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Eine
Ausführungsform
der Erfindung bezieht sich auf ein Strukturierungsverfahren, bei
dem auf ein Substrat eine Fotolackschicht aufgebracht und die Fotolackschicht
mittels eines gerasterten Teilchenstrahls oder einer Projektions-Belichtung
mit einer Projektions-Wellenlänge
strukturgebend belichtet wird, wobei die Projektionswellenlänge kleiner
einer Grenzwellenlänge
ist, unterhalb der in der Fotolackschicht durch die Belichtung Sekundärelektronen ausgelöst werden.
Eine weitere Ausführungsform
der Erfindung bezieht sich ferner auf Belichtungsvorrichtungen,
die ein solches Strukturierungsverfahren ermöglichen.
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In
der Halbleiterprozesstechnologie werden strukturgebende Belichtungsverfahren
sowohl bei der Herstellung und Strukturierung von Halbleiterwafern
als auch bei der Herstellung von Masken für weitere strukturgebende Belichtungsverfahren
für Halbleiterwafer
eingesetzt. Die blanke Maske bzw. der Halbleiterwafer werden mit
einer gleichmäßigen, dünnen Schicht
eines strahlungsempfindlichen Polymerfilms beschichtet. Der Polymerfilm
wird mittels eines Elektronen- oder Innenstrahls, mittels ultraviolettem
Licht mit einer Wellenlänge
von 257, 248, 193 oder 157 nm oder extremer UV-Strahlung (EUV) mit 13,5
nm Wellenlänge
strukturiert. Unabhängig
von der Art der Strahlungsquelle wird die strahlungsempfindliche
Polymerschicht üblicherweise
als Fotolack bezeichnet. Die Strahlung löst in den belichteten Abschnitten
eine chemische Reaktion in der Filmschicht aus, die die Löslichkeit
der belichteten Abschnitte gegenüber
der in den unbelichteten Abschnitten verändert.
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Sowohl
für EUV-Lithographie
als auch für Teilchenstrahllithographie
finden so genannte chemisch verstärkte (chemical amplified) Fotolacke
Verwendung, die bei vergleichsweise hoher Empfindlichkeit eine vergleichsweise
hohe Auflösung
ermöglichen.
Solche Fotolacke beruhen auf einem katalytischen Mechanismus, bei
dem durch Einwirkung einer vergleichsweise geringen Dosis der Belichtungsstrahlung
ein Katalysator, üblicherweise
eine Fotosäure,
freigesetzt wird.
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Etwa
bei der Elektronenstrahl-Lithographie wird dabei die katalytische
Reaktion nicht durch die vergleichsweise geringe Anzahl der Primärelektronen
des Elektronenstrahls, sondern überwiegend durch
die von den Primärelektronen
erzeugten Sekundärelektronen
ausgelöst.
Die Sekundärelektronen
spalten eine Fotosäurevorstufe
im Fotolack (PAG, photo acid generator) und erzeugen die zur Strukturierung
notwendige Säure.
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Die
Grenzen des Einsatzes chemisch verstärkter Fotolacke sind etwa im „Report
an EUV resist process limitations"; van Steenwickel et al.; Philips Research
Eindhoven; technical note PR-TN 2005/00570
beschrieben. Demnach lassen sich bei der Verwendung chemisch verstärkter Fotolacke
Belichtungsdosis, Auflösung
und Kanten-Rauheit nicht unabhängig
voneinander optimieren. Üblicherweise wird
demnach heute zur Verbesserung der Auflösung die Belichtungsdosis und
damit die Diffusionsstrecke der fotochemisch gebildeten Säuren verringert,
wobei ein deutlich reduzierter Durchsatz an der jeweiligen Belichtungsvorrichtung
in Kauf genommen wird.
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Ein
EUV-Belichtungsverfahren, bei dem zur Verbesserung der Belichtungseffektivität ein Teil
einer belichtenden EUV-Strahlung
von einer der Fotolackschicht unterliegenden, speziell ausgebildeten Hartmaske
teilweise als langwellige DUV- Strahlung in
die Fotolackschicht zurückreflektiert
wird, ist in der
US
7,033,739 B2 beschrieben.
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Gemäß einem
Strukturierungsverfahren nach einer Ausführungsform der Erfindung wird
demnach zunächst
auf dem Substrat eine Fotolackschicht aufgebracht. Das Substrat
ist etwa eine Blankmaske für
ein Projektions-Belichtungsverfahren oder ein Halbleitersubstrat,
beispielsweise ein Siliziumwafer. Die Fotolackschicht wird strukturgebend belichtet.
