DE10200897B4 - Resist zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls und Verfahren zur Bildung der Struktur - Google Patents

Abstract

Resist (2) zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls (11) beim Belichten einer Scheibe (1), enthaltend:
– ein Polymer mit Anhydridgruppen und wenigstens einer säureempfindlichen Gruppe aus: tert.-Butylester-, tert.-Butoxycarbonyloxy-, Tetrahydrofuranyl- oder Tetrahydropyranylgruppen,
– eine photoreaktive Verbindung, welche bei einer Bestrahlung mit ultraviolettem Licht oder mit Elektronen oder Ionen eine Säure freisetzt,
– ein Lösemittel,
– wenigstens einen szintillierenden Stoff.

Description

• Resist zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls und Verfahren zur Bildung der Struktur Die vorliegende Erfindung betrifft einen Resist zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls beim Belichten einer Scheibe sowie ein Verfahren zur Bildung der Struktur.
• Ein gebräuchliches Verfahren zur Strukturbildung auf Halbleiterwafern, Masken, Retikeln oder Flat-Panel-Displays etc. ist die Elektronenstrahllithographie. Aufgrund der damit erzielbaren geringen minimalen Strukturbreiten einerseits und der damit verbundenen langen Schreibzeiten andererseits wird die Elektronenstrahllithographie vor allem zur Strukturierung von Photomasken eingesetzt. Bei Strukturbreiten unterhalb 100 nm sind Schreibzeiten von derzeit bis zu 15 Stunden mit aktuellen Elektronenstrahl-Belichtungsgeräten nicht selten. Dies kann zu dem Problem führen, daß sich innerhalb der Schreibzeiten die Umgebungsbedingungen wie auch die Geräteparameter ändern. Es kann daher zu Abweichungen in der Elektronenstrahlposition und -stärke des üblicherweise gerade zu Beginn der Schreibzeit justierten Elektronenstrahls während der Schreibzeit kommen. Bei gerade besonders kleinen Strukturgrößen entsteht dadurch eine Verschlechterung der Auflösung. Die Anforderungen an die Gelagegenauigkeit können dann möglicherweise nicht mehr erfüllt werden.
• Ein Ausweg besteht darin, in regelmäßigen Abständen erneut Justierungen des Elektronenstrahls bzw. dem auf einer sogenannten Stage aufliegenden Wafer oder der Maske etc. durchzuführen. Beispielsweise wird die Maske dabei in Strukturteilabschnitte eingeteilt und für jeden Abschnitt eine bestimmte Justiermarke angefahren. An dieser erfolgt eine Neuorientierung des Elektronenstrahls. Hierbei entsteht der Nachteil, daß durch die langen Verfahrzeiten der Masken- oder Waferstage ein Produktivitätsverlust mit der Justierung einhergeht. Auch können eventuell plötzlich auftretende Sprünge in den Umgebungsbedingungen nicht rechtzeitig berücksichtigt werden.
• In Goodberlet at al., J. Vac. Sci. Technol. B 16 (6), Nov/Dec 1998, Seiten 3672-3675 – wie auch in US 5,892,230 A – wird eine neue Technik vorgeschlagen, derzufolge eine einer späteren Positionsmessung dienende Gitterstruktur auf die Maske oder den Wafer aufstrukturiert wird, welches szintillierendes Material enthält. Fährt der Elektronenstrahl während der Abrasterung der Positionsadressen auf der Scheibe, d. h. dem Wafer, der Maske etc., über eine solche Gitterstruktur, so werden in dem szintillierenden Material des Gitters die Energieeinträge durch die Elektronen in Lichtemission – etwa im optischen Spektralbereich – umgewandelt. Ein speziell eingerichteter Detektor empfängt die Lichtemission, so daß in einer Steuereinheit des Elektronenstrahl-Belichtungsgerätes die gerade zu schreibende Adreßposition des Elektronenstrahls mit der tatsächlichen Position gemäß dem szintillierenden Gitter verglichen werden kann. Dieser Vergleich kann online, d.h. noch während der Elektronenstrahl an der enstprechenden Rasterposition steht, und in-situ erfolgen, so daß bei Feststellung einer Abweichung zwischen den Positionen die notwendige Korrektur des Elektronenstrahls sofort am Ort der aktuellen Rasteradresse erfolgen kann. Insbesondere müssen Justiermarken in dem Strukturteilabschnitt der Maske oder des Wafers nicht mehr regelmäßig angefahren werden.
