JPS63168946A - 集束イオンビーム走査方法 - Google Patents
集束イオンビーム走査方法Info
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- JPS63168946A JPS63168946A JP31024386A JP31024386A JPS63168946A JP S63168946 A JPS63168946 A JP S63168946A JP 31024386 A JP31024386 A JP 31024386A JP 31024386 A JP31024386 A JP 31024386A JP S63168946 A JPS63168946 A JP S63168946A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、フォーカス、イオンビーム装置における、
イオンビームのマスクスキャン方法に関する。
イオンビームのマスクスキャン方法に関する。
この発明はフォーカス、イオンビーム装置における、イ
オンビームのスキャン方法において、マスク上のスキャ
ン領域を狭くしてスキャンを行う場合、スキャンするマ
スク上のドツトの間隔をおいて（以下間引いてと称する
）イオンビームを照射する事により、電子ビーム量を増
大する事なく、マスク上の電荷中和をはかるようにした
ものである。
オンビームのスキャン方法において、マスク上のスキャ
ン領域を狭くしてスキャンを行う場合、スキャンするマ
スク上のドツトの間隔をおいて（以下間引いてと称する
）イオンビームを照射する事により、電子ビーム量を増
大する事なく、マスク上の電荷中和をはかるようにした
ものである。
従来は、第７図に示すように、マスク上のスキャン領域
内を、ｘ、ｙ方向共に３２０ ドツトに分割して、Ｘ
（ｏｒＹ）方向に１ドツトずつ移動して、ビームを照射
して、３２０ ドツトの１ラインを終了すると、Ｙ （
ｏｒＸ）方向に１ドツト分移動して、Ｘ （ｏｒＹ）方
向にまた、移動してビーム照射する。
内を、ｘ、ｙ方向共に３２０ ドツトに分割して、Ｘ
（ｏｒＹ）方向に１ドツトずつ移動して、ビームを照射
して、３２０ ドツトの１ラインを終了すると、Ｙ （
ｏｒＸ）方向に１ドツト分移動して、Ｘ （ｏｒＹ）方
向にまた、移動してビーム照射する。
この繰り返しにより、Ｙ （ｏｒＸ）方向に３２０
ドツト移動する事により、全ドツトの照射を終了し、■
フレームのスキャンを終了する。
ドツト移動する事により、全ドツトの照射を終了し、■
フレームのスキャンを終了する。
この時第８図に示すようにイオン源１０より、イオンビ
ームをマスク上に照射し、同時に、イオン源近傍に配設
されている電子銃８よりイオンビーム照射量に合わせ電
子ビームを調節しながら照射して、マスク上の電荷の中
和をはかり、二次イオン検出器９で、二次イオンを検出
する事により、マスク上のパターンを判読していた。例
えば、特願昭６０−１８２４６６号に同様なデジタルス
キャン方法が開示されている。
ームをマスク上に照射し、同時に、イオン源近傍に配設
されている電子銃８よりイオンビーム照射量に合わせ電
子ビームを調節しながら照射して、マスク上の電荷の中
和をはかり、二次イオン検出器９で、二次イオンを検出
する事により、マスク上のパターンを判読していた。例
えば、特願昭６０−１８２４６６号に同様なデジタルス
キャン方法が開示されている。
しかし、従来のスキャン方法では、スキャンする面積内
のドツトの数が一定であるので、パターン判読を鮮明に
するため、スキャン領域を狭くすると、マスク上の単位
面積当りのイオンビームの照射量が増大するため、電子
ビームによる電荷中和のバランスがとれなくなり、マス
ク上でチャージアップが起こり、二次イオンの検出がう
まくいかず、第４図に示すようにマスク上のパターンの
エツジ部分の判読が不正確で不鮮明なものとなってしま
う。このため電荷中和のバランスを取るために、電子ビ
ームを増大させる再調整が必要であった。このマスク上
のスキャン領域を狭くするたびに、電子ビーム量の再調
整が必要である所が従来方法の欠点であった。
のドツトの数が一定であるので、パターン判読を鮮明に
するため、スキャン領域を狭くすると、マスク上の単位
面積当りのイオンビームの照射量が増大するため、電子
ビームによる電荷中和のバランスがとれなくなり、マス
ク上でチャージアップが起こり、二次イオンの検出がう
まくいかず、第４図に示すようにマスク上のパターンの
エツジ部分の判読が不正確で不鮮明なものとなってしま
う。このため電荷中和のバランスを取るために、電子ビ
ームを増大させる再調整が必要であった。このマスク上
のスキャン領域を狭くするたびに、電子ビーム量の再調
整が必要である所が従来方法の欠点であった。
そこでこの発明は、従来のこのような欠点を解決するた
めに、電荷中和のバランスをくずさずに、マスク上の狭
い領域でのパターンを判読することを目的としている。
めに、電荷中和のバランスをくずさずに、マスク上の狭
い領域でのパターンを判読することを目的としている。
上記の問題を解決するために、この発明は、マスク上を
スキャンする際、スキャン面積に比例してドツトを間引
いて、イオンビームを照射しスキャンする事により、単
位面積／時間当りのイオンビーム照射量を変化させる事
なく、狭い領域のスキャンを行ない、マスク上のパター
ンの細部まで判読する事を可能とした方法である。
スキャンする際、スキャン面積に比例してドツトを間引
いて、イオンビームを照射しスキャンする事により、単
位面積／時間当りのイオンビーム照射量を変化させる事
なく、狭い領域のスキャンを行ない、マスク上のパター
ンの細部まで判読する事を可能とした方法である。
