JP2002139465A - 欠陥検査装置および該欠陥検査装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
欠陥検査装置および該欠陥検査装置を用いたデバイス製造方法Info
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Abstract
て試料表面を均一に照射して得られた二次電子信号から
検査用の画像を形成することにより、高スループットで
欠陥検出ができるようにする。 【解決手段】 電子源から放出された電子線を検査試料
上に照射し、該試料から放出される二次電子を検出する
ことにより試料の欠陥検出を行う欠陥検査装置におい
て、上記電子源の電子発生領域を検査試料の照射領域と
ほぼ同面積または光学的に共役面とした。
Description
造用のマスクパターン、あるいは半導体ウェーハに形成
されたパターン等(試料)に電子線を照射し、試料の照
射点から発生する二次電子を検出し、該二次電子の画像
信号から欠陥検出を行う欠陥検査装置に関し、とくに最
小線幅0.1μm以下のパターンが形成されたウェー
ハ、あるいはマスクの欠陥を高スループットでかつ高信
頼性で検出できる欠陥検査装置に関する。
パターンあるいは半導体ウェーハ等の試料に照射し、試
料から放出される二次電子を検出し、その検出信号から
試料の欠陥を検出する装置は公知である。
置としてはSEM方式(走査型電子顕微鏡)を用いたも
のがあるが、該SEM方式のものは、スポット径を約
0.1μm程度に細く絞った電子ビームを試料上に照射
および走査し、その試料から放出される二次電子を検出
し撮像するため、試料全体の走査に時間がかかり、検査
のスループットを上げられないという欠点があった。ま
た、ビームをスポット状に絞るSEM方式では空間電荷
効果のためにビーム電流を大きくすることができず検出
感度を上げられないという欠点があった。
点を解決すべくなされたもので、このため本発明は、電
子源から放出された電子線を検査試料上に照射し、該試
料から放出される二次電子を検出することにより試料の
欠陥検出を行う欠陥検査装置であって、前記電子源の電
子発生領域を検査試料の照射領域とほぼ同面積または光
学的に共役面としたことを特徴とする。
式のビーム径よりも大きなビーム形状が得られる電子源
を用いて試料面を均一に照射して二次電子信号を検出
し、大きな照射領域の画像を生成することがて゛きるの
で、二次電子信号から画像を生成する回数を大幅に減少
させることができ、これによって高スループットの欠陥
検出を行うことができる。また、本発明では、従来のS
EM方式のようにビームを細く絞らないので、空間電荷
効果の影響が少なく、ビーム電流を上げることができ
る。
れた電子ビームを上記検査試料表面上に垂直入射するた
めの偏向器を備えることができ、該偏向器は検査試料か
ら放出される二次電子を一次電子ビームより分離するE
XB分離器とすることができる。
でき、該複数個の電子源は所定間隔で行列配置されたも
のとすることができる。従来の単一ビームではビームの
中心で電流密度が高く、周辺部で電流密度が低いガウス
分布となるが、上記のように複数の電子源を所定間隔で
行列配置することにより、試料上の比較的大きな領域に
均一な強度のビームを容易に形成することができるの
で、高精度、高効率の検査が可能となる。また、1つの
電子源が配置されたものでは、ビームを視野領域にまで
拡大するための静電レンズや磁界レンズが必要となる
が、複数の電子源を配列した場合にはこれらのレンズが
不要となる利点がある。
ロセス途中のウェーハの検査を行うデバイス製造方法に
適用することにより、高効率のデバイス製造が可能とな
る。
を添付図面を参照して説明する。図1は、本発明の実施
の形態による欠陥検査装置を示す図である。同図におい
て1は電子源となる電界放出電子銃、3は陽極基板、5
は一次光学系の光軸、7は該電界放出電子源から放出さ
れたビームの成形および方向決めを行う静電レンズ、8
は一次光学系のビーム、9は一次光学系のビームを試料
方向に垂直入射させかつ二次電子を一次電子より分離す
る静電偏向器を含むEXB分離器、11は偏向器、13
は対物レンズとなる静電レンズ、15は検査対象となる
試料、17は二次光学系の光軸、18は二次光学系のビ
ーム、19、21は二次電子を拡大する静電レンズ、2
3は二次電子を増倍するマイクロチャンネルプレート、
25は電気信号を光信号にに変換できる二次光学系の検
出器、27は光フィルター、29は光信号を画像信号に
変換できるCCDカメラである。なお、図中20は二次
光学系の開口板、30は鏡筒である。
圧を印加することにより電子銃1から放出されたビーム
は、静電レンズ7によりビーム形状を成形され、また所
