JP2015149438A - 状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減する。
【解決手段】状態報告装置５１０は、収集部５１２及び通信部５１４を備える。収集部５１２は、ＣＭＰ装置に含まれる複数の処理ユニット２，３，４それぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に処理ユニット２，３，４に設けられたセンサ２７０，３７０，４７０によって検出されたプロセスデータを収集する。通信部５１４は、収集部５１２によって収集されたプロセスデータをＣＭＰ装置の管理装置（ホストコンピュータ６００）へ送信する。プロセスが、複数の単位処理（ステップ）を含んでいる場合、通信部５１４は、単位処理の実行が終了するたびに、単位処理の実行に対応して収集部５１２によって収集された単位プロセスデータを、単位処理に関するプロセスデータとして管理装置へ送信する。
【選択図】図４

Description

本発明は、状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法に関するものである。

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットなどを備える。

基板処理装置は、ホストコンピュータとＬＡＮケーブルなどを介して接続されている。基板処理装置は、ホストコンピュータから送られる指令に基づいて、基板の研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。また、基板処理装置は、基板処理装置の状態を示すデータをホストコンピュータへ送信する。ホストコンピュータは、基板処理装置から受信したデータに基づいて基板処理装置を管理する。

基板処理装置とホストコンピュータ間の通信は、例えばＳＥＭＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）などの通信規格に準拠しているのが一般的である。例えば、基板は自動的に基板処理装置の各ユニットへ搬送され、ホストコンピュータから指示された処理条件に基づいて処理される。また、例えば、基板処理装置の状態変化をホストコンピュータに通知するために、ＳＥＭＩの通信規格にあるイベントレポートが使用される。

イベントレポートとは、基板処理装置の状態変化をホストコンピュータに報告するために使用されるものである。イベントレポートでは、例えば「プロセスが開始された」など基板処理装置の状態が変化（イベント）するたびに、基板処理装置の状態の変化がホストコンピュータへ報告される。種々の状態変化を識別するために、基板処理装置の通信仕様書には、基板処理装置が報告可能なイベントＩＤ（ＣＥＩＤ）が定義されている。また、基板処理装置の通信仕様書には、基板処理装置の状態変化に付加して報告できる変数（ＶＩＤ）が定義されている。変数（ＶＩＤ）には、例えば、キャリアＩＤやロットＩＤなど様々な情報が含まれる。

また、イベントレポートには、基板処理装置の状態や処理結果など詳細な情報を付加して報告することができる。イベントごとに付加できる内容は異なる。イベントごとに報告可能な変数（ＶＩＤ）を定義したものがレポートＩＤ（ＲＰＴＩＤ）として定義されている。イベントが発生したら、イベントにリンクされた変数（ＶＩＤ）の内容がイベントレポートとしてホストコンピュータへ報告される。

なお、イベントとレポートとを紐付けることをイベントリンクという。イベントリンクは、ＳＥＭＩの通信規格を使用して行われる。イベントリンクを実施することによって、ホストコンピュータへイベント報告する内容が決定される。ホストコンピュータへイベント報告される内容は、再度イベントリンクするまで同じ内容となる。

ここで、イベントレポートには、ＳＥＭＩで定義されている項目のほかに、基板処理装
置固有のプロセスデータ等の報告がある。例えば、基板処理装置の各ユニットには、各種データを検出するためのセンサが設けられている。基板処理装置のユニットにおいて基板処理に関するプロセスが実行された際には、センサによって検出されたデータがプロセスデータとしてホストコンピュータへ送信（報告）される。例えば、基板処理装置のあるユニットが、同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて複数回（複数ステップ）実行する場合には、従来技術では、複数ステップの実行が終了したら、各ステップにおけるプロセスデータをまとめてホストコンピュータへ報告していた。

特開２００９−１４１２８９号公報 特開２０００−２６０６７６号公報 特開２００６−９３６４１号公報

従来技術は、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することについては考慮されていない。

すなわち、近年の基板処理装置の多様化に合わせてプロセスデータは増加している。これに加え、従来技術では、ユニットが複数ステップを実行する場合に、複数ステップの実行が終了したタイミングで、各ステップにおけるプロセスデータをまとめてホストコンピュータへ報告していた。このため、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷が増大していた。