上記のようなスキャン方法を行なう事により、広い領域
でマスクパターンを判読できるように、マスク上の電荷
中和を行った後、その中の１部のパターンを細部まで判
読したい場合に、電子ビームによる、電荷中和の再調整
をする事なく、パターンを判読する事が可能である。
でマスクパターンを判読できるように、マスク上の電荷
中和を行った後、その中の１部のパターンを細部まで判
読したい場合に、電子ビームによる、電荷中和の再調整
をする事なく、パターンを判読する事が可能である。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、通常スキャン領域を半分にした時の間引きス
キャン方法を図示したものである。
キャン方法を図示したものである。
スキャン領域を半分にした場合、通常スキャン時の１ド
ツトの面積に、４ドツト分のイオンビームが照射する事
になるが、これを通常スキャン時の１ドツト分の面積の
χ分割をして、そのイオンビーム照射順序を、１，２，
３．４とし最初ｌの位置に照射した後、次にＸ方向に移
動し、２の位置にドツトを抜かして、次の１の位置に照
射をし、この繰り返しで次々に移動し、Ｘ方向の１ライ
ン終了後、Ｙ方向に移動し、３の位置のドツトを抜かし
、Ｙ方向の次の１の位置のドツトから、再びＸ方向に、
１の位置へ照射を１ラインを繰り返す。これをＹの１の
位置のドツト全部が終了まで繰り返した所で、最初のド
ツトに戻り、次の２の位置の全ドツトの照射を、１の位
置のドツトの照射と同様に行なう。３，４の位置のドツ
トについても同じように行なう。
ツトの面積に、４ドツト分のイオンビームが照射する事
になるが、これを通常スキャン時の１ドツト分の面積の
χ分割をして、そのイオンビーム照射順序を、１，２，
３．４とし最初ｌの位置に照射した後、次にＸ方向に移
動し、２の位置にドツトを抜かして、次の１の位置に照
射をし、この繰り返しで次々に移動し、Ｘ方向の１ライ
ン終了後、Ｙ方向に移動し、３の位置のドツトを抜かし
、Ｙ方向の次の１の位置のドツトから、再びＸ方向に、
１の位置へ照射を１ラインを繰り返す。これをＹの１の
位置のドツト全部が終了まで繰り返した所で、最初のド
ツトに戻り、次の２の位置の全ドツトの照射を、１の位
置のドツトの照射と同様に行なう。３，４の位置のドツ
トについても同じように行なう。
同様に２” （ｎ ＝１．２，３．４−−−−−−−
−）分の１のスキャン領域を判読する際は、２２″分割
したドツト位置に対して前記同様方法で、ｘ、ｙ方向共
に２″とびに、２２１１回フレームスキャンを繰り返す
事により、判読する事ができる。
−）分の１のスキャン領域を判読する際は、２２″分割
したドツト位置に対して前記同様方法で、ｘ、ｙ方向共
に２″とびに、２２１１回フレームスキャンを繰り返す
事により、判読する事ができる。
以上、規則的に間引く方法を説明したが、本発明はマス
ク上のチャージアップを防ぐ事が目的として、イオンビ
ーム照射を間引くのであるから、アナログ的なスキャン
領域の縮小に対して、それに対応した間引き方法も可能
である 〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したように、スキャン領域を狭く
して、マスクパターンを判読する場合、従来のように、
スキャン領域を狭くする毎に、電荷中和をする事なく、
マスク細部を判読する事ができる上に、従来のスキャン
速度に対して、２２′Ｉ（ｎ ＝１．２，３．・−−−
−−−−−−−−＞分の１の時間で、１画面のスキャン
が終了するので、希望のパターンをすばやく捜し出す事
が可能となる効果がある。
ク上のチャージアップを防ぐ事が目的として、イオンビ
ーム照射を間引くのであるから、アナログ的なスキャン
領域の縮小に対して、それに対応した間引き方法も可能
である 〔発明の効果〕 この発明は、以上説明したように、スキャン領域を狭く
して、マスクパターンを判読する場合、従来のように、
スキャン領域を狭くする毎に、電荷中和をする事なく、
マスク細部を判読する事ができる上に、従来のスキャン
速度に対して、２２′Ｉ（ｎ ＝１．２，３．・−−−
−−−−−−−−＞分の１の時間で、１画面のスキャン
が終了するので、希望のパターンをすばやく捜し出す事
が可能となる効果がある。
第１図は、この発明にかかわる４分割した間引スキャン
表示図、第２図は、２２″分割した間引きスキャン表示
図、第３図は、チャージアップ状態でのマスク判読図、
第４図は、第３図のＩＶ−ｒＶの断面図、第５図は、正
常状態でのマスク判読平面図、第６図は、第５図Ｖｌ−
Ｖｌ断面図、第７図は、イオンビーム照射スキャン動作
図、第８図はイオンビーム照射の模式図である。 １・・・１の位置のドツト ２・・・２の位置のドツト ３・・・３の位置のドツト ４・・・４の位置のドツト ５・・・ｎの位置のドツト ６・・・ｃｒパターン ７・・・マスク ８・・・電子銃 １０・・・イオン源 以上 χ 笥 沖−〉 （讐−ジアップｉＫｍ ？ｔｎ マスクキリ誂乎面図 第３図 第３図Ｖ−Ｖψ断狛聞 第４図 第５図■−ｗｏ断面図 第６図 イオンビ゛−ム照射スキャン図 第７図
表示図、第２図は、２２″分割した間引きスキャン表示
図、第３図は、チャージアップ状態でのマスク判読図、
第４図は、第３図のＩＶ−ｒＶの断面図、第５図は、正
常状態でのマスク判読平面図、第６図は、第５図Ｖｌ−
Ｖｌ断面図、第７図は、イオンビーム照射スキャン動作
図、第８図はイオンビーム照射の模式図である。 １・・・１の位置のドツト ２・・・２の位置のドツト ３・・・３の位置のドツト ４・・・４の位置のドツト ５・・・ｎの位置のドツト ６・・・ｃｒパターン ７・・・マスク ８・・・電子銃 １０・・・イオン源 以上 χ 笥 沖−〉 （讐−ジアップｉＫｍ ？ｔｎ マスクキリ誂乎面図 第３図 第３図Ｖ−Ｖψ断狛聞 第４図 第５図■−ｗｏ断面図 第６図 イオンビ゛−ム照射スキャン図 第７図