• In der Druckschrift WO 97/34201 A1 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem auf einem Wafer sukzessive mit verschiedenen Farbstoffen versehene Resists aufgebracht und jeweils belichtet werden. Nach einem weiteren Entwicklerschritt wird eine Silylierung durchgeführt, die zu einer Stabilisierung des jeweils aktuell behandelten Resists führt. Die Resists sind dabei herkömmlich Novolakharz-basierte Resists, die mit G-Line Steppern belichtet werden.
• Gemäß dem Stand der Technik liegen Szintillatoren in organischer oder anorganischer Form vor. Die szintillierende Struktur wird durch Zugabe des Szintillators zu einem organischen Resist und der anschließenden Strukturierung des Resists in einem eigenen Prozeßschritt des Elektronenstrahlschreibers gebildet. Anstatt daß wie üblicherweise bei der Strukturbildung mit Hilfe von Resists nun in einem Ätzschritt die in dem Resist gebildete Struktur auf eine unterliegende Schicht übertragen wird, bleibt hier der szintillierende Resist zunächst nach seiner Strukturierung als Positioniergitter stehen und wird durch einen weiteren Resist überdeckt. Dieser überdeckende Resist entspricht der eigentlichen Strukturierungsschicht, wobei die darin mittels Elektronenstrahls. gebildete Struktur in einem Ätzschritt auf die unterliegende Schicht übertragen wird. Die dazwischenliegende szintillierende Resistschicht dient als Justiergitter für das Onlinekontrollierte Schreiben mit dem Elektronenstrahl.
• Es tritt nun das bisher ungelöste Problem auf, dass der nachträglich aufgebrachte Resist den vorab strukturierten Szintillatorresist anlösen kann. Dies liegt daran, daß die szintillierende Schicht nicht inert gegen das im nachträglich aufgebrachten Lack enthaltene Lösungsmittel ist. Durch den nachträglich aufgebrachten Lack wird daher die als Justiermarke dienende Gitterstruktur der Szintillatorschicht beschädigt und damit die Justiergenauigkeit beim onlinekontrollierten Elektronenstrahlschreiben reduziert.
• Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die vorgenannten Probleme zu lösen.
• Die Aufgabe wird gelöst durch einen Resist zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls beim Belichten einer Scheibe, enthaltend ein Polymer mit Anhydridgruppen und wenigstens einer säureempfindlichen Gruppe aus: tert.-Butylester-, tert.- Butoxycarbonyloxy-, Tetrahydrofuranyl- oder Tetrahydropyranylgruppen, eine photoreaktive Verbindung, welche bei einer Bestrahlung mit ultraviolettem Licht oder mit Elektronen oder Ionen eine Säure freisetzt, ein Lösemittel und wenigstens einen szintillierenden Stoff. Das Polymer kann insbesondere auch Carbonsäuregruppen umfassen.
• Die Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Verfahren zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls beim Belichten einer Scheibe, umfassend die Schritte Bereitstellen eines Resistmaterials umfassend die vorgenannte Zusammensetzung, Aufbringen des Resistmaterials auf die Scheibe zur Bildung eines ersten Resists auf der Scheibe, Austrocknen des ersten Resists, Bestrahlung eines Ausschnittes der Resistoberfläche zur Bildung der Struktur im ersten Resist zur photolytischen Bildung einer Säure in dem bestrahlten Ausschnitt, Ausheizen des Resists zur Spaltung der säureempfindlichen Gruppe in dem Polymer durch die gebildete Säure in dem bestrahlten Ausschnitt, entwickeln des Resists durch Entfernen der gespaltenen Polymerbestandteile in dem bestrahlten Ausschnitt zur Bildung der Struktur in dem Resist und eine Silylierung der Struktur in dem Resist.
