JP2003132834A - 電子線装置及びこの装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏向色収差や倍率色収差の発生が少ない電子
光学系を具体化させる。 【解決手段】 電子線装置は、フィールドエミッション
アレイ１から放出された複数の１次電子線から第１のコ
ンデンサレンズ２で第１のクロスオーバー２０を形成
し、更に第２のコンデンサレンズ３でＥ×Ｂ分離器の偏
向主面２２に複数の１次電子線を結像し、次に、該複数
の１次電子線から縮小レンズ６で第２のクロスオーバー
２４を形成し、更に対物レンズ８で試料９の面上に結像
させて１次電子線による複数の照射スポットを形成し、
第２のクロスオーバー２４の位置に設けた偏向器７で複
数の一次電子線を偏向させ、試料９面上を走査される複
数の照射スポットから放出され且つ前記縮小レンズ６及
び対物レンズ８を経た複数の２次電子線をＥ×Ｂ分離器
５により１次電子線から分離し、分離された複数の２次
電子線を拡大レンズ１０、１１を介して検出器１２に結
像させて検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば最小線幅
０．１μｍ以下のパターンを有するウェーハ等の試料に
１次電子線を照射し、該試料から放出された２次電子線
を検出し、これにより得られた２次電子画像に基づいて
試料を評価する電子線装置、並びに、当該電子線装置を
用いたデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】半導体ウェーハやマスク等の試料の欠陥検
出方法として、複数の細く絞った電子線等のプローブで
試料上を同時走査して該試料から発生する２次電子を検
出器で検出することにより、高分解能、高スループット
で欠陥を検出する技術が知られている。この技術では、
複数の電子線源から発生した複数の１次電子線を、１次
光学系を介して試料に縮小結像させて複数の照射スポッ
トを形成する。このとき、偏向器を用いて各照射スポッ
トを試料の検査面上で走査する。次に、各照射スポット
から発生した２次電子線を、２次光学系を介して（１次
光学系と共通の２段のレンズを通過後）、Ｅ×Ｂ分離器
で１次ビームから分離し、拡大結像し、多数の検出素子
を線状に配列したリニア検出器により複数の２次電子線
の強度を各々検出する。そして、これら２次電子線の強
度信号から試料の被検査パターンの２次電子画像を得て
いる。

【０００３】試料は、ステージの上に置かれており、こ
のステージは、試料をＸＹ水平面内で適宜移動させ、マ
ルチビームを試料の被検査領域全体に亘って走査可能と
している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子線装置では、複数の電子線源やリニア検出器と
して何が適しているかに関して具体的に示されていな
く、また、電子光学系に関しても具体的なレンズ構成、
開口の決め方、及び、Ｅ×Ｂ分離器の最適位置について
は、示されていなかった。

【０００５】本発明は上記事実に鑑みなされたもので、
開口アパーチャの位置を決定し、Ｅ×Ｂ分離器の偏向色
収差が発生しない位置を指定し、倍率色収差の発生が少
ないレンズ構成を示し、電子線源、検出器を決定すると
共に電子光学系を具体化させることを目的とする。

【０００６】更に、本発明は、具体化された上記電子線
装置を用いて製造途中若しくは完成品の半導体デバイス
を検査することによって、検査精度及びスループットの
向上を図ったデバイス製造方法を提供することを別の目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、試料を評価するための電子線装置であっ
て、複数の電子線源から放出された複数の１次電子線か
ら第１のコンデンサレンズで第１のクロスオーバーを形
成し、更に第２のコンデンサレンズでＥ×Ｂ分離器の偏
向主面に複数の１次電子線を結像し、次に、該複数の１
次電子線から第１のレンズで第２のクロスオーバーを形
成し、更に第２のレンズで前記試料の面上に結像させて
１次電子線による複数の照射スポットを形成し、前記第
２のクロスオーバーの位置に設けた偏向器で複数の一次
電子線を偏向させ、前記試料面上を走査される複数の照
射スポットから放出され且つ前記第１及び第２のレンズ
を経た複数の２次電子線を前記Ｅ×Ｂ分離器により１次
電子線から分離し、分離された複数の２次電子線像を拡
大レンズを介して検出器に結像させて検出することを特
徴とする。

