JP2001283763A - フィルター、電子線装置及びこれらの装置を用いたデバイス製造方法 - Google Patents
フィルター、電子線装置及びこれらの装置を用いたデバイス製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/057—Energy or mass filtering
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料面の電位コントラストを測定するのに、
半球状のメッシュフィルターを用いると、一次電子線に
補正困難な収差を生じる。 【解決手段】 ２次電子検出器と試料間に、軸対称の電
極を設け、この電極に与える電圧を調整することによ
り、光軸上の特定の場所での電位を調整し、２次電子の
通過不通過を制御可能にする。
半球状のメッシュフィルターを用いると、一次電子線に
補正困難な収差を生じる。 【解決手段】 ２次電子検出器と試料間に、軸対称の電
極を設け、この電極に与える電圧を調整することによ
り、光軸上の特定の場所での電位を調整し、２次電子の
通過不通過を制御可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電位コントラスト
を得るため、試料面に荷電粒子線を照射したときそこか
ら発生する２次電子をそのエネルギー等に依存してある
面の通過、不通過を選択するフィルター及びその様なフ
ィルターを用いた装置あるいはその様な装置を用いるデ
バイス製造方法に関するものである。
を得るため、試料面に荷電粒子線を照射したときそこか
ら発生する２次電子をそのエネルギー等に依存してある
面の通過、不通過を選択するフィルター及びその様なフ
ィルターを用いた装置あるいはその様な装置を用いるデ
バイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、減速電界型の対物レンズは、軸上
色収差や球面収差を大幅に改善できるので、ＳＥＭで実
用されている。また、従来の２次電子に対するフィルタ
ーは、試料面と対物レンズ間等に半球状に成形されたメ
ッシュ電極を配置し、この電極に与える電圧を調節する
ものが実施されている。またこの様なメッシュフィルタ
ーを用いてウエハー上の電位コントラストを測定した
り、試料面にパルス状の電子線を入射させ高時間分解能
でデバイスの動作時の局部的な電位を測定するストロボ
ＳＥＭが公知である。
色収差や球面収差を大幅に改善できるので、ＳＥＭで実
用されている。また、従来の２次電子に対するフィルタ
ーは、試料面と対物レンズ間等に半球状に成形されたメ
ッシュ電極を配置し、この電極に与える電圧を調節する
ものが実施されている。またこの様なメッシュフィルタ
ーを用いてウエハー上の電位コントラストを測定した
り、試料面にパルス状の電子線を入射させ高時間分解能
でデバイスの動作時の局部的な電位を測定するストロボ
ＳＥＭが公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の減速電界型の対
物レンズでは試料から放出された２次電子は放出面の電
位に無関係に検出されるため、試料面の電位コントラス
トを得るのが困難であった。また、上記の如き従来のメ
ッシュフィルターでは１次電子線を試料面で走査したと
き、メッシュの近くを通過した電子線は軌道を曲げら
れ、歪みやボケを生じるので電子線を細く絞るのが困難
であったし、正確な走査を行うのも困難であった。特に
減速電界中にこの様なフィルターを設けると特に歪みや
ボケの影響が大きかった。
物レンズでは試料から放出された２次電子は放出面の電
位に無関係に検出されるため、試料面の電位コントラス
トを得るのが困難であった。また、上記の如き従来のメ
ッシュフィルターでは１次電子線を試料面で走査したと
き、メッシュの近くを通過した電子線は軌道を曲げら
れ、歪みやボケを生じるので電子線を細く絞るのが困難
であったし、正確な走査を行うのも困難であった。特に
減速電界中にこの様なフィルターを設けると特に歪みや
ボケの影響が大きかった。
【０００４】本発明は、従来装置の上記問題点に鑑みて
なされたもので、減速電界型の光学系でも使用可能で、
この様なフィルターを設置しても歪みやボケが大きくな
らない様なフィルターを得ることと、またその様なフィ
