時刻t0，未處理基板W1載置於基板載置部PASS3。於時刻t1，中心機器人CR之機械手15b自基板載置部PASS3取出基板W1，且於自時刻t1至時刻t2為止之期間，移動至與洗淨處理單元SS1相對向之位置為止。於時刻t3，機械手15b將基板W1搬入至表面洗淨處理單元SS1。
其次，於時刻t2至時刻t3之期間，中心機器人CR移動，機械手15b移動至與基板載置部PASS3相對向之位置為止，於時刻t3，機械手15b自基板載置部PASS3取出第二塊未處理基板W2，於時刻t4，機械手15b將第二塊基板W2搬入至第二個表面洗淨處理單元SS2。
如上所述，向並行處理中所使用之4個表面洗淨處理單元SS1~SS4依序搬入4塊基板W1~W4(稱為一組基板W1~W4)，從而並行地進行基板處理。將自中心機器人CR開始搬送先行之組之第一塊基板(例如基板W1)的時序(例如時刻t1)至中心機器人CR開始搬送下一組之 第一塊基板(例如基板W5)的時序(例如時刻t9)為止之期間稱為搬送週期。
與第1搬送週期(時刻t1~時刻t9)完成同時，中心機器人CR開始用於第二組基板W5~W8之搬送週期(第2搬送週期)(時刻t9)。於第2搬送週期(時刻t9~時刻t17)中，與第1搬送週期(時刻t1~時刻t9)之情形不同，與自中心機器人CR朝向洗淨處理單元SS之未處理基板W之搬入大致同時，自表面洗淨處理單元SS向中心機器人CR搬出處理後之基板W(時刻t10、t12、t14及t16。參照圖12)。又，與自中心機器人CR朝向基板載置部PASS之處理後之基板W之搬入大致同時，自基板載置部PASS向中心機器人CR搬出未處理基板W(時刻t11、t13及t15。參照圖14)。
與第2搬送週期完成同時，開始第3搬送週期(時刻t17)。中心機器人CR反覆地執行第2搬送週期之動作，藉此，向進行並行處理之全部之洗淨處理單元SS1~SS4逐塊地搬送4塊一組之基板W，並且自全部之上述洗淨處理單元SS1~SS4逐塊地回收4塊一組之基板W。
於圖18所示之例子中，基板搬送之一個週期所需之時間(時刻t1~時刻t9)與一塊基板W於洗淨處理單元SS1~SS4中必須滯留之時間(必需滯留時間。時刻t2~時刻t10)完全一致。因此，搬送週期與各洗淨處理單元SS1~SS4中之基板處理完全同步地進行。因此，中心機器人CR及洗淨處理單元SS1~SS4均未產生等待時間。再者，所謂必需滯留時間，係指自向洗淨處理單元SS(SSR)搬入基板W之動作開始，直至達到能夠自該單元SS(SSR)搬出基板W之狀態為止的時間。必需滯留時間與如下時間大致相等，該時間係將基板搬入與基板搬出所需之時間，與於一個洗淨處理單元SS(SSR)中對基板W執行基板處理時的時間相加所得者。因此，可參照上述流程製程配方FR1而求出必需滯留時間。
然而，有時基板搬送之一個週期所需之時間、及各洗淨處理單元SS(SSR)中之必需滯留時間不一致。
若基板搬送之一個週期所需之時間較必需滯留時間長，則成為搬送限速狀態。於該狀態下會產生如下時間，該時間係等待自洗淨處理單元SS(SSR)搬出基板處理已完成之基板W時的時間。
另一方面，若必需滯留時間較基板搬送之一個週期所需之時間長，則成為製程限速狀態。於該狀態下會產生如下時間，該時間係自中心機器人CR能夠對洗淨處理單元SS(SSR)進行接取起，必須待機直至實際上開始搬入搬出基板為止之時間。
並行處理數越多，則基板處理裝置1之產量越高，因此，通常以儘可能增加並行處理單元數而成為搬送限速狀態之方式製成基板搬送排程。然而，於該情形時，有時會產生如下狀態，即，無論基板處理是否已完成，均無法自洗淨處理單元SS(SSR)搬出基板W。
如使用圖5所述，於各洗淨處理單元SS(SSR)中，對基板W依序執行洗淨處理‧淋洗處理‧乾燥處理。較為理想為儘早自洗淨處理單元SS(SSR)搬出進行乾燥處理後之基板W。原因在於：浮游於洗淨處理單元SS(SSR)內部之洗淨液等之霧有可能會附著於進行乾燥處理後之基板W的表面(背面)，從而再次污染基板W之表面(背面)。
圖19係搬送限速狀態之時序圖。基板搬送之一個週期所需之時間(時刻t1~t9為止之期間)較必需滯留時間(時刻t2~時刻t9為止之期間)長。因此，各洗淨處理單元SS1~SS4會產生搬出待機時間(時刻t9~時刻t10、時刻t11~時刻t12、時刻t13~時刻t14、時刻t15~時刻t16等)(於圖19等時序圖中，已對產生了搬出待機時間之洗淨處理單元SS之時間區間著色)。若該等搬出待機時間過長，則洗淨液之霧等有可能會再次附著於乾燥處理後之基板W而使基板W之洗淨品質劣化。然而，並非產生搬出待機時間後，基板W之洗淨品質立即劣化。原因在 於：若搬出待機時間為極短之期間，則僅可允許之程度之霧附著於基板。因此，能夠對於搬出待機時間設定特定之允許時間。對於搬出待機時間之允許時間可基於洗淨處理單元SS(SSR)內部之霧之量或所要求之基板洗淨品質、或者作業者之指定而設定。