【０００８】本発明の好ましい態様では、複数の電子線
源は、フィールドエミッションアレイである。また、好
ましくは、検出器は、マルチチャンネルプレートと、複
数のアノードとを備える。更なる好ましい態様では、第
１のクロスオーバーに、開口角を決めるアパーチャを設
ける。

【０００９】上記電子線装置を用いて、少なくとも１つ
のウェーハプロセス終了後のウェーハとしての試料を評
価することが可能となり、デバイス製造において、検査
精度及びスループットの向上を図ることができる。

【００１０】本発明の他の態様及び作用効果は、以下の
説明によって更に明らかとなる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の各実施形態を説明する。 （第１の実施形態；電子線装置）図１には、本発明の第
１の実施形態に係る、電子線装置の概略構成が示されて
いる。この電子線装置は、複数の１次電子線を試料９に
照射し、発生した２次電子を検出することにより試料９
を評価する。

【００１２】本実施形態の電子線装置は、１次電子線を
放出する電子線源として、複数のフィールドエミッター
アレイ１を用いる。フィールドエミッターアレイ１の１
例としての構成を図２（Ａ）、（Ｂ）に示す。同図
（Ａ）に示すように、フィールドエミッターアレイ１の
各エミッターは、例えば３×３に配置される。なお、１
列でも任意好適の行列数でもよい。

【００１３】同図（Ｂ）の側断面図に示すように、フィ
ールドエミッターアレイ１は、Ｓｉ基板２１に配置され
た複数のＭｏエミッタ２２と、Ｓｉ基板２１と略平行に
配置され、且つ、各エミッタの先端用の開口を有するＡ
ｕ引出し電極２３と、各エミッタ間を絶縁するＳｉ₃Ｎ₄
絶縁膜と、を備える。レンズは、２〜１０ｍｍ直径の開
口を持つ２枚〜３枚の平面電極を光軸方向に２〜１０ｍ
ｍ間隔で配置し、各電極に異なる電圧を与えたもので、
凸レンズ作用を示す。

【００１４】フィールドエミッターアレイ１は、Ｓｉテ
クノロジーで多数のエミッターを容易に作れる上に、電
界放出電子銃であるからエネルギー幅の小さいビームを
高輝度で発生させるので、小さいビーム径で大電流を得
ることができる。

【００１５】再び図１に戻り、１次電子線を試料９に結
像させる１次光学系を説明すると、フィールドエミッタ
ーアレイ１の下段には、コンデンサレンズ２が配置され
る。コンデンサレンズ２は、ＮＡ（Numerical Apertur
e）を決める開口アパーチャ３の位置に、複数の１次電
子線の第１のクロスオーバー２０を形成する。このクロ
スオーバー２０の位置では、各エミッターからの主電子
線が交わっているので、各エミッターによる電子線の強
度変化を生じさせないで、収差を仕様値以下にする開口
角を決定することができる。

【００１６】更に、コンデンサレンズ２、開口アパーチ
ャ３の下段には、コンデンサレンズ４が配置される。コ
ンデンサレンズ４は、像面２２に複数の電子線像を形成
する。コンデンサレンズ２及び４は、ダブレットを形成
しているので、倍率の色収差及び歪みを問題にならない
程度に小さくすることができる。

【００１７】像面２２の位置には、Ｅ×Ｂ分離器５が配
置される。Ｅ×Ｂ分離器５は、試料９の法線に垂直な平
面内において、電場Ｅ及び磁場Ｂを直交させた構造とな
っており、電場Ｅ、磁場Ｂ及び１次電子線のエネルギー
の関係が、１次電子線に偏向作用を及ぼさないように設
定される。即ち、１次電子線は、Ｅ×Ｂ分離器５を通過
するとき、理想的には、ほとんど偏向を受けることなく
下段のレンズに至る。これに対し、Ｅ×Ｂ分離器の下方
から入射した２次電子線に対しては、Ｅ×Ｂの力で１次
光学系の光軸に対し、該２次電子線を１次電子線から分
離させるように所定角度に偏向させ、後述する２次光学
系に導く。