そこで、本願発明は、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することを課題とする。

本願発明の状態報告装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集部と、前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信部と、を備え、前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことを特徴とする。

また、状態報告装置の一形態において、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。

また、状態報告装置の一形態において、前記複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されており、前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。

また、状態報告装置の一形態において、前記通信部は、前記複数の単位処理のうち実行
された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことができる。

また、状態報告装置の一形態において、前記複数の単位処理は、前記処理ユニットにおいて同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて実行する複数のステップである、ことができる。

また、状態報告装置の一形態において、前記収集部は、前記基板処理装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集し、前記膜厚の測定は、前記基板の複数の測定ポイントにおける膜厚の測定を含んでおり、前記通信部は、前記複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、前記一部の膜厚の測定に対応して前記収集部によって収集された単位測定結果を、前記一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして前記管理装置へ送信する、ことができる。

また、本願発明の基板処理装置の一形態は、複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットに実行させるプロセスのレシピを入力するための操作部と、前記操作部を介して入力されたレシピを記憶するための記憶部と、前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記複数の処理ユニットに前記プロセスを実行させる制御部と、上記のいずれかの状態報告装置と、を備えることを特徴とする。

また、基板処理装置の一形態において、前記複数の処理ユニットは、基板の研磨処理を行うための研磨ユニットと、前記基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニットと、前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットと、を備えることができる。

また、本願発明の状態報告方法の一形態は、基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集ステップと、前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信ステップと、を備え、前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、前記通信ステップは、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、ことを特徴とする。

かかる本願発明によれば、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷を軽減することができる。

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３（ａ）は、洗浄ユニットを示す平面図であり、図３（ｂ）は、洗浄ユニットを示す側面図である。 図４は、状態報告装置及びＣＭＰ装置の構成を示す図である。 図５は、処理レシピの一例を示す図である。 図６は、一般的なイベントリンク時のＣＭＰ装置−ホストコンピュータ間のメッセージのやり取りを示す図である。 図７は、イベント設定（Ｓ２Ｆ３７）のメッセージフォーマットを示す図である。 図８は、レポート定義（Ｓ２Ｆ３３）のメッセージフォーマットを示す図である。 図９は、イベントリンクレポート（Ｓ２Ｆ３５）のメッセージフォーマットを示す図である。 図１０は、従来技術によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。 図１１は、本実施形態によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。 図１２は、ホストコンピュータからの要求に対するプロセスデータの報告の概略を示す図である。 図１３は、従来技術によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。 図１４は、Ｓ６Ｆ１１のメッセージフォーマットを示す図である。 図１５は、本実施形態によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。 図１６は、膜厚測定器によって測定される膜厚データを報告する状態報告装置及びＣＭＰ装置の構成を示す図である。 図１７は、従来技術による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。 図１８は、本実施形態による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る状態報告装置、基板処理装置、及び状態報告方法を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、ＣＭＰ装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、を備える基板処理装置について説明するが、これには限られない。

まず、ＣＭＰ装置の構成について説明し、その後に基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減について説明する。

＜基板処理装置＞
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、このＣＭＰ装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロードユニット２と研磨ユニット３と洗浄ユニット４とに区画されている。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理動作を制御する制御装置５を有している。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置されている。搬送ロボッ
ト２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、ＣＭＰ装置外部、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。

図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３１Ａについて説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持されている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、この研磨パッド１０の上面はウェハＷを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成され
ている。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。

次に、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。

また、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である。

ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。

＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール２０１Ａ及び下側一次洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール２０
２Ａ及び下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次及び二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次及び二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。

上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。これら上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９及び第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９及び第２搬送ロボット２１０は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

＜基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減＞
次に、基板処理装置とホストコンピュータとの間の通信負荷の軽減について説明する。

図４は、図４は、状態報告装置及びＣＭＰ装置の構成を示す図である。上述のとおり、ＣＭＰ装置には、ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、洗浄ユニット４など複数のユニットが含まれる。

ロード／アンロードユニット２には、ロード／アンロードユニット２内の複数の部品２５０−１〜２５０−ｍ（搬送ロボット２２など）の動作を制御するためのシーケンサ２６０が設けられている。また、ロード／アンロードユニット２には、ロード／アンロードユニット２の制御に関するデータを検出する複数のセンサ２７０−１〜２７０−ａが設けられている。センサ２７０−１〜２７０−ａには、例えば、搬送ロボット２２にウェハが設置されたか否かを検出するセンサなどが含まれる。