Die strukturgebende Belichtung erfolgt entweder mittels eines gerasterten
Teilchenstrahls oder einer Projektions-Belichtung mit einer Projektions-Wellenlänge, die
kleiner einer Grenzwellenlänge ist,
unterhalb der im Fotolack durch die Projektions-Belichtung Sekundärelektronen
ausgelöst
werden. Die strukturgebende Belichtung ist demnach ein Elektronenstrahl,
ein Ionenstrahl oder eine kurzwellige UV-Belichtung, etwa eine EUV-Belichtung.
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Die
Fotolackschicht wird gleichzeitig mit der strukturgebenden Belichtung
einer vergleichsweise langwelligen UV-Zusatzbestrahlung ausgesetzt, deren
Minimum-Wellenlänge größer als
die Grenzwellenlänge
ist. Durch die Anregung mit dem langwelligeren UV-Licht absorbieren
zunächst
niederenergetische Sekundärelektronen
aus der zusätzlichen UV-Bestrahlung
ausreichend zusätzliche
Energie, um die PAG-Spaltung auszulösen. Bei gleicher Belichtungsdosis
bzw. -dauer der strukturgebenden Belichtung wird die Anzahl derjenigen
Sekundärelektronen
erhöht,
die die zur katalytischen Reaktion (PAG-Spaltung) erforderliche
Energie aufweisen und Fotosäure
freisetzen. In der Folge kann etwa in vorteilhafter Weise die Belichtungsdosis
bzw. -dauer der strukturgebenden Belichtung, sei es ein gerasterter Teilchenstrahl
oder eine EUV-Projektionsbelichtung, reduziert werden.
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Nach
der strukturgebenden Belichtung wird der Fotolack entwickelt, wobei
aus der Fotolackschicht eine Fotomaske hervorgeht. Unter Verwendung
der Fotomaske wird das Substrat strukturiert, wobei die Fotomaske
beispielsweise als Ätz-
oder Implantationsmaske fungieren kann.
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Die
Minimum-Wellenlänge
der Zusatzbestrahlung wird etwa so auf die Eigenschaften des Fotolacks
abgestimmt, dass der Fotolack gegenüber der Zusatzbestrahlung allein
unempfindlich ist, so dass in vorteilhafter Weise die Auflösung des
Belichtungsverfahrens allein durch den Sekundärelektroneneffekt bestimmt
wird. Oben und im Folgenden wird das zusätzliche „Belichten" der Fotolackschicht mit vergleichsweise
langwelligem UV-Licht als „Bestrahlen" bzw. „Bestrahlung" bezeichnet, während die
Begriffe „Belichten" bzw. „Belichtung" dem Vorgang vorbehalten
sein sollen, der im Fotolack die Belichtungsreaktion auslöst. Die
Zusatzbestrahlung allein löst
im Fotolack keine Belichtungsreaktion aus.
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Die
Zusatzbestrahlung der Fotolackschicht erfolgt etwa mit UV-Licht mit einem Spektrum
unterhalb einer Grenzfrequenz, die einer Minimum-Wellenlänge von
250 nm entspricht. Die Wellenlänge
der Projektions-Belichtung muss ausreichend kurz sein, um Sekundärelektronen
auszulösen,
und beträgt etwa
weniger als 100 nm und in einer Ausführungsform 13,5 nm. Die Fotolackschicht
besteht gemäß einer
Ausführungsform
aus einem chemisch verstärkten
Fotolack, etwa eine solche, die in den belichteten Abschnitten durch
Sekundärelektronen,
die durch den Teilchenstrahl oder die Projektions-Belichtung ausgelöst werden,
chemisch verändert
wird.
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Gemäß einer
Ausführungsform
wird als Fotolack ein solcher verwendet, der eine Katalysator-Vorstufe
(z.B. PAG, photo acid generator) enthält, aus der durch Einwirken
der Sekundärelektronen eine
katalytisch wirkende Substanz hervorgeht. Nach einer weiteren Ausführungsform
wird die Zusatzbestrahlung als Flutbestrahlung ausgeführt. Die
strukturgebende Belichtung kann dabei ein Teilchenstrahl-Abbildungsverfahren
oder ein Projektions-Belichtungsverfahren sein.