【００１８】しかし、実際には、１次電子線にエネルギ
ー幅があるため、Ｅ×Ｂ分離器５を通過すると偏向色収
差が発生する。電場、磁場単独での偏向量は１０°前後
と大きいので、偏向色収差も大きくなる。そこで、本実
施形態では、像面２２の位置の位置と、Ｅ×Ｂ分離器５
の偏向主面の位置とを一致させる。これにより、１次電
子線がＥ×Ｂ分離器５の偏向色収差に起因して偏向した
としても、後述する下段のレンズによって振り戻され、
試料９の面上における偏向色収差を減少させることがで
きる。

【００１９】Ｅ×Ｂ分離器５の下段には、像面２２の像
を更に縮小するための縮小レンズ６が配置される。縮小
レンズ６は、複数の１次電子線の第２のクロスオーバー
２４を形成する。更に、縮小レンズ６の下段には、対物
レンズ８が配置される。対物レンズ８は、試料９の検査
面上に複数の１次電子線像を結像させる。これにより、
複数の照射スポットが形成される。縮小レンズ６及び対
物レンズ８も、ダブレットを形成しているので、倍率の
色収差及び歪みを問題にならない程度に小さくすること
ができる。

【００２０】試料９の検査面上の１次電子線の複数の照
射スポットを該検査面上で走査するため、１次電子線を
所定範囲で偏向させる偏向器７が、縮小レンズ６及び対
物レンズ８の間、第２のクロスオーバー２４の位置に配
置される。このように第２のクロスオーバー２４の位置
に走査用の偏向器７を設けたので、走査される１次電子
線は、試料９の検査面上で垂直入射の条件を満たすこと
ができる。なお、偏向器７を第２のクロスオーバー２４
の位置に一致させなくても、２段以上の偏向器を設け、
それらの偏向中心を第２のクロスオーバー２４の位置に
一致させるように、偏向比を決定してもよい。

【００２１】試料９上の各照射スポットでは、２次電子
線が各々放出され、レンズ８及び６により、Ｅ×Ｂ分離
器５の遥か手前で結像される。前述したように、Ｅ×Ｂ
分離器５は、結像された複数の２次電子線を、位置２２
にあるその主面から光軸に対して所定角度をなす方向に
偏向させて２次光学系に投入する。

【００２２】２次光学系は、２次電子線の像を拡大して
検出器１２に結像させる拡大レンズ１０及び１１を備え
る。検出器１２は、マルチチャンネルプレートと、その
後方に各々配置された、２次電子を夫々検出するための
マルチアノード（複数の陽極）と、を備える。拡大レン
ズ１０及び１１の合焦条件は、マルチアノードの間隔
と、複数の２次電子線の間隔とが一致して、各アノード
に２次電子線が結像されるように調整される。

【００２３】マルチチャンネルプレートは、プレート内
に多数のチャンネルを備えており、２次電子が該チャン
ネル内を通過し、チャンネル壁に衝突する間に、更に多
数の電子を生成させる。即ち、２次電子を増幅させる。
マルチアノードは、例えば図示しない負荷抵抗に接続さ
れ、更に該負荷抵抗には、これと並列に抵抗に亘る電圧
を測定するための電圧測定器が接続される。マルチアノ
ードに到達して該負荷抵抗を流れた２次電子の流れ即ち
電流の電圧を測定することにより、２次電子強度を検出
することができる。マルチチャンネルプレートにより２
次電子が増倍されるため、マルチアノードに接続する負
荷抵抗を小さくしても十分な電圧変化が得られ、精度の
高い測定が可能となる。更に、負荷抵抗を小さくしたこ
とによって、高い応答速度の信号を得ることができる。

【００２４】ここで、２次光学系の試料面換算での分解
能より複数の１次電子線の間隔を大きくすることによっ
て、複数ビーム間のクロストークを生じなくさせること
ができる。照射スポットを、同時に上記した静電偏向器
７で走査する。これによりＳＥＭと同じ原理で画像を形
成でき、ビーム本数に比例した数の試料面の画像が同時
に作成される。

