DE60027883T2 - Photlithographieverfahren - Google Patents

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Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Halbleitervorrichtungen und insbesondere auf ein Photolithographieverfahren und eine -vorrichtung zum Herstellen einer Vorrichtung durch ein Verwenden eines Teils der gebildeten Vorrichtung als eine Maske und ein Belichten eines Photoresists mit Licht, das durch den anderen Abschnitt der Vorrichtung hindurchgeht.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung kann Bezug nehmend auf die Herstellung isolierender Schichten leichter verstanden werden; es ist jedoch für Fachleute auf dem Gebiet aus der folgenden Erläuterung ersichtlich, dass die Erfindung in einer breiten Vielzahl von Vorgängen eingesetzt werden könnte. Eine Halbleiterherstellung erfordert oftmals die Bildung einer Isolierungsschichtstruktur, die mit der Oberfläche von Halbleitervorrichtungen ausgerichtet ist, die Mikrostrukturen in der Größenordnung von μm aufweisen. Yoshinori Kumura u.a. z.B. haben ein Verfahren zum Bilden einer Halbleiterlaservorrichtung unter Verwendung eines Materials auf GaN-Basis (Jpn. J. Appl. Phys., Band 37 (1998), Seiten L1231–L1233) offenbart, bei dem ein schmaler optischer Wellenleiter mit einer Breite von 5 μm oder weniger hergestellt werden muss. Ein Photoresist, das auf eine Breite von etwa 5 μm strukturiert wurde, oder ein Ätzmaskenmaterial, das unter Verwendung dieses Photoresists strukturiert wurde, wird als eine Ätzmaske verwendet. Das darunter liegende Material auf GaN-Basis, das die Basisstruktur aufweist, wird geätzt, um eine Multi-Mesa-Struktur zu bilden. Mit einer Vorrichtung wie dieser muss der Bereich um den optischen Wellenleiter herum mit einem isolierenden Materi al bedeckt werden, um den Abschnitt um den optischen Wellenleiter herum von der Elektrodenanschlussfläche, die auf diesem isolierenden Material vorgesehen ist, zu isolieren.
  • Eine Anzahl von Verfahren des Stands der Technik wurde zur Bildung einer derartigen Struktur verwendet. Eine Photoresiststruktur kann z.B. photolithographisch über dem optischen Wellenleiter gebildet werden, wobei die Struktur derart angepasst ist, dass dieselbe kleiner ist als der optische Wellenleiter. SiO2 oder dergleichen wird dann über der gesamten Oberfläche aufgedampft und dann wird dann ein organisches Lösungsmittel, ein Photoresist-Abblätterungsmittel oder dergleichen verwendet, um das SiO2 auf dem Photoresist gemeinsam mit dem Photoresist in den Regionen der darunter liegenden Struktur zu entfernen, die freigelegt werden muss, um elektrische Kontakte herzustellen.
  • Alternativ wird gleichzeitig, wenn die Basisstruktur gebildet wird, eine zweite Schicht, die aus einem anderen Material aufgebaut ist, strukturiert. Diese Schichten werden dann als Ätzmaskenmaterialien verwendet und das darunter liegende Material auf GaN-Basis wird geätzt. Ein isolierender Film, wie z.B. SiO2, wird dann aufgedampft und die zweite Schicht und ein darüber liegender isolierender Film werden gemeinsam entfernt, um eine Isolierungsfilmstruktur zu bilden. In GaN-Systemen z.B. wird das Material auf GaN-Basis durch Reaktivionenätzen geätzt, wobei das während der Bildung der Basisstruktur verwendete Photoresist noch intakt ist. Dann wird eine Abhebestrukturierung des SiO2 oder eines anderen isolierenden Films unter Verwendung dieses Photoresists als Abhebematerial durchgeführt.
