TWI594070B

TWI594070B - 用於檢驗極紫外線光光罩之裝置及方法

Info

Publication number: TWI594070B
Application number: TW102121222A
Authority: TW
Inventors: 葛德西梅瑞奈瑟; 史丹利Ｅ史塔考斯基; 伊瑞維尼瑪迪維茲
Original assignee: 克萊譚克公司
Priority date: 2012-06-14
Filing date: 2013-06-14
Publication date: 2017-08-01
Also published as: US8953869B2; JP6411336B2; WO2013188232A1; US20150117754A1; EP2862197A1; JP2015519617A; EP2862197B1; US20130336574A1; TW201403218A; US9679372B2; EP2862197A4

Description

用於檢驗極紫外線光光罩之裝置及方法

【相關申請案之交叉參考】

本申請案主張Mehran Nasser-Ghodsi等人在2012年6月14日申請之標題為「METHOD FOR INSPECTING AND IMPROVING THE QUALITY OF EUV PATTERNED MASKS」之美國臨時專利申請案第61/659,804號之優先權，該申請案係針對所有目的以引用方式全部併入本文。

本發明大體上係關於光罩檢驗及量測之領域。更特定言之，本發明係關於極紫外線光(EUV)光罩(或遮罩)之檢驗及量測。

一般而言，半導體製造產業涉及用於使用在一基板(諸如矽)上分層及圖案化之半導體材料製造積體電路之極複雜的技術。一積體電路通常係由複數個光罩製成。最初，電路設計者提供描述一特定積體電路(IC)設計之電路圖案資料至一光罩生產系統，該光罩生產系統將該圖案資料變換為複數個光罩。一種新興類型的光罩係包括複數個主要反射層及一經圖案化之吸收體層之一極紫外線光(EUV)光罩。

歸因於大規模電路整合及減小之半導體器件大小，光罩及經製造之器件對缺陷之敏感度變得漸漸增加。若未經校正，此等缺陷可導致最終器件歸因於電時序誤差而不滿足所要效能。更糟的是，此等缺陷可導致該最終器件發生故障且不利地影響良率。

將有利的是，提供適用於針對缺陷檢驗及量測EUV光罩及針對(例如)缺陷評估及/或遮罩修復使用此等缺陷結果之一系統及技術。

下文提出本發明之一簡化發明內容以提供對本發明之某些實施例之一基本理解。此發明內容並非本發明之一擴展概述，且其並不識別本發明之極必要/關鍵元件或描寫本發明之範疇。其唯一的目的係以一簡化形式提出本文中揭示之一些概念作為隨後提出之更詳細描述之序言。

一般而言，本發明之某些技術組合用於偵測並識別EUV遮罩上之缺陷之光學檢驗工具及電子束檢驗工具之優點。一光學檢驗包含偵測一EUV空白遮罩上之相位缺陷及獲得關於該EUV遮罩上之位置之一相位缺陷映圖。隨後藉由一遮罩直寫機圖案化該空白遮罩。在圖案化之後，接著使用一高產出量電子束裝置以在足夠大解析度下檢驗經圖案化之光罩以偵測並特徵化圖案缺陷。該相位缺陷映圖亦可用以獲得在該等相位缺陷位置處的影像。可一起或個別地分析該相位缺陷映圖、該圖案缺陷映圖及該光罩圖案以判定是否修復、丟棄或使用該光罩。

在一實施例中，揭示一種檢驗一極紫外線光(EUV)光罩之方法。在該EUV光罩上形成一圖案之前使用一光學檢驗工具以獲得該EUV光罩之一相位缺陷映圖，且該相位缺陷映圖識別在該EUV光罩上各相位缺陷之一位置。在該EUV光罩上形成該圖案之後，使用一帶電粒子工具以獲得接近如該相位缺陷映圖中識別之各相位缺陷之各位置之各光罩部分之一影像。顯示或儲存該相位缺陷映圖及接近各相位缺陷之各位置之各光罩部分之一或若干影像，以促進分析是否修復或丟棄該EUV光罩。

在一特定實施方案中，該方法包含在該EUV光罩上形成該圖案之後使用一帶電粒子工具以獲得該EUV光罩之一圖案缺陷映圖。該圖案缺陷映圖識別各圖案缺陷在該EUV光罩上之一位置。在此實施方案中，顯示及/或儲存與該相位缺陷映圖及接近各相位缺陷之各位置之各光罩部分之一或若干影像相關聯之該圖案缺陷映圖，以進一步促進分析是否修復或丟棄該EUV光罩。在一進一步態樣中，該方法亦包含：(i)在一光微影程序中使用該EUV光罩之前，基於該相位缺陷映圖及該圖案缺陷映圖，模擬將由該EUV光罩上之各圖案缺陷及相位缺陷引起之一曝光圖案；(ii)在一光微影程序中使用該EUV光罩之前，分析該經模擬之曝光圖案以判定一或多個圖案或相位缺陷經預測是否在使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題且是否可藉由變更該EUV光罩之圖案來緩解此問題，其中執行模擬及分析該經模擬之曝光圖案而未使用用以製造該EUV光罩之一設計資料庫；及(iii)若一或多個圖案或相位缺陷經預測引起可緩解之一問題，則變更該EUV光罩之該圖案以緩解該問題。

在另一態樣中，各相位缺陷之位置係參照該光學檢驗工具之一第一級座標系統，且各圖案缺陷之位置係參照該帶電粒子檢驗工具之一第二級座標系統。在此態樣中，該第一級座標系統及該第二級座標系統皆係基於該EUV光罩之複數個基標。在又另一態樣中，藉由補償經設計以在一光微影程序中使用該EUV光罩時導致相同曝光圖案且經設計以補償該光微影程序之至少一眩光效應之光罩部分之間之設計差來獲得該圖案缺陷映圖。在一特定實例中，經由該帶電粒子工具之多個電子束同時跨該EUV光罩掃描而獲得該圖案缺陷映圖。在一實例中，該多個電子束之一數目大於25。在另一實例中，藉由比較該EUV光罩之複數個測試影像之各者與藉由對該EUV光罩之設計資料執行嚴格的電磁模擬判定之一對應的參考影像而獲得該圖案缺陷映圖，以模型化一光罩模型之製造並模型化使用一帶電粒子檢驗工具獲得此光罩模型之一影像。

在又另一實例中，該方法包含分析如藉由該相位缺陷映圖識別之複數個相位缺陷之各者相對於可用以在該EUV光罩上形成該圖案之一設計圖案之一位置，以判定此相位缺陷經預測是否在使用該設計圖案圖案化該EUV光罩之後使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題且是否可藉由在該EUV光罩上形成該圖案之前變更該EUV光罩之設計圖案來緩解此問題。若一或多個相位缺陷經預測引起可緩解之一問題，則變更該設計圖案且使用經變更之設計圖案以在該EUV光罩上形成該圖案以緩解該問題。

在其他實施例中，本發明係關於具有一光學檢驗工具及一帶電粒子檢驗工具之系統，該光學檢驗工具經組態以檢驗未經圖案化之一EUV光罩且產生指定複數個相位缺陷及其等在該EUV光罩上之相關聯位置之一相位缺陷映圖，且該帶電粒子檢驗工具經組態以在此EUV光罩上形成一光罩圖案之後檢驗該EUV光罩且獲得指定複數個圖案缺陷及其等在該EUV光罩上之相關聯位置之一圖案缺陷映圖。該帶電粒子檢驗工具經進一步組態以獲得在該EUV光罩上之各相位缺陷之相關聯位置處的一影像。該系統進一步包括經組態以執行上述該等方法之一或多者之一分析儀。在一實施例中，該分析儀經組態以判定一或多個圖案或相位缺陷經預測是否在使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題且是否可藉由變更該EUV光罩之該圖案來緩解此問題。

在一特定實施方案中，該分析儀形成該帶電粒子檢驗工具之部分。在另一實施例中，該帶電粒子檢驗工具及該光學檢驗工具係呈一整合式叢集系統之形式。在一特定實施例中，該帶電粒子檢驗工具經組態以形成複數個電子束柱，且該系統進一步包含在一或多個圖案或相位缺陷經預測引起可緩解之一問題時用於修復該EUV光罩之一光罩修復工具。在一進一步態樣中，該等電子束柱係藉由使用具有擾亂一大型B場以對該等電子束柱之各者產生透鏡場之多個鑽孔之一磁通量旁通板而形成，且該帶電粒子工具包含具有多個鑽孔之該磁通量旁通板。在又另一態樣中，該帶電粒子檢驗工具經組態以形成25個以上電子束柱。

在另一實施例中，本發明係關於一種用於再檢測一EUV光罩之檢驗結果之裝置。該裝置包含用於顯示影像之一顯示器及經組態以執行上述該等方法之一或多者之一控制器。

下文參考圖式進一步描述本發明之此等及其他態樣。

100‧‧‧極紫外線光光罩

102‧‧‧基板

104‧‧‧材料層/多層堆疊

106‧‧‧蓋層

108a‧‧‧圖案

108b‧‧‧圖案

202‧‧‧光阻層

204‧‧‧晶圓基板

206‧‧‧輻射

208a‧‧‧光酸

208b‧‧‧光酸

400‧‧‧極紫外線光空白遮罩

402‧‧‧基板

404‧‧‧材料層

406‧‧‧蓋層

412‧‧‧坑

414‧‧‧凸塊

416‧‧‧粒子

452‧‧‧平坦部分/元件

454‧‧‧坑/元件

456‧‧‧凸塊/元件

600‧‧‧光罩

800‧‧‧空白極紫外線光光罩/全光罩區域/光罩影像

802a‧‧‧基標/光罩基準點

802b‧‧‧基標/光罩基準點

802c‧‧‧基標/光罩基準點

804a‧‧‧相位缺陷

804b‧‧‧相位缺陷

1102a‧‧‧光罩圖案

1102b‧‧‧罩圖案/圖案線

1104‧‧‧圖案缺陷

1200‧‧‧檢驗及微影系統

1202‧‧‧電子束檢驗工具

1204‧‧‧光學檢驗工具

1206‧‧‧交換網路

1208‧‧‧質量儲存器件

1210‧‧‧微影系統

1300‧‧‧光學檢驗工具

1302‧‧‧光源

1304‧‧‧聚光透鏡

1306‧‧‧分束器

1308‧‧‧成像透鏡

1310‧‧‧樣本

1312‧‧‧受檢驗表面/樣本表面

1313‧‧‧偵測器透鏡

1314‧‧‧偵測器

1316‧‧‧處理器系統

1400‧‧‧多柱電子束裝置

1402‧‧‧磁軛

1403‧‧‧導電線圈

1404‧‧‧大型磁場(B場)

