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Fotoempfindlicher Lack zum Beschichten
eines Substrates und Verfahren zum Belichten des mit dem Lack beschichteten
Substrates Die vorliegende Erfindung betrifft einen fotoempfindlichen
Lack zur Beschichtung eines Substrates sowie ein Verfahren zum Belichten
des mit dem fotoempfindlichen Lack beschichteten Substrates. Die
Erfindung betrifft insbesondere ein Verfahren zum Belichten eines
Halbleiterwafers in einem lithographischen Projektionsverfahren.
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Bei der Herstellung von integrierten
Schaltungen werden in lithographischem Projektionsverfahren Strukturen
von einer Maske auf ein Substrat, etwa einem Halbleiterwafer oder
einem Flat Panel, übertragen.
Die Übertragung
findet in eine Schicht umfassend einen fotoempfindlichen Lack statt.
Nach dem Entwickeln und Entfernen der belichteten Lackteile (sog.
Positiver Resist) wird die strukturierte Lackschicht selbst als
Maske zur Übertragung
der Struktur in eine unterliegende Schicht beispielsweise mittels
eines Ätzverfahrens
eingesetzt.
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Zur Übertragung der Maskenstruktur
in die Lackschicht kann Photonen- oder Teilchenstrahlung verwendet
werden. Die üblicherweise
dabei eingesetzten Wellenlängen
befinden sich im sichtbaren optischen, im ultravioletten (DW, deep
ultraviolet und VW, vacuum ultraviolet) oder im weichen Röntgenbereich,
welcher auch EUV (extreme ultraviolet) genannt wird. Eine Belichtung
kann auch durch Teilchenlithographie, beispielsweise der Ionenprojektionslithographie
(IPL) durchgeführt
werden. Der Einsatz von Elektronenstrahlung (EPL), wie er bereits von
der Maskenbelichtung her bekannt ist, ist ebenfalls möglich. Die
Teilchenenergien bzw. die Kopurskularwellenlängen hängen hierbei von den verwendeten
Beschleunigungsspannungen, typischerweise 30 bis 100 KEV, ab.
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Im Falle der heute vorzugsweise eingesetzten
Positivresists gibt es das Erfordernis, eine Strahlungsdosis für die Belichtung
derart einzustellen, daß die
Strukturübertragung
in die photoempfindliche Schicht maßgetreu erfolgt und daß die entstandenen Linienprofile
in der fotoempfindlichen Schicht nach der Entwicklung eine große Steilheit
aufweisen.
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Eine zu geringe Belichtungsdosis
mit Strahlen oder Teilchen kann zu einer unvollständigen Entfernung
des Lackes in den belichteten Bereichen führen, so daß bei dem Positivresist Linienabstände nicht
oder mit zu geringer Ausdehnung gebildet werden. Flache Resistprofile
können
bei einem nachfolgenden Ätzvorgang
zu einer nicht kontrollierbaren Übertragung
der Strukturbreiten von Linien führen.
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Dieselbe Problematik entsteht auch
im Falle einer Überbelichtung
mit einer zu großen
Belichtungsdosis, bei welcher die belichteten Bereiche unerwünscht aufgeweitet
werden.
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Die eine Belichtungsdosis bestimmenden Faktoren
sind unter anderem: die Belichtungsleistung der Strahlung, die Belichtungsdauer,
die Dicke der fotoempfindlichen Schicht, die chemische Zusammensetzung
sowie die Empfindlichkeit der fotoempfindlichen Schicht, die optischen
Eigenschaften unterliegender Schichten, wie zum Beispiel deren Reflektivität sowie
Aufladungseffekte der belichteten Strukturen, etc.
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Aufgrund der zu erzielenden sehr
geringen Strukturbreiten auf dem Substrat ist es im allgemeinen
unzureichend, die für
eine maßgetreue
Abbildung optimale Belichtungsdosis auf theoretischem Wege zu bestimmen.
