DE10205330A1

DE10205330A1 - Verfahren zur Korrektur optischer Nachbarschaftseffekte

Info

Publication number: DE10205330A1
Application number: DE10205330A
Authority: DE
Inventors: Igeta Masahiko
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp; NEC Corp
Priority date: 2001-02-07
Filing date: 2002-02-06
Publication date: 2002-10-02
Also published as: KR20020065851A; JP2002229179A; TW548513B; US20020108098A1

Abstract

Um ein Korrekturmuster für eine Photomaske unter Verwendung eines Werkzeuges für computergestütztes Konstruieren (CAD) zu erzeugen, kann die zu verarbeitende Datenmenge gegenüber konventionellen Lösungen verringert werden. Nach Erzeugen eines Originalmusters wird ein Korrekturmuster, das optischen Nachbarschaftseffekten Rechnung trägt, auf Basis einer Blockeinheitbasis und nicht eines Gesamtarrays erzeugt. Korrekturdaten für jeden Block können Mustermerkmale benachbarter Blöcke berücksichtigen.

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung bezieht sich im allgemeinen auf Photolithographie für Halblei tereinrichtungen und insbesondere auf ein Verfahren zum Korrigieren optischer Nachbar schaftseffekte, die während der Photolithographie bei der Herstellung Halbleitereinrichtungen hervorgerufen werden.

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen wie beispielsweise Speichereinrichtungen, wobei es sich aber nur um ein Beispiel handelt, stellt die Photolithographie einen wesentli chen Schritt dar. Eine solche Photolithographie involviert in typischer Weise den Übergang bzw. die Übertragung eines Musters von einer Maske auf eine Lage oder Schicht wie eine Photoresistlage. Solch ein Schritt beinhaltet üblicherweise das Anordnen einer Maske über einer Photoresistlage und dann das Freilegen der Anordnung gegenüber einer Quelle elektro magnetischer Strahlung wie Licht bei einer bestimmten Frequenz. Im Idealfall kann der Schritt der Photolithographie in einer isomorphen Übertragung eines Musters auf eine Photo resistlage resultieren.

Indem die Dimensionen der charakteristischen Merkmale (solcher Einrichtungen) ständig kleiner werden, besteht ein fortwährendes Problem, das bei der Photolithographie auftritt, in optischen Nachbarschaftseffekten. Solche können während des Belichtungsprozesses durch Interferenz von Lichtteilen in bestimmten Bereichen auftreten. Wenn sie einmal erzeugt sind, können optische Nachbarschaftseffekte ungewünschte Fluktuationen in der Dimension eines resultierenden Photoresistmusters und/oder in der Verschlechterung der sich ergebenden Musterform hervorrufen. Demgemäß wird es bei kleineren Geometrien im wesentlichen un möglich, eine isomorphe Umsetzung eines Musters auf eine Photoresistlage aufgrund von Nachbarschaftseffekten zu erreichen.

Als ein Beispiel kann aufgrund von Nachbarschaftseffekten ein Muster mit einer Breite von 0,16 µm entsprechend einer Umgebungsanordnung von Mustern eine resultierende Breite von 0,18 µm bis 0,14 µm haben. Wahlweise können in dem Fall, in dem das entworfene, beab sichtigte Muster lang und rechteckig ist, die langen Seiten eines solchen Musters über Maßen im Vergleich zu dem gewünschten Ergebnis verkürzt ausgeführt werden.

Somit kann es bei dem Photolithographie-Schritt eines Halbleiter-Herstellungsverfahrens ein wichtiger Gesichtspunkt sein, Maßnahmen zu ergreifen, um auf optische Nachbarschaftsef fekte (optische Nachbarschaftskorrektur oder "UPC") einzugehen bzw. diese zu erfassen.

Es sind verschiedene herkömmliche Verfahren zur Korrektur optischer Nachbarschaftseffekte dargestellt worden.

Ein Verfahren besteht darin, ein Designmuster in einer Photomaske, basierend auf einer er warteten Deformation, in ein resultierendes Muster zu deformieren. Damit kann, während eine Photomaske möglicherweise deformiert erscheint, ein sich ergebendes Muster in einer Photoresistlage oder dergleichen einem gewünschten Muster sehr nahe kommen oder ähneln.

Bei dem vorbeschriebenen Verfahren wird eine Regel zum Korrigieren eines Maskenmusters aufgestellt, um ein gewünschtes Ergebnismuster zu erhalten. Gemäß der Regel wird das Mas kenmuster manuell geändert.

Das obige Vorgehen hat jedoch Nachteile. Insbesondere können sich, wobei einige Muster nicht genau korrigiert werden, Korrekturungenauigkeiten oder -fehler einstellen, oder es kann sich auch eine völlig fehlende Korrektur einstellen, oder aber es kann Überschneidungen einer Musterkorrektur mit einer anderen geben. Weiterhin können sich entsprechend den Bedingun gen und/oder dem Verfahren verschiedene Regeln/Bestimmungen ändern. In der Folge hat sich das Verfahren nicht immer ausreichend und/oder praktisch beim Eingehen auf optische Nachbarschaftseffekte erwiesen.