定角度でEXB分離器9に導かれる。EXB分離器9
は、試料の法線(紙面の上方向)に垂直な平面内におい
て、電界と磁界とを直交させた構造となっており、電
界、磁界、電子のエネルギーの関係が一定条件を満たす
ときには電子を直進させ、それ以外のときには、これら
電界、磁界、電子のエネルギーの相互の関係により所定
方向に偏向させるようになっている。図示の装置では、
電子銃1からのビームを試料15面に垂直に入射させ、
また試料からの二次電子を検出器25方向に直進させる
ように設定されている。
電レンズ13で拡大され、EXB分離器9の中心面に結
像される。EXB分離器9の電界および磁界は、二次電
子が直進できるように設定されているので、一次電子よ
り分離されてそのまま直進し、静電レンズ19、21で
拡大され、マイクロチャンネルプレート23により所定
倍率に増幅された後、検出器25のターゲットに結像さ
れる。検出器25に入射した二次電子はそこで電気信号
を光信号に変換された後、光フィルター27を通り、C
CDカメラ29で画像信号に変換され、さらに画像処理
された後、図示しない表示器へ画像表示される。
出電子銃1として、図2に示すように、単一のSi基板
31に複数個の電界放出電子源33を形成した電子銃を
使用している。該電子銃は、試料15上の照射領域とほ
ぼ同面積のSi基板31に複数個の電界放出電子源33
を所定間隔で行列配置するようにフォトリソグラフィー
技術を用いて一度に形成することができる。すなわち、
Si基板31上に設けた陽極基板35に縦横所定間隔a
で電子放出穴37を形成し、該陽極基板35下側のSi
基板31にアンダーカットを形成して電子放出穴37の
中央に位置するように電子放出尖端39を形成し、陽極
基板35と陰極基板36との間に所定の電圧38を印加
して電子放出穴37より電子を引き出すようにしたもの
である。例えば、試料上の照射領域が200μm×20
0μmであれば、一辺l=210μmのSi基板にd=
5μm径の電子放出穴37を形成して、複数の電子源3
3をa=20μmの間隔で形成した電子銃を用いる。
に搭載し、電子銃1の陽極基板3に加速電圧を印加して
ビームを発生させ、該ビームの大きさを変えることなく
静電レンズ7およびEXB分離器9によりビーム8を試
料15表面に垂直に入射させた後、ファラデーカップ1
0を用いてビーム総電流とビーム電流の面内均一性を測
定したところ、ビーム総電流は加速電圧1kVで1μA
程度であり、また照射領域の全面に亘り±5%程度のビ
ーム電流の均一性が見られた。
装置を用いてウェーハを検査した時のXYステージの動
作を示している。すなわち、DRAMウェーハ41を搭
載したXYステージ43は、まずウェーハの右上隅の照
射領域45の200μm×200μmを撮像した後、−
Y方向に195μm移動し、次の200μm×200μ
mの撮像を行う。5μmは画像と画像のオーバーラップ
分としてXYステージの移動誤差を許容できるようにし
た。また、XYステージの移動中はウェーハ上へのチャ
ージアップを回避するためにビームのブランキングを行
った。このようにして、ウェーハ右隅上の検査領域45
から開始し、矢印42に沿って−Y方向に195μmず
つXYステージを移動しながら移動と撮像とを繰り返
し、ウェーハの右下隅まで検査を行った後、矢印44に
沿って−X方向に195μm移動し、さらに矢印46に
沿ってY方向に195μmずつ移動しながら撮像し、こ
れを順次繰り返しながらウェーハの左下隅47まで検査
を行い、ウェーハ検査領域全体の検査を行った。撮像さ
れた画像データはリアルタイムで欠陥の抽出、分類を行
った。
は、大きな照射領域を一度に照射しながら検査を行うこ
とができるので、高スループットの検査が可能である。
なお、上記実施の形態では、二次電子の検出にマイクロ
チャンネルプレート23と、検出器25と、光フィルタ
ー27と、CCDカメラ29とを使用し、電界放出電子
銃1の各エミッター33から放出された一次電子の入射
点から発生した二次電子を共通の検出器により検出して
いるが、他の実施の形態として、図1のマイクロチャン
ネルプレート23と、検出器25と、光フィルター27
と、CCDカメラ29の代わりに、二次電子の検出部に
電子銃1のエミッター33の数に対応した二次電子検出
器群を設け、検査試料15の照射面と二次電子検出器の
位置を互いに共役面とし、一つのエミッター33からの
電子の入射点から放出した二次電子を二次電子検出器群
の対応する検出器にのみ入射するようにしてもよい。こ
の場合は、静電レンズ13をマルチレンズより構成し、
各エミッター33から放出されるビームを偏向器11に
て走査し、試料15から放出される二次電子を静電レン
ズ13の対応する開口を通してそれぞれ対応する二次電