<4.基板處理>
其次，參照圖20之流程圖，對本實施形態中之基板處理流程進行說明。首先，自未圖示之主電腦將任務提供至控制部60(步驟ST1)。
排程功能部71自記憶裝置64讀出由任務指定之流程製程配方FR(步驟ST2)。排程功能部71參照流程製程配方FR而設定並行地進行動作之洗淨處理單元SS(SSR)之數量(稱為並行單元數)(步驟ST3)。並行單元數係以達到搬送限速狀態之方式設定。若基板搬送之一個週期所需之時間超過洗淨處理單元SS(SSR)中之必需滯留時間，則會出現搬送限速狀態。基板搬送之一個週期所需之時間可基於並行單元數與必需滯留時間而算出。如上所述，必需滯留時間可藉由參照流程製程配方FR中所記載之單元製程配方序號而取得。因此，排程功能部71可藉由參照流程製程配方FR而設定並行單元數。
其次，排程功能部71於不超過步驟ST2中所設定之並行單元數之範圍內，自能夠於排程設定時間使用之洗淨處理單元SS(SSR)中，選擇實際使用之洗淨處理單元SS(SSR)(步驟ST4)。
排程功能部71基於步驟ST2中所讀出之流程製程配方FR、根據流程製程配方FR中所含之製程配方序號而確定之具體的單元製程配方(如上所述，記憶於記憶裝置64內之單元製程配方資料庫UDB)之內容、及步驟ST4中所選擇之洗淨處理單元SS(SSR)而製成排程資料SD(步驟ST5)。排程資料SD係以時間序列對基板處理裝置1之動作進行記述所得之資料。此處，製成如圖19所示之排程資料SD。
排程功能部71參照步驟ST5中所製成之排程資料SD，計算並行處理中所使用之洗淨處理單元SS(SSR)中之搬出待機時間(步驟ST6)。其次，確認是否產生了搬出待機時間超過允許時間之洗淨處理單元SS(SSR)(步驟ST7)。允許時間之值作為基板處理裝置1所固有之值而預先記憶於記憶裝置64(參照圖11)。然而，允許時間之值亦依賴於基板處理之內容，因此，亦可預先記述於流程製程配方FR。例如，於大量產生洗淨液之霧之基板處理或要求尤其高之品質的洗淨性能之基板處理之情形時，亦可設定較短之允許時間。相反地，於僅少量地產生洗淨液之霧之基板處理或洗淨性能之要求水準不高的基板處理之情形時，亦可設定較長時間之允許時間。對於每個洗淨處理單元SS(SSR)而言，允許時間可相同，亦可不同。例如，常規例子為與表面洗淨處理單元SS相比較，背面洗淨處理單元SSR產生更大量之霧，因此，亦可相對於前者，對後者設定較短之允許時間。
於步驟ST7中，於判斷為「是」之情形時，過渡至步驟ST8而重新設定並行單元數。此處，並行單元數之數量減少一個。藉此，搬出待機時間縮短。繼而，再次執行直至上述步驟ST4~ST7為止之步驟。
圖21係將圖19所示之基板處理排程中之並行單元數自「4」減少至「3」時之時序圖。藉由減少並行單元數，自搬送限速狀態變化為製程限速狀態，藉此，各洗淨處理單元SS1~SS3中之搬出待機時間成為零。相反地，於中心機器人CR(機械手15b)側產生如下待機時間，該待機時間係自能夠對洗淨處理單元SS進行接取起，必須待機直至實際上開始搬送(或搬出)基板為止之待機時間(時刻t8~時刻t9。時刻t15~時刻t16)。
因此，步驟ST7成為「否」，轉移至步驟ST9。
再者，於使用圖19與圖21而說明之例子中，藉由減少並行單元 數，自搬送限速狀態變化為製程限速狀態。然而，即使為搬送限速狀態，步驟ST7亦能夠成為「否」。因此，即使為搬送限速狀態，亦能夠以不使搬出待機時間超過允許時間之方式製成基板處理排程。
於步驟ST9中，確定排程資料SD，且將其記憶於記憶裝置64(參照圖11)。
繼而，處理執行部72基於已確定之排程資料SD而使基板處理裝置1之各要素作動，依序執行複數個基板W之基板處理(步驟ST10)。
於第1實施形態中，開始執行基板處理後，不對排程資料SD進行更新，但亦可如以下所說明之第2實施形態般，與基板處理之執行並行地依序執行排程資料SD之更新。於第2實施形態中進行如下反饋控制，即，以開始新的搬送週期之時序，重設並行單元數。
{第2實施形態}
圖22係對第2實施形態之基板處理流程進行說明之流程圖。第2實施形態之特徵在於：於基板處理開始之後，重設並行單元數。
於第2實施形態之基板處理中，與第1實施形態同樣地，藉由直至步驟ST1~ST9為止之處理而確定排程資料SD之後，處理執行部72開始進行基板處理(步驟ST10)。此處，並行處理單元數=「3」，製成將洗淨處理單元SS1~SS3用於並行處理之基板處理排程。即，如圖23之時序圖般，使用洗淨處理單元SS1~SS3而執行第1搬送週期。於第1搬送週期，3塊基板W1、W2、W3由3個洗淨處理單元SS1~SS3並行地處理。
於使第2搬送週期開始之時序(時刻t7)即將到來之前(步驟ST11轉移至「是」之時點)，判斷是否需要變更並行單元數(步驟ST12)。此處，以如下所述之見解判斷是否需要變更並行單元數。