• Bei dem erfindungsgemäßen Resist handelt es sich um einen sogenannten chemisch verstärkten Resist, welchem wenigstens ein szintillierender Stoff zugegeben wird. Der besondere Vorteil bei dem erfindungsgemäßen chemisch verstärkten Resist entsteht dadurch, daß durch den zusätzlichen Silylierungsschritt eine chemische Quervernetzung des Resists durchgeführt wird, so daß dieser Resist nach diesem Schritt inert, d. h. unlöslich gegenüber den Lösungsmitteln nachträglich aufgebrachter weiterer Resists ist. Solche Resists sind beispielsweise aus Hien at al., Proc. SPIE Vol. 3333 (1998), Seiten 154 – 164, oder Elian at al., Microelectronic Engineering 45 (1999), Seiten 319 – 327, bekannt – allerdings nur unter einer Verwendung als dünner Top-Resistfilm in einem Zweilagenresist. Ein solcher dünner Top-Resist liegt dabei auf einem dicken, planarisierenden Bottom-Resist, welcher vorher aufgebracht wurde und besitzt daher gegenüber den Fokuseinstellungen des Belichtungssystems die besonders vorteilhafte Eigenschaft das Prozeßfenster für die Belichtungsparameter zu vergrößern. Im herkömmlichen Zweilagenresist wird der dünne Topresist zunächst belichtet und entwickelt. Anschließend wird er einem Silylierungsschritt unterzogen. Bei dem Silylierungsschritt werden die nach der Entwicklung verbliebenen Strukturen im dünnen Topresist mit einer leicht flüchtigen alkoholischen Silylierungslösung behandelt, wobei die darin enthaltenen Siloxane in den Resist diffundieren und schließlich in die Resistpolymermatrix vernetzt werden. Der erhöhte Siliziumgehalt in den verbliebenen Resiststrukturen besitzt eine erhöhte Ätzresistenz, so daß in einem anschließenden Trockenentwicklungsschritt mit hoher Maßhaltigkeit die Struktur des Top-Resists durch den Bottom-Resist auf die darunterliegende, eigentlich zu strukturierende Schicht übertragen werden kann.
• Erfindungsgemäß wird nun die Lösungsmittelbeständigkeit des Top-Resists im Zwei- oder Mehrlagenresist zur Bildung eines direkt auf der Wafer- oder Maskenoberfläche liegenden Resists genutzt, welcher von weiteren Lacken mit beliebigen Lösungsmitteln überdeckt werden kann. Erfindungsgemäß wird mit einem solchen bisher nur als Top-Resist verwendeten Material nun die Anwendung auf eine Bildung szintillierender Justiermarken ermöglicht. Der hier verwendete chemisch verstärkte Resist ist lösemittelbeständig, so daß ein zweiter Resist, welcher der eigentlichen Strukturierung dient auf die szintillierende Resistschicht aufgebracht werden kann, ohne daß Schädigungen in der szintillierenden Resistschicht entstehen.
• Ein weiterer Vorteil entsteht dadurch, daß mit einem chemisch verstärkten Resist ein sogenanntes „chemical biasing" durchgeführt werden kann. Im Silylationsschritt quellen nämlich die verbliebenen Strukturen im Top-Resist bei der Vernetzung auf, so daß die dazwischenliegenden, bei der Entwicklung freigeräumten Bereiche kontrolliert schmaler werden. Auf die se Weise können sehr kleine Strukturbreiten erzeugt werden. Dieser Vorteil läßt sich auch für die erfindungsgemäßen Justiermarken nutzen.
• Da keine Rücksicht auf Anlösungs- oder Intermixingprobleme bei dem chemisch quervernetzten Resist gegenüber den gebräuchlichen Resistlösungsmitteln genommen werden muß, können beliebige weitere Lacke auf den szintillierenden Resist aufgebracht werden. In einer weiteren Ausgestaltung des Resists ist der szintillierende Stoff eine organische chemische Verbindung. Dies hat den Vorteil, daß sich der Stoff leicht in gängige für einen Silylationsschritt vorgesehene chemisch verstärkte Resists integrieren läßt.
• In einer weiteren Ausgestaltung ist der szintillierende Stoff Anthracen. Anthracen ist besonders photoempfindlich und eignet sich daher insbesondere als Szintillator.
• In einer weiteren Ausgestaltung ist der szintillierende Stoff 1,4-Bis-(5-phenyl-2-oxazolyl)-Benzol. Dieser Stoff ist besonders geeignet weil er die aufgenommene Energie in einem Wellenlängenbereich emittiert, in dem der darüberliegende Resist im wesentlichen lichtdurchlässig ist, so daß der Detektor ein Überstreichen des Elektronenstrahls über das szintillierende Resistgitter detektieren kann.
• In einer weiteren Ausgestaltung ist der szintillierende Stoff Naphthalin. Dieser Stoff ist besonders dazu geeignet die Elektronenenergie aufzunehmen und an die anderen szintillierenden Stoffe weiterzugeben.