  • Bei den oben beschriebenen Verfahren müssen die Photomaske und die Struktur, die zuerst auf der Probe gebildet ist, durch einen Vorgang ordnungsgemäß ausgerichtet werden, der die Kosten der Herstellung wesentlich erhöht. Die Ausrichtung wird üblicherweise manuell unter Verwendung von Ausrichtungsmarkierungen auf der Probe und Ausrichtungsmarkie rungen auf der Photomaske geprüft. Ein XY- und Drehtisch wird dann verwendet, um die relativen Positionen der Photomaske und der Probe auszurichten, bis eine Fehlausrichtung innerhalb einer Toleranz ist. Da jedoch ein Ausrichtungsspielraum von etwa 1 μm erforderlich ist, können diese Verfahren nur auf eine Photomaske angewendet werden, die etwa 1 bis 2 μm kleiner ist als die Basisstruktur.
  • Die Ausrichtung könnte außerdem unter Verwendung eines Elektronenstrahllithographiesystems oder eines Photo-Steppers mit einem automatischen Positionierungssystem mit hoher Genauigkeit durchgeführt werden. Die hohen Kosten dieser Ausrüstung erhöhen jedoch die Herstellungskosten wesentlich.
  • Um die Ausrichtungskosten zu vermeiden, wird ein SiO2- oder ein anderer isolierender Film über der gesamten Oberfläche einer Probe aufgedampft und der isolierende Film wird durch Photolithographie und Ätztechnologie nur von dem erwünschten Bereich entfernt. Bei dem Ätzen des Materials auf GaN-Basis z.B. wird auch das Photoresist, das als das Maskenmaterial dient, auf demselben geätzt. Leider wird die resultierende Struktur abgerundet, insbesondere an den Kanten. Zusätzlich machen die Reaktionsprodukte, die während des Ätzens hergestellt werden, ein Abschälen des Photoresists noch schwieriger. Die Formveränderungen in dem Photoresist und die Bildung von Reaktionsprodukten führen zu gesenkten Erträgen, was wiederum die Herstellungskosten erhöht. Während dieses Verfahren keinen genauen Maskenausrichtungsschritt erfordert, erfordert es die selektive Entfernung des SiO2- oder des anderen isolierenden Films, der auf der Probeoberfläche gebildet ist, gemeinsam mit dem Photoresist nach dem Ätzen des Materials auf GaN-Basis.
  • Breit besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes Herstellungsverfahren zum Bereitstellen einer strukturierten isolierenden Schicht über einer darun ter liegenden Halbleitervorrichtung oder dergleichen bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, das keinen hochpräzisen Ausrichtungsvorgang erfordert.
  • Wiederum eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Herstellungsverfahren bereitzustellen, das keine kostspielige Ausrichtungsausrüstung erfordert.
  • Diese und andere Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden für Fachleute auf dem Gebiet aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung und den beigefügten Zeichnungen ersichtlich werden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung, wie in Anspruch 1 definiert ist, ist ein Verfahren zum Erzeugen einer Photoresiststruktur auf einem Objekt, das eine Schicht aus einem Material umfasst, das undurchlässig für Licht einer vorbestimmten Wellenlänge ist. Das Objekt wird zuerst mit einer Schicht eines Photoresistmaterials bedeckt. Die Schicht des Photoresistmaterials wird dann mit Licht einer vorbestimmten Wellenlänge aus einer Position unter dem Objekt bestrahlt, derart, dass das Objekt einen Schatten in die Schicht des Photoresists wirft. Das Photoresistmaterial wird dann entwickelt, um die Photoresiststruktur zu erzeugen. Der Schritt des Bestrahlens der Schicht aus Photoresistmaterial von unterhalb des Objekts wird durch ein Bereitstellen einer reflektierenden Oberfläche unterhalb des Objekts und einer Lichtquelle oberhalb des Objekts erzielt. Bei derartigen Ausführungsbeispielen ist eine Maske zwischen dem Objekt und der Lichtquelle positioniert, derart, dass die Maske einen Schatten wirft, der das Objekt und einen Abschnitt des Bereichs um das Objekt herum bedeckt. Das Ver fahren der vorliegenden Erfindung, wie in Anspruch 3 definiert ist, ist gut geeignet für ein Aufbringen einer Schicht aus dielektrischem Material über einer Vorrichtung, in der die dielektrische Schicht ein Durchgangsloch durch dieselbe hindurch aufweist, das auf einer Metallanschlussfläche abschließt, die Teil der Vorrichtung ist.