設想於步驟ST12中，將並行單元數變更為「4」而執行第2搬送週期之情形，計算該情形時之各洗淨處理單元SS1~SS4中之搬出待 機時間。假設於已確認即使使用洗淨處理單元SS1~SS4，搬出待機時間亦未超過允許時間之情形時，將並行地使用之洗淨處理單元之數量自「3」增加至「4」，對排程資料進行更新(步驟ST13)。
於該情形時，代替如圖23之箭頭A1般，於時刻t9，將第2搬送週期之第一塊基板W4自機械手15b搬送至洗淨處理單元SS1，如箭頭A2般，將第2搬送週期之第一塊基板W4自機械手15b搬送至洗淨處理單元SS4。繼而，第2搬送週期之剩餘之三塊基板W5、W6、W7被依序搬送至洗淨處理單元SS1、SS2、SS3。如此，於第2搬送週期中，進行使用有4個洗淨處理單元SS4、SS1、SS2、SS3之並行處理。
如此，於第2實施形態中，於每個搬送週期中，以搬出待機時間不超過允許時間之限度，使用儘可能多之洗淨處理單元SS(SSR)而執行並行處理。因此，可一面維持高產量，一面有效果地防止處理後之基板之再污染。
{第3實施形態}
其次，使用圖24~圖27而對第3實施形態進行說明。第3實施形態與第2實施形態同樣地，與實際之基板處理並行地依序研究排程資料SD之可變更性。於第3實施形態中，於執行先行之任務(第1任務。模式1「僅表面洗淨」)之過程中，自主電腦將下一個任務(第2任務。模式3「雙面洗淨(背面→表面)」之表面洗淨步驟部分)提供至控制部60。
圖24及圖25係自第1任務切換至下一個第2任務時之基板處理之時序圖的一例。為了便於圖示，將一個時序圖分割為圖24與圖25而加以表示(圖24：自時刻t0至時刻t22為止之步驟部分，圖25：自時刻t22至時刻t34之步驟部分)。於該時序圖中，首先，進行向各洗淨處理單元SS1~SS4搬送第1任務之最後一組基板W1~W4之步驟(第1任務之最終搬送週期)(圖24之時刻t1~t10)。繼而，並行地進行自各洗淨處 理單元SS1~SS4回收基板W1~W4之步驟(第1任務之最終回收週期)與向各洗淨處理單元SS1~SS4搬送第2任務之最初一組基板W5~W8之步驟(第2任務之第1搬送週期)(圖24之時刻t10~時刻t22)。繼而，執行第2任務之第2搬送週期(圖25之時刻t22~時刻t34)。
第1任務係與圖15中之模式1「僅表面洗淨」之模式之基板處理相對應的任務。於「僅表面洗淨」之模式之情形時，經洗淨處理單元SS處理後之基板W由中心機器人CR之機械手13b取出(自圖15之處理區域S5向S6轉移。圖24之時刻t2)，移動至與基板載置部PASS1相對向之位置為止(圖15之處理區域S6。圖24之時刻t2~t3之期間)。其後，該基板W被交接至基板載置部PASS1(自圖15之處理區域S6向S11轉移。圖24之時刻t3)。
於與此大致相同之時刻，基板載置部PASS3所載置之未處理基板W2由中心機器人CR之機械手15b取出(自圖15之處理區域S3向S4轉移。圖24之時刻t3)。其後，中心機器人CR移動至與洗淨處理單元SS相對向之位置為止(圖15之處理區域S4。圖24之時刻t3~t4之期間)。
如此，中心機器人CR於洗淨處理單元SS與基板載置部PASS1、PASS3之間往返移動(圖24之時刻t2~時刻t4之期間)。
基板載置部PASS1與基板載置部PASS3於上下方向上靠近(參照圖14)。因此，於藉由機械手13b而將處理後之基板W交接至基板載置部PASS1之後，藉由機械手15b而自基板載置部PASS3取出未處理基板W之期間，中心機器人CR無需於上下方向上大幅度地移動。因此，中心機器人CR於洗淨處理單元SS與基板載置部PASS1、PASS3之間，以比較高之速度往返移動。
另一方面，第2任務係與圖15中之模式3「雙面洗淨(背面→表面)」之表面洗淨步驟部分之基板處理相對應的任務。於該步驟部分中，經洗淨處理單元SS(圖15之處理區域S9)處理後之基板W5由中心 機器人CR之機械手13b取出(自圖15之處理區域S9向S10轉移。圖25之時刻t23)，移動至與基板載置部PASS1相對向之位置為止(圖15之處理區域S10。圖25之時刻t23~時刻t24之期間)。其後，該基板W5被交接至基板載置部PASS1(自圖15之處理區域S10向S11轉移。圖25之時刻t24)。
其後，中心機器人CR上升至與翻轉單元RT1相對向之高度位置為止。繼而，翻轉單元RT1所載置之基板W10由中心機器人CR之機械手15b取出(自圖15之處理區域S7向S8轉移。圖25之時刻t25)。其後，中心機器人CR移動至與洗淨處理單元SS相對向之位置為止(圖15之處理區域S8。圖25之時刻t25~t26之期間)。如此，中心機器人CR於洗淨處理單元SS與翻轉單元RT1及基板載置部PASS1之間往返移動(圖25之時刻t23~t26之期間)。
