JP6216193B2 - ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置 - Google Patents

ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6216193B2
JP6216193B2 JP2013188073A JP2013188073A JP6216193B2 JP 6216193 B2 JP6216193 B2 JP 6216193B2 JP 2013188073 A JP2013188073 A JP 2013188073A JP 2013188073 A JP2013188073 A JP 2013188073A JP 6216193 B2 JP6216193 B2 JP 6216193B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
board
transfer
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013188073A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015056468A (ja
Inventor
俊介 松澤
俊介 松澤
正文 井上
正文 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2013188073A priority Critical patent/JP6216193B2/ja
Priority to US14/483,096 priority patent/US9849488B2/en
Priority to SG10201405644QA priority patent/SG10201405644QA/en
Publication of JP2015056468A publication Critical patent/JP2015056468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6216193B2 publication Critical patent/JP6216193B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置に関するものである。
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置は、例えば、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、及び基板の搬送処理を行うためのロード/アンロードユニット、などを備えて構成される。
研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード/アンロードユニットはそれぞれ、ユニット単体で製造される。基板処理装置は、これら複数のユニットを組み立てて、複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら基板に対して一連の処理を行うのが一般的である。すなわち、ロード/アンロードユニットは、処理対象の基板を研磨ユニットへロードする(渡す)。研磨ユニットは、ロード/アンロードユニットによってロードされた基板に対して研磨処理を行う。洗浄ユニットは、研磨ユニットによって研磨処理された基板を受け取って、洗浄処理及び乾燥処理を行う。ロード/アンロードユニットは、洗浄ユニットによって乾燥された基板をアンロードする(受け取る)。
ところで、基板処理装置は、複数のユニットを組立てた後に、すぐに本稼働をするのではなく、まずは基板処理装置の立ち上げ作業(テスト運転)を行うのが一般的である。立ち上げ作業としては、ユニット個々の処理が適正に行われるか否かのテスト、及び複数のユニット間で基板の受け渡しが適正に行われるか否かのテストなどが挙げられる。
特開2001−274119号公報
従来技術は、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることについては考慮されていない。
すなわち、複数のユニット間の基板の受け渡しテストを行うためには、基本的には、基板を渡す側のユニットと基板を受け取る側のユニットの存在を要する。このため、従来技術は、複数のユニットを組み立てて基板処理装置を製造した後に、複数のユニット間の基板の受け渡しテストを行うのが一般的であった。
しかしながら、複数のユニットを組み立てて製造された基板処理装置は大型になるため、基板の受け渡しテストに要する時間が長くなり、その結果、基板の受け渡しテストの効率を高めることが難しい場合がある。
そこで、本願発明は、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることを課題とする。
本願発明のユニット制御盤の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、組み立てられ
た複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも1つのユニットに設けられたユニット制御盤であって、前記ユニット制御盤が設けられたユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、該ユニットの外部に設置された基板置き台を用いて、該ユニットにおける基板の受け渡しテストを行うテスト制御部を備える、ことを特徴とする。
また、前記テスト制御部は、前記ユニット内に設置された基板を、前記ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
また、前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、ことを特徴とする。
また、前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットに設けられる場合がある。この場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記洗浄ユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
また、前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード/アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード/アンロードユニットに設けられる場合がある。この場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記ロード/アンロードユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記ロード/アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード/アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード/アンロードユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
また、本願発明の基板の受け渡しテスト方法の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも1つのユニットにおける基板の受け渡しテスト方法であって、前記少なくとも1つのユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、前記少なくとも1つのユニットの外部に、基板置き台を設置し、前記基板置き台を用いて、前記少なくとも1つのユニットにおける前記基板の受け渡しテストを行う、ことを特徴とする。
また、前記基板の受け渡しテストは、前記少なくとも1つのユニット内に設置された基板を、前記少なくとも1つのユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記少なくとも1つのユニット内に搬送する、ことによって行われる、ことを特徴とする。
また、前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、ことを特徴とする。
また、前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットにおいて行われる場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記基板の受け渡しテストは、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって行われる、ことを特徴とする。
また、前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード/アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード/アンロードユニットにおいて行われる場合、前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、前記基板の受け渡しテストは、前記ロード/アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード/アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記リフタの代わりに設置された前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記乾燥モジュールの代わりに設置された前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード/アンロードユニット内に搬送する、ことによって行われる、ことを特徴とする。