Beispielsweise spielen auch Probleme wie eine ungleichmäßige Ausleuchtung des
Belichtungsfeldes infolge einer Dejustage der Optik oder des Illuminators,
Degradationen der optischen beziehungsweise ionenoptischen Komponenten,
Fluktuationen der Licht- beziehungsweise Teilchenquelle, externe
mechanische oder elektromagnetische Störungen eine Rolle, welche insbesondere jeweils
auch plötzlich
auftreten können.
Bezüglich der
Dicke der fotoempfindlichen Schicht können auch Mitte-Rand-Variationen,
welche bei dem Aufschleudern des fotoempfindlichen Lackes entstehen,
oder auch die unterliegende Strukturtopographie eine Rolle spielen.
Die chemischen Eigenschaften des Lackes können ebenfalls zeitlich variieren,
so daß zwei aufeinanderfolgende
zu belichtende Substrate mit dem gleichen Lack verschiedenen Lackempfindlichkeiten
unterworfen. Ein Beispiel stellt die Lagerungsdauer des belackten
Substrates insbesondere im Falle von chemisch verstärkten Lacken
(CAR, chemically amplified resists) dar.
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Für
ein beispielsweise 25 Substrate umfassendes Los wird daher im allgemeinen
ein sogenanntes Vorläufersubstrat
ausgewählt
und mit unterschiedlichen Belichtungsdosen, der sogenannten Belichtungsstaffel,
belichtet und entwickelt. Anschließend werden die belichteten
Strukturen auf ihre Strukturbreite hin vermessen und mit der jeweils
zu erzielenden Strukturbreite verglichen. Die der Struktur mit der
größten Übereinstimmung
zugeordnete Belichtungsdosis wird dann für die Belichtung der restlichen
24 Substrate des Loses verwendet.
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Ein Nachteil bei diesem Verfahren
besteht darin, daß es
zeitaufwendig ist und gleichzeitig die Kapazität des betreffenden Belichtungsgerätes für die Herstellung
von verkäuflichen
Endprodukten nicht voll genutzt wird. Die Kosten der Herstellung
eines Produktes erhöht
sich aus diesem Grunde. Zudem können
während
der Produktionsabfolge eines Loses oder auch nur eines einzigen
Substrates auftretende Variationen der o.g. Faktoren nicht durch eine
angemessene Änderung
der Belichtungsdosis berücksichtigt
werden.
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In jüngerer Zeit wurden daher Belichtungsgeräte entwickelt,
bei denen wenigstens die durch das Belichtungsgerät selbst
verursachten Variationen in der Belichtungsleistung durch ei ne Messung gerade
dieser Leistung im Bereich des Substrates auskorrigiert werden können. Entsprechende
Regelmechanismen werden über
die Bedienung von Shuttern, Blenden und/oder die Geschwindigkeit
der Scanning-Tische im Falle von Scannern zur Verfügung gestellt.
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Solche Regelmechanismen sind jedoch
nur bei solchen Belichtungsgeräten
einsetzbar, in welchen der Belichtungsvorgang im sichtbaren optischen
oder im ultravioletten Bereich durchführt wird. Im Falle der extrem-ultravioletten
Strahlung (EW) wären
die das zu messende Licht am Ort des Substrates auskoppelnden Strahlungsteiler
nicht mehr transparent und würden
das Belichtungsfeld zumindest teilweise abschatten.
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Bei diesen Belichtungsgeräten wird
daher die Belichtungsleistung am Ort der Lichtquelle – und nicht
des Substrates – gemessen
und zu einer Belichtungsdosis zeitlich aufintegriert. Ist ein gewünschter
Zielwert erreicht, so wird die Belichtung mit Hilfe der genannten
Regelmechanismen beendet. Der Anteil der tatsächlich am Substrat eintreffenden
Strahlung wird dabei vorab bestimmt und später nur noch als festgesetzter
Faktor in die Berechung der tatsächlich
bestimmten Belichtungsleistung mit der am Ort der Lichtquelle bestimmten
Strahlungsdosis kombiniert.