研磨ユニット３には、研磨ユニット３内の複数の部品３５０−１〜３５０−ｎ（研磨テーブル、トップリングなど）の動作を制御するためのシーケンサ３６０が設けられている。また、研磨ユニット３には、研磨ユニット３の制御に関するデータを検出する複数のセンサ３７０−１〜３７０−ｂが設けられている。センサ３７０−１〜３７０−ｂには、例えば、研磨パッド１０に供給される研磨液の流量を検出するセンサ、研磨テーブル３０の回転数を検出するセンサ、研磨テーブル３０又はトップリング３１の回転トルクを検出するセンサなどが含まれる。

洗浄ユニット４には、洗浄ユニット４内の複数の部品４５０−１〜４５０−ｐ（洗浄モジュール、搬送ロボットなど）の動作を制御するためのシーケンサ４６０が設けられている。また、洗浄ユニット４には、洗浄ユニット４の制御に関するデータを検出する複数のセンサ４７０−１〜４７０−ｃが設けられている。センサ４７０−１〜４７０−ｃには、例えば、ウェハに供給される洗浄液の流量を検出するセンサなどが含まれる。

制御装置５は、ロード／アンロードユニット２（シーケンサ２６０）、研磨ユニット３（シーケンサ３６０）、及び洗浄ユニット４（シーケンサ４６０）と接続されている。制御装置５は、状態報告装置５１０、操作部５２０、記憶部５３０、及び制御部５４０を備える。

操作部５２０は、オペレータ等が、ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４に実行させるプロセスのレシピを入力するための入力インターフェースとなる。記憶部５３０は、操作部５２０を介して入力されたレシピを記憶するための記憶媒体である。制御部５４０は、記憶部５３０に記憶されたレシピに基づいて、ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４にプロセスを実行させる指令信号を送信する。

状態報告装置５１０は、収集部５１２及び通信部５１４を備える。

収集部５１２は、ＣＭＰ装置に含まれるロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４それぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際にロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４に設けられたセンサ２７０，３７０，４７０によって検出されたプロセスデータを収集する。センサ２７０，３７０，４７０によって検出されたプロセスデータは、記憶部５３０に保存される。

通信部５１４は、ＣＭＰ装置の状態を示すデータ（一例として、収集部５１２によって収集されたプロセスデータ）をＣＭＰ装置の管理装置（ホストコンピュータ）６００へ送信する。ホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置に対して処理の指示を行うとともに、ＣＭＰ装置の状態を示すデータに基づいてＣＭＰ装置の状態を管理するための装置である。

ここで、ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４の少なくとも１つのユニットにおいて、基板処理に関するプロセスは、複数の単位処理を含んでいる場合がある。

＜レシピ例＞
この点について説明する。図５は、処理レシピの一例を示す図である。図５に示すように、処理レシピ６１０は、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４などの処理ユニットにおける機器に対する制御パラメータをステップごとに規定したものである。処理レシピ６１０は、記憶部５３０に保存される。制御部５４０は、前記処理ユニットに処理の開始を指示し、前記処理ユニットのシーケンサは、記憶部５３０に保存された処理レシピ６１０に基づいて各ユニットの動作を制御する。研磨ユニット３の処理レシピ（処理条件）の一部を例に挙げると、制御パラメータ１（例えば研磨液の単位時間当たりの流量）はステップ１では５０、ステップ２では１００となる。また、制御パラメータ２（例えばトップリング３１の回転数）はステップ１では１００、ステップ２では２００となる。また、制御パラメータ３（例えばトップリング３１の回転トルク）はステップ１では２５、ステップ２では３０となる。

なお、処理レシピ６１０は、オペレータ等によって操作部５２０を介して入力することができる。また、処理レシピ６１０は、ホストコンピュータ６００から送信することもできる。

このように、基板の研磨プロセスは、同一の処理内容（例えば、所定の研磨流量、所定のトップリング３１の回転数、及び所定のトップリング３１の回転トルク、で基板を研磨する）を異なるパラメータ（制御パラメータ）に基づいて実行する複数のステップを含む。この場合、各ステップは、単位処理であるといえる。すなわち、基板の研磨プロセスは、複数の単位処理（ステップ）を含む。