また、本願発明の基板処理装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、上記のいずれかのユニット制御盤を有するユニットと、前記ユニットと組み立てられる他のユニットと、を備え、前記組み立てられたユニットと他のユニットと間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う。
かかる本願発明によれば、複数のユニット間における基板の受け渡しテストの作業効率を高めることができる。
図1は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図2は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図3は、リフタの構造を示す斜視図である。 図4は、スイングトランスポータの構造を示す斜視図である。 図5(a)は、洗浄ユニットを示す平面図であり、図5(b)は、洗浄ユニットを示す側面図である。 図6は、洗浄ユニット4の制御部5に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。 図7は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストに関するオペレーションフローを示す図である。 図8は、洗浄ユニットに対してウェハの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。 図9は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストの際の入出力インターフェースを模式的に示す図である。 図10は、ウェハWの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローを示す図である。 図11は、ロード/アンロードユニットに含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。 図12は、ロード/アンロードユニットに対してウェハWの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。
以下、本願発明の一実施形態に係るユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード/アンロードユニットを備えた装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、洗浄ユニット及びロード/アンロードユニットにおいて基板の受け渡しテストを行う例を説明するが、これには限られない。
まず、基板処理装置の構成、及び基板処理装置の各ユニット間での基板の受け渡しについて説明し、その後に各ユニットにおける基板の受け渡しテストについて説明する。
<基板処理装置>
図1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、この基板処理装置は、略矩形状のハウジング1を備えており、ハウジング1の内部は隔壁1a,1bによってロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3と洗浄ユニット4とに区画されている。これらのロード/アンロードユニット2、研磨ユニット3、および洗浄ユニット4は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット4は、基板処理動作を制御する制御部5を有しており、制御部5にはユニット制御盤(電源盤)が含まれる。
<ロード/アンロードユニット>
ロード/アンロードユニット2は、多数のウェハ(基板)をストックするウェハカセットが載置される2つ以上(本実施形態では4つ)のフロントロード部20を備えている。これらのフロントロード部20はハウジング1に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向(長手方向と垂直な方向)に沿って配列されている。フロントロード部20には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができるようになっている。ここで、SMIF、FOUPは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
また、ロード/アンロードユニット2には、フロントロード部20の並びに沿って走行機構21が敷設されており、この走行機構21上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な2台の搬送ロボット(ローダー、搬送機構)22が設置されている。搬送ロボッ
ト22は走行機構21上を移動することによってフロントロード部20に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット22は上下に2つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット22の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。
ロード/アンロードユニット2は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード/アンロードユニット2の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット3、および洗浄ユニット4のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット3は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット3の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット4の内部圧力よりも低く維持されている。ロード/アンロードユニット2には、HEPAフィルタ、ULPAフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット(図示せず)が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
<研磨ユニット>
研磨ユニット3は、ウェハの研磨(平坦化)が行われる領域であり、第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、第4研磨ユニット3Dを備えている。これらの第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、および第4研磨ユニット3Dは、図1に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
図1に示すように、第1研磨ユニット3Aは、研磨面を有する研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Aと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル30A上の研磨パッド10に押圧しながら研磨するためのトップリング31Aと、研磨パッド10に研磨液やドレッシング液(例えば、純水)を供給するための研磨液供給ノズル32Aと、研磨パッド10の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ33Aと、液体(例えば純水)と気体(例えば窒素ガス)の混合流体または液体(例えば純水)を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ34Aとを備えている。
同様に、第2研磨ユニット3Bは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Bと、トップリング31Bと、研磨液供給ノズル32Bと、ドレッサ33Bと、アトマイザ34Bとを備えており、第3研磨ユニット3Cは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Cと、トップリング31Cと、研磨液供給ノズル32Cと、ドレッサ33Cと、アトマイザ34Cとを備えており、第4研磨ユニット3Dは、研磨パッド10が取り付けられた研磨テーブル30Dと、トップリング31Dと、研磨液供給ノズル32Dと、ドレッサ33Dと、アトマイザ34Dとを備えている。
第1研磨ユニット3A、第2研磨ユニット3B、第3研磨ユニット3C、および第4研磨ユニット3Dは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第1研磨ユニット31Aについて説明する。
図2は、第1研磨ユニット3Aを模式的に示す斜視図である。トップリング31Aは、トップリングシャフト36に支持されている。研磨テーブル30Aの上面には研磨パッド10が貼付されており、この研磨パッド10の上面はウェハWを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド10に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング31Aおよび研磨テーブル30Aは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成さ