1406‧‧‧上部磁極件(磁極)

1408‧‧‧下部磁極件(磁極)/下部磁軛

1410‧‧‧多電子束柱陣列

1412‧‧‧磁通量旁通板

1413‧‧‧鑽孔

1414‧‧‧電子源

1416‧‧‧電子束柱元件

1418‧‧‧靶材光罩

1420‧‧‧可移動置物台

1501‧‧‧發射器

1502‧‧‧提取孔徑

1504‧‧‧電阻襯板

1506‧‧‧槍透鏡電極

1508‧‧‧接地電極

1510‧‧‧光學軸

1512‧‧‧柱孔徑

1514‧‧‧輔助電極

1516‧‧‧提取器電極

1518‧‧‧偵測器

1520‧‧‧消隱板

1530‧‧‧磁性材料

圖1係一例示性EUV光罩之一側視圖之一圖式表示。

圖2圖解說明一EUV光微影程序中之一EUV光罩及晶圓之一側視透視圖。

圖3係圖解說明根據本發明之一實施例之一EUV光罩之一經組合之光學檢驗及電子束檢驗之一流程圖。

圖4A係根據某些實施例之一EUV空白遮罩之一側視圖示意表示。

圖4B係一EUV空白遮罩表面之一側視圖示意圖解，例示根據某些實施例之兩種類型相位缺陷之一檢驗。

圖5圖解說明一焦點及某些散焦點處且展示為一同相中心光點及非同相(90°)環之光學系統點擴展函數之四個模擬影像。

圖6係隨兩種類型相位缺陷之焦點位置而變化之一對比度之一闡釋性標繪圖。

圖7圖解說明根據某些實施例之對應於用於偵測一未經圖案化之物體(諸如一空白EUV光罩)之一表面上之相位缺陷及/或粒子之一光學檢驗程序之一流程圖。

圖8係具有相位缺陷之一空白EUV光罩之一影像之一圖式表示。

圖9係圖解說明根據本發明之一特定實施方案之用於使用一高速電子束工具檢驗一經圖案化之EUV光罩之一程序之一流程圖。

圖10係圖解說明根據本發明之一特定實施例之一檢驗結果分析程序之一流程圖。

圖11係根據一實例之疊對在一光罩圖案影像上之一相位缺陷影像及一圖案缺陷影像之一簡化實例。

圖12係其中可實施本發明之技術之一例示性檢驗及微影系統之一圖式表示。

圖13係其中可實施本發明之技術之一光學檢驗工具之一些元件之一圖式表示。

圖14係其中可實施本發明之某些技術之一多柱電子束裝置之一剖面圖。

圖15係圖14之電子束裝置之一例示性微柱。

在下列描述中，陳述數種特定細節以提供對本發明之一完整理解。可在不具備一些或所有此等特定細節之情況下實踐本發明。在其他例項中，未詳細描述熟知的組件或程序操作以免不必要地混淆本發明。雖然將結合特定實施例描述本發明，但是應瞭解，其並不旨在將本發明限於該等實施例。

介紹

一極紫外線光(EUV)微影程序通常使用經設計以在諸如13.5nm之EUV波長下促進對一晶圓之圖案化之一EUV類型光罩。圖1係一例示性EUV光罩之一部分之一側視圖之一圖式表示。如所示，EUV光罩100可包含一基板102，諸如低熱膨脹(LTE)或超低膨脹(ULE)玻璃板。

該基板覆蓋有多個材料層104以提供用於在EUV波長下執行微影曝光之在該EUV波長下之適中反射比(例如，60%至70%或更大)。該多層堆疊104用作最大化EUV輻射之反射並同時係該EUV輻射之一不良吸收體之一布拉格(Bragg)反射體。反射大體上發生在具有導致更大反射率之較高差值之不同折射係數之材料之間之界面處。雖然曝光於極低波長之材料之折射係數係約等於1，但是可透過使用具有不同折射係數之交替層之多層達成顯著反射。該多層堆疊亦可包括低吸收特性，使得反射照射輻射而損失較少。在某些實施例中，該多層104包含介於30至40(或40至50)之間的多對交替鉬(Mo)及矽(Si)層，該等層配置有約7奈米節距。其他合適的層可包含Mo₂C及Si、Mo及鈹(Be)、鉬釕(MoRu)及Be之交替層。

該多層104可覆蓋有一蓋層106(諸如Ru)以防止氧化。在其他實施例中，一EUV光罩可包含一石英、抗反射塗層(ARC)及其他特徵。在安置於該多層104上方之一吸收體層中形成一圖案(例如，108a及108b)。例如，藉由一薄抗反射氧化物加蓋之氮化鉭硼膜用作一EUV吸收體。用於光罩圖案之材料可經選擇以具有近似零蝕刻偏差以達成超精細解析度特徵。

一般而言，可實施任何合適的EUV光微影程序以經由一EUV光罩曝光一晶圓上之一光阻層。圖2圖解說明一EUV光微影程序中之一光罩及一晶圓樣本之一側視透視圖。一光微影系統之光源可產生適合與EUV光罩一起使用之任何合適的輻射。例如，可利用介於約11nm至14nm之間之EUV波長或更低軟x射線波長。在一特定實施方案中，產生約13.5nm之一波長。

在光微影期間，在形成於一晶圓基板204上之一光阻層202中吸收反射自一EUV光罩之多層104之輻射206。所吸收的輻射產生光酸(H+)及當顯影光阻時形成該晶圓基板204之光阻層202中對應於該EUV光罩之吸收體圖案層(例如，106a)之一曝光圖案之放大光酸(例如，208a及208b)。為清楚起見，圖2中省略該EUV光罩與該晶圓之間之反射成像光學器件。

具有深紫外線光(DUV)或193nm光之光學檢驗目前限制能夠偵測可在具有低於22nm大小之關鍵特徵之印刷半導體晶圓中引起問題之一EUV遮罩中極小缺陷。一電子束檢驗工具通常具有足夠大的解析度以偵測此等小缺陷。然而，一電子束檢驗對一EUV遮罩上之相位缺陷並不敏感。此外，目前單柱電子束系統趨於過慢使得其等在檢驗一全光罩時不切實際。

EUV光罩檢驗實施例

本發明之某些實施例組合用於尋找一空白EUV光罩上之相位缺陷之一光學檢驗與用於尋找小圖案缺陷且成像所偵測相位缺陷在一經圖案化EUV光罩上之光罩位置之一高速電子束檢驗。此組合對一特定EUV光罩導致可用於缺陷補償及光罩修復之一相位缺陷映圖及一經圖案化缺陷映圖。此等技術亦包含該相位缺陷映圖(來自光學系統)及該圖案缺陷映圖(來自電子束系統)之極佳座標精確度。

圖3係圖解說明根據本發明之一實施例之一EUV光罩之一經組合之光學及電子束檢驗300之一流程圖。使用一光學檢驗工具，最初可檢驗一空白EUV光罩以在操作301中獲得關於EUV光罩位置之一相位缺陷映圖。

在一特定實例中，針對諸如凸塊及坑之相位缺陷，使用一經具體組態之深紫外線光(DUV)檢驗系統檢驗一多層EUV空白遮罩。該檢驗系統可使用小於193nm之波長的光(DUV)或替代地使用40nm至200nm範圍中之波長的光(DUV)。在又另一實施例中，該檢驗工具使用一13.5nm波長或與其中使用該EUV光罩之光微影工具相同之波長。此等檢驗系統之任一者亦可經組態以執行暗場或明場檢驗。

在一特定實例中，一檢驗系統經組態具有介於約0.15與0.5之間之一部分相干性σ(partial coherence sigma)。一反射光可藉由一時間延遲積分(TDI)偵測器擷取且傳遞至一電腦系統以供分析。可藉由應用特殊設計之濾光片、臨限值及校正因數改良一信雜比(SNR)。此等經具體組態之DUV系統可用以偵測高度小至1奈米且半高全寬(FWHM)小至50奈米之相位缺陷。

圖4A係根據某些實施例之一EUV空白遮罩400之一側視圖示意表示。如所示，EUV空白遮罩400包含一基板402，諸如低熱膨脹(LTE)玻璃薄片。該基板覆蓋有多個材料層(ML)404以在EUV波長下提供良好的反射比，以促進諸如一半導體晶圓之一樣品上之微影曝光。該多層404可包含一蓋層406。在其他實施例中，一空白光罩包含任何數目個及任何類型的沈積層，諸如圖4A中圖解說明之該等ML層404之一子組。

在該基板402上沈積各單層之後可檢驗一空白EUV光罩。在另一實例中，在沈積該等ML層404之所有或一部分之後但在沈積該蓋層406之前檢驗該空白EUV光罩。

EUV空白遮罩及其他樣本類型有時候具有表面缺陷。該等缺陷可大體上特徵化為相位缺陷(諸如坑412及凸塊414)及粒子416。此等凸塊及坑通常起因於該基板402處之缺陷。因此，該等層亦通常變形(但是未展示)。雖然凸塊及坑幾乎純粹係光學相位物體，但是粒子具有振幅及相位特性。該兩種類型的缺陷可極大地損壞EUV微影且需要細心地加以偵測及分析。例如，由一1奈米高凸塊引起的相移足以產生一可印刷缺陷。

光化(例如，13.5奈米)檢驗工具可用於檢驗此等缺陷，但是此等工具預期在適用於非學術性使用之高產出量組態中不能使用若干年。目前可用的系統具有產出量或靈敏度限制。例如，藉由日本橫濱LaserTec供應之多電子束共焦顯微鏡藉由監控反射信號來偵測表面干擾。然而，此等顯微鏡具有一不良靈敏度且大體上不適用於檢驗EUV 空白遮罩缺陷。較高照明功率可改良靈敏度但是其等通常損壞EUV空白遮罩。已提出暗場13.5奈米顯微鏡用於進行EUV空白遮罩檢驗，但是此等暗場系統可能極慢且不適用於生產使用。