Um auf solche optischen Nachbarschaftseffekte besser eingehen zu können, ist ein Verfahren zum automatischen Bilden eines Korrekturmusters bei einem Werkzeug zum Coumputer-ge stützten Konstruieren (CAD) oder dergleichen in der japanischen offengelegten Patentanmel dung Nr. 10-282635 beschrieben worden. Gemäß diesem Verfahren können, indem man Nachbarschaftseffekte mit einem CAD-Tool automatisch korrigiert, Korrekturnachteile bzw. -fehlerhaftigkeiten und/oder vollständig fehlende Korrekturen, wie sie bei manuellen Maß nahmen auftreten können, vermieden werden. Demgemäß kann ein sehr genaues Maskenkor rigieren durchgeführt werden. Auf diese Weise sorgt das Verfahren dieser Druckschrift für bestimmte Vorteile in der OPC-Technologie.

Dieses Verfahren weist jedoch diverse Beeinträchtigungen auf.

Ein erster Nachteil besteht in der relativ großen Datenmenge, die zum Erzeugen einer Korrek turmaske verarbeitet werden muß.

Unter Bezugnahme auf Fig. 9 ist ein Beispiel eines Korrekturmusters, das von einem CAD- Werkzeug erzeugt wird, in Draufsicht dargestellt. Dieses Korrekturmuster kann eine An sammlung kleiner rechteckiger Muster umfassen. Das Darstellen einer solchen Ansammlung von Formen/Gestalten führt leicht zu einer sehr großen Datenmenge.

Wenn ein Korrekturmuster gebildet ist, muß nicht notwendigerweise eine genaue Korrektur durchgeführt werden, wenn die Korrektur für einen einzelnen Block bestimmt ist, da die Kor rektur eines Blockes benachbarte Blöcke beeinträchtigen kann. Somit kann es im Fall einer Halbleitereinrichtung mit einem Array oder Bereichsfeld notwendig werden, ein Korrektur muster für ein Gesamtfeld automatisch zu bilden.

Das herkömmliche Ausbilden eines Musters wird in der Regel verschiedene Schritte umfas sen. Zuerst müssen verifizierte Maskendaten für ein Gesamtfeld aufbereitet werden. Als näch stes soll ein Korrekturmuster für das Gesamtarray ausgebildet werden. Darauf wird das resul tierende Korrekturmuster direkt den Array- oder Bereichsfeldmaskendaten zugeführt.

Fig. 10 zeigt ein Korrekturmuster, das für ein Gesamtarray ausgebildet ist. Als Beispiel für ein Array von 32 Megabits (zum Beispiel ein Speichereinrichtung-Array) kann ein Korrektur muster 40 durch ungefähr 2 Gigabytedaten dargestellt werden. Eine so große Datenmenge kann zu geringerer Wirksamkeit während der Datenverarbeitung führen. In Fig. 10 ist ein Korrekturmuster durch einen schraffierten Abschnitt darstellt, während Original-Maskendaten durch einen unteren nicht-schraffierten Abschnitt dargestellt sind.

Ein konventionelles Verfahren wie das vorstehend beschriebene kann weitere Nachteile haben. Wenn ein Originalmuster korrigiert werden soll, so kann dies zu einer Musterbewe gung führen. Wenn das korrigierte Muster gleichermaßen bewegt wird, kann die zu verarbei tende Datenmenge für viele Anwendungsfälle unpraktisch und ungeeignet werden. So können große Datenmengen verarbeitet werden müssen, weil eine Bewegung zwangsweise dazu füh ren kann, daß das gesamte Korrekturmuster 40 geändert werden muß, da das Korrekturmuster im wesentlichen eine "flache" bzw. "ebene" Datenansammlung ist.

Im Lichte des Vorstehenden erscheint es wünschenswert, eine Art und Weise zum Korrigieren optischer Nachbarschaftseffekte zu erzielen, mit der man die Datenmenge, die zum Erzeugen eines Korrekturmusters erforderlich ist, (wesentlich) reduzieren kann. Es erscheint auch wün schenswert, die Datenmenge, die beim Ändern eines Originalmusters verarbeitet wird, zu re duzieren, und daraufhin muß ein Korrekturmuster geändert werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Gemäß Gesichtspunkten der vorliegenden Erfindung kann man mit einem optischen Nachbar schaftseffekt-Korrekturverfahren ein Schein- oder Attrappenmuster (worauf im folgenden als Korrekturmuster Bezug genommen wird) mit einem Werkzeug für Computergestütztes Kon struieren (CAD) ausbilden. Im Gegensatz zu herkömmlichen Lösungen soll ein Korrektur muster gemäß der Erfindung lediglich für eine Blockeinheit einer Halbleitereinrichtung-Lage und muß nicht für eine gesamte Lage ausgebildet werden. Die Halbleitereinrichtung-Lage kann für ein Array oder Bereichsfeld oder dergleichen bestimmt sein. Es ist selbstverständ lich, daß ein Array nicht nur Speicherzelleneinheiten, sondern auch zusätzliche Strukturen einschließlich Meßverstärkereinheiten und/oder Decodereinheiten umfassen, ohne auf diese beschränkt zu sein.