【００２５】マルチアノードの各々の検出信号を画像デ
ータに変換する画像処理部（図示せず）が検出器１２に
接続される。画像処理部には、１次電子線を偏向させる
ため偏向器７に与えられた走査信号と同じ信号が供給さ
れるので、画像処理部は、ビーム走査中に得られた検出
信号から試料９に形成されたパターンの２次電子パター
ン画像を構成することができる。試料の検査面全体の２
次電子画像を順次得るため、試料９は、図示しないステ
ージによって同期的に所定幅で逐次移動されてもよい。

【００２６】以上のようにして形成された２次電子画像
パターンに基づいて、本実施形態に係る電子線装置で
は、試料としてのウェーハ９の評価を例えば以下のよう
に実行する。

【００２７】パターンマッチングによるウェーハ９のパ
ターン欠陥検査法では、ＣＰＵ２８が、そのメモリに予
め蓄えられていた欠陥の存在しないウェーハの２次電子
線基準画像と、実際に検出された２次電子線画像とを比
較照合し、両者の類似度を算出する。例えば、類似度が
閾値以下になった場合、「欠陥有り」と判定し、閾値を
超える場合には「欠陥無し」と判定する。このとき、表
示部２９に検出画像を表示してもよい。これによって、
オペレータは、ウェーハ９が実際に欠陥を持つか否かを
最終的に確認、評価することができる。更に、画像の部
分領域毎を比較照合し、欠陥が存在する領域を自動的に
検出してもよい。このとき、欠陥部分の拡大画像を表示
部２９に表示するのが好適である。

【００２８】また、同じダイを多数有するウェーハの場
合、上記のように基準画像を用いる必要無しに、検出さ
れたダイ同士の検出画像を比較することによっても欠陥
部分を検出できる。例えば、図３（ａ）には、１番目に
検出されたダイの画像３１及び２番目に検出された他の
ダイの画像３２が示されている。ダイ画像３１とダイ画
像３２と非類似であり、３番目に検出された別のダイの
画像が１番目の画像３１と同じか又は類似と判断されれ
ば、２番目のダイ画像３２が欠陥を有すると判定され
る。更に詳細な比較照合アルゴリズムを用いれば、２番
目のダイ画像３２の欠陥部分３３を検出することも可能
である。

【００２９】図３（ｂ）には、ウェーハ上に形成された
パターンの線幅を測定する例が示されている。ウェーハ
上の実際のパターン３４を３５の方向に走査したときの
実際の２次電子の強度信号が３６であり、この信号が予
め較正して定められたスレッショールドレベル３７を連
続的に超える部分の幅３８をパターン３４の線幅として
測定することができる。このように測定された線幅が所
定の範囲内にない場合、当該パターンが欠陥を有すると
判定することができる。

【００３０】図３（ｂ）の線幅測定法は、ウェーハ９が
複数の層から形成されているときの各層間の合わせ精度
の測定にも応用することができる。例えば、一層目のリ
ソグラフィで形成される第１のアライメント用パターン
の近傍に、２層目のリソグラフィで形成される第２のア
ライメント用パターンを予め形成しておく。これらの２
本のパターン間隔を図３（ｂ）の方法を応用して測定
し、その測定値を設計値と比較することにより２層間の
合わせ精度を決定することができる。勿論、３層以上の
場合にも適用することができる。この場合、第１及び第
２のアライメント用パターンの間隔を、電子線装置の複
数の１次電子線の隣接するビーム間間隔とほぼ等しい間
隔に取っておけば、最小の走査量で合わせ精度を測定で
きる。

【００３１】図３（ｃ）には、ウェーハ上に形成された
パターンの電位コントラストを測定する例が示されてい
る。図１の電子線装置において、対物レンズ８とウェー
ハ９との間に軸対称の電極３９を設け、例えばウェーハ
電位０Ｖに対して−１０Ｖの電位を与えておく。このと
きの−２Ｖの等電位面は４０で示されるような形状とす
る。ここで、ウェーハに形成されたパターン４１及び４
２は、夫々−４Ｖと０Ｖの電位であるとする。この場
合、パターン４１から放出された２次電子は−２Ｖの等
電位面４０で２ｅＶの運動エネルギーに相当する上向き
の速度を持っているので、このポテンシャル障壁４０を
越え、軌道４３に示すように電極３９から脱出し、検出
器１２で検出される。一方、パターン４２から放出され
た２次電子は−２Ｖの電位障壁を越えられず、軌道４４
に示すようにウェーハ面に追い戻されるので、検出され
ない。従って、パターン４１の検出画像は明るく、パタ
ーン４２の検出画像は暗くなる。かくして、ウェーハ９
の被検査領域の電位コントラストが得られる。検出画像
の明るさと電位とを予め較正しておけば、検出画像から
パターンの電位を測定することができる。そして、この
電位分布からパターンの欠陥部分を評価することができ
る。