Stanley E.Stokowski在2011年4月13日申請之美國專利申請案2011/0181868中進一步描述用於檢驗一空白EUV光罩之若干實施例，該申請案係以引用方式全部併入本文。一般而言，已發現一DUV檢驗系統可經組態以檢驗EUV空白遮罩及其他類似樣本上之小表面缺陷。根據一特定實施例，加利福尼亞州苗比達市KLA Tencor市售之Teron 600檢驗系統經再組態以檢驗典型的EUV空白遮罩上之高度小至1奈米且FWHM小至80奈米之相位缺陷。亦已發現，DUV系統亦可經組態以檢驗粒子缺陷。

圖4B係一EUV空白遮罩表面之一側視圖示意圖解，例示根據某些實施例之兩種類型相位缺陷之一檢驗。受檢驗表面之一實質上平坦部分452經展示作為對圖解說明反射自坑454及凸塊456之光束之相移差之一參考。應注意，一表面粗糙度產生一些額外的相位波動，該等相位波動變成總體背景雜訊之一部分。一表面粗糙度跨整個樣本表面大體上一致，該整個樣本表面包含平坦部分(諸如元件452)以及缺陷(諸如元件454及456)二者。因此，可藉由應用一經具體設計之濾光片至少部分補償一粗糙度。此濾光片可實質上增加一信雜比。

當檢驗坑454時，反射光具有與來自該平坦部分452之反射光相同之振幅。然而，來自坑454之反射光在與平坦表面之相位差(X)相比時具有一負相位差(Y)。同樣地，當檢驗凸塊456時，反射光具有相同振幅，但是現在其與參考(X)相比具有一正相位差(Z)。在某些實施例中，受檢驗表面之一部分或整個表面可被用作一相位值參考以判定相移。

可使用下列公式表達側向小缺陷之一光學振幅(D)： S=1

一相位(Φ)對應於經由一點擴展函數積分之平均缺陷相位。平坦周圍之一光學振幅(S)被設定為1。可藉由使用一點擴展函數混合多個光學振幅而達成一影像對比度。因此，可使用以下公式表達缺陷強度對比度：

對於小的相位值(Φ)，正弦函數可逼近為一線性函數。

然而，對於淺缺陷，一對比度值相對較小。為增加對比度，可使一照明光束散焦以移位該等平坦周圍(S)及缺陷(D)之相對相位。在一焦點(焦點深度(DOF)約等於0)處，該點擴散函數僅具有一實部。然而，在散焦條件下(DOF<0或DOF>0)，該點擴散函數具有對應於一環形之一虛部。圖5中圖解說明此現象，其具有在一焦點及某一散焦點處光學點擴散函數之四個模擬影像。該等影像被擷取為一同相中心光點及一非同相(90°)環二者。換言之，可藉由混合一中心光點及一環達成影像對比度，該中心光點與該環係彼此相對非同相90°。因此，可使用以下公式表達對比度或相位缺陷：

在此最後的對比度表達式中，對於小的相位值，對比度值與相位值(Φ)成線性比例。凸塊及坑將具有相反的對比度正負號，且該對比度正負號將在自正DOF切換至負DOF時轉變正負號。圖6圖解說明隨兩種類型相位缺陷之一焦點位置(即，DOF)而變化之一對比度之一標繪圖。一缺陷係延伸高於表面之一凸塊，且另一缺陷係伸出低於該表面之一坑。該兩種類型的缺陷經展示具有相同尺寸(例如高度為1奈米且FWHM為約70奈米)，且使用相同系統(例如一DUV檢驗系統)加以檢驗。一對比度在焦點處近似為零，即DOF~0。因此，可使用一或多個散焦位置(DOF<0或DOF>0)檢驗相位缺陷。當執行多個檢驗遍次及/或在相同遍次中使用多個電子束時，可使用多個散焦設定。例如，可使用正DOF與負DOF之一組合。在相同或其他實施例中，可使用散焦位置(DOF<0或DOF>0)與聚焦位置(DOF~0)之一組合。

可使用聚焦位置以(例如)偵測如下文進一步解釋之粒子。不同於相位缺陷，粒子具有不同的光學性質。粒子在成像孔徑外部散射更多光且被視為振幅及相位物體兩者。此外，粒子大體上大於典型的相位缺陷，或更具體言之大於EUV空白遮罩相位缺陷之一典型高度。因此，粒子偵測通常需要不同於相位缺陷偵測之DOF。更具體言之，由於幾乎係「振幅物體」，最佳地在焦點附近(DOF~0)偵測粒子。然而，粒子甚至在散焦條件下仍可提供顯著的調變。

一般而言，某些空白EUV光罩檢驗技術可包含使用具有小於約250奈米之一波長之一光束照明一受檢驗表面。該光束行進穿過具有介於約0.15與0.5之間之一部分相干性σ之光學元件之一集合。該光束在聚焦及/或散焦條件之一或多者下聚焦至該受檢驗表面上。一反射光束係藉由一偵測器收集且可用以建構該受檢驗表面之一所得影像。此操作可包含應用各種濾光片及臨限值。由Stan Stokowski、Joshua Glasser、Gregg Inderhees及Phani Sankuratri著作之標題為「Inspecting EUV mask blanks with a 193nm system」論文(出版於Society of Photographic Instrumentation Engineers(SPIE)proceedings第7636卷，第76360Z頁至第76360Z-9頁(2010))中描述一空白EUV檢驗技術之某些實施例，該論文係以引用方式全部併入本文。

圖7圖解說明根據某些實施例之對應於用於檢驗一未經圖案化之物體(諸如一空白EUV光罩)之一表面上之相位缺陷及/或粒子之一程序700之一流程圖。此程序可用以偵測高度小於約10奈米且FWHM小於約200奈米之相位缺陷。在更特定實施例中，此等技術係用以偵測高度小於約5奈米且FWHM小於約150奈米或高度小於約3奈米且FWHM小於約100奈米或高度小於約2奈米且FWHM小於約80奈米或甚至高度小於約1奈米且FWHM小於約50奈米之相位缺陷。一未經圖案化之物體可為一EUV空白遮罩或任何其他類似未經圖案化之物體。在某些實施例中，該受檢驗物體之一表面包含石英及/或一抗反射塗層(ARC)。

該程序700可開始於在操作702中產生一照明光束。在某些實施例中，一照明光束具有小於約250奈米之一波長。更具體言之，一照明光束可為DUV或EUV波長。諸如雷射之各種照明源可用於此目的。

該程序可繼續在操作704中使一照明光束行進穿過光學元件之一集合。光學元件之一些實例包含聚光透鏡、投影透鏡、分束器、鏡、光束操縱器件及光束調節器。該等聚光透鏡及投影透鏡可經選擇使得其等數值孔徑導致檢驗系統之一部分相干性σ介於約0.15與0.5之間。應注意，一部分相干性σ係一聚光透鏡數值孔徑對一投影透鏡數值孔徑之一比率。在某些實施例中，一部分相干性σ係介於約0.2與0.4之間，或更特定言之，介於約0.25與0.3之間，或介於約0.15與0.3之間，或介於約0.15與0.2之間。

接著可在操作706中使一照明光束聚焦在受檢驗樣本之一表面上。一散焦範圍可介於約+1 DOF與+3 DOF之間，介於約-1 DOF與-3 DOF之間，或介於約+1 DOF與-1 DOF之間。在特定實施例中，絕對DOF值(表示負DOF範圍及正DOF範圍)係介於約1.25與2.75之間，或更特定言之，介於約1.5與2.5之間，或甚至約為2。在某些實施例中，可藉由在不同DOF處使用多個照明光束照明該表面及/或在不同DOF處使用光束重複該表面之檢驗遍次來完成聚焦操作。例如，兩個光束可具有正負號相反之DOF值。更具體言之，一光束可具有介於約+1 DOF與+3 DOF之間之一DOF，而另一光束可具有介於約-1 DOF與-3 DOF之間之一DOF。在另一實例中，可使一光束散焦在介於約+1 DOF與+3 DOF之間，而另一光束可能係聚焦的。第二(聚焦的)照明光束可產生用於偵測粒子及其他污染物之一影像(即，一聚焦影像)。一般而言，以不同DOF產生之多個影像可用以將缺陷分類為相位缺陷及表面污染物缺陷。在某些實施例中，可在後續操作中在一所得影像之建構期間加總多個影像。

該程序700可繼續在操作708中檢驗該表面且在操作710中使用一或多個偵測器擷取一或多個反射光束。可基於該偵測器之一解析度特徵化一反射光束或該光束之至少一擷取部分。在某些實施例中，跨該偵測器之一反射光束之掃描路徑沿一掃描方向之寬度係介於約100個像素與1000個像素之間，更特定言之，寬度介於約300個像素與600個像素之間。該光束路徑之一長度可為至少約500個像素，或更特定言之，至少約1000個像素。若產生多個反射光束，則可使用一多場偵測器以擷取此等光束。

該程序700可繼續在操作712中建構一相位缺陷影像及映圖。此建構程序可涉及加總多個影像、應用各種濾光片、臨限值及/或濃度值以及執行其他技術。

因為EUV空白遮罩係未經圖案化之物體，所以在此等操作期間可消除大部分或近似所有系統雜訊源。例如，可監控一系統雜訊並自所偵測信號或影像過濾該系統雜訊。藉由消除大部分系統雜訊，剩餘信號仍可含有某個隨機雜訊、散粒雜訊、散斑雜訊。然而，一實際非有雜訊信號及藉由此等雜訊因數產生之信號具有不同的空間功率頻譜且可彼此解耦。因此，可設計並應用一濾光片以進一步改良一SNR。已發現，當將一部分相干性σ設定小於約0.25或甚至小於約0.20時，可設計更好的「匹配」濾光片。