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Nach
einer anderen Ausführungsform
ist die strukturgebende Belichtung ein Teilchenstrahl-Abbildungsverfahren,
während
die UV-Bestrahlung als auf der Fotolackschicht um den Teilchenstrahl
herum fokussierte Bestrahlung vorgesehen wird. Da UV-Licht bei chemisch
verstärkten
Fotolacken auch nach der Belichtung zu Reaktionen im Fotolack führen kann, wird
durch die fokussierte UV-Bestrahlung der Belichtungsprozess in vorteilhafter
Weise vom anschließenden
Entwicklungsprozess weitgehend entkoppelt. Durch die UV-Anregung
der niederenergetischen Elektronen im Fotolack wird der räumliche
Bereich, in dem Sekundärelektronen
mit ausreichender Energie zur Auslösung der katalytischen Reaktion zur
Verfügung
stehen, erweitert. Wird die Belichtungsdosis der strukturgebenden
Belichtung nicht reduziert, führt
dies zu einer lokalen Verringerung der Auflösung.
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Gemäß einer
anderen Ausführungsform,
die sich ebenfalls auf ein Teilchenstrahl-Abbildungsverfahren als
strukturgebende Belichtung bezieht, bei dem die Strukturen aufeinander
folgend geschrieben werden und bei dem einer Steuerung des Abbildungsverfahrens
dem Grunde nach Information zur Art der zu schreibenden Struktur
zur Verfügung
steht, wird die Intensität
der UV-Bestrahlung in Abhängigkeit
von der Strukturgröße der jeweils
zu schreibenden Struktur gesteuert. Beispielsweise wird die UV-Bestrahlung
beim Schreiben fein strukturierter Abschnitte reduziert oder abgeschaltet
und bei der Abbildung grob strukturierter Abschnitte eingeschaltet
bzw. in der Intensität
erhöht.
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Das
strukturgebende Belichtungsverfahren ist etwa ein Elektronenstrahl-Abbildungsverfahren oder
ein EUV-Projektionsbelichtungsverfahren, für die in vorteilhafter Weise
erprobte chemisch verstärkte
Fotolacke zur Verfügung
stehen.
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Eine
weitere Ausführungsform
der Erfindung stellt eine erste Belichtungsvorrichtung zur Verfügung. Die
erste Belichtungsvorrichtung umfasst eine Teilchenquelle, die einen
Teilchenstrahl emittiert, und eine den Teilchenstrahl fokussierende
Fokussier-Einheit. Ferner umfasst die erste Belichtungsvorrichtung eine
Aufnahme-Einheit, die ein Substrat aufnimmt und zur Fokussier-Einheit
justiert und eine Steuereinheit, die den Teilchenstrahl und/oder
die Ortskoordinaten der Aufnahme-Einheit
in Abhängigkeit
von Bilddaten steuert.
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Die
Belichtungsvorrichtung umfasst ferner eine UV-Bestrahlungseinheit, die mindestens
einen Abschnitt eines in der Aufnahme-Einheit angeordneten Substrats
mit UV-Licht mit einem Spektrum unterhalb einer Grenzfrequenz, die
einer Minimum-Wellenlänge
von 248 nm entspricht, bestrahlt. Das Sub strat ist beispielsweise
eine EUV-Blankmaske oder ein Halbleitersubstrat, etwa ein Siliziumwafer.
Die Belichtungsvorrichtung ermöglicht
in vorteilhafter Weise durch Reduktion der Belichtungsdauer einen erhöhten Durchsatz.
Beim Schreiben von EUV-Blankmasken werden in vorteilhafter Weise durch
Reduktion der Belichtungsdosis Schäden im Schichtsystem der Blankmaske
vermieden.
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Nach
einer weiteren Ausführungsform flut-„belichtet” die UV-Bestrahlungseinheit
das in der Aufnahme-Einheit angeordnete Substrat. Es ergibt sich
ein besonders einfacher Aufbau der Belichtungsvorrichtung.
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Nach
einer weiteren Ausführungsform
ist die Intensität
des UV-Lichts in
Abhängigkeit
der jeweils abzubildenden Bilddaten durch die Steuereinheit der Belichtungsvorrichtung
steuerbar. Die UV-Bestrahlungseinheit ist etwa durch die Steuereinheit
in Abhängigkeit
der Bilddaten ein- bzw. ausschaltbar. Damit lassen sich beispielsweise
solche Bilddaten, die feinstrukturierten Abschnitten zugeordnet
sind, mit hoher Auflösung
und solche Bilddaten, die grobstrukturierten Abschnitten zugeordnet
sind, mit hoher Geschwindigkeit schreiben.