ルターを利用した装置、及び上記装置を用いたデバイス
製造方法を提供する事を目的とする。
なされたもので、減速電界型の光学系でも使用可能で、
この様なフィルターを設置しても歪みやボケが大きくな
らない様なフィルターを得ることと、またその様なフィ
ルターを利用した装置、及び上記装置を用いたデバイス
製造方法を提供する事を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のため
本発明では、荷電粒子線源、２次電子検出器、対物レン
ズ、試料面を有し、上記２次電子検出器と試料面間に軸
対称の電極を設け、該電極に与える電圧を調整し、試料
と２次電子検出器間の特定の場所での軸上ポテンシャル
を調整し、試料から放出された２次電子の通過、不通過
を選択可能にする様にした。
本発明では、荷電粒子線源、２次電子検出器、対物レン
ズ、試料面を有し、上記２次電子検出器と試料面間に軸
対称の電極を設け、該電極に与える電圧を調整し、試料
と２次電子検出器間の特定の場所での軸上ポテンシャル
を調整し、試料から放出された２次電子の通過、不通過
を選択可能にする様にした。
【０００６】また上記手段に於いて、上記対物レンズと
試料面間には減速電界が形成されていて、上記電極は対
物レンズと試料面間に設けられている様にした。
試料面間には減速電界が形成されていて、上記電極は対
物レンズと試料面間に設けられている様にした。
【０００７】さらに上記第１あるいは第２の手段に於い
て、さらに走査用偏向器、ブランキング偏向器、ブラン
キング開口を有し、試料上にパルス状の電子線を入射さ
せ試料上の微小領域の電圧を高時間分解能で測定する様
にした。
て、さらに走査用偏向器、ブランキング偏向器、ブラン
キング開口を有し、試料上にパルス状の電子線を入射さ
せ試料上の微小領域の電圧を高時間分解能で測定する様
にした。
【０００８】また、上記第２あるいは第３の手段に於い
て、上記走査用偏向器に与える電圧あるいは電圧に依存
して上記軸対称の電極に与える電圧、あるいは信号レベ
ルに乗せるオフセット値をダイナミックに変化させる様
にした。
て、上記走査用偏向器に与える電圧あるいは電圧に依存
して上記軸対称の電極に与える電圧、あるいは信号レベ
ルに乗せるオフセット値をダイナミックに変化させる様
にした。
【０００９】さらに上記第２，３あるいは第４の手段に
記載された装置を用いてデバイス製造プロセス途中ある
いは完成後の状態を測定する様にした。
記載された装置を用いてデバイス製造プロセス途中ある
いは完成後の状態を測定する様にした。
【００１０】
【発明実施の形態】以下、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の実施の形態を説明する図である。電子
銃２の中心部に配置された熱電界放出カソード１から放
出された高輝度の電子線はコンデンサレンズ４で集束さ
れ、ＥｘＢフィルター１０の中心にクロスオーバーを形
成する。
図１は、本発明の実施の形態を説明する図である。電子
銃２の中心部に配置された熱電界放出カソード１から放
出された高輝度の電子線はコンデンサレンズ４で集束さ
れ、ＥｘＢフィルター１０の中心にクロスオーバーを形
成する。
【００１１】試料面を走査する偏向器は６と１１の２段
で行う。６，１１共電磁偏向器で、Ｘ及びＹ方向に１ｍ
ｍ角の走査が可能である。フィルターの中心に形成され
たクロスオーバーを試料面１５に結像させるのは対物レ
ンズ１２を用いる。カソードに−５００Ｖを印加してい
るので、試料を接地すると５００ｅＶのエネルギーで試
料を照射する。電極１３は減速電界を形成する電極で１
０ｋＶが与えられる。
で行う。６，１１共電磁偏向器で、Ｘ及びＹ方向に１ｍ
ｍ角の走査が可能である。フィルターの中心に形成され
たクロスオーバーを試料面１５に結像させるのは対物レ
ンズ１２を用いる。カソードに−５００Ｖを印加してい
るので、試料を接地すると５００ｅＶのエネルギーで試
料を照射する。電極１３は減速電界を形成する電極で１
０ｋＶが与えられる。
【００１２】対物レンズと試料間には本発明の軸対称電
極１４が配置される。
極１４が配置される。
【００１３】図２は電位コントラストが本発明のフィル
ターで得られることを示した説明図である。減速電界用
電極１３，フィルター１４及び試料１５に与える電圧を