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Variationen durch weitere Spiegelelemente zwischen
der Lichtquelle und dem Substrat, wie auch der Abbildungsoptik,
den Wellenlängenfiltern,
den Vakuumfenstern oder der EW-Reflektionsmaske
auf kürzere
Zeitdauer oder von Material zu Material bleiben dabei unberücksichtigt.
Langsamere Variationen können
wiederum durch Vorläufer
auskalibriert werden. Auf sehr kurzen Zeitskalen stattfindende Veränderungen
führen
hingegen zu Fehlbelichtungen in der fotoempfindlichen Schicht auf
dem Substrat. Die eingangs beschriebenen Projektionssysteme bezüglich der
Teilchenlithographie sind dabei ähnlichen Problemen
unterworfen.
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Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
einen fotoempfindlichen Lack, ein Belichtungsgerät und ein Verfahren zum Belichten
eines mit dem fotoempfindlichen Lack beschichteten Substrates in
dem Belichtungsgerät
zur Verfügung
zu stellen, mit dem es möglich
wird, eine Belichtungsdosis derart einzustellen, daß Strukturen
in einem lithographischen Projektionsschritt maßgetreu in die fotoempfindliche
Schicht übertragen
werden können.
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Es ist insbesondere eine Aufgabe
der vorliegenden Erfindung eine maßgetreue Übertragung von Maskenstrukturen
im Wellenlängenbereich
des EW oder mittels Teilchenstrahllithographie zu ermöglichen.
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Die Aufgabe wird gelöst durch
einen fotoempfindlichen Lack mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und
einem Verfahren zum Belichten eines mit dem fotoempfindlichen Lack
beschichteten Substrates in einem Belichtungsgerät mit den Merkmalen des Anspruchs
5. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den untergeordneten Ansprüchen zu
entnehmen.
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Der vorliegenden Erfindung zufolge
umfaßt ein
fotoempfindlicher Lack zum Beschichten eines Substrates für die Durchführung eines
Belichtungsvorganges ein Basispolymer, ein Lösungsmittel, eine fotoaktive
Substanz sowie eine fluoreszierende Substanz. Das von der fluoreszierenden
Substanz während
eines Belichtungsvorganges emittierte Licht kann vorteilhaft analysiert
werden, um Rückschlüsse auf
den Fortschritt des Belichtungsvorgangs schließen zu können, wie im Folgenden beschrieben
ist:
Die fotoaktive Substanz besitzt die Eigenschaft, unter Einstrahlung
von Licht, beispielsweise während
eines Belichtungsvorganges, eine Säure zu bilden. Herkömmlich verwendete
optische Fotolacke aber auch jene für den ultravioletten Lichtbereich
(DW, VW) wie etwa die seit jüngster
Zeit verwendeten chemisch verstärkte
Fotolacke (CAR, Chemically Am plified Resists) umfassen solche fotoaktiven
Substanzen, bei denen auf diese Weise eine Säure gebildet wird.
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Im Falle der im sichtbaren optischen
und ultravioletten Bereich arbeitenden Fotolacke ist dies beispielsweise
Diazonaphthochinon, das bei Belichtung in Gegenwart von Feuchtigkeit
(H2O) in eine Säure, nämlich der Carboxylsäure, umgewandelt wird.
Eine solche fotochemische Reaktion ist beispielsweise bei den Wellenlängen 436
nm (g-line), oder 365 nm (i-line) vorteilhaft. Die freigesetzte
Carboxylsäure
trennt dabei die aus einer mit Novolak als Basispolymer bestehende
Matrix, so daß die
vorher belichteten Bereiche des -Lackes nun in einem Entwicklerschritt
herausgelöst
werden können.