子検出器に導くように静電レンズ13のマルチ開口の寸
法を調整する。
の形態を示すもので、該実施の形態のものは、上記複数
の電子放出源33を行列配列した電子銃(マイクロエミ
ッタアレイ)1を試料15に対向した対物レンズ13の
下側に取り付けもので、該電子銃1から放出された電子
ビームを直接試料表面に照射し、試料表面から放出され
た二次電子を、先の実施の形態と同様にして検出して試
料表面の画像を得るようにしたものである。該実施の形
態において電子銃1は、図示のように少なくとも左右一
対1a,1b設け、試料表面の同一箇所を対称に照射す
る。これにより、試料15表面の凹凸による陰影が画像
上に生じないようにする。このため、電子銃1a,1b
の電子放出穴は、図示のように、電子ビーム8が光軸中
心に向けて斜め45゜に放出されるように形成するか、
または図示鎖線のごとく電子銃自身を斜めに配置する。
直接取り付けることにより、一次光学系の静電レンズ7
やEXB分離器9等の部品が不要となり、装置を簡略化
しコンパクトにできる利点がある。
の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程
は以下の各主工程を含む。 (1)ウェーハを製造するウェーハ製造工程(又はウェ
ーハを準備するウェーハ準備工程)(ステップ10) (2)露光に使用するマスクを制作するマスク製造工程
(又はマスクを準備するマスク準備工程)(ステップ1
1) (3)ウェーハに必要な加工処理を行うウェーハプロセ
ッシング工程。(ステップ12) (4)ウェーハ上に形成されたチップを一個ずつ切り出
し、動作可能にするチップ組立て工程。(ステップ1
3) (5)完成したチップを検査する検査工程。(ステップ
14)なお、これらの主工程はさらにいくつかのサブ工
程からなっている。
響を及ぼす主工程は、ウェーハプロセッシング工程であ
る。このウェーハプロセッシング工程では、設計された
回路パターンをウェーハ上に順次積層し、チップを多数
形成する。
のサブ工程を含んでいる。 (I)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部
を形成する金属膜等を形成する薄膜形成工程(CVDや
スパッタリング等を用いる)。 (II)この薄膜層やウェーハ基板を酸化する酸化工
程。 (III)薄膜層やウェーハ基板等を選択的に加工する
ためにマスク(レクチル)を用いてレジストのパターン
を形成するリソグラフィー工程。 (IV)レジストのパターンに従って薄膜層やウェーハ
基板加工するエッチング工程(例えばドライエッチング
等) (V)イオン・不純物注入拡散工程。 (VI)レジスト剥離工程。 (VII)加工されたウェーハを検査する検査工程。 なお、ウェーハプロセッシング工程は、多層ウェーハの
場合には層数だけ繰り返し行い、デバイスを製造する。
程の中核をなすリソグラフィー工程を示すフローチャー
トである。このリソグラフィー工程は、以下の各工程を
含んでいる。 (1)前段の工程で回路パターンが形成されたウェーハ
上にレジストをコートするレジスト塗布工程。(ステッ
プ20) (2)レジストを露光する露光工程。(ステップ21) (3)露光されたレジストを現像してレジストのパター
ンを得る現像工程。(ステップ22) (4)現像されたレジストパターンを安定化させるため
のアニール工程。(ステップ23) 以上のデバイス製造工程、ウェーハプロセッシング工
程、リソグラフィー工程については、周知であるのでこ
れ以上の説明を省略する。
査する検査工程に、本発明の欠陥検査装置を用いること
により、微細なパターンを有する半導体デバイスでも、
スループットよく検査ができるので、全数検査が可能と
なり、製品の歩留まりを向上させ、欠陥製品の出荷を防
止することができる。
査には、フォトマスクやレクチル、ウェーハ等(試料)
の欠陥検査や、線幅測定、合わせ精度測定、電位コント
ラスト測定等の各種検査や測定も含まれる。
うな作用効果が得られる。 1)従来使用されていたSEM方式のビーム径よりも大
きなビーム形状が得られる電子源を用いて試料表面を均
一に照射して二次電子信号を検出し、該二次電子信号か
ら画像を生成できるので、高スループットの欠陥検出が
できる。
ポット状に絞らないので、空間電荷効果による影響が少
なく、ビーム電流を増加できるので検出感度を上げるこ
とができる。
は、電流密度がビーム中心で高く、周辺部で低いガウス
分布のビームとなるが、本発明装置では比較的大きな領
域に均一なビームを容易に形成できるので、より高精度
の検査が可能となる。
取り付けた場合は、一次光学系の静電レンズやEXB分
離器等の機器が不要となり、装置構成を著しく簡素化す
ることができる。