それぞれ１０ｋＶ、−３００Ｖ、及び０Ｖとしたときの
等ポテンシヤル線２２と２次電子線軌道２１を示したも
のである。
ターで得られることを示した説明図である。減速電界用
電極１３，フィルター１４及び試料１５に与える電圧を
それぞれ１０ｋＶ、−３００Ｖ、及び０Ｖとしたときの
等ポテンシヤル線２２と２次電子線軌道２１を示したも
のである。
【００１４】図２でフィルター電極１４に試料面より低
電圧の電位を与え、試料面の上部の光軸上の電位を負の
値にしている。例えば図２の様に−３Ｖになるようにす
ると、試料面上０Ｖの電極から放出された２次電子は３
ｅＶ以下の初期エネルギーのものはこの電位障壁を越え
られず図２の破線２１で示したように試料面に追い返さ
れ検出器に到達し得ない。しかし−３Ｖにバイアスされ
た試料面のパターンから放出された２次電子はこの面
で、まだ初期エネルギー分の速度を持っているのでこの
障壁を越え、対物レンズを透過しＥｘＢフィルターで光
軸から離れ、２次電子検出系７，８，９で検出される。
即ち、試料面のパターンの電位に依存して２次電子検出
器に入射する量が変化するので、試料面の電位コントラ
ストが得られることを意味する。
電圧の電位を与え、試料面の上部の光軸上の電位を負の
値にしている。例えば図２の様に−３Ｖになるようにす
ると、試料面上０Ｖの電極から放出された２次電子は３
ｅＶ以下の初期エネルギーのものはこの電位障壁を越え
られず図２の破線２１で示したように試料面に追い返さ
れ検出器に到達し得ない。しかし−３Ｖにバイアスされ
た試料面のパターンから放出された２次電子はこの面
で、まだ初期エネルギー分の速度を持っているのでこの
障壁を越え、対物レンズを透過しＥｘＢフィルターで光
軸から離れ、２次電子検出系７，８，９で検出される。
即ち、試料面のパターンの電位に依存して２次電子検出
器に入射する量が変化するので、試料面の電位コントラ
ストが得られることを意味する。
【００１５】試料面の光軸から離れた位置から出た２次
電子は光軸から離れた位置で上記電位障壁を通る傾向が
ある。電位障壁の最小値は光軸から離れるに従って深く
なるので、２次電子の電位障壁は高くなり２次電子は検
出され難くなる。これを補正するため、偏向に依存して
電極１３の電圧をダイナミックに調整する必要がある。
あるいは単に信号レベルにオフセットを乗せてもよい。
例えば、ＣＲＴモニタで１視野分の画像を表示し、同じ
電位のパターンの明るさが同じになるよう偏向に依存し
たオフセット値を測定し、それらの値をテーブルで持て
ばよい。またフィルターに与える電位をダイナミックに
変える場合も同様の校正を行えばよい。
電子は光軸から離れた位置で上記電位障壁を通る傾向が
ある。電位障壁の最小値は光軸から離れるに従って深く
なるので、２次電子の電位障壁は高くなり２次電子は検
出され難くなる。これを補正するため、偏向に依存して
電極１３の電圧をダイナミックに調整する必要がある。
あるいは単に信号レベルにオフセットを乗せてもよい。
例えば、ＣＲＴモニタで１視野分の画像を表示し、同じ
電位のパターンの明るさが同じになるよう偏向に依存し
たオフセット値を測定し、それらの値をテーブルで持て
ばよい。またフィルターに与える電位をダイナミックに
変える場合も同様の校正を行えばよい。
【００１６】他の実施の形態として、図１でブランキン
グ偏向器３とブランキング開口５の組み合わせでパルス
状の電子線を形成し、このビームで試料面を走査し、試
料上のデバイスの動作時の各パターンの電位を高時間分
解能で測定するストロボＳＥＭ機能を持たせる事も可能
である。この場合は、コンデンサーレンズ４が作るクロ
スオーバ像をＥｘＢの中心ではなく、クロスオーバ開口
５に結像させたほうが小さい電圧でビームをオン・オフ
出来る。
グ偏向器３とブランキング開口５の組み合わせでパルス
状の電子線を形成し、このビームで試料面を走査し、試
料上のデバイスの動作時の各パターンの電位を高時間分
解能で測定するストロボＳＥＭ機能を持たせる事も可能
である。この場合は、コンデンサーレンズ４が作るクロ
スオーバ像をＥｘＢの中心ではなく、クロスオーバ開口
５に結像させたほうが小さい電圧でビームをオン・オフ
出来る。
【００１７】このようなフィルター電極１４は対物レン
ズの上部に設けたほうが、対物レンズの焦点距離を小さ
くできるので、軸上色収差を小さくできる利点がある。