基板載置部PASS1與翻轉單元RT1為於上下方向上分離之不同之構件(參照圖2)。因此，於機械手13b將基板W交接至基板載置部PASS1之後，機械手15b自翻轉單元RT1取出基板W之期間，中心機器人CR需要於上下方向上大幅度地移動(圖25之時刻t24~t25之期間)。因此，中心機器人CR於洗淨處理單元SS與翻轉單元RT1及基板載置部PASS1之間，耗費較長之時間而往返移動。
如上所述，關於中心機器人CR於中繼部50(翻轉單元RT1、基板載置部PASS及翻轉交接單元RT2)與洗淨處理單元SS之間往返移動所需之時間，第2任務中之該時間較第1任務中之該時間長。
於假設中心機器人CR於中繼部50與洗淨處理單元SS之間往返移動所需的時間固定之情形時，搬出待機時間之長度對於每個洗淨處理單元SS而言不會有所不同。然而，若中心機器人CR於中繼部50與洗淨處理單元SS之間往返移動所需之時間變長，則基板搬出越晚之洗淨處理單元SS，其搬出待機時間之長度越長。
例如，第一個洗淨處理單元SS1中之搬出待機時間為圖24之自時刻t10至時刻t11為止之期間，但若第二個洗淨處理單元SS2中之搬出待機時間為自時刻t12至時刻t14為止之期間，第三個洗淨處理單元SS3中之搬出待機時間為自時刻t14至時刻t17為止之期間，第四個洗淨處理單元SS4中之搬出待機時間為自時刻t16至時刻t20為止之期間，則基板搬出越晚之洗淨單元SS，其搬出待機時間越長。
此種搬出待機時間之延長與並行單元數之數量成比例地增大。因此，基板搬出越晚之洗淨處理單元SS，其暴露於單元內之霧之時間越長，有可能會導致基板W之洗淨品質降低。
因此，於該第3實施形態中，於執行前一任務之最終搬送週期之前，預測並行地執行前一任務之最終搬送週期與下一任務之第1搬送週期時的與前一任務相關之基板之搬出待機時間。繼而，於預測為與前一任務相關之基板之搬出待機時間超過特定之允許時間的情形時，變更前一任務之最終回收週期之內容。具體而言，使與前一任務之最終回收週期同時執行之下一任務之第1搬送週期中的並行單元數減少。
圖26係對第3實施形態之基板處理流程進行說明之流程圖。直至步驟ST1~ST9為止，與上述第2實施形態之處理流程相同，因此省略說明。於第3實施形態中，排程功能部71與藉由處理執行部72執行基板處理(步驟ST10)並行地監視新任務之追加(步驟ST11)。繼而，若追加新任務，則轉移至步驟ST12。於步驟ST12中，藉由進行上述步驟ST2~ST9之步驟，暫時確定用以執行下一任務之排程資料SD。於圖24之例子中，設定為並行處理單元數=「4」而製成用於所追加之任務(第2任務)之基板處理排程。
其次，排程功能部71製成如下排程資料SD，該排程資料SD係並行地執行於執行過程中之任務(第1任務)之最終搬送週期中所搬送的 基板之最終回收週期與下一任務(第2任務)之第1搬送週期時之排程資料(步驟ST13)。藉此，製成直至圖24之時刻t10~時刻t22為止之基板搬送排程。於該期間，與向基板載置部PASS1回收第1任務用之基板W1~W4並行地，將第2任務用之第1搬送週期之基板W5~W8依序供給至洗淨處理單元SS1~SS4。
其次，排程功能部71參照於步驟ST12中製成之排程資料SD，判斷於直至時刻t10~時刻t22為止之期間，是否產生了搬出待機時間超過允許時間之洗淨處理單元SS(步驟ST14)。於不存在搬出待機時間超過允許時間之洗淨處理單元SS之情形時，步驟ST14成為「否」而轉移至步驟ST10，根據步驟ST12及步驟ST13中製成之排程資料SD，同時執行第1任務之最終回收週期與第2任務之第1搬送週期。
另一方面，於判斷為步驟ST14為「是」之情形時，使第2任務之第1搬送週期中之並行處理單元數減少，變更第1任務之最終回收週期(步驟ST15)。例如，如圖27所示，將第2任務之第1搬送週期(時刻t10~時刻t20)之並行處理單元數自「4」減少至「2」。藉此，變更第1任務之最終回收週期中之基板處理。
具體而言，根據圖24所示之原來之基板處理排程，與第1任務相關之基板W2被搬送至基板載置部PASS1(時刻t15)之後，自翻轉單元RT1搬送第2任務之第1搬送週期之第三塊基板W7(時刻t16)。相對於此，於圖27所示之基板處理排程中，以如下方式變更排程，即，與第1任務相關之基板W2被搬送至基板載置部PASS1(時刻t15)之後，代替開始搬送第2任務之基板W7，自洗淨處理單元SS3回收第1任務之最終回收週期之第三塊基板W3(圖27之時刻t16)。
又，以如下方式進行變更，即，代替自翻轉單元RT1搬送第2任務之第1搬送週期之第四塊基板W8(圖24之時刻t19)，自洗淨處理單元SS4回收第1任務之最終回收週期之第四塊基板W4(圖27之時刻t18)。
以上述方式變更第1任務之最終回收週期，提前執行第1任務之最終回收週期之第三塊基板W3及第四塊基板W4的回收時序，藉此，可使洗淨處理單元SS3、SS4中之搬出待機時間減少。藉此，可抑制或防止該單元SS3、SS4中之基板W3、W4之洗淨品質之降低。