Claims (1)
- 集束イオンビームを用いて、マスク上をデジタルスキャ
ンする方法において、前記マスク上に、１ないしそれ以
上のドットの間隔をおいて、前記集束イオンビームを照
射する事を特徴とする間引きスキャン方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310243A JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61310243A JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168946A true JPS63168946A (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0638329B2 JPH0638329B2 (ja) | 1994-05-18 |
Family
ID=18002898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61310243A Expired - Lifetime JPH0638329B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 集束イオンビーム走査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0638329B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009114230A2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
| WO2010095392A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法および走査電子顕微鏡 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4748714B2 (ja) | 2005-10-28 | 2011-08-17 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム走査照射方法、荷電粒子ビーム装置、試料観察方法、及び、試料加工方法 |
| US8304750B2 (en) * | 2007-12-17 | 2012-11-06 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Scanning charged particle beams |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214151A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
| JPS6166352A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61310243A patent/JPH0638329B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59214151A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置等における二次元画像デ−タの表示方法 |
| JPS6166352A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009114230A2 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-17 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
| WO2009114230A3 (en) * | 2008-03-07 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt, Inc. | Reducing particle implantation |
| US8907277B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-12-09 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Reducing particle implantation |
| WO2010095392A1 (ja) * | 2009-02-20 | 2010-08-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法および走査電子顕微鏡 |
| US8309923B2 (en) | 2009-02-20 | 2012-11-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Sample observing method and scanning electron microscope |
| JP5222994B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料観察方法および走査電子顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0638329B2 (ja) | 1994-05-18 |
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