JP4200104B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
11は、対物レンズ下部に設けられた二次信号検出器13で発生する電界130に吸引され、二次信号検出器13に検出される。
17が試料ステージ16よりも下方に配置されるため、試料14と透過信号検出器17の距離が長くなり、試料内で散乱した透過信号粒子(18b:暗視野信号)を検出するために非常に大きな検出面を有する透過信号検出器が必要となる。また、透過信号粒子(18a,18b)は、試料ステージの通過孔161を通過後に検出されるため、試料で散乱した透過信号粒子(18b)を検出するには、試料ステージに設けた透過信号粒子の通過孔
161を十分に大きくする必要がある。しかし、この結果、ステージを支えるベース160の強度が低下してステージ耐振性能が低下する問題が生じるため、ステージ耐振性が維持される実用的な通過孔161では、散乱して透過した信号粒子18bは、図5に示されるように、通過孔161の内壁に衝突して検出することができない。
19が配置されており、試料ステージ16を通過した透過信号粒子の内、最適なコントラストが得られる明視野透過信号粒子のみが選択されて、透過信号検出器17に検出される。絞り19は孔径の異なる複数の開口を有し、これらの開口を真空外から切り替えることが可能である。
303としている。薄膜試料を透過した透過信号粒子は、二重構造絞り303の下段絞り孔により、明視野透過信号粒子18aと絞りで最適化された明視野透過信号粒子18cに分けられる。このとき、絞りで最適化された明視野透過信号粒子18cは、透過信号検出器17に到達し検出され、明視野信号像として観察される。一方、明視野透過信号粒子
18aは、二重構造絞り303内部で二次信号粒子300を発生させる。しかし、この二次信号粒子300は、絞り内部で衝突を繰り返すうちに減衰し、二重構造絞り303に吸収される。結果として、二次信号粒子300は、二次信号検出器13に検出されることはない。
16…試料ステージ、17…透過信号検出器、18…透過信号粒子、18a…明視野透過信号粒子、18b…暗視野透過信号粒子、18c…絞りで最適化された明視野透過信号粒子、19…絞り、20…対物レンズ、21…試料台、22…直交電磁界発生装置、111…反射信号粒子、130…対物レンズ下方の二次信号検出器の吸引電界、150…試料台、160…試料ステージのベース、161…通過孔、200…対物レンズ磁界分布、201…対物レンズ磁極から発生する磁力線。
Claims (8)
- 荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される一次荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系を備えた荷電粒子線装置において、
前記試料を透過した荷電粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材は、透過荷電粒子線が通過するための開口を有する2枚の電極を備え、当該2枚の電極間の二次荷電粒子を検出する検出器を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1おいて、
前記2枚の電極は、その間における前記透過荷電粒子の衝突によって、前記二次荷電粒子を放出することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
前記2枚の電極は、その間で前記荷電粒子線が複数回反射するように配置されていることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される一次荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系を備えた荷電粒子線装置において、
前記試料を透過した暗視野信号粒子を検出する暗視野信号検出器と、前記試料を透過した明視野信号粒子を検出する明視野信号検出器と、前記暗視野信号検出器と明視野信号検出器との間に配置される絞りと、当該絞りに正の電圧を印加する電源を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記暗視野信号検出器は、前記試料を透過した暗視野信号粒子の衝突によって、二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記絞りを二重構造としたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される一次荷電粒子線を集束して試料上で走査する荷電粒子光学系を備えた荷電粒子線装置において、
前記試料を透過した暗視野信号粒子を検出する暗視野信号検出器を備え、当該暗視野信号検出器は、前記暗視野信号粒子の衝突によって二次荷電粒子を放出する透過信号変換部材を備え、当該透過信号変換部材の開口部に、ファラデーカップを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項7において、
前記ファラデーカップに正の電圧を印加する電源を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
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