其次，以與如上所述之步驟ST15中之第1任務之最終回收週期的變更相對應之方式，對步驟ST13中製成之第2任務之基板處理排程進行修正(圖24之步驟ST16)。繼而，根據以上述方式確定之排程資料SD，與第1任務之最終回收週期並行地執行第2任務之第1搬送週期(時刻t10~時刻t20)，繼而，依序執行第2任務之第2搬送週期(時刻t20~時刻t32)及第2任務之第3搬送週期(時刻t32~時刻t45)(步驟ST10)。
如上所述，第1實施形態至第3實施形態之基板處理裝置可防止基板處理後之基板W於洗淨處理單元SS(SSR)內放置過長之時間。因此，基板W不會長時間暴露於洗淨處理單元SS(SSR)內之洗淨液之霧等。因此，可確保高基板處理性能。
尤其，如第2實施形態及第3實施形態之基板處理裝置般，與基板處理並行地對基板處理排程進行修正，能夠總是對基板處理排程之內容進行更新。
又，根據第3實施形態之基板處理裝置，可防止於切換任務之時序中，與前一任務相關之洗淨處理後之基板長時間放置於洗淨處理單元內。
再者，於第1實施形態至第3實施形態中，說明了由中心機器人CR搬送一塊未處理基板W及一塊處理後之基板W，但即使於中心機器人CR同時搬送兩塊未處理基板W，同時搬送兩塊處理後之基板W之情形時(參照圖7)，亦能夠實施本發明。
又，於第1實施形態至第3實施形態中，作為基板處理裝置1，以刷洗洗淨處理裝置為例，說明了製成排程之構成，但本發明中之基板 處理裝置1不限於刷洗洗淨處理裝置，能夠使用於不伴隨刷洗淨之單片基板洗淨裝置、或者冷卻處理裝置或乾燥處理裝置等各種基板處理裝置。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其包括：複數個基板處理單元，其可並行地使用；以及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理裝置包括：排程製成部，其在判斷為發生等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的搬出待機時間超過特定之允許時間之基板處理單元的情形下，減少並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量，且變更基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及控制部，其根據變更後之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理。
  2. 一種基板處理裝置，其包括：複數個基板處理單元，其可並行地使用；以及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理裝置包括：選擇部，其以搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之 基板的時間；排程製成部，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及控制部，其根據由上述排程製成部製成之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；且上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分，當上述控制部根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，上述排程製成部於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之各個搬送過一遍基板的搬送週期。
  3. 一種基板處理裝置，其包括：複數個基板處理單元，其可並行地使用；以及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理裝置包括：選擇部，其以搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之 基板的時間；排程製成部，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；控制部，其根據由上述排程製成部製成之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；及基板支持部，其支持上述基板；且上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分，當上述控制部根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，上述排程製成部於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