その場合は対物レンズ−試料間は減速電界を印加しない
方が２次電子のエネルギーが小さい値でフィルターを通
せるので、電圧分解能を良くできる。
ズの上部に設けたほうが、対物レンズの焦点距離を小さ
くできるので、軸上色収差を小さくできる利点がある。
その場合は対物レンズ−試料間は減速電界を印加しない
方が２次電子のエネルギーが小さい値でフィルターを通
せるので、電圧分解能を良くできる。
【００１８】図１で、偏向器６，１１で試料面１５を２
次元的に走査し、試料上のパターン電極から発生する２
次電子を検出系７，８，９で検出する。ここで上記電極
に０Ｖと３Ｖの２種類の電圧を与える。そしてフィルタ
ー１４の電圧を調整して、０Ｖの電極は明るく、３Ｖの
電極は暗くなるよう設定する。この状態で実デバイスを
動作させ、０Ｖになっているべき電極が暗かったり、３
Ｖになるべき電極パターンが明るかったりするのを検出
することにより、そのデバイスの欠陥を検出するように
した。
次元的に走査し、試料上のパターン電極から発生する２
次電子を検出系７，８，９で検出する。ここで上記電極
に０Ｖと３Ｖの２種類の電圧を与える。そしてフィルタ
ー１４の電圧を調整して、０Ｖの電極は明るく、３Ｖの
電極は暗くなるよう設定する。この状態で実デバイスを
動作させ、０Ｖになっているべき電極が暗かったり、３
Ｖになるべき電極パターンが明るかったりするのを検出
することにより、そのデバイスの欠陥を検出するように
した。
【００１９】また他の実施の形態は、図のフィルター１
４には前記条件より数１０Ｖ高い電圧を与え、試料から
の２次電子は全てこのフィルター面を通過する条件にす
る。試料のパターンには電圧を印加せず、試料面の凹凸
や材質の違いによる信号変化をＳ／Ｎ比良く検出し、パ
ターンの線幅測定を行う事が出来る。この場合は減速電
界が対物レンズと試料面に印加されている方が好都合で
ある。
４には前記条件より数１０Ｖ高い電圧を与え、試料から
の２次電子は全てこのフィルター面を通過する条件にす
る。試料のパターンには電圧を印加せず、試料面の凹凸
や材質の違いによる信号変化をＳ／Ｎ比良く検出し、パ
ターンの線幅測定を行う事が出来る。この場合は減速電
界が対物レンズと試料面に印加されている方が好都合で
ある。
【００２０】以下、本発明に係る半導体デバイスの製造
方法の実施の形態の例を説明する。図３は、本発明の半
導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートであ
る。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。 １ ウエーハを製造するウエーハ製造工程 ２ 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程 ３ ウエーハに必要な加工処理を行うウエーハプロセッ
シング工程 ４ ウエーハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能ならしめるチップ組立工程 ５ できたチップを本発明のストロボＳＥＭ等で検査す
るチップ検査工程なお、それぞれの工程はさらにいくつ
かのサブ工程からなっている。
方法の実施の形態の例を説明する。図３は、本発明の半
導体デバイス製造方法の一例を示すフローチャートであ
る。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。 １ ウエーハを製造するウエーハ製造工程 ２ 露光に使用するマスクを製作するマスク製造工程 ３ ウエーハに必要な加工処理を行うウエーハプロセッ
シング工程 ４ ウエーハ上に形成されたチップを１個ずつ切り出
し、動作可能ならしめるチップ組立工程 ５ できたチップを本発明のストロボＳＥＭ等で検査す
るチップ検査工程なお、それぞれの工程はさらにいくつ
かのサブ工程からなっている。
【００２１】これらの主工程の中で、半導体デバイスの
性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシ
ング工程である。この工程では、設計された回路パター
ンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作
するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング
工程は以下の各工程を含む。 １ ＣＶＤやスパッタリング等を用い、誘電体薄膜や金
属薄膜等を形成する薄膜形成工程 ２ ウエハ基板等を酸化する酸化工程 ３ 酸化膜やウエハ基板等を選択的に加工するためのリ
ソグラフィー工程 ４ ドライエッチング技術を用いるエッチング工程 ５ 不純物をドープするイオン注入工程 ６ 加工中のウエハ基板を検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウエハプロセッシ
ング工程である。この工程では、設計された回路パター
ンをウエハ上に順次積層し、メモリやＭＰＵとして動作
するチップを多数形成する。このウエハプロセッシング
工程は以下の各工程を含む。 １ ＣＶＤやスパッタリング等を用い、誘電体薄膜や金
属薄膜等を形成する薄膜形成工程 ２ ウエハ基板等を酸化する酸化工程 ３ 酸化膜やウエハ基板等を選択的に加工するためのリ
ソグラフィー工程 ４ ドライエッチング技術を用いるエッチング工程 ５ 不純物をドープするイオン注入工程 ６ 加工中のウエハ基板を検査する検査工程 なお、ウエハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り
返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造す
る。
【００２２】上記６の検査工程に本発明に係る電子線装
置を用いると、微細なパターンを有する半導体デバイス
でも、スループットよく検査ができるので、全数検査も
場合により可能となり、製品の歩留まり向上、欠陥製品
の出荷防止が可能となる。
置を用いると、微細なパターンを有する半導体デバイス
でも、スループットよく検査ができるので、全数検査も
場合により可能となり、製品の歩留まり向上、欠陥製品
の出荷防止が可能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば軸対称形状のフィルターを利用できるので１次電
子線に補正困難な収差を生じさせないので電子線を細く
絞れ、高解像度の測定が可能になる。また、減速電界中
でも使用可能であるから、１次電子線の収差そのものも
大幅に減少できる。さらに、本発明のフィルターを持つ
光学系を静電レンズ、静電偏向器で製作し、小口径と
し、この光学系を多数並べれば、高スループットの測定
・検査が可能である。
よれば軸対称形状のフィルターを利用できるので１次電
子線に補正困難な収差を生じさせないので電子線を細く
絞れ、高解像度の測定が可能になる。また、減速電界中
でも使用可能であるから、１次電子線の収差そのものも
大幅に減少できる。さらに、本発明のフィルターを持つ
光学系を静電レンズ、静電偏向器で製作し、小口径と
し、この光学系を多数並べれば、高スループットの測定
・検査が可能である。
【図１】本発明のフィルターを組み込んだ電子線装置の
実施の形態例のシステムの構成断面図である。２次電子
検出系以外は軸対称構造である。
実施の形態例のシステムの構成断面図である。２次電子
検出系以外は軸対称構造である。
【図２】本発明のフィルターで電位コントラストが得ら
れる事を示す説明図である。
れる事を示す説明図である。
【図３】本発明の電子線装置を用いたデバイス製造方法
のプロセスのフローチャートである。
のプロセスのフローチャートである。
１： カソード ２： 電子銃 ３： ブランキング偏向器 ４： コンデ
ンサレンズ ５： ブランキング開口 ６： 走査偏
向器１ ７： ライトガイド ８： シンチ
レータ ９： ２次電子収集電極 １０： ＥｘＢ
フィルター １１： 走査偏向器２ １２： 対物
レンズ １３： 減速電界電極 １４： 軸対
称フィルター １５： 試料 ２１： ２次電子予想軌道 ２２： 等電
位線
ンサレンズ ５： ブランキング開口 ６： 走査偏
向器１ ７： ライトガイド ８： シンチ
レータ ９： ２次電子収集電極 １０： ＥｘＢ
フィルター １１： 走査偏向器２ １２： 対物
レンズ １３： 減速電界電極 １４： 軸対
称フィルター １５： 試料 ２１： ２次電子予想軌道 ２２： 等電
位線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ
Claims (5)
- 【請求項１】 荷電粒子線源、２次電子検出器、対物レ