• In einer weiteren Ausgestaltung enthält das szintillierende Material eine anorganische Verbindung. Vorteilhafte Beispiele sind: Tallium-dotiertes Natrium-Iodid, Natrium-dotiertes Caesium-Iodid oder Europium-dotiertes Calcium-Fluorid, welche im optischen Spektralbereich emittieren.
• In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird der Silylierungsschritt durch Eintauchen der mit dem Resist beschichteten Scheibe, d. h. dem Wafer, der Maske, dem Retikel, dem Flat-Panel-Display etc., eine Lösung mit Bisaminopropyl-Oligodimethylsiloxan durchgeführt. Wird diese Lösung 2-5%ig ausgeführt, so liegen besonders günstige Konzentrationen für die Diffusion der Siloxane in die Resistmatrix vor.
• In einer weiteren Ausgestaltung wird nach der Silylierung ein Spül- und Trocknungsschritt durchgeführt.
• In einer weiteren Ausgestaltung wird nach der Silylierung oder nach einem sich der Silylierung anschliessenden Spül- und Trocknungsschritt ein zweiter Resist, welcher der lithographischen Strukturierung einer Schicht auf der Scheibe unterhalb des ersten Resists dient, auf den ersten Resist aufgebracht.
• In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird die Bestrahlung zur Bildung der Struktur bzw. der Justiermarke in dem szintillierendem Resist mittels eines Elektronen- oder Ionenstrahls durchgeführt.
• In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird die Bestrahlung mittels eines Laserstrahls durchgeführt.
• In einer weiteren Ausgestaltung des Verfahrens wird die Bestrahlung mittels lichtoptischer Projektion durch eine Maske durchgeführt. Das bedeutet, daß die szintillierende Resist-Gitterstruktur besonders vorteilhaft in einer schnellen, effizienten lichtoptischen Projektion durchgeführt wird, während die eigentliche Strukturierung in dem zweiten aufgebrachten Resist mit hoher Qualität mit einem Elektronenstrahl durchgeführt wird, welche gerade durch das online-kontrollierte Schreiben mittels des Szintillationsgitters erhöht wird.
• Die Erfindung soll nun anhand von zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Dazu zeigt in einer Zeichnung:
• 1 in einem Ausführungsbeispiel schematisch in einzelnen Schritten (a – g) die Bildung und Verwendung einer erfindungsgemäßen Struktur für die Justierung eines Elektronenstrahls.
• In einem ersten Ausführungsbeispiel wird mit dem erfindungsgemäßen Resist unter Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens eine Struktur für die Justierung eines Elektronenstrahls auf einem Siliziumwafer gebildet und verwendet. 1a zeigt den bereits mit einer Oberflächemorphologie – herrührend aus vorangegangenen Prozeßschritten – versehenen Siliziumwafer 1. In die Oberfläche soll eine beliebige Struktur mit Hilfe eines Elektronenstrahls und einer Resistmaske eingebracht werden. Aufgrund des Erfordernisses sehr kleiner Strukturbreiten in diesem Beispiel wird mit sehr langen Schreibzeiten gerechnet, so daß zunächst ein szintillierendes Justiergitter eingerichtet wird. Dazu wird ein erster Resist 2 angesetzt. Als Trägermatrix enthält dieser 8,57 g eines Terpolymers, welches durch radikalische Copolymerisation von Maleinsäureanhydrid mit Methacrylsäure – tert-Butylester und Allylsilan gewonnen wird. Desweiteren enthält der Resist 2 noch 0,42 g einer photoreaktiven Verbindung, d.h. eines Säurebildners, für welches Triphenylsulfoniumhexafluorpropansulfonat verwendet wird. Diese sind gelöst in 100 g Methoxipropylacetat als Lösungsmittel. Als szintillierende Stoffe sind 0,44 g Naphtalin, 0,13 g Anthracen und 0,13 g 1,4-Bis-(5-Phenyl-2-Oxazolyl)-Benzol zugegeben. Der so hergestellte Resist wird 20 Sekunden lang bei einer Umdrehungszahl von 2000 Umdrehungen pro Minute auf die Siliziumscheibe 1 aufgeschleudert und anschließend auf einer Hotplate bei 120 ° C für 60 Sekunden getrocknet. Die Schichtdicke beträgt nun 210 nm (1b).