Darüber hinaus kann, indem man ein Korrekturmuster in einer hierarchischen Struktur erstellt, die Konstruktionsdatenmenge und die zu verarbeitende Datenmenge reduziert werden.

Gemäß spezifischen Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Ausbilden eines Korrektur musters einer Photolithographiemaske mit einem CAD-Werkzeug mannigfache Schritte um fassen. Zunächst wird ein Satz Maskendaten für eine Halbleitereinrichtung vorbereitet. Solche Maskendaten können verifiziert werden. Zum zweiten werden kombinierte Daten geschaffen, die Blöcke von Maskendaten umfassen, wobei solche Blöcke die gleiche Positionsbeziehung behalten wie in den Maskendaten. Es werden Korrekturdaten für einen der Blöcke erzeugt, während die anderen Blöcke benachbarte Blöcke (das heißt Blöcke benachbart zu dem einen Block) sind. Als drittes wird ein Korrekturmuster für die kombinierten Daten mit einem CAD-Werkzeug ausgebildet. Als viertes werden die Korrekturdaten in eine Korrekturdaten zelle gebildet und auf einer oberen Lage der Maskendaten angebracht.

Gemäß einem weiteren Gesichtspunkt der Erfindung kann ein Verfahren des Ausbildens eines Korrekturmusters für eine Photolithographie-Photomaske mit einem CAD-Werkzeug umfas sen:

a) Erstellen von Originalmaskendaten für ein Array oder Bereichsfeld, wobei solche Ori ginalarray-Maskendaten verifiziert werden können;
b) Erstellen kombinierter Daten für Mehrfachblöcke, wobei die Blöcke Teilen der Origi nalmaskendaten entsprechen und die gleiche Beziehung hinsichtlich der Position wie in dem Array haben und Blöcke der kombinierten Daten einen Ziel- oder Targetblock und einen oder mehrere benachbarte Blöcke umfassen können;
c) Ausbilden eines Korrekturmusters für die kombinierten Daten mit dem CAD-Werk zeug;
d) Ausbilden des Korrekturmusters in eine Korrekturdatenzelle, die auf einer oberen Lage der Originalmaskendaten entsprechend dem Target-Block angeordnet ist.

Schritte (b) bis (c) können für jede verschiedene Kombination des Targetblocks und des/der benachbarten Blocks (Blöcke) wiederholt werden.

Gemäß einem Gesichtspunkt der Ausführungsformen kann ein Block eine Einheit einschlie ßen, die man unter der Gruppe aus Speicherzelleneinheit, Decodereinheit oder Array-Kreuz einheit auswählen kann.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Ausführungsformen kann ein Verfahren zum Ausbilden eines Korrekturmusters für eine Photolithographie-Photomaske mit einem CAD-Werkzeug das Bereiten verifizierter Originalmaskendaten für wenigstens eine Lage der Halbleiterein richtung umfassen. Es können kombinierte Daten für Blöcke der Originalmaskendaten ge schaffen werden. Blöcke kombinierter Daten können die gleiche positionale Beziehung wie bei den Originalmaskendaten aufweisen. Weiter können solche Blöcke einen Block zum Aus bilden eines Korrekturmusters sowie eines oder mehrerer benachbarter Blöcke umfassen. Ein Korrekturmuster kann dann für die kombinierten Daten mit einem CAD-Werkzeug ausgebil det werden. Ein solches Korrekturmuster kann eine hierarchische Struktur aufweisen. Sodann kann ein Korrekturmuster in eine Korrekturdatenzelle gebildet und auf einer oberen Lage der Originalmaskendaten für eine gesamte Lage der Halbleitereinrichtung abgelagert werden. Gemäß weiteren Gesichtspunkten der Erfindung können, wenn einmal ein Korrekturmuster ausgebildet ist, Musterabschnitte, die nicht dem einem Block oder dem Targetblock entspre chen, entfernt werden. Ein solcher Schritt kann von einem CAD-Werkzeug ausgeführt wer den, wenn der eine Block (oder Target-Block) sich nicht mit benachbarten Blöcken über schneidet. Umgekehrt kann ein solcher Schritt manuell ausgeführt werden, wenn der eine Block (oder Target-Block) einen benachbarten Block überlappt.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist ein Flußschaubild, das eine Ausführungsform der Erfindung darstellt,

Fig. 2A und B sind Draufsichten, ein Beispiel ausgeschnittener Daten gemäß einer Ausfüh rungsform zeigend,

Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Musters einer Halbleitereinrichtung,