れている。ウェハWは、トップリング31Aの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル32Aから研磨パッド10の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハWがトップリング31Aにより研磨面に押圧されて研磨される。
次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図1に示すように、第1研磨ユニット3Aおよび第2研磨ユニット3Bに隣接して、第1リニアトランスポータ6が配置されている。この第1リニアトランスポータ6は、研磨ユニット3A,3Bが配列する方向に沿った4つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第1搬送位置TP1、第2搬送位置TP2、第3搬送位置TP3、第4搬送位置TP4とする)の間でウェハを搬送する機構である。
また、第3研磨ユニット3Cおよび第4研磨ユニット3Dに隣接して、第2リニアトランスポータ7が配置されている。この第2リニアトランスポータ7は、研磨ユニット3C,3Dが配列する方向に沿った3つの搬送位置(ロード/アンロードユニット側から順番に第5搬送位置TP5、第6搬送位置TP6、第7搬送位置TP7とする)の間でウェハを搬送する機構である
ウェハは、第1リニアトランスポータ6によって研磨ユニット3A,3Bに搬送される。第1研磨ユニット3Aのトップリング31Aは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第2搬送位置TP2との間を移動する。したがって、トップリング31Aへのウェハの受け渡しは第2搬送位置TP2で行われる。同様に、第2研磨ユニット3Bのトップリング31Bは研磨位置と第3搬送位置TP3との間を移動し、トップリング31Bへのウェハの受け渡しは第3搬送位置TP3で行われる。第3研磨ユニット3Cのトップリング31Cは研磨位置と第6搬送位置TP6との間を移動し、トップリング31Cへのウェハの受け渡しは第6搬送位置TP6で行われる。第4研磨ユニット3Dのトップリング31Dは研磨位置と第7搬送位置TP7との間を移動し、トップリング31Dへのウェハの受け渡しは第7搬送位置TP7で行われる。
第1搬送位置TP1には、搬送ロボット22からウェハを受け取るためのリフタ11が配置されている。ウェハはこのリフタ11を介して搬送ロボット22から第1リニアトランスポータ6に渡される。リフタ11と搬送ロボット22との間に位置して、シャッタ(図示せず)が隔壁1aに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット22からリフタ11にウェハが渡されるようになっている。また、第1リニアトランスポータ6と、第2リニアトランスポータ7と、洗浄ユニット4との間にはスイングトランスポータ12が配置されている。このスイングトランスポータ12は、第4搬送位置TP4と第5搬送位置TP5との間を移動可能なハンドを有しており、第1リニアトランスポータ6から第2リニアトランスポータ7へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ12によって行われる。ウェハは、第2リニアトランスポータ7によって第3研磨ユニット3Cおよび/または第4研磨ユニット3Dに搬送される。また、研磨ユニット3で研磨されたウェハはスイングトランスポータ12を経由して洗浄ユニット4に搬送される。
図3はリフタ11の構造を示す斜視図である。リフタ11は、搬送ロボット22(図1参照)のアームがアクセスできる位置に配置されている。リフタ11は、ウェハが載置される載置ステージ150と、載置ステージ150を支持するサポートシャフト151と、載置ステージ150を上下動させる昇降駆動機構152とを備えている。昇降駆動機構152としてはボールねじを備えたモータ駆動機構や、エアシリンダなどが用いられる。載置ステージ150は第1搬送位置TP1に位置している。載置ステージ150の上面には4つのピン153が設けられており、ウェハWはこれらピン153の上に載置される。搬送ロボット22の下側のアームは、その軸心回りに180度回転することでウェハを反転
させた後、そのウェハをリフタ11の載置ステージ150上に載置するようになっている。図3は、反転させられたウェハWを示している。本実施形態では、搬送ロボット22のアームが反転機としても機能するので、従来必要であった反転機を不要とすることができる。したがって、リフタがウェハWを受け取った後のウェハWを反転させる工程を省略でき、処理全体のスループットを向上させることができる。
第1搬送位置TP1にある第1リニアトランスポータ6の搬送ステージ122aと、リフタ11の載置ステージ150とは、同じ垂直軸上に沿って配列されている。図3に示すように、垂直方向から見たときに、搬送ステージ122aと載置ステージ150とは互いに重ならない形状を有している。より具体的には、第1リニアトランスポータ6の搬送ステージ122aには、リフタ11の載置ステージ150を通過させる切り欠き155が形成されている。この切り欠き155は載置ステージ150よりもやや大きく形成されている。
リフタ11は、搬送ロボット22のアームによって反転されたウェハWを、載置ステージ150を上昇させた位置で受け取り、その後載置ステージ150が昇降駆動機構152に駆動されて下降する。載置ステージ150が第1リニアトランスポータ6の搬送ステージ122aを通過するとき、ウェハWのみが搬送ステージ122a上に載置され、載置ステージ150は所定の停止位置まで下降を続ける。これにより、ウェハWがリフタ11から第1リニアトランスポータ6に受け渡される。本実施形態では、搬送ロボット22のアームが反転機としても機能するので、従来必要であった反転機を不要とすることができる。したがって、搬送ロボット22から第1リニアトランスポータ6に搬送されるときに行われるウェハの受け渡しの回数を減らすことができ、ウェハの受け渡しのミスや受け渡し時間を減らすことができる。
リフタ11のサポートシャフト151は逆L字型の形状を有しており、その垂直部分は載置ステージ150の外側に位置している。すなわち、リフタ11を垂直方向から見たときに、載置ステージ150とサポートシャフト151の垂直部分とは互いに重ならない位置にある。さらに、サポートシャフト151は、第1リニアトランスポータ6の搬送ステージの走行路から外れた位置にある。したがって、リフタ11の載置ステージ150の上下方向の位置に関係なく、第1リニアトランスポータ6の搬送ステージは第1搬送位置TP1に進入することができ、スループットを上げることができる。
図4はスイングトランスポータ12の構造を示す斜視図である。スイングトランスポータ12は、基板処理装置のフレーム160に設置されており、垂直方向に延びるリニアガイド161と、リニアガイド161に取り付けられたスイング機構162と、スイング機構162を垂直方向に移動させる駆動源としての昇降駆動機構165とを備えている。この昇降駆動機構165としては、サーボモータとボールねじを有するロボシリンダなどを採用することができる。スイング機構162にはスイングアーム166を介して反転機構167が連結されている。さらに反転機構167にはウェハWを把持する把持機構170が連結されている。スイングトランスポータ12の側方には、図示しないフレームに設置されたウェハWの仮置き台180が配置されている。この仮置き台180は、図1に示すように、第1リニアトランスポータ6に隣接して配置されており、第1リニアトランスポータ6と洗浄ユニット4との間に位置している。
スイングアーム166は、スイング機構162の図示しないモータの駆動により該モータの回転軸を中心として旋回するようになっている。これにより、反転機構167および把持機構170が一体的に旋回運動し、把持機構170は、第4搬送位置TP4、第5搬送位置TP5、および仮置き台180の間を移動する。
把持機構170は、ウェハWを把持する一対の把持アーム171を有している。それぞれの把持アーム171の両端には、ウェハWの外周縁を把持するチャック172が設けられている。これらのチャック172は把持アーム171の両端から下方に突出して設けられている。さらに把持機構170は、一対の把持アーム171をウェハWに近接および離間する方向に移動させる開閉機構173を備えている。
ウェハWを把持する場合には、把持アーム171を開いた状態で、把持アーム171のチャック172がウェハWと同一平面内に位置するまで把持機構170を昇降駆動機構165により下降させる。そして、開閉機構173を駆動して把持アーム171を互いに近接する方向に移動させ、把持アーム171のチャック172でウェハWの外周縁を把持する。この状態で、昇降駆動機構165により把持アーム171を上昇させる。
反転機構167は、把持機構170に連結された回転軸168と、この回転軸168を回転させるモータ(図示せず)とを有している。モータにより回転軸168を駆動させることにより、把持機構170は、その全体が180度回転し、これにより把持機構170に把持されたウェハWが反転する。このように、把持機構170全体が反転機構167により反転するので、従来必要であった把持機構と反転機構との間のウェハの受け渡しを省くことができる。なお、ウェハWを第4搬送位置TP4から第5搬送位置TP5に搬送するときは、反転機構167はウェハWを反転させず、被研磨面が下を向いた状態でウェハWが搬送される。一方、ウェハWを第4搬送位置TP4または第5搬送位置TP5から仮置き台180に搬送するときは、研磨された面が上を向くように反転機構167によってウェハWが反転させられる。