この場合、通信部５１４は、単位処理の実行が終了するたびに、単位処理の実行に対応して収集部５１２によって収集された単位プロセスデータを、単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。

具体的には、通信部５１４は、単位処理（ステップ）の実行が終了するたびに、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。

また、複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されている場合には、通信部５１４は、単位処理の実行が終了するたびに、送信フォーマットを利用して、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。さらに、通信部５１４は、複数の単位処理のうち実行された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、送信フォーマットを利用して、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。

これらの点について、以下、詳細に説明する。状態報告装置５１０とホストコンピュータ６００は、ＬＡＮケーブルなどを介して接続されており、状態報告装置５１０とホストコンピュータ６００との間の通信は、例えばＳＥＭＩなどの規格に準拠している。

＜イベントレポート＞
例えば、ＣＭＰ装置の状態変化をホストコンピュータに通知するために、ＳＥＭＩの通信規格にあるイベントレポートが使用される。イベントレポートとは、ＣＭＰ装置の状態変化をホストコンピュータ６００に報告するために使用されるものである。イベントレポートでは、例えば「プロセスが開始された」などＣＭＰ装置の状態が変化（イベント）するたびに、ＣＭＰ装置の状態の変化がホストコンピュータ６００へ報告される。種々の状
態変化を識別するために、ＣＭＰ装置の通信仕様書には、ＣＭＰ装置が報告可能なイベントＩＤ（ＣＥＩＤ）が定義されている。また、ＣＭＰ装置の通信仕様書には、ＣＭＰ装置の状態変化に付加して報告できる変数（ＶＩＤ）が定義されている。変数（ＶＩＤ）には、例えば、キャリアＩＤやロットＩＤなど様々な情報が含まれる。

また、イベントレポートには、ＣＭＰ装置の状態や処理結果など詳細な情報を付加して報告することができる。イベントごとに付加できる内容は異なる。イベントごとに報告可能な変数（ＶＩＤ）を定義したものがレポートＩＤ（ＲＰＴＩＤ）として定義されている。イベントが発生したら、イベントにリンクされた変数（ＶＩＤ）の内容がイベントレポートとしてホストコンピュータへ報告される。

＜イベントリンク＞
ここで、イベントとレポートとを紐付けることをイベントリンクという。イベントリンクは、ＳＥＭＩの通信規格を使用して行われる。イベントリンクを実施することによって、ホストコンピュータへイベント報告する内容が決定される。ホストコンピュータへイベント報告される内容は、再度イベントリンクするまで同じ内容となる。

図６は、一般的なイベントリンク時のＣＭＰ装置−ホストコンピュータ６００間のメッセージのやり取りを示す図である。まず、ホストコンピュータ６００は、イベント設定（Ｓ２Ｆ３７）を使用してイベントを無効にするメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。Ｓ２Ｆ３７メッセージフォーマットは、イベントの有効／無効を指定するためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置のイベントを無効にする。図７は、イベント設定（Ｓ２Ｆ３７）のメッセージフォーマットを示す図である。

続いて、ホストコンピュータ６００は、イベントリンクレポート（Ｓ２Ｆ３５）を使用してすべてのイベントリンクレポートを無効にするメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。これにより、ホストコンピュータ６００は、イベントに対して現在リンクされているレポート（ホストコンピュータ６００へ報告する内容）をクリアする。

続いて、ホストコンピュータ６００は、レポート作成（Ｓ２Ｆ３３）を使用してすべてのレポート定義を無効にするメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。これにより、ホストコンピュータ６００は、すべてのレポート定義をクリアする。

続いて、ホストコンピュータ６００は、レポート定義（Ｓ２Ｆ３３）を使用してレポートを定義するメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。Ｓ２Ｆ３３は、ＲＰＴＩＤにＶＩＤを紐づけるためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ６００は、レポートを作成する。図８は、レポート定義（Ｓ２Ｆ３３）のメッセージフォーマットを示す図である。

続いて、ホストコンピュータ６００は、イベントリンクレポート（Ｓ２Ｆ３５）を使用してレポートとイベントをリンクするメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。Ｓ２Ｆ３５は、ＣＥＩＤにＲＰＴＩＤを紐づけるためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ６００は、ＣＥＩＤとＲＰＴＩＤとを紐づける。図９は、イベントリンクレポート（Ｓ２Ｆ３５）のメッセージフォーマットを示す図である。