ンズ、試料面を有し、上記２次電子検出器と試料面間に
軸対称の電極を設け、該電極に与える電圧を調整し、試
料と２次電子検出器間の特定の場所での軸上ポテンシャ
ルを調整することによって、試料から放出された２次電
子の通過、不通過を選択可能にする事を特徴とするフィ
ルター。 - 【請求項２】 請求項１に於いて、上記対物レンズと試
料面間には減速電界が形成されていて、上記電極は対物
レンズと試料面間に設けられている事を特徴とするフィ
ルター。 - 【請求項３】 請求項１又は２に於いて、さらに走査用
偏向器、ブランキング偏向器、ブランキング開口を有
し、試料上にパルス状の電子線を入射させ試料上の微小
領域の電圧を高時間分解能で測定する事を特徴とする電
子線装置。 - 【請求項４】 請求項３に於いて、上記走査用偏向器に
与える電圧あるいは電流に依存して上記軸対称の電極に
与える電圧あるいは、信号レベルに乗せるオフセット値
をダイナミックに変化させる事を特徴とする電子線装
置。 - 【請求項５】 請求項２、３、又は４に記載された装置
を用いてデバイス製造プロセス途中あるいは完成後の状
態を測定する事を特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP2000135249A JP2001283763A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | フィルター、電子線装置及びこれらの装置を用いたデバイス製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000135249A JP2001283763A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | フィルター、電子線装置及びこれらの装置を用いたデバイス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001283763A true JP2001283763A (ja) | 2001-10-12 |
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ID=18643362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000135249A Withdrawn JP2001283763A (ja) | 2000-03-31 | 2000-03-31 | フィルター、電子線装置及びこれらの装置を用いたデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2001283763A (ja) |
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| DE10317894B9 (de) * | 2003-04-17 | 2007-03-22 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Fokussiersystem für geladene Teilchen, Elektronenmikroskopiesystem und Elektronenmikroskopieverfahren |
| JP3776902B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2006-05-24 | 株式会社東芝 | 基板検査装置、基板検査方法、プログラムおよび半導体装置の製造方法 |
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- 2000-03-31 JP JP2000135249A patent/JP2001283763A/ja not_active Withdrawn
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2001
- 2001-03-28 US US09/818,226 patent/US20010025929A1/en not_active Abandoned
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