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Im Falle der chemisch verstärkten Fotolacke bewirkt
die fotoaktive Substanz in einer fotochemischen Reaktion ebenfalls
die Bildung einer Säure, welche
katalytisch das Entstehen weiterer Säuremoleküle bewirkt. Dieser Prozeß findet
allerdings erst in einem der Belichtung nachgeordneten Wärmeschritt, dem
sogenannten Post-Exposure Bake Prozeß statt. Vorher unlösliche Bestandteile
der Polymerketten des Basispolymers werden dabei in einer Kettenreaktion
in lösliche
Komponenten umgewandelt. Diese üblicherweise
bei 248 nm (DW) und 197 nm (VW) eingesetzten Lacke können auch
in der EW-Lithographie
mit Erfolg verwendet werden.
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In beiden Fällen stellt das Vorhandensein und
die lokal gebildete Anzahl an Säuremolekülen ein
Maß für den Fortschritt
des Belichtungsvorganges dar. Eine Möglichkeit dafür, Informationen über dieses
Maß zu
erhalten, besteht der Erfindung zufolge darin, mindestens eine fluoreszierende
Substanz einzusetzen, deren Fluoreszenzeigenschaft von dem aktuell
gebildeten Säureanteil
abhängt.
Mit fortschreitender Belichtung, d.h. mit zunehmendem Säuregehalt
nimmt der Absorptionskoeffizient des Resists ab, so daß immer
mehr fluoreszierende Moleküle
angeregt werden und die Fluoreszenzintensität steigt.
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Das von der fluoreszierenden Substanz
wieder ausgestrahlte Licht kann mit einem Sensor aufgefangen und
ausgewertet werden. Die Fluoreszenzeigenschaft spiegelt sich in
dem Spektrum und/oder in der Intensität des wieder ausgestrahlten
Lichtes der fluoreszierenden Substanz wieder.
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Als fluoreszierende Substanzen können insbesondere
die sogenannten die Fluoreszenz-Indikatoren verwendet werden, welche
definierte Änderungen
in der emittierten Fluoreszenzstrahlung bei Änderung des pH-Wertes aufweisen.
Solche Fluoreszenzindikatoren sind beispielsweise bekannt aus dem "Handbook of Chemistry
and Physics", 55th
Edition, 1974 – 1975,
CRC Press, p. D-117 – D-118,
in dem insbesondere eine Tabelle von fluoreszierenden Substanzen
insbesondere für
die Titration von opaken, trüben
oder stark gefärbten
Lösungen
angegeben ist. Beispielhaft sei daraus genannt das Benzoflavin,
welches bei einem pH-Wert von 1.7 und darüber einen Spektralverlauf aufweist,
welchem ein Farbwert "grün" zugeordnet ist,
und welches bei einem pH-Wert von 1.7 bis 0.3 einen Spektralverlauf aufweist,
welchem ein Farbwert "gelb" zugeordnet wird.
D.h., bei einem höheren
Säureanteil
in dem fotoempfindlichen Lack liegt während einer Belichtung das
fluoreszierende Emissionsspektrum zu längeren Wellenlängen hin
verschoben vor. Der Farbumschlag findet bei einem bestimmten pH-Wert,
hier der Wert 1.7) statt.
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Wird nun der substanzabhängige pH-Wert (im
obigen Fall pH = 1.7) unterschritten, so kommt es demnach zu einem
Farbumschlag, die Wellenlänge der
emittierten Strahlung ändert
sich. Die Intensität der
von der fluoreszierenden Substanz emittierten Strahlung nimmt proportional
mit der Menge der während
der Belichtung freigesetzten Säure
und der damit verbundenen abnehmenden Absorption des Resists zu
und geht in eine Sättigungsphase über, sobald
der fotoempfindliche Lack völlig
durchbelichtet ist.