続いて、ホストコンピュータ６００は、イベント設定（Ｓ２Ｆ３７）を使用してイベントを有効にするメッセージをＣＭＰ装置へ送信する。Ｓ２Ｆ３７メッセージフォーマットは、イベントの有効／無効を指定するためのフォーマットである。これにより、ホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置のイベントを有効にする。

＜従来のイベントリンク例＞
図１０は、従来技術によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。図１０に示すように、従来技術によって作成されたイベントリンクは、１つのイベント（例えば、研磨ユニットプロセス終了報告）に対して、全てのステップ（例えば１０ステップ）の報告データを定義していた。言い換えると、従来技術によって作成されたイベントリンクは、１つのイベントに対して複数のステップの報告データを定義し、かつ、ステップごとに複数の制御パラメータを定義していた。

＜本実施形態のイベントリンク例＞
図１１は、本実施形態によって作成されたイベントリンクの一例を示す図である。図１１に示すように、本実施形態によって作成されたイベントリンクは、１つのイベント（例えば、研磨ユニットステップ報告）に対して、１つのステップの報告データ（ステップ報告データ）が定義される。言い換えると、本実施形態では、ステップごとに報告データを割り付けないで、すべてのステップに共通の定義とする。通信部５１４は、ステップ報告データを送信する際には、各ＶＩＤに各プロセスデータを代入してホストコンピュータ６００へ送信する。

さらに、ステップ報告データには、制御パラメータの他、ステップ番号を識別するための識別データが定義される。このように、本実施形態では、イベントリンクによって作成される報告データの定義の仕方を変えている。本実施形態では、ステップ単位の報告データにどのステップにおける情報であるかを識別するための識別データを付加しているので、どのステップに対する報告であるかを判別することができる。

＜プロセスデータの報告の種類＞
ここで、ＣＭＰ装置からホストコンピュータ６００へのプロセスデータの報告は、主に２種類ある。１つは、ホストコンピュータ６００からの要求に対して、その時のＣＭＰ装置状態を返信するものである。ＣＭＰ装置の状態を返信するデータ類は、例えば、トップリング３１の回数数：１０１、トップリング３１の回転トルク：１０２などのように、ＳＶＩＤとしてＣＭＰ装置側に定義されている。図１２は、ホストコンピュータ６００からの要求に対するプロセスデータの報告の概略を示す図である。

図１２に示すように、基板が処理ユニットに搬送され、プロセスが開始されると、状態報告装置５１０は、開始イベント（Ｓ６Ｆ１１）をホストコンピュータ６００へ送信する。プロセスの開始イベントを受信したホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置の状態問合せ（Ｓ１Ｆ３)を状態報告装置５１０へ送信する。ＣＭＰ装置の状態を返信するデータ類は、ＳＶＩＤとしてＣＭＰ装置側に定義されている。状態報告装置５１０は、問い合わせのあったＳＶＩＤの内容をホストコンピュータ６００へ返信（Ｓ１Ｆ４）する。例えば、ホストコンピュータ６００がＣＭＰ装置に対して、Ｓ１Ｆ３にてＳＶＩＤ＝１０１を付加して送信すると、ＣＭＰ装置はトップリング３１の回数数の情報をＳ１Ｆ４にて返信する。なお、Ｓ１Ｆ３／Ｓ１Ｆ４のメッセージフォーマットの詳細説明は省略する。

ホストコンピュータ６００は、返信された内容に基づいてＣＭＰ装置の状態を監視する。状態報告装置５１０とホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置の状態問い合わせ（Ｓ１Ｆ３)と返信（Ｓ１Ｆ４）を繰り返す。

状態報告装置５１０は、プロセスが終了すると、終了イベント（Ｓ６Ｆ１１)をホストコンピュータ６００へ送信する。すると、ホストコンピュータ６００は、ＣＭＰ装置の状態問合せを止める。

一方、ＣＭＰ装置からホストコンピュータ６００へのプロセスデータの報告の２つ目は
、プロセス終了後に各プロセスデータの設定値、平均値、最大値、又は最小値などを報告するものである。このプロセスデータを報告するデータを分別するＩＤとして、ＤＶＩＤが定義されている。例えば、トップリング３１の回数数（平均値）：１００１、トップリング３１の回転数（最大値）：１００２などである。本実施形態は、主に２つ目のプロセスデータの報告に関するものである。