仮置き台180は、ベースプレート181と、このベースプレート181の上面に固定された複数の(図4では2本の)垂直ロッド182と、ベースプレート181の上面に固定された1つの逆L字型の水平ロッド183とを有している。水平ロッド183は、ベースプレート181の上面に接続された垂直部183aと、この垂直部183aの上端から把持機構170に向かって水平に延びる水平部183bとを有している。水平部183bの上面にはウェハWを支持するための複数の(図4では2つの)ピン184が設けられている。垂直ロッド182の上端にも、ウェハWを支持するためのピン184がそれぞれ設けられている。これらのピン184の先端は同一水平面内に位置している。水平ロッド183は、垂直ロッド182よりもウェハWの旋回移動の中心(すなわち、スイング機構162のモータの回転軸)に近い位置に配置されている。
反転機構167により反転させられた把持機構170は、ウェハWを把持したまま、水平ロッド183の水平部183bとベースプレート181との間の隙間に進入し、全てのピン184がウェハWの下方に位置したときに、スイング機構162による把持機構170の旋回が停止される。この状態で把持アーム171を開くことでウェハWが仮置き台180に載置される。仮置き台180に載置されたウェハWは、次に説明する、洗浄ユニット4の搬送ロボットによって洗浄ユニット4に搬送される。
<洗浄ユニット>
図5(a)は洗浄ユニット4を示す平面図であり、図5(b)は洗浄ユニット4を示す側面図である。図5(a)および図5(b)に示すように、洗浄ユニット4は、第1洗浄室190と、第1搬送室191と、第2洗浄室192と、第2搬送室193と、乾燥室194とに区画されている。第1洗浄室190内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール201Aおよび下側一次洗浄モジュール201Bが配置されている。上側一次洗浄モジュール201Aは下側一次洗浄モジュール201Bの上方に配置されている。同様に、第2洗浄室192内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール202Aおよび下側二次洗浄モジュール202Bが配置されている。上側二次洗浄モジュ
ール202Aは下側二次洗浄モジュール202Bの上方に配置されている。一次および二次洗浄モジュール201A,201B,202A,202Bは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次および二次洗浄モジュール201A,201B,202A,202Bは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
上側二次洗浄モジュール202Aと下側二次洗浄モジュール202Bとの間には、ウェハの仮置き台203が設けられている。乾燥室194内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール205Aおよび下側乾燥モジュール205Bが配置されている。これら上側乾燥モジュール205Aおよび下側乾燥モジュール205Bは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール205Aおよび下側乾燥モジュール205Bの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール205A,205B内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット207,207が設けられている。上側一次洗浄モジュール201A、下側一次洗浄モジュール201B、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202B、仮置き台203、上側乾燥モジュール205A、および下側乾燥モジュール205Bは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
第1搬送室191には、上下動可能な第1搬送ロボット(搬送機構)209が配置され、第2搬送室193には、上下動可能な第2搬送ロボット210が配置されている。第1搬送ロボット209および第2搬送ロボット210は、縦方向に延びる支持軸211,212にそれぞれ移動自在に支持されている。第1搬送ロボット209および第2搬送ロボット210は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸211,212に沿って上下に移動自在となっている。第1搬送ロボット209は、搬送ロボット22と同様に、上下二段のハンドを有している。第1搬送ロボット209は、図5(a)の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台180にアクセス可能な位置に配置されている。第1搬送ロボット209の下側のハンドが仮置き台180にアクセスするときには、隔壁1bに設けられているシャッタ(図示せず)が開くようになっている。
第1搬送ロボット209は、仮置き台180、上側一次洗浄モジュール201A、下側一次洗浄モジュール201B、仮置き台203、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202Bの間でウェハWを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ(スラリーが付着しているウェハ)を搬送するときは、第1搬送ロボット209は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第2搬送ロボット210は、上側二次洗浄モジュール202A、下側二次洗浄モジュール202B、仮置き台203、上側乾燥モジュール205A、下側乾燥モジュール205Bの間でウェハWを搬送するように動作する。第2搬送ロボット210は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、1つのハンドのみを備えている。図1に示す搬送ロボット22は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール205Aまたは下側乾燥モジュール205Bからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット22の上側ハンドが乾燥モジュール205A,205Bにアクセスするときには、隔壁1aに設けられているシャッタ(図示せず)が開くようになっている。
<ウェハWの受け渡しテスト>
次に、各ユニットにおけるウェハWの受け渡しテストについて説明する。本実施形態では、洗浄ユニット4及びロード/アンロードユニット2のそれぞれにおいてユニット単体でウェハWの受け渡しテストが行われ、研磨ユニット3においてはウェハWの受け渡しテストは行われない。研磨ユニット3は、上述のように、ロード/アンロードユニット2の搬送ロボットからリフタ11にウェハWを渡されたり、仮置き台180に置いたウェハWを洗浄ユニット4の搬送ロボットによって取られたり、ウェハWの受け渡しに関しては受動的なユニットとなるからである。なお、基板処理装置における本稼働前の立ち上げ(テ
スト)には様々なものがあるが、ここでは、ユニット間のウェハWの受け渡しテストのみについて説明する。
<洗浄ユニットにおけるウェハWの受け渡しテスト>
まず、洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストについて説明する。図6は、洗浄ユニット4の制御部5に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
図6に示すように、ユニット制御盤50は、AC/DCコンバータ51、HMIPC(Human Machine Interface Personal Computer)52、FS(File Server)PC53、及びHUB54を備える。また、ユニット制御盤50は、CPU55,59、CC−Link(登録商標)56,57,61、DeviceNet(登録商標)58、4つのMP63、I/O64,66、Safety PLC(Programmable Logic Controller)65、EMO(EMergency Off)80を備える。
AC/DCコンバータ51は、外部のAC電源70から供給されるAC200VをDC24Vへ変換する。AC電源70から送られたAC200Vは、洗浄ユニット4における搬送ロボット等のドライバ、CPU55,59等へ供給され、AC/DCコンバータ51から出力されるDC24Vは、I/O64,66等へ供給される。
HMIPC52は、ウェハWの受け渡しテスト等に関する指令を入力するためのPC80との間のインターフェースとなり、PC80から出力された指令信号を受信してFSPC53、CPU55,59等へ出力する。
FSPC53は、洗浄ユニット4に関する各種ログ管理を行う。HMIPC52、FSPC53、CPU55,59、及びMP63は相互に、HUB54(集線装置)を介してEthernet(登録商標)によって接続される。また、HMIPC52、CPU55,59は相互に、CC−Link56,57,61を介してCC−Link IE(登録商標)によって接続される。EMO80は、基板処理装置を緊急停止させるためのボタンである。
CPU55は、洗浄ユニット4におけるウェハWの搬送処理、ウェハWの洗浄処理、及びウェハWの乾燥処理などの各種制御を行うためのユニットである。また、CPU(テスト制御部)59は、HMIPC52と協働して、洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストに関する制御を行う。CPU59は、例えば、ユニット制御盤50が設けられた洗浄ユニット4が研磨ユニット3(他のユニット)と組み立てられていない状態において、洗浄ユニット4の外部に設置された基板置き台を用いて、洗浄ユニット4における基板の受け渡しテストを行う。なお、以下では、CPU59が洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストに関する制御を行う一例を示すが、CPU55がウェハWの受け渡しテストに関する制御を行うようにすることもできる。