• Die nun mit dem Resist 2 beschichtete Scheibe wird in einem Elektronenmikroskop JSM 840A^® in Verbindung mit einem Sietec Nanobeam Pattern^® Generator bei einer Beschleunigungsspannung von 30 kV strukturiert. Die zu erhaltenden Justierstrukturen 3 bleiben von dem Elektronenstrahl 10 unbelichtet (1c). In der Polymerkette des Terpolymers ist enthalten das für die Silylation verantwortliche Anhydrid, sowie eine in Alkoholyse entstandene Carbonsäuregruppe, welche für Adhäsions- und Entwicklungseigenschaften geeignet ist, und die für die Belichtung verantwortliche, säureempfindliche tert.-Butylester-Gruppe. Durch die Bestrahlung wird mittels der photoreaktiven Verbindung, dem Säurebildner, photolytisch eine Säure gebildet. Die Säure spaltet die tert.-Butylester-Gruppe in dem Polymer. Der Prozess wird durch Ausheizen (post exposure bake) auf einer Hotplate bei 120 °C für 120 Sekunden verstärkt. Die vorher in dem Terpolymer blockierte, polare Carbonsäuregruppe wird dabei deblockiert bzw. freigesetzt.
• Durch Tauch-Entwicklung mit einer Dauer von 60 Sekunden in einem Entwickler TMA 238 WA^® werden die Carbonsäuregruppen in den belichteten Bereichen gelöst und zusammen mit den gespaltenen Polymerbestandteilen entfernt (1d).
• Ein Silylationsschritt wird durch 40 Sekunden langes Tauchen der entwickelten Strukturen in eine Lösung aus 2% Bisaminopropyl-Oligodimethylsiloxan in 1-Hexanol durchgeführt. Bei der Silylation verbinden sich die in den Polymerketten des Terpolymers eingebetteten Anhydride mit den Amino-Bestandteilen des Siloxans. Dadurch werden Siliziumgruppen fest in die Matrix des Terpolymers eingebaut. Gleichzeitig findet ein Wachstum durch die Aufnahme der Amino-Siloxane in den so quer vernetzten, silylierten Strukturen 3' statt (1e). Anschließend wird die Scheibe 1 für 20 Sekunden mit Isopropanol gespült und mit Druckluft trocken geblasen.
• Die so behandelte Struktur ist nun unlöslich in den gängigen Resistlösemitteln und wird nun mit einem weiteren zweiten Re sist 4 überlackt, wie in 1f zu sehen ist. Der Resist 4 wird nun mittels eines Elektronenstrahls mit der eigentlich auf die Scheibe 1 zu übertragenden Struktur versehen. Fährt der in diesem Prozessschritt verwendete Elektronenstrahl 11 über den Resist 4 an der Stelle, wo sich unter dem Resist eine Struktur 3' befindet, so nimmt diese die Elektronenenergie auf und emittiert Licht im Wellenlängenbereich von 400 bis 500 nm. Der Resist 4 ist transparent für Licht dieser Wellenlänge sowie auch lichtunempfindlich. Das emittierte Licht gelangt in einen Detektor 5, welcher als Fotomultiplier angeflanscht ist. Aktuell zu schreibende Adresskoordinaten, beispielsweise aus einem Speicher, können nun mit den für die Strukturen 3' vorgesehenen Koordinaten verglichen werden, um bei Feststellen eines Unterschiedes Korrekturen am Elektronenstrahl durchführen zu können (1g).
• In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird der gleiche Resist 2 wie im ersten Ausführungsbeispiel verwendet. Auch die Prozessierung ist identisch mit dem ersten Beispiel. Im Unterschied zum ersten Beispiel wird jedoch der szintillierende Resist nicht durch Elektronenbestrahlung sondern durch UV-Belichtung bei einer Wellenlänge von λ = 250 nm unter Verwendung einer strukturierten Fotomaske belichtet. Als Belichtungsgerät wird die MJB3^® eingesetzt. Als Fotomaske wird eine Chrom-on-glass-Maske verwendet. Auf ihr sind Teststrukturen im Dimensionsbereich 1 – 10 μm vorhanden. Desweiteren wird die Maske mit einem Bandfilter, welches durchlässig für 250 nm +/- 10 nm ist, abgedeckt. Auch mit diesem Verfahren werden Strukturen erhalten, welche für die gewünschte Online-Kontrolle beim Schreiben mittels Elektronenstrahls verwendet werden können.
• Die Zusammensetzung der drei in diesem Ausführungsbeispielen verwendeten Szintillatormaterialien ist besonders vorteilhaft, da diese dazu geeignet sind (a) die eingestrahlte Energie aufzunehmen, (b) die Energie an ein anderes Szintillatormaterial weiterzugeben, und (c) die Energie in einem anderen Wellenlängenbereich zu emittieren, welcher im Zusammenspiel mit dem darüberliegenden Resist 4 dessen Transparenz ermöglicht und diesen gleichzeitig nicht belichtet.