之各個搬送過一遍基板的搬送週期，上述基板搬送部係於支持上述基板之基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動的部分，上述排程製成部以如下方式設定第2數量，並基於該第2數量而製成上述基板處理排程，上述方式係於上述基板搬送部連續地執行上述前一搬送週期與上述下一搬送週期之情形時，當上述下一搬送週期之上述基板搬送部於上述基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動所需之時間較上述前一搬送週期更長時，使上述下一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理 單元之上述第2數量，少於上述前一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之第1數量。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中於上述基板處理單元中包含對上述基板進行洗淨之基板洗淨處理單元。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中於上述複數個基板處理單元中包含對上述基板之表面進行洗淨之表面洗淨處理單元、及對上述基板之背面進行洗淨之背面洗淨處理單元，將使用上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
  6. 一種基板處理裝置，其包括：複數個基板處理單元，其可並行地使用；以及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理裝置包括：選擇部，其以搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成部，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及控制部，其根據由上述排程製成部製成之上述基板處理排 程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；且於上述基板處理單元中包含對上述基板進行洗淨之基板洗淨處理單元，於上述複數個基板處理單元中包含對上述基板之表面進行洗淨之表面洗淨處理單元、及對上述基板之背面進行洗淨之背面洗淨處理單元，將使用上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
  7. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理方法包括以下步驟：應答於判斷為發生等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的搬出待機時間超過特定之允許時間的基板處理單元的情形，減少並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量；變更基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及根據變更後之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理。
  8. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理方法包括：選擇步驟，其以使搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成步驟，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及排程執行步驟，其根據上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；且上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分，當根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之各個搬送過一遍基板的搬送週期。