Fig. 4 ist eine Darstellung, die den Formationsablauf eines Korrekturmusters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt,

Fig. 5 ist eine Draufsicht, ein Beispiel überlappender benachbarter Blöcke zeigend,

Fig. 6 ist eine Darstellung, die ein Korrekturmuster für ein Gesamtarray gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt,

Fig. 7 ist eine Draufsicht eines Korrekturmusters, das gemäß einer Ausführung in Blöcken angeordnet ist,

Fig. 8 ist eine Darstellung, die ein Korrekturmuster für ein gesamtes Bereichsfeld/Array ge mäß einer zweiten Ausführungsform zeigt,

Fig. 9 ist eine Draufsicht eines herkömmlichen Korrekturmusters,

Fig. 10 ist eine Darstellung, die ein herkömmliches Korrekturmuster zeigt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN

Die vorliegende Erfindung wird jetzt mit Hilfe von mehreren detaillierten Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 zeigt ein Flußschaubild verschiedener Schritte eines Verfahrens zum Korrigieren von Nachbarschaftseffekten gemäß einer ersten Ausführungsform.

Zuerst werden Maskendaten für eine gesamte Array- oder Feldanordnung bereitet. Solche Maskendaten können zur Verifizierung mit sortierten, geeignet zusammengestellten Kon struktionswerkzeugen vervollständigt werden (Schritt 11). Dieser Schritt wird durchgeführt, weil Breite und Raum eines Konstruktionsmusters (im folgenden wird darauf als "Original muster" Bezug genommen) die Ausbildung eines entsprechenden Korrekturmusters erfordern kann. Ein Korrekturmuster kann auf der Basis von Originalmusterdaten geschaffen werden.

Es ist wünschenswert, daß solche Originalmusterdaten verifiziert werden, da ein solcher Schritt typischerweise der Schritt der letzten Stufe bei einem Photomasken-Konstruktionspro zeß ist. Der Fachmann erkennt, daß die Verifikation eine Prüfung der Konstruktionsregeln (DRC) und/oder eine Layout - gegenüber - Schema (LVS)-Prüfung umfaßt, wobei es sich nur um zwei von mehreren möglichen Beispielen handelt.

Als nächstes werden, wie in Fig. 1 gezeigt, Daten für einen Block zum Erzeugen eines Kor rekturmusters und eines peripheren Blocks erzeugt (Schritt 12). Dieser Schritt 12 kann das Schaffen von "ausgeschnittenen" Daten einschließen. Ein Beispiel ausgeschnittener Daten ist als 12A in Fig. 1 gezeigt. Ausgeschnittene Daten 12A können einen Block 12a zum Ausbil den eines Korrekturmusters für ein gesamtes Array (einen Target-Block) umfassen. Zusätzlich sind ebenfalls benachbarte Blöcke 12b eingeschlossen, und zwar in der gleichen Positionsbe ziehung wie bei den Originalmustern.

Auf diese Weise kann gemäß der vorliegenden Erfindung dann, wenn ein Korrekturmuster für ein Gesamtfeld eine relativ große Datenmenge umfaßt, im Gegensatz zu (der Basis) einer Ge samtfeldanordnung ein Korrekturmuster auf Basis jeder Blockeinheit (zum Beispiel 12a) aus gebildet werden.

Darüber hinaus können gemäß der Erfindung ausgeschnittene Daten weiterhin benachbarte Blöcke 12b umfassen. Solche Blöcke können bei der Bildung eines Korrekturmusters für einen Targetblock eingeschlossen sein, da ein benachbartes Muster bei der Ausbildung des Korrekturmustes einen merklichen Einfluß ausüben kann.

Ein besonderes Beispiel des Kombinierens benachbarter Blöcke ist in Fig. 2A und 2B darge stellt. Fig. 2A zeigt ein Muster kombinierter Daten, das für einen Target-Block 19 und einen benachbarten Block 20 erzeugt werden kann. Hingegen zeigt Fig. 2B ein Datenmuster, das nur für einen Targetblock 19 erzeugt wurde.

Wie in Fig. 2A gezeigt, kann ein kombiniertes Datenmuster den Einfluß von einem benach barten Muster berücksichtigen. Insbesondere kann gemäß Fig. 2A, wenn ein Block 19 mit einem benachbarten Block 20 kombiniert ist, daraus ein Korrekturmuster 18 (in Schraffur gezeigt) resultieren.

Im Gegensatz wird, und zwar unter Bezugnahme auf Fig. 2B, wenn Daten nur für Block 19 erzeugt werden (das heißt nicht in Kombination mit dem benachbarten Block 20), der be nachbarte Block 20 das sich ergebende Muster nicht beeinflussen. Folglich wird ein Korrek turmuster (als 18 in Fig. 2A gezeigt) nicht erzeugt (und ist daher mittels gestrichelter Linie dargestellt).