CPU55は、モーションコントローラである4つのMP63、及び入出力インターフェースであるI/O64と接続される。また、CPU55は、例えば水漏れ等の不具合が生じた場合に洗浄ユニット4の動作を停止させるSafety PLC65を介してI/O66と接続される。
次に、洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストに関するオペレーションフローについて説明する。図7は、洗浄ユニットにおけるウェハの受け渡しテストに関するオペレーションフローを示す図である。図8は、洗浄ユニットに対してウェハの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。図9は、洗浄ユニットにお
けるウェハの受け渡しテストの際の入出力インターフェースを模式的に示す図である。
図7に示すように、ウェハWの受け渡しテストでは、まず、搬送スタート位置にウェハWをセットする(ステップS101)。ここで、洗浄ユニット4と研磨ユニット3とが組み立てられているとしたら、洗浄ユニット4におけるウェハWの搬送スタート位置は、仮置き台180となる。しかしながら、仮置き台180は、研磨ユニット3に組み込まれるモジュールであるから、洗浄ユニット4単体でウェハWの受け渡しテストを行う場合には存在しない。そこで、本実施形態では、洗浄ユニット4単体でウェハWの受け渡しテストを行う際に、仮置き台180の代用として、受け渡しテスト用治具4000が設置される。受け渡しテスト用治具4000は、フレーム4100と、基板置き台4200と、を含む。
図8に示すように、基板置き台4200は、フレーム4100の上に設置される。基板置き台4200は、洗浄ユニット4と研磨ユニット3(他のユニット)とが組み立てられた場合に洗浄ユニット4と研磨ユニット3との間でウェハWの受け渡しを行う際に用いられる研磨ユニット3の仮置き台180(基板受け渡し部)が位置する場所に、ウェハWの受け渡しテスト用として設置される。フレーム4100は、基板置き台4200が適正な位置に設置されるように調整されている。
ウェハWの受け渡しテストでは、次に、ウェハWをセットしたモジュールにウェハW情報を作成する(ステップS102)。続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、搬送するユニット(洗浄ユニット4)の全モジュールで搬送準備を実行する(ステップS103)。具体的には、図9に示す、PC80のウェハWの受け渡しテスト用の画面において、ユーザは、ウェハWの受け渡しテストに関する各種指示を行うとともに、ウェハWの動きをモニタする。洗浄ユニット4における搬送準備は、H.P.ボタン85をクリックすることによって搬送準備を指示する。なお、PC80のウェハWの受け渡しテスト用の画面から入力される指示信号は、HMIPC52を介してユニット制御盤50の各ブロックへ出力される。
続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、搬送画面でシナリオを選択する(ステップS104)。具体的には、図9に示す、PC80のウェハWの受け渡しテスト用の画面において、シナリオボタン81をクリックすることによってシナリオを選択する。
続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、搬送画面からシナリオスタート位置を選択する(ステップS105)。例えば、あるシナリオが選択された場合、図9の例のように、ウェハWの搬送ルート87が(1)〜(15)のブロックで示される。(1)〜(15)のブロックは、ウェハWがどのようなルートで搬送されるかを示している。ステップS105では、(1)〜(15)のブロックのいずれかを選択することによって、どこからウェハWの搬送をスタートするかを選択する。
続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、搬送画面にシナリオ繰り返し回数を入力する(ステップS106)。具体的には、図9に示す、PC80のウェハWの受け渡しテスト用の画面において、繰り返し回数入力欄82にシナリオの繰り返し回数を入力する。
続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、搬送画面のStartボタンをクリックし、搬送をスタートする(ステップS107)。具体的には、図9に示す、PC80のウェハWの受け渡しテスト用の画面において、Startボタン83をクリックすることによってウェハWの搬送をスタートする。ウェハWの搬送が開始されたら、ウェハWの実際の動きに応じて、図9におけるモニタ領域88でウェハWを模した画像が動くようになっている。
続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、ウェハWの受け渡しテストを実行しているユニット(この場合は洗浄ユニット4)に重故障が発生したか否かを判定する(ステップS108)。ウェハWの受け渡しテストを実行しているユニットに重故障が発生していないと判定された場合(ステップS108,No)、ウェハWの搬送を通常通り行って処理を終了する。
一方、ウェハWの受け渡しテストでは、ウェハWの受け渡しテストを実行しているユニットに重故障が発生していると判定された場合(ステップS108,Yes)、ウェハWの搬送を停止する(ステップS109)。続いて、ユニットの重故障に対処して重故障から復帰したら故障を解除する(ステップS110)。続いて、ウェハWの受け渡しテストでは、ウェハWの搬送準備を実行し(ステップS111)、ステップS105へ戻って処理を繰り返す。
次に、ウェハWの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローについて説明する。図10は、ウェハWの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローを示す図である。
シナリオ実行フローでは、まず、CPU59は、スタート条件が成立しているか否かを判断する(ステップS201)。具体的には、CPU59は、スタート位置にウェハWが設置されているか、ステップS102におけるウェハWの情報が入力されているか、洗浄ユニット4に故障がないか、などを判定し、これらの条件が満たされていれば、スタート条件が成立していると判定する。CPU59は、スタート条件が成立していないと判定した場合には(ステップS201,No)、処理を終了する。
一方、CPU59は、スタート条件が成立していると判定した場合には(ステップS201,Yes)、シナリオをスタートする(ステップS202)。具体的には、図7におけるフローが実行されることによって、シナリオがスタートする。
続いて、CPU59は、ブロック処理をスタートする(ステップS203)。具体的には、PC80からHMIPC52へ送信された各種の指示信号(コマンド)がCPU59へ送られ、CPU59によって、ウェハWの搬送テストが行われる。CPU59は、基板置き台4200に載置されたウェハWを、搬送ロボットによって受け取って洗浄ユニット4内に搬送することによってウェハWの受け渡しテストを行う。
続いて、CPU59は、コマンド受付許可信号がONになっているか否かを判定する(ステップS204)。CPU59は、コマンド受付許可信号がONになっていないと判定した場合には(ステップS204,No)、コマンドの受付を行うことができないので、処理を終了する。
一方、CPU59は、コマンド受付許可信号がONになっていると判定した場合には(ステップS204,Yes)、現在のブロックがシナリオの最後のブロックであるか否かを判定する(ステップS205)。CPU59は、現在のブロックがシナリオの最後のブロックではないと判定した場合には(ステップS205,No)、ステップS203へ戻って処理を繰り返す。
CPU59は、現在のブロックがシナリオの最後のブロックであると判定した場合には(ステップS205,Yes)、シナリオ実行回数≧設定回数であるか否かを判定する(ステップS206)。これは、シナリオを実際に実行した回数が、ステップS106で入力したシナリオ繰り返し回数に達したか否かを判定するステップである。
CPU59は、シナリオ実行回数≧設定回数ではないと判定した場合には(ステップS206,No)、ステップS203へ戻って、最初のブロックから処理を繰り返す。CPU59は、シナリオ実行回数≧設定回数であると判定した場合には(ステップS206,Yes)、処理を終了する。
以上のように、本実施形態によれば、洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストを行う際に、仮置き台180の代用として、受け渡しテスト用治具4000(基板置き台4200)を設置するので、洗浄ユニット4単体でもウェハWの受け渡しテストを行うことができる。洗浄ユニット4単体でウェハWの受け渡しテストを行うことによって、仮に受け渡しテストに問題が生じた場合であっても迅速に問題に対応することができる。洗浄ユニット4単体でのウェハWの受け渡しテストをクリアした上で、洗浄ユニット4、研磨ユニット3、及びロード/アンロードユニット2を組み立てるので、これら複数のユニット間における基板の受け渡しテストも迅速にクリアすることができ、作業効率を高めることができる。
<ロード/アンロードユニットにおけるウェハWの受け渡しテスト>