【００３２】また、図１において、開口アパーチャ３の
上段に図示しないブランキング偏向器を設け、この偏向
器によって１次電子線を第１のクロスオーバー２０の開
口に所定周期で偏向させ、当該ビームを短時間のみ通し
て他の時間は遮断することを繰り返すことによって、短
いパルス幅のビーム束を作ることが可能となる。このよ
うな短パルス幅ビームを用いて上記したようなウェーハ
上の電位測定等を行えば、高時間分解能でデバイス動作
を解析可能となる。即ち、本電子線装置をいわゆるＥＢ
テスターとして使用することができる。 （第２の実施形態；半導体デバイスの製造方法）本実施
形態は、上記実施形態で示した電子線装置を半導体デバ
イス製造工程におけるウェーハの評価に適用したもので
ある。

【００３３】デバイス製造工程の一例を図４のフローチ
ャートに従って説明する。 この製造工程例は以下の各主工程を含む。 ウェーハ９を製造するウェーハ製造工程（又はウェ
ハを準備する準備工程）（ステップ１００） 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程
（又はマスクを準備するマスク準備工程）（ステップ１
０１） ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハプロセッ
シング工程（ステップ１０２） ウェーハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能にならしめるチップ組立工程（ステップ１
０３） 組み立てられたチップを検査するチップ検査工程
（ステップ１０４） なお、各々の工程は、更に幾つかのサブ工程からなって
いる。

【００３４】これらの主工程の中で、半導体デバイスの
性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェーハプロセッ
シング工程である。この工程では、設計された回路パタ
ーンをウェーハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして
動作するチップを多数形成する。このウェーハプロセッ
シング工程は以下の各工程を含む。 絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を
形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程（ＣＶＤや
スパッタリング等を用いる） 形成された薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工
程 薄膜層やウェーハ基板等を選択的に加工するために
マスク（レチクル）を用いてレジストのパターンを形成
するリソグラフィー工程 レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工する
エッチング工程（例えばドライエッチング技術を用い
る） イオン・不純物注入拡散工程 レジスト剥離工程 加工されたウェーハを検査する検査工程 なお、ウェーハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰
り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。

【００３５】上記ウェーハプロセッシング工程の中核を
なすリソグラフィー工程を図５のフローチャートに示
す。このリソグラフィー工程は以下の各工程を含む。 前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ上
にレジストをコートするレジスト塗布工程（ステップ２
００） レジストを露光する露光工程（ステップ２０１） 露光されたレジストを現像してレジストのパターン
を得る現像工程（ステップ２０２） 現像されたパターンを安定化させるためのアニール
工程（ステップ２０３） 以上の半導体デバイス製造工程、ウェーハプロセッシン
グ工程、リソグラフィー工程には周知の工程が適用され
る。

【００３６】上記のウェーハ検査工程において、本発
明の上記各実施形態に係る評価装置を用いた場合、微細
なパターンを有する半導体デバイスでも、高スループッ
トで高精度に評価することができるので、製品の歩留向
上及び欠陥製品の出荷防止が可能となる。

【００３７】以上が上記各実施形態であるが、本発明
は、上記例にのみ限定されるものではなく本発明の範囲
内で任意好適に変更可能である。例えば、被検査試料９
として半導体ウェーハを例に掲げたが、本発明の被検査
試料はこれに限定されず、電子線によって欠陥を検出可
能なパターン等が形成された任意の試料、例えばマスク
等を評価対象とすることができる。