＜プロセスデータ報告＞
プロセスデータ報告は、例えば、ＳＥＭＩ−Ｅ５で定義されているＳ６Ｆ１１のメッセージフォーマットを使用してホストコンピュータ６００へ送信することができる。ＣＥＩＤ、ＲＰＴＩＤ、及びＶＩＤは、ＣＭＰ装置側で定義されており、ＣＭＰ装置の報告可能なイベントレポートはＣＭＰ装置の通信仕様書で開示されている。イベント報告には、ＳＥＭＩで定義されている項目のほかに、ＣＭＰ装置固有のプロセスデータ等の報告がある。
＜従来のプロセスデータ報告例＞
図１３は、従来技術によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。図１３に示すように、まず、状態報告装置５１０は、処理開始（Ｓ６Ｆ１１）メッセージフォーマットをホストコンピュータ６００へ送信する。

続いて、ＣＭＰ装置において複数のステップ（例えば１０ステップ）の処理が終了すると、状態報告装置５１０は、処理終了（Ｓ６Ｆ１１）をホストコンピュータ６００へ送信する。

Ｓ６Ｆ１１は、報告データをホストコンピュータ６００へ送信するためのフォーマットである。これにより、状態報告装置５１０は、報告データをホストコンピュータ６００へ送信する。図１４は、Ｓ６Ｆ１１のメッセージフォーマットを示す図である。

ここで、図１０で説明したように、従来技術では、プロセスデータは、すべてのステップを含んでおり、ステップごとに報告データが定義されていた。また、図１３に示すように、従来技術では、状態報告装置５１０は、すべてのプロセスが終了した時点で、すべてのステップのプロセスデータをまとめてホストコンピュータ６００へ送信していた。

そのため、各ユニットにおける全てのステップ数の報告データの定義が必要となっていた。また、報告データの設定次第で、処理していないステップのデータも報告していたので、無駄な報告データが生じていた。また、イベントリンク次第で、報告するステップ数が決まっていた。さらに、ＣＭＰ装置（状態報告装置５１０）とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信負荷が増大していた。このため、通信タイムアウト等が発生すると通信の切断などが発生するおそれがあった。

＜本実施形態のプロセスデータ報告例＞
図１５は、本実施形態によるプロセスデータ報告の一例を示す図である。本実施形態では、図１５に示すように、通信部５１４は、ステップ１の処理が終わると、ステップ１の処理において収集部５１２によって収集されたプロセスデータ（ステップ１におけるＶＩＤ１０００１の制御パラメータ１、ＶＩＤ１０００２の制御パラメータ２、ＶＩＤ１０００３の制御パラメータ３などの単位プロセスデータ）を、ホストコンピュータ６００へ送信する。続いて、通信部５１４は、ステップ２の処理が終わると、ステップ２の処理において収集部５１２によって収集されたプロセスデータ（単位プロセスデータ）を、ホストコンピュータ６００へ送信する。通信部５１４は、ステップの処理が終わるごとに単位プロセスデータの送信を繰り返し、最終のステップ１０の処理が終わると、ステップ１０の処理において収集部５１２によって収集されたプロセスデータ（単位プロセスデータ）を
、ホストコンピュータ６００へ送信する。

すなわち、通信部５１４は、単位処理（ステップ）の実行が終了するたびに、単位処理（ステップ）の実行に対応して収集部５１２によって収集された単位プロセスデータを、単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。

さらに、図１５に示すように、通信部５１４は、ＶＩＤ１０００１の制御パラメータ１、ＶＩＤ１０００２の制御パラメータ２、及びＶＩＤ１０００３の制御パラメータ３だけではなく、ＶＩＤ１００００の識別データ（ステップＮｏ．）も、ホストコンピュータ６００へ送信する。例えば、ステップ１の処理が終わると、ＶＩＤ１００００の識別データに、ステップ１であることを示す識別データを入れて、ステップ１におけるＶＩＤ１０００１の制御パラメータ１、ＶＩＤ１０００２の制御パラメータ２、及びＶＩＤ１０００３の制御パラメータ３とともに、ホストコンピュータ６００へ送信する。