在某些實施例中，應用一校正因數以自所得影像移除藉由TDI增益之像素間的差值及偏差之引起的一系統雜訊。例如，一校正因數可由一校準程序加以判定且應用於檢驗/掃描期間。進一步言之，由於發生檢驗，在缺少任何所偵測的缺陷時，監控各像素列之平均值且該平均值判定所應用的校正因數。

在某些實施例中，分析所得影像包括應用至少約7之一臨限信號值以偵測相位缺陷。一臨限信號值被定義為雜訊信號之一標準差之一比率。另一種增加SNR之方式係執行多個檢驗遍次。然而，各額外的檢驗遍次展示檢驗系統產出量。

在某些實施例中，以一實質上法向角將一照明光束聚焦至該表面上，這導致照明光束及反射光束共用其等路徑。在其他實施例中，以一斜角將一照明光束聚焦至該表面上，且該照明光束及該反射光束並未共用其等路徑。在另一實施例中，該反射光束之零階分量可在該反射光束到達一偵測器之前進一步衰減。此外，可使用一成像孔徑移位該反射光束之零階分量之一相位以改良對比度及一信雜比。

可在圖案化EUV光罩之前分析相位缺陷以緩解該等相位缺陷之一或多者之影響。例如，可使用設計資料庫以模擬光罩圖案。接著可分析相位缺陷相對於此經模擬之光罩圖案之位置以判定是否可變更光罩圖案之製造以緩解一或多個相位缺陷之影響。Yalin Xiong及Stanley E.Stokowski在2012年3月12日申請之美國專利申請案2012/0238096中進一步描述用於變更一光罩圖案之製造之若干技術，該申請案係以引用方式全部併入本文。製造一光罩可包含相對於一相位缺陷移動該光罩圖案之一或多個部分，自一跡線移除材料以在此跡線與一相位缺陷之間產生更大距離，對一跡線添加材料使得該跡線實質上覆蓋一相位缺陷，等等。

可使用任何合適的技術以使所偵測之相位缺陷與該光罩上之一特定位置相關聯，以獲得EUV光罩之一相位缺陷映圖，使得隨後可針對光罩修復或沈積而分析此相位缺陷映圖。例如，可判定所得相位缺陷影像相對於該光罩上之一或多個基標之位置。圖8係具有相位缺陷(例如，804a及804b)之一空白EUV光罩800之一影像之一圖式表示，但是經圖解說明為大小擴大。如所示，該等相位缺陷804a及804b係疊對於全光罩區域800(其係一亮強度)之暗強度值，但是該等相位缺陷及光罩可具有任何相對強度。

該等基標(例如，802a、802b及802c)可定義該光罩及所偵測缺陷相對於(例如)檢驗工具中之置物台位置之一特定定向。此外，此等基標經較佳地設計使一光學及電子束檢驗工具皆可得知此等基標。例如，該等標記包括一材料且具有經選擇使得該等標記在藉由一光學及電子束工具二者檢驗時導致清晰影像之一特定大小、高度及形狀。

特定檢驗工具(例如，光學或電子束)可經組態以判定各所偵測缺陷(或上面駐留該光罩之置物台之一位置)相對於光罩之基標之精確座標。例如，該工具可以30nm或更小的精確度精確地量測上面駐留該光罩之置物台之位置(及對應的缺陷)。該置物台座標系統參照該光罩之基標使得所偵測之任何缺陷具有相對於遮罩基標之一精確位置。例如，可相對於此等基標定位相位缺陷且該等相位缺陷參照此等基標，使得該等相位缺陷具有與光罩圖案及其他缺陷(諸如圖案缺陷)之位置相同之參考框。例如，一影像可包含光罩上相對於基標之特定位置處之相位缺陷。此等基標可用以使所偵測相位缺陷以及其他所偵測圖案缺陷對準相對於此等基標定位之光罩圖案。例如，可藉由使來自包含該等相位缺陷及該等基標之一影像對準於亦包含此等基標之該光罩圖案之一影像之對應基標而使該等影像對準。例如，可在一x及y二者方向上對準各交叉狀之邊緣。一微分強度信號亦可自各基標之強度信號計算且用以更精確地定位各基標之邊緣。接著可判定相對於此等邊緣以及相對於光罩圖案之各缺陷位置。在另一實施例中，各缺陷相對於光罩之原點座標之座標(如相對於基標定義)可儲存在缺陷位置之一表中。各缺陷位置亦可參照一對應缺陷影像及/或缺陷資料，諸如大小及形狀。光罩圖案之位置亦可參照此光罩原點。

返回參考圖3之檢驗程序，接著可在操作302中圖案化EUV光罩。例如，使用任何合適的圖案化技術以沈積並圖案化諸如一吸收體層之一材料至光罩上。具體言之，在光罩上沈積一吸收體層之後，接著在光罩上圖案化一光阻層。接著曝光光阻層以形成一特定曝光設計圖案且基於該曝光設計圖案蝕刻該光阻層至一特定光阻及下伏吸收體圖案中。

使用一高速電子束檢驗工具，接著在操作304中可獲得在獲自空白EUV光罩之相位缺陷映圖中識別之位置處的相位缺陷影像。相位缺陷位置處之高清晰度電子束影像可促進關於所偵測之相位缺陷再檢測光罩圖案。例如，一查核者可判定相位缺陷是否係在相對於將影響晶圓印刷程序之光罩圖案之一位置中(例如，一相位缺陷係定位於光罩圖案之兩個跡線之間)。

使用一高速電子束檢驗工具，接著在操作305中可檢驗經圖案化EUV光罩以獲得關於EUV光罩位置之一圖案缺陷映圖。大體上可藉由一晶粒對晶粒、單元對單元(cell-to-cell)或晶粒對資料庫類型檢驗完成一圖案化EUV光罩之檢驗。然而，此光罩圖案檢驗可包含用於補償經特意設計至EUV光罩圖案中之晶粒對晶粒差(或類似物)之技術。

在使用EUV微影之前，其他類型的光學光罩圖案經設計具有在一晶圓上產生相同晶粒之相同晶粒圖案。相比而言，EUV光罩經設計具有在一晶圓上產生相同晶粒之不同晶粒圖案。造成這種情況之原因之一者係：微影投影儀之場具有一弧形。在垂直於弧線之一方向上透過該場同步掃描晶圓及光罩。遮罩上之主射線之方位角沿該弧形場變化。不同類型的特徵(諸如關於電子束掃描之水平對垂直特徵)亦導致一不同陰影效應。此差沿弧線變化。因此，與不同場位置上之晶粒相比，在掃描方向上對準之晶粒更加類似。

在光罩上晶粒具有不同圖案之一第二原因係：亦在曝光場之邊緣處之一晶粒之邊緣可不同於該曝光場內部之一晶粒之邊緣。微影投影儀使晶圓步進且在該晶圓之一未曝光部分中重複該掃描。相鄰曝光場之邊緣重疊。該重疊邊緣曝光兩次且隅角可曝光四次。電路圖案皆未多次曝光，且可採取措施以減小光罩在該曝光場之邊緣處之反射。然而，二重曝光可在該曝光場之邊緣處之眩光曝光中產生細微差。

光罩上之晶粒圖案之間之差之一第三可能原因係：關於微影工具之視野(FOV)，光的不同部分將展現不同的散射性質。例如，來自不同光學路徑(例如，不同角度及不同表面光滑度特性)之光將跨該FOV不同地散射。需要設計光罩圖案以補償此不同的散射(通常稱為眩光效應)。因此，可不同地設計光罩圖案之不同FOV位置以補償主射線之不同眩光位準及不同方位角。

因為光罩將趨於在不同的FOV位置含有不同晶粒圖案以進行眩光校正，所以使用晶粒對晶粒檢驗可能難以偵測跨光罩之缺陷。即，可藉由經設計至光罩圖案中以補償主射線之眩光及方位角相依性之差偏斜一光罩之所偵測缺陷。

在一檢驗及量測途徑中，一晶粒對資料庫檢驗係用以避免設計資料中歸因於眩光補償及垂直/水平偏差引起的問題。圖9係圖解說明根據本發明之一特定實施方案之用於使用一高速電子束工具檢驗一經圖案化之EUV光罩之一程序900之一流程圖。可在製造此光罩之後且在於一光微影程序中使用此光罩之前且再次在於一或多個光微影程序中使用該光罩之後的任何時間對該光罩執行該檢驗程序900。此外，可對整個光罩應用下列操作或對此光罩之複數個子部分重複下列操作。電子束工具可具有一單個電子束柱以每次獲得該光罩之一單個影像，或較佳地具有多個電子束柱以自該光罩之多個部分同時獲得多個影像。

雖然並非必須，但是可對一光罩之多個部分平行執行圖9之操作。無關於如何獲得整個光罩影像，皆可將光罩影像定義為藉由複數個處理器處理之複數個截圖(patch)影像。光罩截圖可被散佈至平行處理測試截圖資料之處理器。

最初，可在操作901中獲得一EUV光罩之一測試影像。在一實施例中，可使用一或多個電子束柱掃描光罩之截圖部分以自整個光罩獲得影像資料。各截圖可含有一單晶粒或多個晶粒。取決於特定系統及應用需要，一截圖可具有任何大小及形狀。一般而言，可藉由以任何合適方式掃描光罩獲得各截圖部分之一影像。例如，可藉由使用多個電子束光柵掃描光罩而獲得複數個截圖影像。替代地，可藉由掃描具有任何合適的圖案(諸如一圓形或螺旋圖案)之光罩而獲得影像。當然，可必須不同地(例如，以一圓形圖案)配置感測器(一或多個)及/或在掃描期間可不同地移動(例如，旋轉)光罩以自光罩掃描一圓形或螺旋形狀。

在一實例中，光罩移動經過一檢驗工具之(例如，多個電子束柱之)一組感測器，且各電子束沿一線迅速來回掃描。自電子束-樣本互動之各區域偵測到次級電子。光罩上之各電子束之路徑因此形成一矩形，因此在光罩上導致多個平行矩形掃描區域(其等各自被稱為一「掃描帶(swath)」)。所偵測到的次級電子被轉換為該掃描帶之一影像。在此實施例中，以一矩形圖案配置檢驗工具之感測器以自光罩接收次級電子且自該等次級電子產生對應於光罩之多個平行掃描帶之影像資料。在一特定實例中，各掃描帶可為約1百萬個像素寬且約1000個至2000個像素高。在一實例中，各像素具有5nm之一大小。