Wie man aus dem obigen Beispiel erkennt, kann der Mangel an Berücksichtigung eines be nachbarten Musters zu einem korrigierten Muster führen, das keinesfalls die optimalen Kor rekturmaßnahmen und -merkmale enthält. Daher wird gemäß der Erfindung ein Korrekturmu ster für einen Block (z. B. einen Target-Block 19) durch Kombinieren eines Blockes mit einem oder mehreren benachbarten Blöcken (z. B. Block 20) durchgeführt.

Es sei darauf hingewiesen, daß dann, wenn ein benachbarter Block mit einem Target-Block kombiniert wird, und zwar selbst dann, wenn das Muster eine Anzahl identischer Blöcke um faßt, das Korrekturmuster variieren kann, wenn benachbarte Blöcke von dem Original-Mu sterblock verschieden sind. Eine solche Variation im Muster ist beispielhaft in Fig. 3 gezeigt. Unter Bezugnahme auf die perspektivische Halbleitereinrichtung-Muster-Darstellung der Fig. 3 sei darauf hingewiesen, daß diese ein Beispiel eines Arrays, Feldes oder Bereichs zeigt. Das Feld 22 umfaßt mindestens eine Speicherzelleneinheit 23, eine Kreuzeinheit 24 und eine Decodereinheit 25. Die Kreuzeinheiten 24 befinden sich in dem Feld 22 an den Schnittstellen der anderen Einheiten.

Es sei zum Zwecke der Erörterung und des besseren Verständnisses angenommen, daß das Feld 22 identische Blöcke A umfaßt. Wie in Fig. 3 gezeigt, kann ein Block A in einem zen tralen Abschnitt eines Feldes vorgesehen sein, während sich ein weiterer Block A in einer Ecke des Feldes 22 befindet. Bei einer solchen Anordnung ist der Block A im zentralen Ab schnitt des Feldes von vier Blöcken 20a umgeben. Bei einem Block A, der sich in der Ecke befindet, gibt es jedoch nur zwei benachbarte Blöcke 20b.

Wie man aus der vorhergehenden Erörterung erkennt, wird, während die Blöcke A der Fig. 3 identisch sind, das resultierende Korrekturmuster für die Blöcke A verschieden sein, da der zentrale Block A an vier Seiten von benachbarten Blöcken 20a beeinflußt wird, während der Eckblock A nur auf zwei Seiten von benachbarten Blöcken 20b beeinflußt wird. Andersherum betrachtet kann es in einer solchen Anordnung notwendig sein, eine Anzahl von Korrektur mustern auszubilden, die auf der Anzahl der Kombinationen benachbarter Blöcke beruhen.

Zurück zu Fig. 1: Wenn man Daten für einen Block erzeugt hat, der irgendeinen/irgendwelche benachbarten Block/Blöcke umfaßt, so wird für einen solchen Block ein Korrekturmuster automatisch unter Verwendung eines CAD-Werkzeugs geschaffen werden (Schritt 13). Ein solches Korrekturmuster ist als 13A in Fig. 1 gezeigt. Wie dargestellt, umfaßt ein solches Korrekturmuster einem Target-Block ebenso wie benachbarten Blöcken (als 12b gezeigt) ent sprechende Abschnitte.

Es sei nunmehr auf die Darstellung in Fig. 4 Bezug genommen, die den Ablauf einer Korrek turmusterbildung gemäß einer Ausführungsform zeigt. Der Ablauf der Fig. 4 beginnt im unte ren Teil der Darstellung und schreitet nach oben in derselben fort. Es sind vier Ablaufpositio nen dargestellt.

Die unterste, erste Position zeigt einen Target-Block 19, der mit benachbarten Blöcken (von denen zwei als 20 gezeigt sind) kombiniert worden ist. Der Target-Block 19 ist mit einer dicken Linie umrissen bzw. abgegrenzt.

Die zweite Position (zweite von unten) zeigt Korrekturdaten 26. Diese umfassen Korrektur muster entsprechend benachbarten Blöcken 20. Weiter umfaßt in dem Beispiel der Fig. 4 ein Korrekturdatenkennzeichen 18 einen Teil, der sowohl den Target-Block 19 als auch einen benachbarten Block 20 übergreift.

Die dritte Position (dritte von unten) zeigt Korrekturdaten 27, die man nur von dem Target- Block 19 erhalten hat. Beim Erzielen solch eines Korrekturmusters können Abschnitte irgendeines Korrekturmusters, die sich über den Target-Block 19 hinauserstrecken, entfernt werden. Ein solcher Schritt kann verhindern, daß sich solche Korrekturdaten in ungewünsch ter Weise in einen benachbarten Block hineinerstrecken. Irgendwelche Korrekturmuster, die sich außerhalb des Target-Blockbereichs 19 erstrecken, können, basierend auf einem periphe ren Rahmen für den Targetblock 19-Bereich, abgeschnitten werden. Dementsprechend wer den im Beispiel der Fig. 4 Teile des Korrekturdatenmerkmals 18, die sich außerhalb des Tar getblocks 19 erstrecken, entfernt.