【００３８】

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の電子
線装置によれば、以下のような優れた効果が得られる。 １． 複数の電子ビームを用いて試料の評価を行うの
で、評価のスループットをビーム数倍にすることができ
る。 ２． 複数の電子線源としてフィールドエミッションア
レイを用いた場合、小さいビーム寸法で大電流が得られ
る。 ３． 第１及び第２のコンデンサレンズ、並びに、その
下段にある第１及び第２のレンズは、共にダブレット２
段構成であるため、倍率色収差及び歪みを僅少に抑える
ことができる。 ４． 第２のコンデンサレンズによる１次電子線の像面
とＥ×Ｂ分離器の偏向主面とを一致させているので、Ｅ
×Ｂ分離器による偏向色収差を僅少に抑えることができ
る。 ５． 走査用の偏向器を試料面に近い第２のクロスオー
バーの位置に配置したので、走査時において、１次電子
線の試料面への垂直ランディングが満たされる。 ６． 検出器がマルチチャンネルプレートを備える場
合、２次電子線を増倍することができるので、速い応答
の信号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る電子線装置の概略構成
図である。

【図２】図１の電子線装置の１次電子線源として用いら
れるフィールドエミッターアレイを示す図であって、
（Ａ）は、フィールドエミッターアレイの配列を示す正
面図、（Ｂ）は、フィールドエミッターアレイの側断面
図である。

【図３】試料の評価方法を説明する図であって、（ａ）
は本発明に係るダイ対ダイの比較によるパターン欠陥検
出方法、（ｂ）は線幅測定、（ｃ）は電位コントラスト
測定を夫々示す。

【図４】半導体デバイス製造プロセスを示すフローチャ
ートである。

【図５】図４の半導体デバイス製造プロセスのうちリソ
グラフィープロセスを示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ フィールドエミッションアレイ ２ 第１のコンデンサレンズ ３ 開口アパーチャ ４ 第１のコンデンサレンズ ５ Ｅ×Ｂ分離器 ６ 縮小レンズ ７ 走査用の偏向器 ８ 対物レンズ ９ 試料（ウェーハ） １０，１１ 拡大レンズ（２次光学系） １２ 検出器 ２０ 第１のクロスオーバー ２２ 像面 ２４ 第２のクロスオーバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ ５Ｆ０５６ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ａ (72)発明者 佐竹 徹 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 2G132 AA01 AF13 AL11 2H097 AA03 CA16 LA10 4M106 AA01 BA02 CA39 DB05 DB12 DB18 DB30 DJ18 DJ20 DJ21 5C030 CC02 5C033 NN01 NP01 NP04 NP06 UU02 UU04 5F056 BB01 BC08

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料を評価するための電子線装置であっ
   て、 複数の電子線源から放出された複数の１次電子線から第
   １のコンデンサレンズで第１のクロスオーバーを形成
   し、更に第２のコンデンサレンズでＥ×Ｂ分離器の偏向
   主面に複数の１次電子線を結像し、次に、該複数の１次
   電子線から第１のレンズで第２のクロスオーバーを形成
   し、更に第２のレンズで前記試料の面上に結像させて１
   次電子線による複数の照射スポットを形成し、前記第２
   のクロスオーバーの位置に設けた偏向器で複数の一次電
   子線を偏向させ、前記試料面上を走査される複数の照射
   スポットから放出され且つ前記第１及び第２のレンズを
   経た複数の２次電子線を前記Ｅ×Ｂ分離器により１次電
   子線から分離し、分離された複数の２次電子線を拡大レ
   ンズを介して検出器に結像させて検出することを特徴と
   する、電子線装置。
2. 【請求項２】 前記複数の電子線源は、フィールドエ
   ミッションアレイであることを特徴とする、請求項１に
   記載の電子線装置。
3. 【請求項３】 前記検出器は、マルチチャンネルプレー
   トと、複数のアノードとを備えることを特徴とする、請
   求項１に記載の電子線装置。
4. 【請求項４】 前記第１のクロスオーバーに、開口角を
   決めるアパーチャを設けることを特徴とする、請求項１
   に記載の電子線装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
   電子線装置を用いて、少なくとも１つのウェーハプロセ
   ス終了後のウェーハとしての前記試料を評価することを
   特徴とする、デバイス製造方法。