すなわち、通信部５１４は、単位処理（ステップ）の実行が終了するたびに、単位プロセスデータと、単位処理を識別するための識別子と、を単位処理に関するプロセスデータとしてホストコンピュータ６００へ送信する。

このように、本実施形態では、プロセスデータは、１ステップ分の報告データを定義する。通信部５１４は、ステップ終了時に各変数（ＶＩＤ）に結果を代入してイベント報告する。本実施形態によれば、プロセスデータはステップ単位に報告されるので、処理しなかったステップのデータは報告されない。その結果、無駄な報告データが生じるのを抑制することができる。

また、本実施形態によれば、ステップ単位で報告データが送信されるので、ＣＭＰ装置（状態報告装置５１０）とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックが分散される。その結果、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックが低減されるので、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信負荷を軽減することができる。また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ６００がプロセスデータを受信するための負荷が分散される。また、本実施形態によれば、プロセスが複数ステップで処理される場合、各ステップが終了した早い時点でのＣＭＰ装置の状態がホストコンピュータ６００へ送信される。より早い段階でプロセスデータを報告することにより、ホストコンピュータ６００が報告データを早く確認することが可能になる。また、本実施形態によれば、従来複数ステップ分定義していた報告データを、１ステップ分定義するだけでよいので、報告データのデータ量を削減することができる。例えば、本実施形態では、複数のステップのうち実際に実行されたステップについてのみ、このステップの実行が終了するたびに、このステップに関するプロセスデータをホストコンピュータ６００へ送信するので、実行されていないステップについてのデータを送る必要がない。その結果、ＣＭＰ装置（状態報告装置５１０）とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックを軽減することができる。

なお、上記の実施形態は、単位処理が１ステップである場合を示したが、これには限られない。単位処理は、すべてのステップの一部の複数ステップとすることができる。

＜膜厚測定器への適用＞
上記の説明では、センサ２７０，３７０，４７０によって検出されたプロセスデータをホストコンピュータ６００へ報告する例を示したが、これには限られない。上記のプロセスデータの視点を膜厚測定器によって測定される膜厚データに当てはめることができる。

図１６は、膜厚測定器によって測定される膜厚データを報告する状態報告装置及びＣＭ
Ｐ装置の構成を示す図である。図１６に示すように、ＣＭＰ装置には、ＣＭＰ装置（研磨ユニット３）によって処理される基板の膜厚を測定する膜厚測定器７００が接続される。

＜従来技術の膜厚測定データの報告＞
図１７は、従来技術による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。図１７に示すように、ＣＭＰ装置は、膜厚測定器７００へ測定開始要求を出力する。膜厚測定器７００は、測定開始要求を受信したら、基板の膜厚測定を開始する。

例えば、測定ポイントが２００箇所設定されていたとしたら、膜厚測定器７００は、測定ポイント１〜測定ポイント２００の基板の膜厚を順次測定する。膜厚測定器７００は、すべての測定ポイントにおける基板の膜厚の測定を終了したら、２００箇所分の測定結果をＣＭＰ装置へ送信する。ＣＭＰ装置は、膜厚測定器７００から送信された測定結果を受信したら、受信した測定結果をホストコンピュータ６００へ送信する。

従来技術の膜厚測定データの報告によれば、複数箇所の測定ポイントの測定結果が、まとめてホストコンピュータ６００へ送信される。そのため、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックがあるタイミングで集中的に増加し、その結果、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信負荷が増大していた。

＜本実施形態の膜厚測定データの報告＞
図１８は、本実施形態による膜厚測定データの報告の概略を示す図である。図１８に示すように、ＣＭＰ装置は、膜厚測定器７００へ測定開始要求を出力する。膜厚測定器７００は、測定開始要求を受信したら、基板の膜厚測定を開始する。

例えば、測定ポイントが２００箇所設定されていたとしたら、膜厚測定器７００は、測定ポイント１〜測定ポイント２００の基板の膜厚を順次測定する。膜厚測定器７００は、各測定ポイントにおける膜厚測定が終了するたびに、測定結果をＣＭＰ装置へ送信する。

収集部５１２は、ＣＭＰ装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集する。具体的には、収集部５１２は、複数の測定ポイントのうちの一部（例えば、１つの測定ポイント）の膜厚の測定が終了するたびに、一部の膜厚の測定結果を収集する。また、収集部５１２が収集する測定結果には、どの測定ポイントの膜厚データであるかを識別するために測定ポイント番号と、その測定ポイントにおける膜厚データ（単位膜厚データ）と、が含まれる。