次に、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストについて説明する。図11は、ロード/アンロードユニット2に含まれるユニット制御盤の構成を示す図である。
図11に示すように、ロード/アンロードユニット2には、ウェハWの受け渡しテストのために設けられたユニット制御盤220と、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの搬送等の各種処理を行うために元々設けられているEFEM(Equipment Front End Module)盤240と、を備える。
ユニット制御盤220は、AC/DCコンバータ221、HMIPC222、FSPC223、及びHUB224を備える。また、ユニット制御盤50は、CPU225、CC−Link226,227、CPU228、CC−Link229、DeviceNet231、Safety PLC232、及びEMO270を備える。
EFEM盤240は、CPU241、CC−Link242,243、RS232C244〜247、I/O248,251、Robot(搬送ロボット)249、及びFoup252〜255を備える。
AC/DCコンバータ221は、外部のAC電源250から供給されるAC200VをDC24Vへ変換する。AC電源250から送られたAC200Vは、ロード/アンロードユニット2におけるRobot249、FOUP252〜255、CPU225,228,241、Safety PLC232等へ供給され、AC/DCコンバータ221から出力されるDC24Vは、I/O248,251等へ供給される。
HMIPC222は、ウェハWの受け渡しテスト等に関する指令を入力するためのPC280との間のインターフェースとなり、PC280から出力された指令信号を受信してFSPC223、CPU225,228,241等へ出力する。
FSPC223は、ロード/アンロードユニット2に関する各種ログ管理を行う。HMIPC222、FSPC223、及びCPU225,228,241は相互に、HUB224(集線装置)を介してEthernet(登録商標)によって接続される。また、HMIPC222、CPU225,228は相互に、CC−Link226,229を介してCC−Link IE(登録商標)によって接続される。また、CPU225とCPU241、CPU241とI/O251、I/O251とRobot249は、CC−Li
nk227,242,243を介してCC−Link(登録商標)によって接続される。EMO270は、基板処理装置を緊急停止させるためのボタンである。
CPU241は、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの搬送処理などの各種制御を行うためのユニットである。また、CPU(テスト制御部)225は、HMIPC222と協働して、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストに関する制御を行う。CPU225は、例えば、ユニット制御盤220が設けられたロード/アンロードユニット2が研磨ユニット3及び洗浄ユニット4(他のユニット)と組み立てられていない状態において、ロード/アンロードユニット2の外部に設置された基板置き台を用いて、ロード/アンロードユニット2における基板の受け渡しテストを行う。
CPU228は、Safety PLC232とCPU225との間のインターフェースの役割を果たす。CPU228は、例えば水漏れ等の不具合が生じた場合にロード/アンロードユニット2の動作を停止させるSafety PLC232を介してDevice Net(登録商標)によってI/O248と接続される。また、CPU241は、RS232C244〜247を介してFOUP252〜255と接続される。
ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストに関するオペレーションフローは、基本的には、図7で示した、洗浄ユニット4の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。また、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストの際の入出力インターフェースは、ウェハWの搬送ルート87及びモニタ領域88がロード/アンロードユニット2に対応するものに置き換わる以外は、図9で示した、洗浄ユニット4の同様であるので、説明を省略する。さらに、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストにおけるシナリオ実行フローは、図10で示した、洗浄ユニット4の場合と同様であるので、詳細な説明を省略する。
以下、洗浄ユニット4におけるウェハWの受け渡しテストと異なる部分を説明する。図12は、ロード/アンロードユニット2に対してウェハWの受け渡しテスト用の基板置き台を設置した様子を模式的に示す図である。
ロード/アンロードユニット2と、洗浄ユニット4と、研磨ユニット3とが組み立てられているとしたら、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの搬送スタート位置は、上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205Bとなり、ウェハWの搬送先は、リフタ11となる。しかしながら、上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205Bは、洗浄ユニット4に組み込まれるモジュールであり、リフタ11は、研磨ユニット3に組み込まれるモジュールであるから、ロード/アンロードユニット2単体でウェハWの受け渡しテストを行う場合には存在しない。そこで、本実施形態では、ロード/アンロードユニット2単体でウェハWの受け渡しテストを行う際に、上側乾燥モジュール205A、下側乾燥モジュール205B、及びリフタ11の代用として、受け渡しテスト用治具2000が設置される。受け渡しテスト用治具2000は、フレーム2100と、基板置き台2200,2300,2400と、を含む。
図12に示すように、基板置き台2200,2300,2400は、フレーム2100に支持されて設置される。基板置き台2300,2400は、ロード/アンロードユニット2と洗浄ユニット4(他のユニット)とが組み立てられた場合にロード/アンロードユニット2と洗浄ユニット4との間でウェハWの受け渡しを行う際に用いられる洗浄ユニット4の上側乾燥モジュール205A及び下側乾燥モジュール205B(基板受け渡し部)が位置する場所に、ウェハWの受け渡しテスト用として設置される。また、基板置き台2200は、ロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3(他のユニット)とが組み立てられた場合にロード/アンロードユニット2と研磨ユニット3との間でウェハWの受け
渡しを行う際に用いられる研磨ユニット3のリフタ11(基板受け渡し部)が位置する場所に、ウェハWの受け渡しテスト用として設置される。フレーム2100は、基板置き台2200,2300,2400が適正な位置に設置されるように調整されている。
CPU225は、ロード/アンロードユニット2内に設置されたウェハWを、ロード/アンロードユニット2内に設けられたウェハWの搬送機構(搬送ロボット)によって基板置き台2200まで搬送して基板置き台2200に載置するとともに、基板置き台2300,2400に載置されたウェハWを、搬送機構(搬送ロボット)によって受け取ってロード/アンロードユニット2内に搬送する、ことによってウェハWの受け渡しテストを行う。
以上のように、本実施形態によれば、ロード/アンロードユニット2におけるウェハWの受け渡しテストを行う際に、上側乾燥モジュール205A、下側乾燥モジュール205B、及びリフタ11の代用として、受け渡しテスト用治具2000(基板置き台2200,2300,2400)を設置するので、ロード/アンロードユニット2単体でもウェハWの受け渡しテストを行うことができる。ロード/アンロードユニット2単体でウェハWの受け渡しテストを行うことによって、仮に受け渡しテストに問題が生じた場合であっても迅速に問題に対応することができる。ロード/アンロードユニット2単体でのウェハWの受け渡しテストをクリアした上で、洗浄ユニット4、研磨ユニット3、及びロード/アンロードユニット2を組み立てるので、これら複数のユニット間における基板の受け渡しテストも迅速にクリアすることができ、作業効率を高めることができる。
2 ロード/アンロードユニット
3 研磨ユニット
4 洗浄ユニット
5 制御部
11 リフタ
22 搬送ロボット
50 ユニット制御盤
59,225 CPU(テスト制御部)
180 仮置き台
205A 上側乾燥モジュール
205B 下側乾燥モジュール
220 ユニット制御盤
2000,4000 テスト用治具
2100,4100 フレーム
2200,2300,2400,4200 基板置き台
W ウェハ

Claims (19)

  1. 組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも1つのユニットに設けられたユニット制御盤であって、
    前記ユニット制御盤が設けられたユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、該ユニットの外部に設置された基板置き台を用いて、該ユニットにおける基板の受け渡しテストを行うテスト制御部を備え、