  9. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理方法包括：選擇步驟，其以使搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成步驟，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及排程執行步驟，其根據上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；且上述基板搬送部係對上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元依序進行複數個基板之搬送的部分；當根據反覆地執行搬送週期之基板處理排程而對上述基板處理單元與上述基板搬送部進行控制時，於前一搬送週期之執行過程中且於下一搬送週期開始之前，製成用於上述下一搬送週期之基板處理排程，上述搬送週期係向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之各個搬送過一遍基板的搬送週期； 上述基板搬送部係於支持上述基板之基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動的部分，以如下方式設定第2數量，並基於該第2數量而製成上述基板處理排程，上述方式係指於上述基板搬送部連續地執行上述前一搬送週期與上述下一搬送週期之情形時，當上述下一搬送週期之上述基板搬送部於上述基板支持部與上述基板處理單元之間往返移動所需之時間較上述前一搬送週期更長時，使上述下一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之上述第2數量，少於上述前一搬送週期中並行地使用之兩個以上之基板處理單元之第1數量。
  10. 如請求項7至9中任一項之基板處理方法，其中於上述基板處理單元中包含對基板進行洗淨之基板洗淨處理單元。
  11. 如請求項10之基板處理方法，其中於上述複數個基板處理單元中包含對上述基板之表面進行洗淨之表面洗淨處理單元、及對上述基板之背面進行洗淨之背面洗淨處理單元，將使用上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
  12. 一基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其將基板搬送至上述複數個基板處理單元，且自上述複數個基板處理單元搬出基板處理後之基板；且上述基板處理方法包括：選擇步驟，其以使搬出待機時間不超過特定之允許時間之方式，自上述複數個基板處理單元中選擇並行地使用之兩個以上之基板處理單元，上述搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送 部自上述基板處理單元搬出由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；排程製成步驟，其製成基板處理排程，該基板處理排程包含：由上述基板搬送部所進行之向上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬送處理、上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元中之基板處理、及由上述基板搬送部所進行之自上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之基板搬出處理；以及排程執行步驟，其根據上述基板處理排程，控制上述基板處理單元與上述基板搬送部，依序對複數個基板實施基板處理；且於上述基板處理單元中包含對基板進行洗淨之基板洗淨處理單元；於上述複數個基板處理單元中包含對上述基板之表面進行洗淨之表面洗淨處理單元、及對上述基板之背面進行洗淨之背面洗淨處理單元；將使用上述背面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間，設定為較使用上述表面洗淨處理單元之基板處理排程中之上述允許時間更短的時間。
  13. 一種基板處理方法，其係基板處理裝置中之基板處理方法，該基板處理裝置包括：複數個基板處理單元，其能夠並行地使用；及基板搬送部，其對上述複數個基板處理單元進行基板之搬送；且上述基板處理方法包括：設定步驟，其以出現搬送限速狀態之方式，設定並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量，上述搬送限速狀態係指上述各基板處理單元中之上述基板之滯留時間不超過上述基板搬 送部之一次搬送週期所需之時間的長度；製成步驟，其基於上述並行地使用之基板處理單元之數量而製成基板處理排程；計算步驟，其計算搬出待機時間，該搬出待機時間係等待藉由上述基板搬送部自上述基板處理單元搬出根據上述基板處理排程而由上述基板處理單元實施基板處理後之基板的時間；修正步驟，若上述搬出待機時間超過允許時間，則重新設定上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元之數量，並基於進行該重新設定後之上述並行地使用之兩個以上之基板處理單元的數量，修正上述基板處理排程；以及處理步驟，其基於在上述修正步驟中經修正之上述基板處理排程，控制上述基板處理單元及上述基板搬送部，依序對複數個基板執行基板處理。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6499563B2 (ja) * 2015-11-06 2019-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
US10043693B1 (en) * 2017-06-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber
US10698392B2 (en) * 2018-06-22 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Using graphics processing unit for substrate routing and throughput modeling
KR102247828B1 (ko) 2018-07-23 2021-05-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7163106B2 (ja) * 2018-08-28 2022-10-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラム
JP7226949B2 (ja) * 2018-09-20 2023-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理システム
CN111489986B (zh) * 2019-01-28 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
KR102584514B1 (ko) * 2020-07-09 2023-10-06 세메스 주식회사 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129603A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
US20110076120A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3934275B2 (ja) 1999-03-25 2007-06-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置、基板処理装置のシミュレート装置、及び基板処理装置のシミュレートプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4610317B2 (ja) 2004-12-06 2011-01-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法
US7503710B2 (en) 2005-05-30 2009-03-17 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
US8160736B2 (en) * 2007-01-31 2012-04-17 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Methods and apparatus for white space reduction in a production facility
JP5004612B2 (ja) 2007-02-15 2012-08-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5392190B2 (ja) 2010-06-01 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP6002532B2 (ja) * 2012-10-10 2016-10-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129603A (ja) * 2008-11-25 2010-06-10 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
US20110076120A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate transfer method
CN102034731A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板输送方法

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