収集部５１２は、測定ポイントごとの測定結果の収集を繰り返す。通信部５１４は、複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、一部の膜厚の測定に対応して収集部５１２によって収集された単位測定結果を、一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして管理装置（ホストコンピュータ６００）へ送信する。

本実施形態によれば、例えば測定ポイント単位で膜厚データが送信されるので、ＣＭＰ装置（状態報告装置５１０）とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックが分散される。その結果、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信トラフィックが低減されるので、ＣＭＰ装置とホストコンピュータ６００との間の通信負荷を軽減することができる。また、本実施形態によれば、ホストコンピュータ６００がプロセスデータを受信するための負荷が分散される。また、本実施形態によれば、各測定ポイントにおける測定が終了した早い時点での基板の膜厚データがホストコンピュータ６００へ送信される。より早い段階で膜厚データを報告することにより、ホストコンピュータ６００が膜厚データを早く確認することが可能になる。また、従来の方法では、イベントリンクした測定ポイント数分しか報告できなかったが、本実施形態によれば、測定ポイント単位で送信
されるので、報告可能な測定ポイント数の上限が無くなる。

２ ロード／アンロードユニット
３ 研磨ユニット
４ 洗浄ユニット
５ 制御装置
２７０，３７０，４７０ センサ
５１０ 状態報告装置
５１２ 収集部
５１４ 通信部
５２０ 操作部
５３０ 記憶部
５４０ 制御部
６００ ホストコンピュータ
６１０ 処理レシピ
７００ 膜厚測定器

Claims (9)

1. 基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集部と、
   前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信部と、を備え、
   前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、
   前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告装置。
2. 請求項１の状態報告装置において、
   前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告装置。
3. 請求項２の状態報告装置において、
   前記複数の単位処理に対して共通の送信フォーマットが設定されており、
   前記通信部は、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告装置。
4. 請求項３の状態報告装置において、
   前記通信部は、前記複数の単位処理のうち実行された単位処理について、該単位処理の実行が終了するたびに、前記送信フォーマットを利用して、前記単位プロセスデータと、前記単位処理を識別するための識別子と、を前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１項の状態報告装置において、
   前記複数の単位処理は、前記処理ユニットにおいて同一の処理内容を異なるパラメータに基づいて実行する複数のステップである、
   ことを特徴とする状態報告装置。
6. 請求項１〜５のいずれか１項の状態報告装置において、
   前記収集部は、前記基板処理装置によって処理された基板の膜厚を測定する膜厚測定器から出力される測定結果を収集し、
   前記膜厚の測定は、前記基板の複数の測定ポイントにおける膜厚の測定を含んでおり、
   前記通信部は、前記複数の測定ポイントのうちの一部の膜厚の測定が終了するたびに、前記一部の膜厚の測定に対応して前記収集部によって収集された単位測定結果を、前記一部の膜厚の測定に関する膜厚データとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告装置。
7. 複数の処理ユニットと、
   前記複数の処理ユニットに実行させるプロセスのレシピを入力するための操作部と、
   前記操作部を介して入力されたレシピを記憶するための記憶部と、
   前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記複数の処理ユニットに前記プロセスを実行させる制御部と、
   請求項１〜６のいずれか１項の状態報告装置と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項７の基板処理装置において、
   前記複数の処理ユニットは、
   基板の研磨処理を行うための研磨ユニットと、
   前記基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニットと、
   前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットと、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
9. 基板処理装置に含まれる複数の処理ユニットそれぞれについて、基板処理に関するプロセスを実行した際に前記処理ユニットに設けられたセンサによって検出されたプロセスデータを収集する収集ステップと、
   前記収集部によって収集されたプロセスデータを前記基板処理装置の管理装置へ送信する通信ステップと、を備え、
   前記プロセスは、複数の単位処理を含んでおり、
   前記通信ステップは、前記単位処理の実行が終了するたびに、前記単位処理の実行に対応して前記収集部によって収集された単位プロセスデータを、前記単位処理に関するプロセスデータとして前記管理装置へ送信する、
   ことを特徴とする状態報告方法。

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