各組影像資料可對應於光罩之一或多個掃描帶。可藉由依一曲折或光柵圖案循序掃描來自光罩之掃描帶而獲得各組影像資料。例如，藉由一電子束檢驗系統之多個電子束自左至右掃描光罩600之一第一組掃描帶以獲得一第一組影像資料。接著自右至左掃描一第二組掃描帶以獲得一第二組影像資料。各組掃描帶資料亦可被分為截圖。

可使用以任何合適方式設定之一電子束檢驗工具來獲得各截圖之影像資料。對於一EUV光罩，大體上可使用一組操作參數或用於自一經圖案化EUV光罩獲得影像資料之一「配方」設定一電子束檢驗工具。配方設定可包含以下設定之一或多者：用於依一特定圖案掃描光罩之一設定、一或多個入射電子束之焦距設定、一或多個電子束源之提取器電壓、一或多個電極電壓設定、像素大小、各電子束柱之消隱板(blanking plate)設定、用於分組來自單個信號之相鄰信號之設定、照明或偵測孔徑設定、入射電子束角度設定、其他偵測器設定，等等。

可在操作902中提供一設計資料庫。可使用此項技術中已知之任何方法或系統(諸如電子設計自動化(EDA)、電腦輔助設計(CAD)及其他積體電路設計軟體)開發一積體電路設計。此等方法及系統可用以由積體電路設計產生一設計資料庫。該設計資料庫包含表示積體電路之各種層之複數個佈局之資料。該設計資料庫中之資料可用以判定複數個光罩之佈局。一光罩之一佈局大體上包含在該光罩上以一圖案定義特徵之複數個多邊形。各光罩係用以製造積體電路之各種層之一者。積體電路之層可包含(例如)一半導體基板中之一接面圖案、一閘極介電質圖案、一閘極電極圖案、一層間介電質中之一接觸件圖案及一金屬層上之一互連件圖案。

該設計資料庫可包含識別光罩之不同類型區域、光罩上之不同類型特徵及/或光罩上之特徵之不同部分之指定符。該等不同類型區域、特徵或特徵之部分可包含(例如)如本文中更詳細地描述之關鍵及非關鍵區域、特徵或特徵之部分。該等指定符可取決於產自一積體電路設計或佈局之一設計資料庫而變化。

表示一光罩之一佈局之資料及指定符可具有可藉由耦合至一檢驗系統或一處理工具之一處理器讀取之任何形式。例如，該資料可包含檔案或其他可讀資料，其他可讀資料包含一或多個特徵及與該等特徵相關聯之光罩內空間位置。各特徵亦可包含如本文中描述之一或多個多邊形或其他形狀，且光罩內之一空間位置亦可在多邊形或形狀之各者內相關聯。因此，該資料可用以製造一光罩。

該設計資料庫可用以模擬來自該設計資料庫之一參考光罩影像。可藉由對該設計資料執行嚴格的電磁模擬以由此設計資料模型化一光罩模型之建構且模型化此光罩模型之電子束檢驗以產生一參考影像來判定該參考影像。例如，該模型藉由模擬用於以與變更此等設計圖案以形成實際測試光罩(例如，設計多邊形之隅角係圓形的，等等)相同之一方式變更設計資料圖案之一程序來模擬一光罩圖案。該模型亦藉由模型化特定檢驗工具以由實際測試光罩產生一測試影像來模擬產自此經模擬之光罩圖案之一參考影像。更具體言之，該模型模擬如何產生一電子束及該電子束如何照射在模擬光罩上，且接著模擬如何藉由檢驗工具的光學器件及感測器來偵測次級電子且基於此等所偵測次級電子模擬一參考影像。

可在操作904中首先選擇用於基於該設計資料模擬一參考影像之一第一組可調諧模型參數。此模型亦應用於該設計資料以在操作904中產生一經模擬之參考光罩影像。因為缺陷通常表示一光罩影像中之小百分比的像素，所以當最佳化該等可調諧模型參數時，唯缺陷除外的大部分經模型化之參考光罩影像的像素將匹配測試影像。即，當模型最近似模擬用以基於該設計資料(不具備缺陷)製造實際測試光罩之程序及用以藉由選取檢驗工具自此經模擬之光罩獲得一測試影像之光學器件時，經模擬之參考影像將亦趨於近似匹配該測試影像。因此，一旦瞭解並正確地模型化用以製造測試光罩之特定光罩程序及用以產生測試影像之檢驗工具，可立即模擬最近似匹配測試影像之一精確參考影像(且如何形成該參考影像)。

模型之可調諧參數可呈用於產生一對應的光罩影像之任何合適形式。該等可調諧參數可能係關於用於自該設計資料建構一參考光罩之光罩直寫特性，諸如隅角圓化量、光罩材料性質(例如，組合物及尺寸)、圖案密度相依偏差等等，及用於模型化用以自該測試光罩產生測試影像之相同檢驗工具之檢驗工具特性，諸如入射及偵測孔徑設定、焦距、像差特性、電壓設定、像素大小、入射角等等。該檢驗工具模型應用於經模型化之參考光罩圖案以基於該設計資料建構一參考影像。經模型化之參考影像對應於在檢驗工具的感測器上成像使用不具備任何缺陷之設計資料建構之一光罩。

在使用各組選定可調諧參數應用該模型於該設計資料之後，可接著在操作906中判定所產生的參考影像與對應的測試影像之間是否已達到一最佳匹配。例如，比較各特定測試截圖影像與其對應的參考截圖影像，該對應的參考截圖影像係產自設計資料庫部分。各測試影像及對應的參考影像可包括具有不同強度值之複數個像素。替代地，可藉由光罩部分中之複數個xy位置之複數個強度值表示測試及參考光罩部分。

在透過選擇調諧參數值之不同組合執行特定次數反覆之後，該等可調諧參數將導致一最佳匹配。例如，一最佳匹配可對應於在測試影像與經模型化之參考影像之間引起一最小差之一組參數。一最佳匹配可被定義為不能藉由改變該匹配之可調整參數實質上減小兩個影像之一範數差之條件。一合適的範數係該兩個影像之逐像素差之平方之總和之平方根或該等差之平方之總和之平方根。

在經圖解說明之實施例中，若該特定參考影像與該測試影像之間未發現最佳匹配，則選擇用於該模型的下一組可調諧參數，該模型在操作904中應用於該設計資料以產生一新參考影像。在操作904中重複選擇下一組參數值直至發現該參考影像與該測試影像之間的一最佳匹配。

一旦發現一最佳匹配，在操作908中亦可立即給該測試影像與該參考影像之間之差加旗標且將該等差儲存作為一圖案缺陷影像。亦可分析該等缺陷以判定此等缺陷是否在如本文中進一步描述之規格內。例如，可分析該等缺陷以判定此等缺陷是否表示真實缺陷、偽缺陷或雜訊。

一晶粒對晶粒或單元對單元檢驗途徑亦可用於經圖案化EUV光罩。

圖案定向亦可作為用於偵測缺陷之程序的考量因素，以分開考慮歸因於定向引起的此等圖案差。例如，可使用一設計模板以對特定光罩部分指定特定節距及定向值。替代地，可分析設計資料圖案以定位特定圖案，諸如一維水平或垂直線或空間。例如，可對具有不同節距及定向之不同光罩區域分開執行檢驗程序。在一特定實施方案中，可分開分析垂直特徵與水平特徵，這係因為特徵相對於一有角度入射電子束之定向將不同地影響所得強度(被稱為EUV掃描儀上之「陰影效應」)。因此，即使某些圖案在意欲最終晶圓上相同而無關於其等定向，EUV光罩上之圖案亦可取決於其等相對於EUV掃描儀之定向而具有不同大小。因此，其等模擬結果可足夠不同使得可分開考慮水平及垂直特徵。即，可分開獲得水平特徵之一參考影像與垂直特徵之一參考影像。接著可自各自測試影像特徵分開減去此等分離參考影像。接著可組合最終差影像或使該等差影像保持分開以校正光微影程序。

返回參考圖3，接著可在操作306中判定光罩是否通過檢驗。若光罩通過檢驗，則此光罩可用於在操作310中製造一晶圓。若光罩未能通過檢驗/量測，則若可能可在操作308中丟棄或修復該光罩。例如，可自該光罩清除或移除某些缺陷。在修復之後，可在任何時間對該光罩執行一檢驗且重複該程序300。一種此修復工具係Zeiss的CDC工具。

所得檢驗結果可以任何合適方式用以判定是否應且可能修復光罩。例如，一自動程序可判定任何圖案差是否高於(或低於)一預定義臨限值。若一圖案差高於(或低於)該預定義臨限值，則可更加細心地再檢測對應的光罩部分以判定該光罩是否具有缺陷且可能不再被使用(光罩未修復)。例如，一使用者可再檢測缺陷區域之影像(包含圖案缺陷及相位缺陷位置影像)以判定對應的光罩圖案區域實際上是否超出規格。可使用判定光罩缺陷將有可能如何影響晶圓之其他分析技術。

圖10係圖解說明根據本發明之一特定實施例之一檢驗分析程序1000之一流程圖。最初，可在操作1002中對準相位缺陷映圖、圖案缺陷映圖及光罩圖案。例如，該等相位缺陷之影像與該等圖案缺陷之影像疊對在該光罩圖案上。圖11係根據一實例之疊對在一光罩圖案影像上之一相位缺陷影像及一圖案缺陷影像之一簡化實例。如所示，相位缺陷804a及804b與圖案缺陷1104相對於光罩基準點802a、802b及802c疊對在光罩影像800上。該光罩影像800包含光罩圖案1102a及1102b，光罩圖案1102a及1102b亦相對於該等光罩基準點展示。光罩圖案缺陷1104展示為圖案線1102b之加寬。例如，可對準光罩圖案影像、光罩缺陷影像及相位缺陷影像中之基準點。替代地，先前儲存之各缺陷座標可用以將該等缺陷影像映射至一光罩圖案影像。此等儲存的座標全部使用相同參考，諸如該等光罩基準點。因此，可相對於該光罩圖案精確地觀看到該等缺陷影像。