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Die Messung des zeitlichen Verlaufs
der Intensität
der emittierten Fluoreszenzstrahlung ermöglicht somit eine in-situ Kontrolle
des Belichtungsvorganges, wodurch erfindungsgemäß eine Endpunkterkennung des
Belichtungsvorganges möglich
wird. Der Übergang
des im wesentlichen proportional verlaufenden Anstiegs der Intensität in die
Sättigungsphase
entspricht genau diesem Endpunkt.
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Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
werden daher während
des Belichtungsvorganges in dem Belichtungsgerät einer oder mehrere Sensoren zur
Detektion des von der fluoreszierenden Substanz ausgestrahlten Lichtes
eingesetzt. Die Sensoren werden dabei vorzugsweise in der Belichtungskammer
eines Belichtungsgerätes
angeordnet.
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Umfassen die Sensoren nur einem begrenzten
Wellenlängenbereich,
so werden vorzugsweise wenigstens zwei Sensoren eingesetzt, deren
empfindliche Wellenlängenbereiche
verschieden sind. Auf diese Weise ist es möglich, wenigstens einen Ausschnitt
aus dem Spektrum des emittierten Lichtes aufzunehmen, so daß eine Zuordnung
zu einem pH-Wert, z.B. anhand einer in der Meß- und Auswerteinheit hinterlegten
Tabelle, möglich
wird.
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Es ist auch vorgesehen, verschiedene
fluoreszierende Substanzen in dem fotoempfindlichen Lack zu kombinieren,
um eine pH-Wert-Bestimmung über größere Bereiche
hinweg durchführen
zu können.
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Anstatt eines bestimmten Threshold-Wertes zur
Feststellung des Eintritts in die Sättigungsphase kann auch der
Kurvenverlauf analysiert werden. Im ersten Fall wäre der Anteil
der belichteten Fläche
mit der gemessenen Intensität
in Beziehung zu setzen. Im zweiten Fall könnte beispielsweise der Umkehrpunkt
der Kurve in die Sättigungsphase
detektiert werden.
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Es ist somit erfindungsgemäß vorgesehen, fluoreszierende
Substanzen zu verwenden, die es erlauben entweder proportional zum
pH-Wert emittierte Fluoreszenzintensitäten zu messen oder lediglich den
Farbumschlag als Funktion des Säureanteils
zu bestimmen, wobei im ersten Fall nur die Intensität in mindestens
einem Wellenlängenbereich
festgestellt zu werden braucht, während im zweiten Fall mindestens
zwei Wellenlängenbereiche
mittels Sensoren ausgemessen werden müssen.
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Ein weitere Möglichkeit besteht darin, eine fluoreszierende
Substanz zu verwenden und deren Licht zu analysieren ohne daß die genannte
Eigenschaft der Abhängigkeit
von dem Säuregehalt
des umgebenden Materials vorliegt. Wird nämlich für die Belichtung ein Lichtstrahl
eingesetzt, welcher mit fortschreitender Zeit in zunehmend tieferes
Belichtungsprofil in dem Lack erzeugt, so daß dieser Lack am Ort der Belichtung
für die
Fluoreszenzintensität
immer transparenter wird, so kann auch hier bei Eintreten der Sättigung
von einer befriedigenden Durchbelichtung des Lackes ausgegangen
werden. Vorzugsweise wird hierfür
eine zweite Lichtquelle durch das erfindungsgemäße Verfahren zusätzlich zum
Belichtungsstrahl für
die Strukturbildung ausgenutzt um eine gleichmäßige Anregung der fluoreszierenden Substanz
mit fortschreitender Zeit zu ermöglichen.
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Die einzelnen Schritte des Verfahrens
sollen nun anhand eines Ausführungsbeispieles
mit Hilfe einer Zeichnung näher
erläutert
werden. Darin zeigen
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1 in
schematischer Darstellung ein Ausführungsbeispiel eines fotoempfindlichen
Lackes gemäß der vorliegenden
Erfindung, welcher in einem Belichtungsgerät belichtet wird.