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Das
Spektrum des UV-Lichts liegt etwa oberhalb einer Wellenlänge von
280 nm, d.h. unterhalb einer zu einer Wellenlänge von 280 nm korrespondierenden
Grenzfrequenz, so dass in üblichen
chemisch verstärkten
Fotolacken durch die UV-Bestrahlung allein keine Belichtungsreaktion
ausgelöst
wird. Damit ist in vorteilhafter Weise eine Mehrzahl bekannter Fotolacke
einsetzbar.
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Eine
andere Belichtungsvorrichtung umfasst eine UV-Strahlungsquelle, die UV-Licht mit einer
Projektions- Wellenlänge kleiner
100 nm, bevorzugt 13,5 nm, emittiert. Die Belichtungsvorrichtung
umfasst ferner eine die UV-Strahlung fokussierende Fokussier-Einheit
und eine im Strahlengang des fokussierten UV-Lichts angeordnete
Maske mit gegenüber dem
UV-Licht transparenten
und opaken Abschnitten sowie eine Aufnahme-Einheit, die ein Substrat
aufzunehmen und zum Strahlengang zu justieren vermag.
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Die
Belichtungsvorrichtung umfasst ferner eine UV-Bestrahlungseinheit, die mindestens
einen Abschnitt eines in der Aufnahme-Einheit angeordneten Substrats
mit UV-Licht mit einem Spektrum unterhalb einer zu einer Wellenlänge von
250 nm korrespondierenden Grenzfrequenz zu bestrahlen vermag. Eine
solche Belichtungsvorrichtung ermöglicht die Belichtung des Substrats
bei reduzierter Belichtungsdauer, so dass der Durchsatz an dieser
Belichtungsorrichtung in vorteilhafter Weise erhöht werden kann.
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Gemäß einer
Ausführungsform
der Belichtungsvorrichtung flutbelichtet" die UV-Bestrahlungseinheit das in der
Aufnahme-Einheit
angeordnete Substrat, so dass sich ein sehr einfacher Aufbau der Belichtungsvorrichtung
ergibt. Die UV-Bestrahlungseinheit
gibt etwa UV-Licht mit einem Spektrum unterhalb einer zu einer Wellenlänge von
280 nm korrespondierenden Grenzfrequenz ab. Dies ermöglicht in vorteilhafter
Weise den Einsatz einer großen
Gruppe chemisch verstärkter
Fotolacke, die durch eine UV-Bestrahlung mit einer Wellenlänge größer 280 nm
in der Regel nicht belichtet werden, bzw. in denen durch eine solche
Bestrahlung keine Belichtungsreaktion in Gang gesetzt wird.
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Nachfolgend
werden Ausführungsformen der
Erfindung und ihre Vorteile anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
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1:
eine schematische Darstellung eines EUV-Projektionsbelichtungssystems
mit zusätzlicher UV-Flutbelichtung
nach einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung;
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2:
eine schematische Darstellung einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung
mit Flutbelichtung nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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3:
eine schematische Darstellung einer Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung
mit zusätzlicher
fokussierter UV-Bestrahlung nach einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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4:
ein vereinfachtes Ablaufdiagramm des erfindungsgemäßen Strukturierungsverfahrens nach
einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
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5:
ein Emissionsspektrum einer UV-Quelle zum Einsatz in einer erfindungsgemäßen Belichtungsvorrichtung
nach einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung; und
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6:
Absorbtionsspektra eines chemisch verstärkten Fotolacks zur Erläuterung
des Hintergrundes.
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Die 1 ist
die schematische Darstellung einer EUV-Projektions-Belichtungsvorrichtung nach einem
ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung. Eine Strahlungsquelle 10 emittiert einen
EUV-Strahl 11 mit einer Wellenlänge von 13,5 nm. Der EUV-Strahl 11 wird
durch den ersten Teil 12a einer Fokussier-Einheit 12 auf
eine Maske 14 und durch einen zweiten Teil 12b der
Fokussier-Einheit 12 auf eine ein Substrat 90 bedeckende
Fotolackschicht 91 fokussiert. Das Substrat 90 ist
eine Blankmaske oder ein Halbleitersubstrat, etwa ein Siliziumwafer.
Das Substrat 90 liegt auf einer Aufnahme-Einheit 16 der Belichtungsvorrichtung
auf. Die Maske 14 weist eine Struktur mit gegenüber dem
EUV-Strahl 11 transparenten und opaken Abschnitten auf. Über den EUV-Strahl 11 wird
die Struktur der Maske 14 in die Fotolackschicht 91 übertragen.