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Querschnittsansicht einer teilhergestellten Laserdiode, in der die verschiedenen Schichten, die den letztendlichen Laser bilden, aufgebracht und zurückgeätzt wurden, um eine Mesa-Struktur zu bilden.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht der in 1 gezeigten Laserdiode, nachdem die Photoresistschicht der vorliegenden Erfindung strukturiert wurde.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht der in den 1 und 2 gezeigten Laserdiode nach der Aufbringung der dielektrischen Schicht.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht einer teilhergestellten Laserdiode, die die Art und Weise darstellt, auf die eine Lichtquelle oberhalb des Substrats in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Die Art und Weise, in der die vorliegende Erfindung ihre Vorzüge erzielt, ist unter Umständen Bezug nehmend auf eine exemplarische Anwendung des Verfahrens der vorliegenden Erfindung auf die Herstellung einer Kantenemissionslaserdiode leichter verständlich. Es wird nun Bezug auf 1 genommen, die eine Querschnittsansicht einer teilhergestellten Laserdiode 1 ist, in der die verschiedenen Schichten, die den letztendlichen Laser bilden, aufgebracht und zurückgeätzt wurden, um eine Mesa-Struktur zu bilden. Wie in 1 gezeigt ist, umfasst die Vorrichtung eine n-GaN-Schicht 3, eine Multiquantenmulden-(MQW-)Schicht 4 und eine p-GaN-Schicht 5, die in dieser Reihenfolge durch einen herkömmlichen Aufdampfungsvorgang, wie z.B. MOCVD, auf ein Saphir-Substrat 2 aufgewachsen werden. Der Schichtstapel wurde dann in eine Mesa-Struktur 6 umgewandelt, indem diese Schichten bis zu einer Tiefe teilweise durch die n-GaN-Schicht 3 hindurch geätzt wurden, wodurch eine Mesa-Struktur 6 gebildet wurde. Die Mesa-Struktur 6 weist typischerweise eine Breite von 100 μm und eine Höhe von etwa 1,4 μm auf.
  • Als Nächstes werden die Metallelektroden, durch die Leistung an die fertige Vorrichtung geliefert wird, aufgebracht. Ein Nickel-Dünnfilm 7 mit einer Dicke von 50 nm wird durch Vakuumaufdampfung auf die p-GaN-Schicht aufgebracht. Der Nickeldünnfilm 7 wird dann durch Photolithographie und Ätzen strukturiert, um eine Struktur mit einer Breite von 1 bis 100 μm zu bilden. Dieser strukturierte Nickel-Dünnfilm 7 wird als eine Ätzmaske verwendet, um das p-GaN durch Reaktivionenätzen zu ätzen und einen Vorsprung 8 mit einer Höhe von 400 nm auf der Mesa-Struktur 6 bereitzustellen. Dann wird ein Dünnfilm 9 aus Aluminium in einer Dicke von 200 nm durch ein Abhebeverfahren auf dem freiliegenden Abschnitt des n-GaN neben der Unterseite der Mesa-Struktur 6 gebildet.
  • Diese dielektrische Schicht verhindert Kurzschlüsse zu den Elektroden während der Aufbringung der Metallschicht, die verwendet wird, um die Vorrichtung mit einem weiteren Schaltungsaufbau zu verbinden. Bei diesem Schritt wird die gesamte obere Oberfläche der oben erwähnten Struktur durch Aufschleudern mit einem Photoresist, wie z.B. AZ6124, her gestellt durch Hoechst, beschichtet, um eine Photoresistschicht 10 mit einer Dicke von 2,5 μm zu bilden. Die Photoresistschicht wird dann unter Verwendung einer Lichtquelle 15 strukturiert, die die Photoresistschicht 10 von der Unterseite des Substrats 2 belichtet, derart, dass die Dünnfilme 7 und 9 als Belichtungsmasken wirken. Eine Ultraviolettbelichtung von 20 Sekunden bei einer Energiedichte von 1,5 mW pro Quadratzentimeter ist ausreichend, um die oben erläuterte Photoresistschicht zu belichten, unter der Voraussetzung, dass die Wellenlänge derart ausgewählt ist, dass das Substrat bei dieser Wellenlänge transparent ist. Nach der Bestrahlung wird die Vorrichtung 40 Sekunden lang in einen Entwickler (wie z.B. einen AZ-Entwickler, hergestellt durch Hoechst, der 1:1 mit entionisiertem Wasser verdünnt wurde) eingetaucht, um den Abschnitt des Resists zu entfernen, der mit dem ultravioletten Licht bestrahlt wurde. Eine Querschnittsansicht der resultierenden Struktur 20 mit Photoresiststrukturen 101 und 102 ist in 2 gezeigt.