亦可在操作1004中模擬將由包含圖案缺陷及相位缺陷之目前的光罩圖案引起的晶圓曝光圖案。例如，可使用加利福尼亞州苗比達市 KLA-Tencor市售之PROLITH^TM以基於目前的光罩圖案及相位缺陷資訊(諸如缺陷位置及大小)模擬晶圓之曝光圖案。例如，模型化使用一特定光微影工具在一經模型化之光阻層上成像光罩圖案以模擬一光阻層中之曝光圖案之一空中影像。

接著可在操作1006中判定各缺陷(相位或圖案缺陷)是否成問題。例如，可判定可基於光罩及缺陷資料之一經模擬之曝光圖案影像與一參考影像之間之差。可判定高於一預定臨限值之差有問題，需要校正或丟棄光罩。

該設計資料庫中表示光罩之一佈局之資料可用以產生一參考影像。該參考影像係一模擬影像，在該光罩圖案不包含任何可印刷缺陷時將使用一特定光罩及具有特定曝光條件之一曝光系統於一樣品上形成該模擬影像。此外，該參考影像實質上對應於光罩之一影像，該影像將在一組特定曝光條件下藉由一曝光系統形成於一晶圓上。

一設計資料庫亦可包含如上所述之指定符。該等指定符可包含(例如)與不同類型區域、特徵或特徵之部分相關聯之旗標或標籤。然而，該等指定符可包含適用於區分區域、特徵或一特徵之部分之類型與另一類型之任何識別符。光罩上之各區域、特徵或一特徵之部分可與一指定符相關聯。該設計資料庫中表示光罩之一佈局之資料可與該設計資料庫中表示該等指定符之資料分開。此外，可在該設計資料庫中分開不同類型指定符。例如，該設計資料庫可包含一第一組資料(包含光罩上之關鍵區域、特徵或特徵之部分之指定符)及一第二組資料(包含光罩上之非關鍵區域、特徵或特徵之部分之指定符)。替代地，不同的指定符可組合於一單組資料中。

一指定符可向檢驗系統指示對與該指定符相關聯之光罩之一部分執行之一檢驗方法。在諸如使用光罩製造之一積體電路之一樣品之檢驗期間，此等指定符亦可由一檢驗系統使用。此外或替代地，一指定符可向一處理器指示一或多個功能，諸如與該指定符相關聯之光罩之一部分中對藉由一檢驗系統產生之資料執行之一偵測演算法。以此方式，該處理器可使用不同程序以在光罩之不同部分中偵測光罩上之缺陷。在一關鍵區域中，例如，一指定符可指示可用以偵測缺陷之一更嚴格臨限值及/或一特定演算法。在一些例項中，該等指定符可用以指示僅待檢驗之光罩之區域或僅未檢驗之光罩之區域。此外，多個指定符可與光罩之一部分相關聯，且各指定符可指示偵測程序之一不同參數。例如，一第一指定符及一第二指定符可用以分別指示用於偵測一光罩之一單個部分中之缺陷之一臨限值及一演算法。此外，此等指定符亦可由諸如一圖案產生器或一光罩直寫機之一處理工具使用以向該處理工具指示用以製造一光罩或使用該光罩製造一積體電路之一程序之參數。

返回參考圖10，接著在操作1008中對於各問題缺陷可模擬一光罩修復並可判定此光罩修復的有效性。若發現光罩修復對於所有問題光罩缺陷有效，則可在操作1010中實施此等光罩修復。否則，丟棄該光罩。

組合空白光罩之光學檢驗與經圖案化光罩之一電子束檢驗給定EUV光罩品質之一完整圖像。來自該等光學及電子束檢驗工具之組合檢驗結果亦可用以模擬所偵測相位缺陷及圖案缺陷對微影印刷積體電路之影響且判定是否需要修復或補償該缺陷。

檢驗系統實例

可於硬體及/或軟體系統之任何合適組合中實施本發明之技術。圖12係其中可實施本發明之技術之一例示性檢驗及微影系統1200之一圖式表示。如所示，該系統1200包含用於針對缺陷檢驗一空白光罩(或其他樣品)之一光學檢驗工具1204、用於偵測一經圖案化EUV光罩上之圖案缺陷且獲得缺陷之高解析度影像之一電子束檢驗工具1202、用於製造且使用一EUV光罩之一或多個微影系統1210、用於容許檢驗微影系統組件之間進行通信之一網路(例如，交換網路1206)及一選用大容量儲存器件1208。檢驗或微影系統之任一者亦可包含用於設定該等檢驗及微影系統且再檢測缺陷資料、影像及映圖之一或多個檢驗/微影控制及/或再檢測站。檢驗及微影系統之各器件通常可包含一或多個微處理器積體電路，且亦可含有介面及/或記憶體積體電路，且此外可耦合至用於儲存設定配方及檢驗結果之一或多個共用及/或全域記憶體器件。

該等各種組件及工具可實施為一分開器件或實施於一整合式叢集系統中。該系統1200亦可包含用於經由網路1206散佈影像或偵測資料之一資料散佈系統，該資料散佈系統係作為各檢驗系統之部分或與各檢驗系統分開。該資料散佈系統可與一或多個記憶體器件(諸如RAM緩衝器)相關聯以保存所接收資料之至少一部分。較佳地，全域記憶體足夠大以保存資料之一整個掃描帶。例如，對於1百萬像素或點乘以1000像素或點之一掃描帶，一千兆位元的記憶體運行良好。

該系統1200之各組件可包括一經特殊組態之電腦系統，該電腦系統包含可儲存在一電腦可讀媒體上之用於執行本文中描述之各種操作之程式指令/電腦程式碼。機器可讀媒體之實例包含(但不限於)：磁性媒體，諸如硬碟、軟碟及磁帶；光學媒體，諸如CD-ROM光碟；磁性-光學媒體，諸如光碟；及經特殊組態以儲存並執行程式指令之硬體器件，諸如唯讀記憶體(ROM)及隨機存取記憶體(RAM)。程式指令之實例包含諸如藉由一編譯器產生之機器程式碼及含有可藉由該電腦使用一解譯器執行之一較高階程式碼之檔案。

該光學檢驗裝置1204可適用於檢驗半導體器件或晶圓或光學光罩以及EUV光罩或遮罩。一種合適的檢驗工具係加利福尼亞州苗比達市KLA-Tencor市售之Teron^TM光罩檢驗工具。可使用本發明之檢驗裝置檢驗或成像之其他類型的樣本包含任何表面，諸如一平板顯示器。

一光學檢驗工具可包含用於產生一入射光束之至少一光源、用於將該入射光束引導至一樣本之照明光學器件、用於回應於該入射光束引導自該樣本發射之一輸出光束之集光光學器件、用於引導該輸出光束且產生該輸出光束之一影像或信號之一感測器，及用於控制該檢驗工具之組件且促進如本文中進一步描述之檢驗技術之一控制器。

在下列例示性檢驗系統中，該入射光束可呈任何合適的光形式。此外，任何合適的透鏡配置可用以引導該入射光束朝向該樣本且引導源於該樣本之輸出光束朝向一偵測器。取決於特定檢驗或量測應用，該輸出光束可自該樣本反射或散射或透射穿過該樣本。對於EUV光罩檢驗，自該樣本反射該輸出光束。同樣地，任何合適的偵測器類型或任何合適數目個偵測元件可用以接收該輸出光束且基於所接收的輸出光束之特性(例如，強度)提供一影像或一信號。

該檢驗工具可大體上經操作以將此所偵測光轉換為對應於強度值之所偵測信號。該等所偵測信號可呈現一電磁波形之形式，其具有對應於在光罩之不同位置處之不同強度值之振幅值。該等所偵測信號亦可呈現強度值及相關光罩點座標之一簡單清單之形式。該等所偵測信號亦可呈現具有對應於光罩上之不同位置或掃描點之不同強度值之一影像之形式。可在掃描光罩之所有位置之後產生一強度影像且轉換該強度影像為所偵測信號，或隨著在掃描整個光罩之後使用完整的最終強度影像掃描各光罩部分而產生一強度影像之部分。

在某些檢驗應用中，入射光或所偵測光可行進穿過任何合適的空間孔徑以依任何合適的入射角產生任何入射光或所偵測光輪廓。例如，可利用可程式化照明或偵測孔徑以產生一特定光束輪廓，諸如偶極子、四極子、類星體、環形物等等。在一特定實例中，可實施像素化照明技術。可程式化照明及特殊孔徑可有助於為光罩上之某些圖案增強特徵對比度之目的。

圖13係其中可實施本發明之技術之一光學檢驗工具1300之一些元件之一圖式表示。該光學檢驗工具1300包含適用於檢驗一EUV光罩之一光源1302。一光源之一實例係一準連續波雷射。在某些實施例中，一光源可大體上提供高脈衝重複速率、低雜訊、高功率、穩定性、可靠性及擴展性。應注意，雖然一EUV掃描儀在13.5nm波長下運行，但是一EUV光罩之一檢驗工具無須在相同波長下運行。來自KLA-Tencor之在193nm下運行之一Teron^TM系統已被證實能夠檢驗EUV光罩。

一光源可包含用於準確地進行光束定位之一光束操縱器件及可用以提供光位準控制、散斑雜訊減小及高光束均勻性之一光束調節器件。光束操縱及/或光束調節器件可為與(例如)一雷射分開之實體器件。

一檢驗系統包含用於將一照明光束聚焦至受檢驗表面1312上之光學元件之一集合。為簡潔起見，圖13僅展示一聚光透鏡1304、一成像透鏡1308、一偵測器透鏡1313及一分束器1306。然而，熟習此項技術者將瞭解，一檢驗系統可包含達成特定檢驗功能所需之其他光學元件。該成像透鏡可調整為不同像素大小，例如各像素小於約100nm，更特定言之，小於約75nm或甚至小於約60nm。