Die Fotolackschicht 91 besteht aus einem chemisch verstärkten (chemical
amplified) Fotolack. In den vom EUV-Strahl 11 belichteten
Abschnitten werden Sekundärelektronen ausgelöst. Erreichen
die Sekundärelektronen
eine Mindestenergie, so wird in den belichteten Abschnitten der
Fotolackschicht 91 eine katalytische Reaktion ausgelöst. In deren
Folge wird Fotosäure
erzeugt, die die Löslichkeitseigenschaften
der Fotolackschicht 91 in den belichteten Abschnitten verändert, während die
Löslichkeitseigenschaften
der unbelichteten Abschnitte der Fotolackschicht 91 unverändert bleiben.
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Daneben
umfasst die EUV-Projektions-Belichtungsvorrichtung eine UV-Bestrahlungseinheit 18, die
UV-Licht 19 mit solchen Frequenzen emittiert, die in der
Fotolackschicht 91 keine Sekundärelektronen auszulösen vermögen. Beispielsweise
emittiert die UV-Bestrahlungseinheit 18 UV-Licht 19 mit
einem Frequenzspektrum unterhalb einer zu einer Wellenlänge von
257 nm bzw. 280 nm korrespondierenden Grenzfrequenz.
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Solche
vom EUV-Strahl 11 ausgelösten Sekundärelektronen in der Fotolackschicht 91,
deren Energie zunächst
nicht ausreicht, um die katalytische Reaktion in Gang zu setzen,
absorbieren aus der von der UV-Bestrahlungseinheit 18 emittierten
UV-Strahlung 19 die dazu erforderliche Restenergie. Die
Effektivität
der Belichtung wird erhöht.
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Die 2 stellt
eine Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung nach einem weiteren
Ausführungsbeispiel
der Erfindung dar. Eine Elektronenquelle 20 emittiert eine
Elektronensäule 21,
die mittels elektrischer und magnetischer Felder einer Fokussier- Einheit 22 fokussiert
auf eine Fotolackschicht 91, die ein Substrat 90 bedeckt,
auftrifft. Das Substrat 90, etwa eine EUV-Blankmaske, liegt
auf einer Aufnahme-Einheit 26 der Belichtungsvorrichtung
auf. Die Elektronenquelle 20 und damit die Elektronensäule 21 werden
in Abhängigkeit
von Bilddaten 25a von einer Steuer-Einheit 25 gesteuert.
Die Elektronensäule 21 wird
etwa durch eine Bewegung der Aufnahme-Einheit 26 relativ
zur Elektronensäule 21 über die
Fotolackschicht 91 geführt
und dabei in Abhängigkeit
der Bilddaten 25a zur strukturgebenden Belichtung ein- bzw.
ausgeschaltet. Die über
die Elektronensäule 21 einfallenden
Primärelektronen
lösen in
der Fotolackschicht 91 Sekundärelektronen aus, die nur zum
Teil die zum in Gang setzen der katalytischen Reaktion erforderliche
Energie aufweisen. Eine UV-Bestrahlungseinheit 28 flutbelichtet" die Fotolackschicht 91 mit
vergleichsweise langwelligem UV-Licht 29, so dass zunächst energiearme
Sekundärelektronen
aus der UV-Bestrahlung 29 ausreichend Energie absorbieren
können,
um die zum in Gang setzen der katalytischen Reaktion erforderliche
Energie zu erhalten. Da die zunächst
energieärmeren
Sekundärelektronen
in einem größeren Abstand
zum auftreffenden Primärelektronenstrahl
auftreten, wird die Auflösung des
Projektionsverfahrens u.U. leicht reduziert.
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Der
Verringerung der Auflösung
kann vorgebeugt werden, indem die Steuereinheit 25 die
UV-Bestrahlungseinheit 28 in Abhängigkeit der Bilddaten 25a in
der Intensität
regelt bzw. ein- und
ausschaltet. Die Steuereinheit 25 kann demnach die Bilddaten 25a in
der Weise bewerten, ob gerade feine oder grobe Strukturen, Bildpunkte
mit großem
Abstand zu einer Strukturkante oder Bildpunkte entlang einer Strukturkante
geschrieben werden, und in Abhängigkeit
dieser Information die UV-Bestrahlungseinheit 28 steuern.
Eine solche Belichtungsvorrichtung ermöglicht sowohl eine hohe Auflösung in
fein strukturierten Bereichen als auch, durch die reduzierte Belich tungsdauer
in den grob strukturierten Bereichen, einen erhöhten Durchsatz.