  • Nun wird Bezug auf 3 genommen, die eine Querschnittsansicht der Vorrichtung nach der Aufbringung der dielektrischen Schicht ist. Ein SiO2-Film 12 wird dann auf die Struktur 20 aufgedampft. Das SiO2 über den Photoresiststrukturen 101 und 102 wird dann durch ein herkömmliches Abhebeverfahren entfernt, um SiO2-Filme 121, 122 und 123 zu bilden, während Dünnfilme 7 und 9 zur nachfolgenden Metallaufbringung freigelassen werden, was die in 3 gezeigte Vorrichtungsstruktur 30 ergibt.
  • Die Form der Photoresiststruktur, die bei der oben beschriebenen Prozedur erzeugt wird, wurde mit einem Rasterelektronenmikroskop gemessen. Die Ergebnisse zeigten an, dass die Photoresiststruktur mehr oder weniger die gleiche Form aufwies wie die der darunter liegenden Metallfilme. Die Größendifferenz zwischen dem gebildeten Photoresist und dem darunter liegenden Nickel-Dünnfilm betrug etwa 0,2 bis 0,3 μm, wenn das oben erläuterte Verfahren verwendet wurde.
  • So kann das Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden, um selbst auf einer Basisstruktur mit einer Breite von 0,5 bis 1 μm eine Photoresiststruktur zu bilden.
  • Das oben beschriebene Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung verwendete Aluminium und Nickel als die Basisstruktur. Es ist jedoch für Fachleute auf dem Gebiet aus der vorangehenden Erläuterung ersichtlich, dass jedes beliebige Material, das Licht blockiert, eingesetzt werden kann. Wolfram, Titan, Platin, Palladium, Tantal, Chrom, Silber, Gold, Aluminium oder ein anderes Licht blockierendes Material könnte z.B. anstelle von Nickel oder Aluminium eingesetzt werden.
  • Das Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, das oben beschrieben wurde, verwendete eine Anordnung, in der die Lichtquelle, die zur Belichtung des Photoresists verwendet wurde, unter dem Substrat platziert war, auf dem der Laser hergestellt wurde. Anordnungen, bei denen die Lichtquelle oberhalb des Substrats platziert ist, könnten jedoch ebenso eingesetzt werden. Derartige Anordnungen ermöglichen es, dass das Substrat auf einem undurchsichtigen Träger befestigt werden kann, wie z.B. denjenigen, die in herkömmlichen Photolithographievorrichtungen eingesetzt werden.
  • Nun wird Bezug auf 4 genommen, die die Art und Weise darstellt, in der die vorliegende Erfindung mit einer Lichtquelle oberhalb des Substrats praktiziert werden kann. 4 ist eine Querschnittsansicht des Substrats und der Schichten bei der gleichen Stufe des Herstellungsvorgangs wie in 1 gezeigt ist. Die in 1 gezeigte Vorrichtungsstruktur ist auf einem Tisch 10 platziert, der eine Oberfläche 41 aufweist, die das Belichtungslicht reflektiert. Der Tisch 40 könnte z.B. ein Probetisch aus rostfreiem Stahl sein, der Teil einer herkömmlichen Ultraviolettbelichtungsvorrichtung ist. Eine Photomaske 42 mit einer Maskenstruktur, die undurchsichtige Bereiche 441 und 442 aufweist, ist so über der Photoresistschicht 10 positi oniert, um einen Schatten über Filme 7 und 9 zu werfen. Diese Maske blockiert Licht von der Lichtquelle 15, das andernfalls direkt die obere Oberfläche der Photoresistschicht 10 in der Region der Filme 7 und 9 belichten würde. Die Projektion der Maskenstrukturen 441 und 442 in der Emissionsrichtung des Belichtungslichts bedeckt die Dünnfilme 7 und 9, wie durch die gepunkteten Linien in 4 dargestellt ist.