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2 den
zeitlichen Verlauf der Intensität der
von der fluoreszierenden Substanz wieder ausgestrahlten Strahlung
gemäß einem
Ausführungsbeispiel
des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung
ist in 1 schematisch
dargestelt. Ein Substrat 10, bei dem es sich um einen Halbleiterwafer
handelt, ist mit einem fotoempfindlichen Lack 20 beschichtet.
Als Belichtungsstrahl wird in dem Ausführungsbeispiel ein Elektronenstrahl 1 aufgefaßt, welcher
eine Struktur in dem fotoempfindlichen Lack 20 belichtet.
Der Lack ist gegenüber
einer Bestrahlung mit Elektronen empfindlich (in diesem Dokument als „photoempfindlich" bezeichnet). Der
Halbleiterwafer 10 wird zunächst in ein Belichtungsgerät mit einer Belichtungskammer
geladen. Die Belichtungskammer weist einen Sensor 30 auf,
welcher die Intensität einer
emittierten Strahlung in wenigstens zwei Wellenlängenbereichen detektieren kann.
Es kann sich dabei auch um mehrere, beispielsweise zwei, Sensoren 30 handeln,
die jeweils einen Wellenlängenbereich
empfangen können.
Der Einsatz eines optischen Gitters mit einem Diodenarray, das das
gesamte interessierende Spektrum mit einem entsprechenden Wellenlängenebereich
umfaßt,
ist gleichfalls einsetzbar.
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Wie in 2 zu
sehen ist, wird der Belichtungsvorgang zu einem Zeitpunkt T = 0
gestartet. Zu diesem Zeitpunkt liegen noch keine Säureanteile
in dem fotoempfindlichen Lack vor. Der pH-Wert beträgt ungefähr 7.0.
Mit fortschreitender Zeit werden in einer fotochemischen Reaktion
Säuregruppen
gebildet, so daß der
pH-Wert sinkt. Bei Erreichen eines bestimmten pH-Wertes von z.B. 6.4 beginnt
der Farbwert des Spektrums der von der fluoreszierenden Substanz
emittierten Strahlung umzuschlagen. Während die Intensität in dem
ersten Wellenlängenbereich
des Sensors 30 sinkt, beginnt die Intensität in dem
zweiten Wellenlängenbereich
zu steigen. In 2 ist
nur der Intensitätsverlauf 101 des
zweiten Wellenlängenbereiches
gezeigt. Bei Erreichen eines pH-Wertes von beispielsweise 5.0 ist
der fotoempfindliche Lack 20 völlig durchbelichtet. Es können nicht
mehr Säuren
gebildet werden, so daß sich
hier im zeitlichen Verlauf ein Sättigungsprofil
einstellt.
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Ist eine Sättigung erreicht, d.h. wird
kein weiterer Anstieg der gemessenen Intensität festgestellt, so wird nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren
der Belichtungsvorgang als Reaktion auf dieses Ereignis beendet.
Eine weitere Belichtung würde
nur benachbarte Resistbereiche belichten und zu einer nachteilhaften
Aufweitung des Linienprofils führen.
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Erfindungsgemäß kann der Belichtungsvorgang
aber vor Erreichen der Sättigung
beendet werden, wenn aus dem Vergleich der der Messungen der beiden
Sensoren 30 der aktuelle Farbwert und somit auch der aktuelle
pH-Wert ermittelt wird. Ist hierzu ein vorgegebenes Ziel für den pH-Wert
bekannt, so kann bei Erreichen dieses Zieles anhand bekannter Regelmechanismen
ein Shutter vorgeschoben oder die Lichtquelle ausgeschaltet werden.
Voraussetzung ist hierbei, daß eine
Tabelle mit einer Zuordnung von Farbwert und Wellenlänge hinterlegt
ist.