1

Scheibe, Wafer, Maske, Flat-Panel-Display

2

szintillierender Resist

3

Struktur für die Justierung

3'

quervernetzte, silylierte Struktur

4

zweiter Resist

5

Detektor

10

Elektronenstrahl für szintillierenden Resist

11

Elektronenstrahl für zweiten Resist

Claims (14)

1. Resist (2) zur Bildung einer Struktur für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls (11) beim Belichten einer Scheibe (1), enthaltend: – ein Polymer mit Anhydridgruppen und wenigstens einer säureempfindlichen Gruppe aus: tert.-Butylester-, tert.-Butoxycarbonyloxy-, Tetrahydrofuranyl- oder Tetrahydropyranylgruppen, – eine photoreaktive Verbindung, welche bei einer Bestrahlung mit ultraviolettem Licht oder mit Elektronen oder Ionen eine Säure freisetzt, – ein Lösemittel, – wenigstens einen szintillierenden Stoff.
2. Resist (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine szintillierende Stoff eine organische chemische Verbindung ist.
3. Resist (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der szintillierende Stoff Anthracen ist.
4. Resist (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der szintillierende Stoff 1,4-Bis-(5-phenyl-2-oxazolyl)benzol ist.
5. Resist (2) nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der szintillierende Stoff Naphthalin ist.
6. Resist (2) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das szintillierende Material eine anorganische Verbindung enthält.
7. Verfahren zur Bildung einer Struktur (3) für die Justierung eines Elektronen- oder Ionenstrahls (11) beim Belichten einer Scheibe (1), umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines Resistmaterials umfassend a) ein Polymer mit Anhydridgruppen und wenigstens einer säurempfindlichen Gruppe aus: tert.-Butylester-, tert.-Butoxycarbonyloxy-, Tetrahydrofuranyl- oder Tetrahydropyranylgruppen, b) eine photoreaktive Verbindung, welche bei einer Bestrahlung mit ultaviolettem Licht oder mit Elektronen oder Ionen eine Säure freisetzt, c) ein Lösemittel, d) wenigstens einen szintillierenden Stoff, – Aufbringen des Resistmaterials auf die Scheibe zur Bildung eines ersten Resists (2) auf der Scheibe, – Austrocknen des ersten Resists (2), – Bestrahlung eines Ausschnittes zur Bildung der Struktur (3) im ersten Resist (2) zur photolytischen Bildung einer Säure in dem bestrahlten Ausschnitt, – Ausheizen des Resists (2) zur Spaltung der säureempfindlichen Gruppe in dem Polymer durch die gebildete Säure in dem bestrahlten Ausschnitt, – Entwickeln des Resists (2) durch Entfernen der gespaltenen Polymerbestandteile in dem bestrahlten Ausschnitt zur Bildung der Struktur in dem Resist (2), – Silylierung der Struktur (3) in dem Resist (2).
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Silylierung durch Eintauchen der mit dem Resist (2) beschichteten Scheibe (1) in eine Lösung enthaltend Bisaminopropyl-Oligodimethylsiloxan durchgeführt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Silylierung ein Spül- und Trocknungsschritt durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass nach der Silylierung oder nach einem sich an die Silylierung anschließenden Spül- und Trocknungschritt ein zweiter Resist (4), welcher der lithographischen Strukturierung einer Schicht auf der Scheibe unterhalb des ersten Resists dient, auf den ersten Resist (2) aufgebracht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung (10) mittels eines Elektronen- oder Ionenstrahls durchgeführt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung (10) mittels Laserstrahls durchgeführt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Bestrahlung (10) mittels lichtoptischer Projektion durch eine Maske durchgeführt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Scheibe (1) ein Wafer, eine Maske oder Retikel oder ein Flat-Panel-Display ist.