  • Die Photoresistschicht 10 kann in etwa in der gleichen Form strukturiert sein wie die Basisstruktur, die durch die Filme 7 und 9 definiert ist, indem die Maskenstrukturen 441 und 442 verwendet werden, die sich von den Kanten der Dünnfilme 7 und 9 etwa 10 μm heraus erstrecken. Die Belichtung erfordert lediglich eine Positionierungsgenauigkeit von etwa 5 μm, da das Belichtungslicht in die Region unter den Maskenstrukturen 441 und 442, mit Ausnahme der Region auf dem Dünnfilm 7 und 9, reflektiert wird. Eine Ausrichtungsgenauigkeit von 5 μm kann ohne weiteres lediglich durch ein Verwenden eines einfachen XY- und Drehtischs und eines Mikroskops erzielt werden. So kann dieses Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung an einer herkömmlichen UV-Belichtungsvorrichtung praktiziert werden, ohne dass eine hochpräzise Ausrichtung erforderlich wäre.
  • Mit diesem Verfahren kann ein beliebiger Abschnitt des Photoresists 10 auf der Basisstruktur durch ein Verwenden einer geeigneten Photomaskenstruktur bedeckt werden. So können auch Bereiche, die die entwickelte Photoresiststruktur nicht umfassen sollen und nicht über einer entsprechenden Dünnfilmmaske sind, geschützt werden.
  • Selbst wenn der Tisch 40 keine reflektierende Oberfläche aufweist, kann dieses Verfahren mit Leichtigkeit implementiert werden, wenn die Rückoberfläche der Probe mit einem Material beschichtet ist, das Licht reflektiert, wie z.B. Nickel, Wolfram, Titan, Platin, Palladium, Tantal, Chrom, Silber, Gold oder Aluminium. Zusätzlich kann die Menge an Belichtungslicht, die in die Basisstruktur kriecht, durch ein Einstellen der Entfernung zwischen der reflektierenden Oberfläche 41 und den Basisstrukturfilmen modifiziert werden. Die Belichtung kann durch ein Verändern der Entfernung zwischen der Lichtquelle und der Vorrichtungsstruktur und durch ein Verändern der Richtung, Polarisation und Fokussierung des Lichts feinabgestimmt werden.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung wurden Bezug nehmend auf den Aufbau einer Laserdiode erläutert. Es ist aus der vorstehenden Erläuterung jedoch zu erkennen, dass die vorliegende Erfindung verwendet werden kann, um eine Photoresiststruktur über einer beliebigen undurchsichtigen Struktur zu erzeugen, ohne dass es erforderlich ist, dass eine Maske mit hoher Genauigkeit über dieser Struktur positioniert werden muss.
  • Verschiedene Modifizierungen der vorliegenden Erfindung werden für Fachleute auf dem Gebiet aus der vorstehenden Beschreibung und beigefügten Zeichnungen ersichtlich werden. Entsprechend soll die vorliegende Erfindung lediglich durch den Schutzbereich der folgenden Ansprüche eingeschränkt sein.

Claims (5)

  1. Ein Verfahren zum Erzeugen einer Photoresiststruktur (101, 102) auf einem Objekt (7, 9), das eine Schicht aus einem Material aufweist, das undurchlässig für Licht einer vorbestimmten Wellenlänge ist, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bedecken des Objekts (7, 9) mit einer Schicht aus einem Photoresistmaterial (10); Bestrahlen der Schicht aus dem Photoresistmaterial (10) mit Licht der vorbestimmten Wellenlänge aus einer Position unter dem Objekt (7, 9), derart, dass das Objekt (7, 9) einen Schatten in die Schicht des Photoresistmaterials (10) wirft, indem eine reflektierende Oberfläche (41) unter dem Objekt (7, 9) bereitgestellt wird, indem eine Lichtquelle (15) über dem Objekt (7, 9) bereitgestellt wird, und indem eine Maske (42) zwischen dem Objekt (7, 9) und der Lichtquelle bereitgestellt wird, wobei die Maske (42) einen Schatten wirft, der das Objekt (7, 9) und einen Abschnitt des Bereichs, der das Objekt (7, 9) umgibt, bedeckt; und Entwickeln des Photoresistmaterials, um die Photoresiststruktur (101, 102) zu erzeugen.