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Ist der Verlauf einer idealen Intensitätskurve 101 bekannt,
so kann aus einer Anzahl von Einzelmessungen, die zu einer zweiten
Intensitätskurve 102 (2) führt, auf das Vorhandensein
weitere Problemfaktoren, die nicht mit der zeitlichen Variation der
Lichtquelle zusammenhängen,
geschlossen werden. Die Größe und Form
der Fläche 200 in 2 als Maß für den Abstand zum idealen Kurvenverlauf 101 gibt
dabei Hinweise darauf, ob beispielsweise Inhomogenitäten in der
Lackdicke, der Ausleuchtung des Belichtungsfeldes, oder der unterliegenden
Strukturtopographie vorliegen. Dabei erreichen einige Lackbereiche
zeitlich ihr Sättigungprofil
vor anderen Lackbereichen, so daß sich die registrierte Sättigung
in einem von den Inhomogenitäten
abhängigen
Zeitintervall einstellt.
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Vorteilhafterweise können durch
die vorliegende Erfindung die Belichtungdosen individuell für jedes
einzelne Belichtungsfeld (exposure field) sogar innerhalb eines
Substrates bzw.
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Halbleiterwafers optimiert für eine maßgetreue
Abbildung eingestellt werden. Die Ausbeute wird somit erhöht. Außerdem reduzieren
sich Kosten für
die Produktion, da keine Vorläufersubstrate
gefahren werden müssen.
Werden Abweichungen von einer experimentell bestimmten idealen Intensitätskurve 101 während der
Belichtung festgestellt, so kann in Reaktion auf den aus einem entsprechenden Vergleich
der Kurven bestimmten Abweichungen eine sofortige Geräteüberprüfung eingeleitet
werden, so daß eine überflüssige Produktion
von Ausschußprodukten
bis zu einer anderweitigen Feststellung des Problems verhindert
wird.
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In dem ersten Ausführungsbeispiel
werden Säuremoleküle über den
gesamten Dickebereich des Lackes vom Zeitpunkt T = 0 an gebildet,
weil der Elektronenstrahl üblicherweise
hohe Eindringtiefen aufweist. Der Anstieg der Intensität des fluoreszierenden
Lichtes in dem einen Wellenlängenbereich, bzw.
die Abnahme in dem anderen Wellenlängenbereich, ist daher zunächst proportional
zur fortschreitenden Zeit.
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In einem zweiten Ausführungsbeispiel
wird ein Laserstrahl für
die Belichtung bei einer Wellenlänge
von 365 nm eingesetzt. Mit fortschreitender Zeit bildet sich im
Lack ein Belichtungsprofil, da aufgrund der Absorption im Lack nicht
von vornherein eine Durchbelichtung stattfindet. Eine idealisierte
Intensitätskurve
kann sich hierbei erheblich von einem linearen Zusammenhang mit
der Zeit unterscheiden.
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In den o.g. Beispielen wurde der
für die
Belichtung des Lakkes eingesetzte Elektronen- ,Ionen-, oder Lichtstrahl
auch zur Anregung des fluoreszierenden Lichtes verwendet. In einem
weiteren Ausführungsbeispiel
ist vorgesehen, eine weitere Beleuchtungsquelle einzurichten, welche
die Anregung der durch den Elektronen- ,Ionen-, oder Lichtstrahl
gebildeten Farbmoleküle
erlaubt. Die zeitliche Änderung dieser
Fluoreszenzintensitäten
in Abhängigkeit
von der Belichtungsdosis gibt den Stand des Belichtungsvorganges
wieder. Die weitere Beleuch tungsquelle ist dabei derart vorzusehen,
daß der
Lack selbst photochemisch nicht beeinträchtigt, d.h. belichtet wird, welches
durch eine geeignete, sich beispielsweise von 365 nm erheblich unterscheidende
Wellenlänge für die Beleuchtungsquelle
realisiert werden kann.