該樣本1310亦可被置於該檢驗系統1300之一置物台(未加標籤)上，且該檢驗系統1300亦可包含用於相對於入射光束移動該置物台(及樣本)之一定位機構。例如，一或多個馬達機構可各自由一螺釘驅動及步進器馬達、具有回饋位置之線性驅動或頻帶致動器及步進器馬達形成。

當入射光束照射在該樣本1310上之後，接著光可以「輸出光」或一「輸出光束」(或多個輸出光束)之形式自該樣本1310反射且散射。該檢驗系統亦包含用於引導該輸出光朝向一或多個偵測器之任何合適的透鏡配置。如所示，可經由透鏡1308、分束器1306及透鏡1313藉由一偵測器1314接收一反射光束。在某些實施例中，該偵測器1314係一時間延遲積分(TDI)偵測器。一典型的TDI偵測器累積該受檢驗表面之相同區域之多次曝光，從而有效地增加可用於收集入射光之積分時間。物體運動與該等曝光同步以確保一輪廓鮮明影像。一般而言，一偵測器可包含傳感器、集光器、電荷耦合器件(CCD)或其他類型的輻射感測器。

圖13展示其中以相對於該受檢驗表面成一實質上法向角引導一照明光束朝向該樣本表面1312之一實例。在其他實施例中，可以一斜角引導一照明光束，該斜角容許分開照明光束與反射光束。在此等實施例中，可在反射光束路徑上定位一衰減器以在反射光到達一偵測器之前衰減該反射光之零階分量。此外，可在該反射光束路徑上定位一成像孔徑以移位該反射光束之零階分量之相位。亦可在該照明路徑上定位一照明孔徑以達成各種照明輪廓。

一偵測器通常與一處理器系統1316耦合，或更一般而言耦合至一信號處理器件，該信號處理器件可包含一類比轉數位轉換器，類比轉數位轉換器經組態以將來自該偵測器1314之類比信號轉換為數位信號以供處理之用。該處理器系統1316可經組態以分析一或多個反射光束之強度、相位及/或其他特性。該處理器系統1316可經組態(例如，使用程式設計指令組態)以提供用於顯示一所得測試影像及其他檢驗特性之一使用者介面(例如，一電腦螢幕)。該處理器系統1316亦可包含用於提供輸入之一或多個輸入器件(例如，一鍵盤、滑鼠、搖桿)。該處理器系統1316亦可與用於控制(例如)一樣本位置(例如，聚焦及掃描)及檢驗系統元件之其他檢驗參數及組態之置物台耦合。在某些實施例中，該處理器系統1316經組態以實行上述檢驗技術。

任何合適的電子束工具可用以有效地偵測圖案缺陷且獲得在藉由一光學工具偵測之相位缺陷之位置處的高解析度影像。在一實施例中，利用具有多個電子束柱之一帶電粒子工具，諸如一電子束工具。在一實例中，電子束工具具有用於同時跨光罩掃描之25個以上電子束柱。具有2012年6月26日申請之公開案第2013/003371號之國際PCT申請案及具有2012年6月25日申請之公開案第2013/0001418號之美國專利申請案中進一步描述若干合適的多個柱電子束系統。此等申請案係以引用方式全部併入本文。與需要100小時或更久之目前的單電子束系統相比，可在4小時至5小時中跨整個光罩同時掃描此等多個電子束柱。然而，亦可使用單柱電子束系統。

在特定實施方案中，一電子束檢驗工具可大體上包含具有一10 x 10陣列電子束柱(100)或具有一14 x 14陣列電子束柱(196)之一多個電子束柱頭。因此，使用此極多個電子束柱檢驗100 x 100mm²光罩面積可為4小時或更短。該電子束工具亦可包含複數個此種多個電子束柱頭以達成更快檢驗時間。

在一特定多柱電子束檢驗系統中，可藉由將具有一鑽孔陣列之磁材料塊浸沒至大型磁場中來產生多個透鏡場。該等鑽孔之位置界定該等電子束柱之位置。大型B場隨著其自任一端進入該等鑽孔而衰退，藉此產生兩個透鏡：一透鏡在朝向放射源之端處；且一透鏡在朝向靶材基板之端處。此外，該B場有效地含有自受檢驗樣本發射之次級電子，從而容許逆著該等電子束柱之各者向後掃測該等次級電子以待偵測。歸因於電子溢出至相鄰電子束柱產生的信號污染可以忽略。

對於各種檢驗使用情況，各電子束柱中之靜電元件提供光柵掃描具有不同的著靶能量及提取場之電子束之能力。該等電子束柱之間的掃描可同步且可沿法向於置物台行進方向之一單方向加以執行，以覆蓋掃描帶中之晶圓區域。

圖14係其中可實施本發明之某些技術之一多柱電子束裝置1400之一剖面圖。該裝置1400包含大型(全域)磁路之一電磁體。該電磁體可包含纏繞在一磁軛1402周圍之一導電線圈1403，且可經組態以在一上部磁極件(磁極)1406與一下部磁極件(磁極)1408之間之一區域中產生一大型磁場(B場)1404。注意，圖14中所示之實施例中描繪該導電線圈1403關於該磁軛1402之一位置。在交替實施例中，可在其他位置處配置該導電線圈1403。

在不存在該多電子束柱陣列1410之情況下，該大型B場1404可經組態在該上部磁極與該下部磁極(1406與1408)之間之區域中均質(均勻)。該多電子束柱陣列1410可配置在該大型B場1404之區域內。

可使用具有擾亂該大型B場1404以對該多電子束柱陣列1410中之若干電子束柱之各者產生透鏡場之多個鑽孔1413之一磁通量旁通板1412形成該陣列1410。歸因於該大型B場1404隨著其進入各鑽孔1413之各端而衰退，可在各鑽孔1413之兩端處形成該等透鏡場。該通量旁通板1412可由(例如)磁鋼製成。

該通量旁通板1412可為一單件式單晶板(monolithic plate)。替代地，該通量旁通板1412可使用容許施加不同的電壓至上部及下部之兩個板(上部及下部)而形成。作為另一替代，可在x-y(水平)維度中劃分該通量旁通板1412以容許調整各個別鑽孔1413上之電壓。

可包含進一步組件以使用各鑽孔1413作為用於產生並聚焦一個別電子束之微柱。此等組件大體上包含一電子源1414及經配置以相鄰於各鑽孔1413之多個電子束柱元件1416。下文關於圖15中描述之一個別微柱之實施例描述此等組件之一例示性實施方案。

該電子束柱陣列1410經組態以將該多個電子束個別地聚焦至定位在該等鑽孔1413之底端下方之一光罩1418(或晶圓或其他基板)之表面上。該電子束柱陣列1410可包含二維電子束柱陣列，其中各電子束柱可藉由在一鑽孔1413中及周圍配置適當的組件而形成。

可藉由一可移動置物台1420固持靶材光罩(或其他經製造的基板，諸如一晶圓)1418。在圖14中，該置物台1420可經組態以在垂直於頁面之平面之方向上將該光罩1418移動至該電子束柱陣列1410下方。在一例示性實施方案中，該置物台1420可經組態以使用可移動地支撐在下部磁軛1408上方之交叉滾筒軸承，且可調整該置物台1420在該下部磁軛1408上方之高度。

圖15係根據本發明之一實施例之形成於磁性材料1530內之一單個微柱之一剖面圖。該磁性材料1530可為按圖14之實施例中之一通量旁通板1412的磁性材料。該微柱可經組態以產生沿該微柱之光學軸1510順著該鑽孔1413行進之一電子束。如所示，該微柱之組件可包含一發射器1501、一提取孔徑1502、一電阻襯板1504、一槍透鏡電極1506、一接地電極1508、一微柱孔徑1512、一或多個輔助電極1514及一提取器電極1516。

在一實施例中，透過磁性材料形成之各鑽孔1413可為圓柱形，且長度可為9.5mm，且直徑可為0.5mm。其他實施例中可實施其他鑽孔尺寸。注意，該鑽孔1413無須對稱：其可具有不同入口及出口孔大小。

該電子源1414可藉由施加有一極高負電壓Vemitter之一發射器1501。該提取孔徑1502可由其中具有一開口之一電極形成。該電極可具有施加至其之相對於Vemitter為正之一電壓Vextractor以自該發射器1501提取電子。該提取器電壓可經設定以提供所提取電子之所要電流及角度強度。

該電阻襯板1504可配置在該鑽孔1413周圍，且此電阻襯板可用以屏蔽該鑽孔之電極之場不受該鑽孔之磁性材料1530上之電位影響。

各鑽孔之磁性材料1530上之電壓可被設定為藉由操作模式判定之一電位。在一實施方案中，各鑽孔之磁性材料1530上之電壓可經設定以用作一抑制器以在該靶材光罩(或其他經製造的基板)1418處進行電荷控制。

該槍透鏡電極1506可包括配置在該鑽孔1413在上柱中之一部分周圍之一或多個電極。各鑽孔之槍透鏡電極1506可具有施加至其之一電壓Vgun以將該等電子聚集至一電子束中。

該接地電極1508可配置在該鑽孔1413在該槍透鏡電極1506下方之一部分周圍，且此接地電極係導電地連接至該裝置之一電接地。因此，各鑽孔之接地電極係在比該鑽孔發射器1501更高(更正)之|Vemitter|之一電位。因此，順著該微柱之光學軸1510行進之電子束之電子將隨著該電子束藉由該接地電極1508傳遞而將具有近似e|Vemitter|之一能量。該接地電極1508亦可用作用以透過該柱孔徑1512使該電子束居中之一定中心偏轉器。

例如，Vemitter可為負3千伏特(3kV)使得該電子束能量e|Vemitter|將為三千電子伏特(3keV)。可藉由施加不同電壓至該發射器而產生其他電子束能量。該槍透鏡電極1506與該接地電極1508可分開以將該等電極(1506與1508)之間之電極間場維持在一臨限場強度以下。在一實施例中，若該等電極(1506與1508)之間之電位差近似3kV，則為將電極間場維持在4kV/mm之一臨限場強度以下，該等電極(1506及1508)將分開至少0.75mm，這係因為3kV/0.75mm=4kV/mm。在其他實施例中，可藉由適當的電極間隔將電極間場維持在其他臨限場強度以下。