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Eine
langwellige UV-Belichtung kann in bereits belichteten Abschnitten
u.U. Folgereaktionen auslösen.
Die in der 3 dargestellte Elektronenstrahl-Belichtungsvorrichtung
mit zusätzlicher
langwelliger UV-Bestrahlung sieht daher eine UV-Fokussier-Einheit vor, mittels der lediglich
der jeweils belichtete Abschnitt der Fotolackschicht 91 zusätzlich mit
langwelligem UV-Licht bestrahlt wird.
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Eine
Elektronenquelle 30 emittiert eine Elektronensäule 31,
die von der Fokussier-Einheit 32 fokussiert auf die das
Substrat 90 bedeckende Fotolackschicht 91 trifft.
Das Substrat 90, etwa eine EUV-Blankmaske, liegt auf einer
Aufnahme-Einheit 36 auf. Das Licht einer UV-Bestrahlungseinheit 38 wird
von einer UV-Fokussier-Einheit 37 derart fokussiert und
gesteuert, dass fokussiertes, langwelliges UV-Licht 39b lediglich
dort auf die Fotolackschicht 91 trifft, wo gerade die Elektronensäule 31 auftrifft.
Eine Steuereinheit 35 steuert die Elektronenquelle 30 in Abhängigkeit
der Bilddaten 35a und regelt zusätzlich die UV-Bestrahlungseinheit 38 ab
und auf, bzw. schaltet sie aus und ein.
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Die 4 zeigt
ein schematisches Ablaufdiagramm. Auf eine Substratoberfläche eines
Substrats wird gemäß Schritt 42 ein
chemisch verstärkter Fotolack
aufgebracht. Gemäß Schritt 44a wird
der Fotolack einer strukturgebenden Belichtung unterzogen. Die strukturgebende
Belichtung ist dabei ein gerasterter Teilchenstrahl oder eine Projektionsbelichtung
mit einer Wellenlänge
von 193 nm, 157 nm, 13,5 nm oder kleiner. Gemäß Schritt 44b wird
gleichzeitig mit der strukturgebenden Belichtung der Fotolack einer
zusätzlichen
UV-Bestrahlung mit einem Emissionsspektrum unter halb einer Grenzfrequenz
ausgesetzt, die zu einer Wellenlänge
von 257 nm korrespondiert.
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Der
Fotolack wird gemäß Schritt 46 entwickelt
und anschließend
gemäß Schritt 48 das
Substrat mit dem entwickelten Fotolack als Maske strukturiert.
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Die 5 zeigt
das Emissionsspektrum einer UV-Bestrahlungseinheit,
die zum Einsatz in einer der Ausführungsformen der Belichtungsvorrichtungen
geeignet ist. Die UV-Belichtungseinheit
emittiert UV-Licht mit Wellenlängen
zwischen 305 und 410 nm bei einem Maximum bei einer Wellenlänge von
etwa 370 nm.
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Die 6 zeigt
die Absorbtionsspektra eines chemisch verstärkten Fotolacks. Weder der
belichtete (untere Kurve) noch der unbelichtete (obere Kurve) Fotolack
absorbieren bei Wellenlängen
größer 300 nm.
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- 10
- Strahlungsquelle
- 11
- EUV-Strahl
- 12
- Fokussiereinheit
- 12a
- erster
Teil von Fokussiereinheit
- 12b
- zweiter
Teil von Fokussiereinheit
- 14
- Maske
- 16
- Aufnahme-Einheit
- 18
- UV-Belichtungseinheit
- 19
- UV-Licht
- 20
- Elektronenquelle
- 21
- Elektronensäule
- 22
- Fokussiereinheit
- 25
- Steuereinheit
- 25a
- Bilddaten
- 26
- Aufnahme-Einheit
- 28
- UV-Belichtungseinheit
- 29
- UV-Licht
- 30
- Elektronenquelle
- 31
- Elektronensäule
- 32
- Fokussiereinheit
- 35
- Steuereinheit
- 35a
- Bilddaten
- 36
- Aufnahme-Einheit
- 37
- UV-Fokussiereinheit
- 38
- UV-Belichtungseinheit
- 39b
- fokussierte
UV-Belichtung
- 42
- Schritt 42
- 44a
- Schritt 44a
- 44b
- Schritt 44b
- 46
- Schritt 46
- 48
- Schritt 48
- 90
- Substrat
- 91
- Fotolackschicht