    前記テスト制御部は、予め設定された前記基板を搬送する複数の搬送ルートの中から選択された搬送ルートに基づき、かつ、前記選択された搬送ルートを細分化した複数のブロックの中から選択されたブロックを始点として前記基板受け渡しテストを開始し、設定された繰り返し回数に基づいて前記選択された搬送ルートでの前記基板の受け渡しテストを繰り返す、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  2. 請求項1のユニット制御盤において、
    前記テスト制御部は、前記ユニット内に設置された基板を、前記ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  3. 請求項1又は2のユニット制御盤において、
    前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項のユニット制御盤において、
    前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットに設けられ、
    前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
    前記洗浄ユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって前記基板の受け渡しテストを行う、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項のユニット制御盤において、
    前記ユニット制御盤は、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード/アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード/アンロードユニットに設けられ、
    前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
    前記ロード/アンロードユニットに設けられたユニット制御盤のテスト制御部は、前記ロード/アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード/アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード/アンロードユニット内に搬送する、ことによって前記基板の受け渡しテストを行う、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項のユニット制御盤において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックでないと判断した場合は、次のブロックへ基板を搬送する、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  7. 請求項1〜5のいずれか1項のユニット制御盤において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックであると判断した場合は、
    前記設定された繰り返し回数と現在の基板の受け渡し回数とを比較し、現在の基板の受け渡し回数が前記設定された繰り返し回数未満だった場合、基板の受け渡しテストを繰り返す、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  8. 請求項1〜5のいずれか1項のユニット制御盤において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックであると判断した場合は、
    前記設定された繰り返し回数と現在の基板の受け渡し回数とを比較し、現在の基板の受け渡し回数が前記設定された繰り返し回数以上だった場合、基板の受け渡しテストを終了
    させる、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項のユニット制御盤において、
    前記ユニット制御盤が設けられたユニットに重故障が発生したか否かを判定し、重故障が発生したと判定した場合、基板の受け渡しテストを停止し、重故障が発生していないと判断した場合、基板の受け渡しテストを継続させる、
    ことを特徴とするユニット制御盤。
  10. 組み立てられた複数のユニット間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置の、少なくとも1つのユニットにおける基板の受け渡しテスト方法であって、
    前記少なくとも1つのユニットが他のユニットと組み立てられていない状態において、前記少なくとも1つのユニットの外部に、基板置き台を設置し、
    前記基板置き台を用いて、前記少なくとも1つのユニットにおける前記基板の受け渡しテストを行い、
    前記基板の受け渡しテストは、予め設定された前記基板を搬送する複数の搬送ルートの中から選択された搬送ルートに基づき、かつ、前記選択された搬送ルートを細分化した複数のブロックの中から選択されたブロックを始点として前記基板受け渡しテストを開始し、設定された繰り返し回数に基づいて前記選択された搬送ルートでの前記基板の受け渡しテストを繰り返す、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  11. 請求項10の基板の受け渡しテスト方法において、
    前記基板の受け渡しテストは、前記少なくとも1つのユニット内に設置された基板を、前記少なくとも1つのユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するか、又は、前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記少なくとも1つのユニット内に搬送する、ことによって行われる、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  12. 請求項10又は11の基板の受け渡しテスト方法において、
    前記基板置き台は、前記ユニットと前記他のユニットとが組み立てられた場合に前記ユニットと前記他のユニットとの間で基板の受け渡しを行う際に用いられる前記他のユニットの基板受け渡し部が位置する場所に、基板の受け渡しテスト用として設置される、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  13. 請求項10〜12のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行い研磨後の基板を仮置き台に載置する研磨ユニットと、前記仮置き台に載置された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、を含む基板処理装置の、前記洗浄ユニットにおいて行われ、
    前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記洗浄ユニットとが組み立てられた場合に前記仮置き台が位置する場所に、前記仮置き台の代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
    前記基板の受け渡しテストは、前記基板置き台に載置された基板を、前記洗浄ユニット内に設けられた基板の搬送機構によって受け取って前記洗浄ユニット内に搬送することによって行われる、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  14. 請求項10〜13のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    前記基板の受け渡しテストは、前記基板の研磨を行う研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄ユニットと、前記研磨ユニット内のリフタに基板をロードするとともに前記洗浄ユニット内の基板の乾燥モジュールに載置された基板をアンロードするロード/アンロードユニットと、を含む基板処理装置の、前記ロード/アンロードユニットにおいて行われ、
    前記基板置き台は、前記研磨ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記リフタが位置する場所に、前記リフタの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置されるとともに、前記洗浄ユニットと前記ロード/アンロードユニットとが組み立てられた場合に前記乾燥モジュールが位置する場所に、前記乾燥モジュールの代わりに前記基板の受け渡しテスト用として設置され、
    前記基板の受け渡しテストは、前記ロード/アンロードユニット内に設置された基板を、前記ロード/アンロードユニット内に設けられた基板の搬送機構によって前記リフタの代わりに設置された前記基板置き台まで搬送して前記基板置き台に載置するとともに、前記乾燥モジュールの代わりに設置された前記基板置き台に載置された基板を、前記搬送機構によって受け取って前記ロード/アンロードユニット内に搬送する、ことによって行われる、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  15. 請求項10〜14のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックでないと判断した場合は、次のブロックへ基板を搬送する、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  16. 請求項10〜14のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックであると判断した場合は、