Auf diese Weise erhält man Korrekturdaten 27 für einen Targetblock 19, die Teile von Kor rekturdaten (wie beispielsweise Kennzeichen 18) enthalten, die zum Korrigieren eines Tar getblock 19-Musters erforderlich sind.

Es sei darauf hingewiesen, daß es Fälle geben kann, in denen Blöcke überlappende Abschnitte statt einfach benachbarter Seiten enthalten können. Ein solcher Fall ist in Fig. 5 gezeigt. Der obere Abschnitt der Fig. 5 zeigt Blöcke 28a und 28b, die einander überlappen. Aufgrund die ses Überlappens kann es schwierig sein, ein Korrekturmuster in dem Bereich auszuschneiden. Damit sollte in einem solchen Fall das Entfernen der Korrekturmuster von jedem Block in konventioneller Weise durchgeführt werden. Die sich ergebenden Blöcke 28a und 28b sind in dem unteren Teil der Fig. 5 gezeigt.

Natürlich kann, wenn benachbarte Blöcke einander nicht überlappen, ein automatisches Bear beiten mit einem CAD-Werkzeug durchgeführt werden. In einem solchen Fall kann ein Kor rekturmuster für eine gesamte Schicht oder Lage (entsprechend der, die in Fig. 10 als 40 ge zeigt ist) in einer hierarchischen Struktur ausgebildet werden, wie dies in Fig. 6 dargestellt ist. Diese Figur wird im folgenden in größerem Detail beschrieben.

Unter nochmaliger Bezugnahme auf Fig. 1 kann die Ausführung fortgeführt werden, indem man Korrekturdaten in eine Zelle hinein bildet und solche Daten auf einer oberen Lage eines Originalmusters lädt und so ein vollständig korrigiertes Muster bildet (Schritt 14). Ein solcher Schritt ist in Fig. 1 dargestellt, indem Korrekturdaten 27 auf einen Targetbereich 19 geladen werden, um das Korrekturmuster 28 zu bilden. Ein insofern ganz besonderes Beispiel ist in Fig. 4 gezeigt.

Die vierte Position (die oberste) des Ablaufs in Fig. 4 zeigt ein Korrekturmuster 28, das man erhält, indem man Korrekturdaten 27 auf einen Original-Targetblock 19 lädt. Die Korrektur datenkennzeichen(-merkmale) sind durch Schraffur dargestellt.

Die vorhergehenden Schritte des Bildens von Korrekturdaten (d. h. Schritte 12 bis 14) können für alle Blöcke mehrmals durchgeführt werden, wobei die Zahl der Male den Kombinationen benachbarter Blöcke gleicht (Schritt 15).

Nachdem die Korrekturdaten für alle Blöcke erzeugt worden sind (JA-Antwort des bedingten Schrittes 15), kann jeder Block, der Korrekturdaten enthält, für ein vollständiges Array heran geholt werden (Schritt 16). Damit können korrigierte Maskendaten für ein Gesamtarray er zeugt werden.

Unter Bezugnahme auf Fig. 6 wird eine Darstellung eines Korrekturmusters für ein Feld ge mäß einer Ausführungsform erläutert. Wie in Fig. 6 gezeigt, kann eine hierarchische Struktur gebildet werden. Korrekturdaten 27 können auf eine obere Schicht jedes Blocks (von denen einer als 19 dargestellt ist) geladen werden. Das resultierende Korrekturmuster kann damit für ein gesamtes Feld 22 geschaffen werden.

Das Verfahren zum Korrigieren optischer Nachbarschaftseffekte gemäß obiger Ausführungs form hat zahlreiche Vorteile.

Ein erster Vorteil liegt in der Verringerung der Datenmenge, die verarbeitet wird, um ein kor rigiertes Muster zu erzeugen. Wenn ein Korrekturmuster in herkömmlicher Weise gebildet wird, wie dies in Fig. 10 gezeigt ist, sind die Korrekturdaten für ein Gesamtarray in der Regel eine "ebene" oder flache Lage, was zu einer relativ großen Datenmenge führt. Beispielsweise führt ein Speicherfeld von 32 Megabits zu Korrekturdaten von ungefähr 2 Gigabytes.

Im Gegensatz dazu kann bei dem Verfahren zum Korrigieren optischer Nachbarschaftseffekte gemäß der Erfindung bzw. deren Ausführungsformen ein Korrekturmuster in eine Zelle für jeden Block gebildet werden (wie dies in Fig. 7 und damit im Gegensatz zur herkömmlichen Fig. 9 gezeigt ist). Die Datenmenge für eine 32 Megabit-Feldanordnung kann ungefähr 40 Megabytes betragen. Demgemäß können gemäß der Erfindung die Korrekturdaten auf unge fähr 1/5 des herkömmlichen Falles reduziert werden.

Ein zweiter Vorteil liegt in der Erleichterung der Musterkorrektur.