該柱孔徑1512可配置在該接地電極1508下方之光學軸1510周圍。該柱孔徑1512使包含關於電子槍之組件之上柱與包含關於電子束偏轉之組件及磁性物鏡之下柱分開。

該(該等)輔助電極1514可包括配置在該鑽孔1413在該柱孔徑1512 下方之一部分周圍之一或多個電極。在一實施方案中，可在各鑽孔1413中使用兩個輔助電極1514。該電阻襯板1504可用以屏蔽該(該等)輔助電極1514之場不受該通量旁通板1412上之電位影響。該(該等)輔助電極1514可用作可施加有一適當電壓以減小電子束中之像差之一第一靜電組件。

該提取器電極1516可包括配置在該鑽孔1413在該(該等)輔助電極1514下方之一部分周圍之一或多個電極。該電阻襯板1504可用以屏蔽該提取器電極1516之場不受該中心磁軛1412之磁極件上之電位影響。該提取器電極1516可用作可施加有一適當電壓以減小電子束中之像差之一第二靜電組件。在一實施例中，該(該等)輔助電極1514與該提取器電極1516可分開以將一電極間場強度維持在上述臨限場強度以下。

該經製造之基板1418可配置成與包圍界定微柱之鑽孔1413之底端之磁性材料1530下方相距一距離RD。在一實施例中，距離RD足夠長以將該磁性材料1530與該經製造之基板1418之間之場強度維持在上述臨限場強度以下。

如上文關於圖14描述，該磁性材料1530及該經製造之基板1418係浸沒在該大型B場1404中。該大型B場1404內存在包圍該鑽孔1413之底端之磁性材料1530導致該大型B場1404隨著其接近該鑽孔1413之底端而有效地衰退。所得場有效地形成將電子束聚焦至該光罩1418之表面上之一磁性物鏡。

在一實施例中，該微柱可經組態以用於電子束成像。在此情況中，可在該微柱中提供一偵測器1518。該偵測器1518可實施為一PIN二極體偵測器，且可定位在該柱孔徑1512下方。在此實施例中，形成該磁性物鏡之所得B場亦用以含有發射自該光罩1418之次級電子。此配置容許該等次級電子向後逆著行進穿過該微柱之鑽孔1413朝向該偵測器1518。

應注意，上述描述及圖式並未被解釋為限制該系統之特定組件，且該系統可以許多其他形式具體實施。例如，預期該檢驗或量測工具可具有來自經配置以偵測一光罩或晶圓之缺陷及/或解析一光罩或晶圓之特徵之關鍵態樣之任何數目個已知成像或量測工具之任何合適的特徵。例如，一檢驗或量測工具可經調適以明場成像顯微術、暗場成像顯微術、全天空成像顯微術、相位對比度顯微術、偏振對比度顯微術及相干性探針顯微術。亦預期可使用單個或多種成像方法以擷取靶材影像。此等方法包含(例如)單爪、雙爪、單爪相干性探針顯微術(CPM)及雙爪CPM方法。非成像光學方法(諸如散射計)亦可預期形成檢驗或量測裝置之部分。

雖然為理解簡明之目的詳細地描述前述發明，但是應明白，可在隨附申請專利範圍內實踐某些變化及修改。應注意，存在實施本發明之程序、系統及裝置之許多種替代方式。因此，本實施例被視為闡釋性且非限制性，且本發明並未限於本文中給定之細節。

Claims

一種檢驗一極紫外線光(EUV)光罩之方法，該方法包括：在該EUV光罩上形成一圖案之前使用用於偵測電磁波形之一檢驗工具以檢驗該EUV光罩之相位缺陷並獲得該EUV光罩之一相位缺陷映圖，其中該相位缺陷映圖識別在該EUV光罩上各相位缺陷之一位置；及在該EUV光罩上形成該圖案之後，使用一帶電粒子工具以檢驗該EUV光罩之圖案缺陷並獲得該EUV光罩之一圖案缺陷映圖，以及獲得接近如該相位缺陷映圖中識別之各相位缺陷之各位置之各光罩部分之一影像，其中該圖案缺陷映圖識別在該EUV光罩上各圖案缺陷之一位置。
如請求項1之方法，其進一步包括：在一光微影程序中使用該EUV光罩之前，基於該相位缺陷映圖及該圖案缺陷映圖，模擬將由該EUV光罩上之各圖案缺陷及相位缺陷引起之一曝光圖案；在一光微影程序中使用該EUV光罩之前，分析該經模擬之曝光圖案以判定一或多個圖案或相位缺陷經預測是否在使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題且是否可藉由變更該EUV光罩之該圖案來緩解此問題，其中執行模擬及分析該經模擬之曝光圖案而未使用用以製造該EUV光罩之一設計資料庫；及若一或多個圖案或相位缺陷經預測引起可緩解之一問題，則變更該EUV光罩之該圖案以緩解該問題。
如請求項1之方法，其中各相位缺陷之該位置係參照該檢驗工具之一第一級座標系統，且各圖案缺陷之該位置係參照該帶電粒子檢驗工具之一第二級座標系統。
如請求項3之方法，其中該第一級座標系統及該第二級座標系統皆係基於該EUV光罩之複數個基標。
如請求項1之方法，其中藉由補償經設計以在一光微影程序中使用該EUV光罩時導致相同曝光圖案且經設計以補償該光微影程序之至少一眩光效應之光罩部分之間之設計差來獲得該圖案缺陷映圖。
如請求項1之方法，其中經由該帶電粒子工具之多個電子束同時跨該EUV光罩掃描而獲得該圖案缺陷映圖。
如請求項6之方法，其中該多個電子束之一數目大於25。
如請求項1之方法，其進一步包括：在該EUV光罩上形成該圖案之前，分析如藉由該相位缺陷映圖識別之複數個相位缺陷之各者相對於可用以在該EUV光罩上形成該圖案之一設計圖案之一位置，以判定此相位缺陷經預測是否在使用該設計圖案圖案化該EUV光罩之後使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題且是否可藉由變更該EUV光罩之該設計圖案來緩解此問題；及若一或多個相位缺陷經預測引起可緩解之一問題，則變更該設計圖案且使用該經變更之設計圖案以在該EUV光罩上形成該圖案以緩解該問題。
一種用於檢驗一光罩之系統，其包括：一檢驗工具，其用於偵測電磁波形且經組態以檢驗未經圖案化之一EUV光罩且產生指定複數個相位缺陷及其等在該EUV光罩上之相關聯位置之一相位缺陷映圖；及一帶電粒子檢驗工具，其經組態以在此EUV光罩上形成一光罩圖案之後檢驗該EUV光罩且獲得指定複數個圖案缺陷及其等在該EUV光罩上之相關聯位置之一圖案缺陷映圖，其中該帶電粒子檢驗工具經進一步組態以在一光罩圖案被形成於該EUV光罩上之後獲得在該EUV光罩上之各相位缺陷之相關聯位置處的一影像。
如請求項9之系統，其中一分析儀形成該帶電粒子檢驗工具之部分，其中該分析儀經組態用於分析該相位缺陷映圖及該圖案缺陷映圖以預測是否一或多個圖案或相位缺陷將在使用該EUV光罩製成之一器件中引起一問題。
如請求項9之系統，其中該帶電粒子檢驗工具及該檢驗工具係呈一整合式叢集系統之形式。
如請求項9之系統，其中該帶電粒子檢驗工具經組態以形成複數個電子束柱，該系統進一步包括在一或多個圖案或相位缺陷經預測引起可緩解之一問題時用於修復該EUV光罩之一光罩修復工具。
如請求項12之系統，其中該等電子束柱係藉由使用具有擾亂一大型B場以對該等電子束柱之各者產生透鏡場之多個鑽孔之一磁通量旁通板而形成，其中該帶電粒子工具包含具有多個鑽孔之該磁通量旁通板。
如請求項12之系統，其中該帶電粒子檢驗工具經組態以形成25個以上電子束柱。
如請求項9之系統，其中各相位缺陷之該位置係參照該檢驗工具之一第一級座標系統，且各圖案缺陷之該位置係參照該帶電粒子檢驗工具之一第二級座標系統，且其中該第一級座標系統及該第二級座標系統皆係基於該EUV光罩之複數個基標。
一種用於再檢測一EUV光罩之檢驗結果之裝置，其包括：一顯示器，其用於顯示影像；及一控制器，其經組態以執行下列操作：接收在該EUV光罩上形成一圖案之前使用一電磁波形檢驗工具獲得之一EUV光罩之一相位缺陷映圖，其中該相位缺陷映圖識別在該EUV光罩上各相位缺陷之一位置；在該顯示器上，顯示接近如該相位缺陷映圖中識別之各相位缺陷之各位置之各光罩部分之一影像，其中在該EUV光罩上形成該圖案之後藉由一帶電粒子檢驗工具獲得各相位缺陷之各影像；及在該顯示器上，在該EUV光罩上形成該圖案之後顯示使用該帶電粒子檢驗工具獲得之該EUV光罩之一圖案缺陷映圖，其中該圖案缺陷映圖識別各圖案缺陷在該EUV光罩上之一位置。
如請求項16之裝置，其中各相位缺陷之該位置係參照一檢驗工具之一第一級座標系統，且各圖案缺陷之該位置係參照該帶電粒子檢驗工具之一第二級座標系統，其中該第一級座標系統及該第二級座標系統皆係基於該EUV光罩之複數個基標。
如請求項16之裝置，其中藉由補償經設計以在一光微影程序中使用該EUV光罩時導致相同曝光圖案且經設計以補償該光微影程序之至少一眩光效應之光罩部分之間之設計差來獲得該圖案缺陷映圖。
如請求項16之裝置，其中該裝置呈該帶電粒子檢驗工具之形式並經組態以形成用於同時跨該EUV光罩掃描之多個電子束柱。
如請求項19之裝置，其中該多個電子束柱之一數目大於25。
如請求項20之裝置，其中該多個電子束柱係藉由使用具有擾亂一大型B場以對該等電子束柱之各者產生透鏡場之多個鑽孔之一磁通量旁通板而形成，其中該帶電粒子工具包含具有多個鑽孔之該磁通量旁通板。