    前記設定された繰り返し回数と現在の基板の受け渡し回数とを比較し、現在の基板の受け渡し回数が前記設定された繰り返し回数未満だった場合、基板の受け渡しテストを繰り返す、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  17. 請求項10〜14のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    搬送中の基板における現在のブロックが前記選択された搬送ルートの最後のブロックであるか否かを判定し、最後のブロックであると判断した場合は、
    前記設定された繰り返し回数と現在の基板の受け渡し回数とを比較し、現在の基板の受け渡し回数が前記設定された繰り返し回数以上だった場合、基板の受け渡しテストを終了させる、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  18. 請求項10〜17のいずれか1項の基板の受け渡しテスト方法において、
    記ユニットに重故障が発生したか否かを判定し、重故障が発生したと判定した場合、基板の受け渡しテストを停止し、重故障が発生していないと判断した場合、基板の受け渡しテストを継続させる、
    ことを特徴とする基板の受け渡しテスト方法。
  19. 請求項1〜9のいずれか1項のユニット制御盤を有するユニットと、
    前記ユニットと組み立てられる他のユニットと、を備え、
    前記組み立てられたユニットと他のユニットと間で基板の受け渡しを行いながら前記基板に対する処理を行う基板処理装置。
JP2013188073A 2013-09-11 2013-09-11 ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置 Active JP6216193B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013188073A JP6216193B2 (ja) 2013-09-11 2013-09-11 ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置
US14/483,096 US9849488B2 (en) 2013-09-11 2014-09-10 Unit control panel, substrate transfer test method, and substrate processing apparatus
SG10201405644QA SG10201405644QA (en) 2013-09-11 2014-09-11 Unit control panel, substrate transfer test method, and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013188073A JP6216193B2 (ja) 2013-09-11 2013-09-11 ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015056468A JP2015056468A (ja) 2015-03-23
JP6216193B2 true JP6216193B2 (ja) 2017-10-18

Family

ID=52625792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013188073A Active JP6216193B2 (ja) 2013-09-11 2013-09-11 ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9849488B2 (ja)
JP (1) JP6216193B2 (ja)
SG (1) SG10201405644QA (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015201598A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP7176823B2 (ja) * 2018-10-09 2022-11-22 株式会社スギノマシン 洗浄装置、及び、対象物の洗浄及び乾燥方法
CN112086394A (zh) * 2020-07-30 2020-12-15 北京烁科精微电子装备有限公司 一种晶圆转移传输装置及晶圆转移传输方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5511005A (en) * 1994-02-16 1996-04-23 Ade Corporation Wafer handling and processing system
US6137303A (en) * 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
JP3369145B2 (ja) 2000-03-23 2003-01-20 株式会社東京精密 ユニット分離型研磨装置
JP2002231594A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の生産管理システム、半導体装置の生産管理方法、および半導体装置の製造方法
JP4884594B2 (ja) * 2001-03-22 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び制御方法
US6832863B2 (en) * 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP2004103761A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Renesas Technology Corp 半導体装置製造ライン
US7138629B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
JP5120018B2 (ja) * 2007-05-15 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US7741837B2 (en) * 2007-05-15 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Probe apparatus
JP5821689B2 (ja) * 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US20150071742A1 (en) 2015-03-12
US9849488B2 (en) 2017-12-26
JP2015056468A (ja) 2015-03-23
SG10201405644QA (en) 2015-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102432238B1 (ko) 기판 처리 장치
US6358128B1 (en) Polishing apparatus
JP4999487B2 (ja) 基板処理装置
US6354922B1 (en) Polishing apparatus
JP6126248B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20150314418A1 (en) Substrate polishing apparatus
JP6216193B2 (ja) ユニット制御盤、基板の受け渡しテスト方法、及び基板処理装置
KR20150120869A (ko) 기판 처리 장치
CN108064413A (zh) 用于干式处理和湿式处理的混合基板处理系统及其基板处理方法
TW201601877A (zh) 基板處理裝置
EP1738871A1 (en) Polishing apparatus
CN110600397A (zh) 用于基板输送系统的示教装置及示教方法
JP6317171B2 (ja) 昇降装置、及び、ユニット搬送方法
JP4869097B2 (ja) 基板処理装置
JP5385965B2 (ja) 基板処理装置
JP2022072570A (ja) 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置
JP6216258B2 (ja) 基板処理装置
JP2015149438A (ja) 状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法
WO2017170191A1 (ja) 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法
JP2017188642A (ja) 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法
JP2015128808A (ja) 基板処理装置の制御装置、及び基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160318

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170824

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170922

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6216193

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250