Im herkömmlichen Fall sind, wenn eine Bewegung in einem Originalmuster auftritt, entspre chende Änderungen an dem herkömmlichen Korrekturmuster (wie dies in Fig. 9 gezeigt ist) nicht praktisch zu bewältigen. Es muß eine große Datenmenge verschoben werden, da sich die Daten in einer einzelnen "ebenen" Schicht oder Lage befinden.

Im Gegensatz dazu ist bei der obigen Ausführungsform der Erfindung dann, wenn eine Feld anordnung identische Blöcke umfaßt, die Korrektur eines einzelnen Blockes in Reaktion auf solch eine Änderung alles, was zur Berücksichtigung einer Bewegung erforderlich ist. Damit können Änderungen an einem Korrekturmuster, die durch Änderungen in dem Originalmuster verursacht werden, gegenüber herkömmlichen Vorgehensweisen wesentlich vereinfacht wer den. Dies resultiert in einer erhöhten Konstruktionseffizienz, d. h. einem höheren Wirkungs grad beim Konstruieren.

Fig. 8 ist die Darstellung einer Datenstruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform, die durch ein nach der Erfindung erfolgendes Verfahren zum Korrigieren optischer Nachbar schaftseffekte konstruiert werden kann.

Bei einer ersten, in Fig. 6 gezeigten Ausführungsform wird ein Korrekturmuster auf eine obe re Schicht eines Originalmusters 19 für jeden Block geladen. Bei der zweiten Ausführungs form nach Fig. 8 ist im Gegensatz zu Fig. 6 die Korrekturmuster-Struktur ähnlich der hierar chischen Feldstruktur. Bei einer solchen Anordnung ist es möglich, Korrekturdaten für ein gesamtes Feld 32 auf die Originaldaten 22 für das Feld zu laden.

Die zweite Ausführungsform erleichtert wie die oben beschriebene das Weglassen der Kor rekturdaten, wenn ein Korrekturmuster durch ein anderes aufgrund von Änderungen in den Korrekturbedingungen ersetzt wird. Damit kann die Konstruktionseffizienz erhöht werden. Das optische Nachbarschaftskorrekturverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung sorgt für eine Anzahl von Vorteilen. Zunächst kann die Datenmenge, die zum Bilden eines Korrektur musters erforderlich ist, gegenüber herkömmlichen Vorgehensweisen reduziert werden. Beim herkömmlichen Verfahren ist die Datenmenge für ein Korrekturmuster ziemlich groß, und zwar wegen der "ebenen" (flachen) Anordnung des Korrekturmusters. Demgegenüber kann bei dem optischen Nachbarschaftskorrekturverfahren der vorliegenden Erfindung die Daten menge reduziert werden, da ein Korrekturmuster in eine Zelle für jeden Block eines Masken musters hineingebildet wird.

Zweitens kann gegenüber herkömmlichen Vorgehensweisen die Aus- oder Gleichrichtung eines Korrekturmusters maßgeblich erleichtert bzw. vereinfacht werden. Beispielsweise ist in der Regel bei der Erzeugung eines herkömmlichen "flachen" Datenmusters die Datenmenge sehr groß, wenn eine Bewegung des Originalmusters auftritt. Gemäß der Erfindung jedoch wird die Korrektur eines Blockes ausreichen, um ein Korrekturmuster für ein Gesamtarray zu erzeugen, wenn das Originalmuster identische Blöcke enthält, die in einem Feld angeordnet sind. Auf diese Weise kann man den Wirkungsgrad des Arbeitens steigern.

Der Fachmann erkennt, daß die Begriffe "Maske" und/oder "Photomaske" Systeme umfassen können, die eine Maske verschiedensten Spektren elektromagnetischer Strahlung aussetzen. Damit dürfen solche Ausdrücke nicht auf ein spezielles Wellenlängenspektrum beschränkt werden und können unterschiedliche optische Wellenlängen, Elektronenstrahlquellen und/oder Röntgenstrahlquellen umfassen, um nur einige Beispiele zu nennen.

Während die unterschiedlichen besonderen Ausführungsformen im einzelnen beschrieben worden sind, kann natürlich die vorliegende Erfindung verschiedenen Änderungen, Wechseln und Ersatzmaßnahmen unterliegen, ohne daß von Geist und Umfang der Erfindung abgewi chen wird. Demgemäß ist die Erfindung nur durch das als abgegrenzt anzusehen, was aus den beigefügten Ansprüchen hervorgeht.