を示す概略構成図である。
銃の構造を示す図で、同図(a)は斜視図、同図(b)
は部分断面図である。
時のXYステージの移動手順を示す図である。
形態を示す部分構成図である。
である。
トである。
Claims (5)
- 【請求項1】 電子源から放出された電子線を検査試料
上に照射し、該試料から放出される二次電子を検出する
ことにより試料の欠陥検出を行う欠陥検査装置であっ
て、前記電子源の電子発生領域を検査試料の照射領域と
ほぼ同面積または光学的に共役面としたことを特徴とす
る欠陥検査装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の欠陥検査装置であって、
前記電子源から放出された電子ビームを前記検査試料表
面上に垂直入射させるための偏向器を備えたことを特徴
とする欠陥検査装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の欠陥検査装置であって、
前記電子源は複数個の電子源を含むことを特徴とする欠
陥検査装置。 - 【請求項4】 請求項3記載の欠陥検査装置であって、
前記複数個の電子源からの二次電子を共通のまたは別々
の二次電子検出器に導くことを特徴とする欠陥検査装
置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかの欠陥検査
装置を用いてプロセス途中のウェーハの検査を行うこと
を特徴とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004100206A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Ebara Corporation | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
US7138629B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
-
2000
- 2000-11-02 JP JP2000336175A patent/JP2002139465A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7138629B2 (en) | 2003-04-22 | 2006-11-21 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US7365324B2 (en) | 2003-04-22 | 2008-04-29 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US7741601B2 (en) | 2003-04-22 | 2010-06-22 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US8742341B2 (en) | 2003-04-22 | 2014-06-03 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US8946631B2 (en) | 2003-04-22 | 2015-02-03 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
US9406480B2 (en) | 2003-04-22 | 2016-08-02 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
WO2004100206A1 (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Ebara Corporation | 荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法 |
KR101052335B1 (ko) * | 2003-05-09 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 전자선장치, 전자선 검사방법, 전자선 검사장치, 노광조건 결정방법, 패턴검사방법, 기판검사방법, 패턴검사장치, 기판검사장치 및 검출기 위치결정방법 |
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JP2002169270A (ja) | マスク検査装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
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