  2. Das Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Objekt auf einem transparenten Substrat angeordnet ist und die reflektierende Oberfläche eine Oberfläche auf einem Tisch aufweist, auf dem das Substrat befestigt ist.
  3. Ein Verfahren zum Aufbringen einer Schicht aus einem dielektrischen Material (121–123) über einer Vorrichtung, wobei die dielektrische Schicht ein Durchgangs loch durch dieselbe aufweist, das auf einer Metallanschlussfläche (7, 9) abschließt, die Teil der Vorrichtung ist, wobei das Verfahren folgenden Schritt aufweist: Durchführen eines Verfahrens gemäß Anspruch 1, wobei das Objekt durch die Metallanschlussfläche gebildet wird, wobei der Schritt des Bedeckens des Objekts mit einer Schicht aus einem Photoresistmaterial (10) ein Bedecken der Vorrichtung mit einer Schicht aus einem Photoresistmaterial (10) aufweist und der Schritt des Entwickelns des Photoresistmaterials (10) ein Entfernen der Abschnitte der Schicht aus dem Photoresistmaterial (10), die belichtet wurden, aufweist, wodurch eine strukturierte Schicht des Photoresists (101, 102) über der Metallanschlussfläche (7, 9) verbleibt; wobei das Verfahren ferner folgende Schritte aufweist: Aufbringen einer Schicht des dielektrischen Materials über der Vorrichtung; und Entfernen der strukturierten Schicht des Photoresists (101, 102).
  4. Das Verfahren gemäß Anspruch 3, bei dem die Vorrichtung eine Mehrzahl von Schichten aus GaN, die auf einem transparenten Substrat aufgebracht werden, aufweist.
  5. Das Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem das Substrat Saphir ist.
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WO (1) WO2000049464A2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6696223B2 (en) * 1999-02-19 2004-02-24 Agilent Technologies, Inc. Method for performing photolithography
US7833695B2 (en) * 2007-05-31 2010-11-16 Corning Incorporated Methods of fabricating metal contact structures for laser diodes using backside UV exposure
CN104362226B (zh) * 2014-09-30 2017-03-15 山东成林光电技术有限责任公司 新型led芯片的制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4174217A (en) * 1974-08-02 1979-11-13 Rca Corporation Method for making semiconductor structure
DE68924667T2 (de) * 1988-05-13 1996-03-28 Canon Kk Projektionsbelichtungsvorrichtung.
US5200300A (en) * 1989-06-01 1993-04-06 Hewlett-Packard Company Methods for forming high density multi-chip carriers
US5420048A (en) * 1991-01-09 1995-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method for SOI-type thin film transistor
JPH08307001A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法
US5679498A (en) * 1995-10-11 1997-10-21 Motorola, Inc. Method for producing high density multi-layer integrated circuit carriers
KR0171984B1 (ko) * 1995-12-11 1999-03-30 김주용 박막 트랜지스터의 자기 정렬 노광 방법
US5637519A (en) * 1996-03-21 1997-06-10 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a lightly doped drain thin-film transistor
EP0921577A4 (de) * 1997-01-31 2007-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lichtemittierendes bauelement; halbleiter lichtemittierende vorrichtung, und deren herstellungsverfahren
US6046539A (en) * 1997-04-29 2000-04-04 Candescent Technologies Corporation Use of sacrificial masking layer and backside exposure in forming openings that typically receive light-emissive material
JP3878715B2 (ja) * 1997-05-19 2007-02-07 シャープ株式会社 発光素子
US5976902A (en) * 1998-08-03 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Method of fabricating a fully self-aligned TFT-LCD

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