Claims

1. Verfahren zum Bilden eines Korrekturmusters für eine Photomaske für die Photolitho graphie mit Hilfe eines Werkzeuges für computerunterstütztes Konstruieren (CAD), um fassend folgende Schritte:
Bereiten von Original-Maskendaten für eine Halbleitereinrichtung, für die die Verif zierung vervollständigt ist;
Erstellen kombinierter Daten von Blöcken aus den Maskendaten, wobei die Blöcke die gleiche Positionsbeziehung zueinander wie in den Original-Maskendaten aufweisen, eine Korrektur für einen Block gebildet wird und andere Blöcke dem einen Block benachbart sind;
Bilden eines Korrekturmusters für die kombinierten Daten mit dem CAD-Werkzeug; und
Anbringen von Korrekturdaten des Korrekturmusters auf der oberen Lage/Schicht der Original-Maskendaten für den einen Block.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitereinrichtung ein Array/Feld umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch den Schritt des Bildens des Korrekturmusters in eine Zelle von Korrekturdaten hinein.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch den Schritt des Ent fernens jeglicher Korrekturmusterdaten, die nicht mit dem einen Block korrespondieren.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet durch manuelles Entfernen jeglichen Korrekturmusters für kombinierte Daten einander überlappender Blöcke.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch Entfernen jeglicher Korrekturmusterdaten mit einem CAD-Werkzeug für kombinierte Daten nichtüberlap pender Blöcke.

7. Verfahren zum Bilden eines Korrekturmusters für eine Photomaske für die Photolitho graphie mit Hilfe eines Werkzeuges für computerunterstütztes Konstruieren (CAD), um fassend folgende Schritte:

a) Bereiten von Original-Maskendaten für ein Gesamtarray, für das die Verifizierung vervollständigt ist;
b) Erstellen kombinierter Daten für mehrere Blöcke, die die gleiche Positionsbeziehung wie in dem Array haben, wobei die Blöcke der kombinierten Daten einen Target-Block und mindestens einen benachbarten Block umfassen;
c) Bilden eines Korrekturmusters für die kombinierten Daten mit dem CAD-Werkzeug;
d) Anordnen von Korrekturdaten des Korrekturmusters auf einer oberen Schicht/Lage der Original-Maskendaten entsprechend dem Target-Block; und
e) Wiederholen der Schritte (b) bis (d) für jede unterschiedliche Kombination von Tar get-Block und benachbarten Blöcken.

8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch

a) Bilden des Korrekturmusters in eine Zelle von Korrekturdaten hinein.

9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Blöcke mindestens einen Block, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus einer Speicherzelleneinheit, einer Decodereinheit und einer Array-Kreuz- oder Quereinheit, umfassen.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Korrek turmuster des Schrittes (c) ein optisches Nachbarschaftseffekt-Korrekturmuster ist.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, gekennzeichnet durch

a) Entfernen von Korrekturmusterdaten aus dem resultierenden Korrekturmuster der kombinierten Daten, die nicht dem Target-Block entsprechen.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt (g) das manuelle Ent fernen jeglichen Korrekturmusters für kombinierte Daten enthält, die überlappende Datenblöcke umfassen.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß in Schritt (g) mit einem CAD-Werkzeug jegliche Korrekturmusterdaten für kombinierte Daten entfernt werden, die keine überlappenden Blöcke einschließen.

14. Verfahren zum Bilden eines Korrekturmusters für eine Photomaske für Photolithographie mit Hilfe eines Werkzeuges für computerunterstütztes Konstruieren (CAD), umfassend folgende Schritte:
Bereiten verifizierter Original-Maskendaten für mindestens eine Lage/Schicht einer Halb leitereinrichtung;
Erstellen kombinierter Daten von Blöcken der Original-Maskendaten ohne Ändern der Positionsbeziehung zwischen den Blöcken im Hinblick auf die Original-Maskendaten, wobei ein Block zum Bilden eines Korrekturmusters vorgesehen ist und jeglicher weite rer Block der kombinierten Daten ein benachbarter Block ist;
Bilden eines Korrekturmusters für die kombinierten Daten mit einem CAD-Werkzeug, wobei das Korrekturmuster eine hierarchische Struktur aufweist; und
Anbringen von Korrekturdaten des Korrekturmusters auf den Original-Maskendaten für die gesamte Lage der Halbleitereinrichtung.

15. Verfahren nach Anspruch 14, gekennzeichnet durch das Bilden des Korrekturmusters in eine Korrekturdatenzelle hinein.

16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Korrekturmuster optische Nachbarschaftseffekte korrigiert.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Origi nal-Maskendaten eine hierarchische Struktur aufweisen, die Blöcke umfaßt, die zum Bil den von Originaldaten für die Lage wiederholt werden; und
die hierarchische Korrekturmusterstruktur Korrekturdaten umfaßt, die Originalmasken blöcken entsprechen, die wiederholt werden können, um das Korrekturmuster zu bilden.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, gekennzeichnet durch den weiteren Schritt des Entfernens jeglicher Musterabschnitte aus dem Korrekturmuster, die nicht dem einen Block entsprechen.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Entfernens jeglicher Musterabschnitte manuell durchgeführt wird, wenn ein benachbarter Datenblock den einen Datenblock überlappt.

20. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Entfernens jeglicher Musterabschnitte mit einem CAD-Werkzeug durchgeführt wird, wenn ein be nachbarter Datenblock nicht den einen Block überlappt.