DE10238783A1 - Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, Phasenverschiebungsmaske und Vorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, Phasenverschiebungsmaske und Vorrichtung

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Abstract

In einem Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske wird nach einem Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt, bei dem eine Phasenverschiebungsschicht (2) auf einem transparenten Substrat (1) gebildet wird, ein Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt ausgeführt, bei dem ein Cr-Film (6A) als einem Lichtabschirmfilm auf einer vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht (2) gebildet wird. Durch Anwendung dieses Verfahrens ist es möglich, ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, welches das Auffinden von in der Phasenverschiebungsschicht erzeugten Defekten in einem frühen Stadium des Herstellungsprozesses ermöglicht, sowie eine gemäß diesem Herstellungsverfahren hergestellte Phasenverschiebungsmaske und eine durch diese hergestellte Vorrichtung bereitzustellen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske, speziell auf ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske, welches das Auffinden von Defekten in einer Phasenverschiebungsschicht in einem frühen Stadium ermöglicht, auf eine Phasenverschiebungsmaske, die gemäß dem Herstellungsverfahren dafür hergestellt wurde, sowie auf eine dadurch hergestellte Vorrichtung.
  • In den vergangenen Jahren wird zunehmend eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske, die zum Liefern eines projektierten Bildes einer feinen Maßeinteilung in der Lage ist, auf Photomasken angewandt, die zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet werden. Die optimale Durchlässigkeit gegenüber der Lichtquellenwellenlänge, die in der Waferlithographie eines Phasenverschiebungsfilms der Halbtonphasenverschiebungsmaske verwendet wird, sollte 2 bis 40% betragen.
  • Andererseits muß die Halbton-Phasenverschiebungsmaske mit einem Lichtabschirmfilm eines Einzelschichtfilms aus Cr oder einem anderen Metallfilm oder Metallsilizidfilm oder ein Vielschichtfilm dieser Materialien gebildet werden, um einen Abbau des Resists durch ein Licht, welches von einem benachbarten Chip hereinleckt, was durch eine ungenaue Ausrichtung einer Strichplattenabschirmung in einem Scanner hervorgerufen wird, oder einen Abbau an einer anderen Stelle als einem Muster durch Licht, welches durch einen Phasenverschiebungsfilm in einem Chip auf der Zwischenmaske durchgelassen wird, zu verhindern. Insbesondere ist es eine wichtige Technik, den Lichtabschirmfilm im Chip auf der Zwischenmaske zu bilden, wenn eine Lichtdurchlässigkeit des Phasenshiftfilms von 9% oder mehr erhalten werden soll.
  • Nun auf die Schnittansichten der Fig. 16 bis 25 Bezug nehmend wird eine Übersicht über erste bis zehnte Herstellungsschritte eines Verfahrens zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske gemäß einer der Anmelderin bekannten Technik beschrieben.
  • Bei Fig. 16 wird zunächst eine Phasenverschiebungsschicht 2 einer vorbestimmten Dicke auf einem Quarzsubstrat 1 als einem transparenten Substrat gebildet, dann wird ein Cr-Film 10 einer vorbestimmten Dicke darauf als einem Lichtabschirmfilm gebildet, und dann wird ein Resistfilm 13 darauf gebildet. Danach wird eine vorbestimmte Fläche des Resistfilms 13 freigelegt.
  • Bei Fig. 17 wird der Resistfilm 13 zum Bilden einer Öffnung 13h eines vorbestimmten Musters entwickelt. Danach wird bei Fig. 18 der Cr-Film 10 in ein Muster gebracht durch Verwendung des Resistfilms 13 als Ätzmaske zum Bilden einer Öffnung 10h eines vorbestimmten Musters.
  • Bei Fig. 19 wird als nächstes der Phasenverschiebungsfilm 2 in ein Muster gebracht durch sukzessive Verwendung des Resistfilms 13 als einer Ätzmaske zum Bilden einer Öffnung 2h einer vorbestimmten Gestalt. Danach wird bei Fig. 20 der Resistfilm 13 entfernt.
  • Als nächstes wird bei Fig. 21 ein Resistfilm 15 so aufgebracht, daß die Öffnungen 2h und 10h gefüllt werden und die Oberfläche des Cr-Films 10 bedeckt wird. Danach wird bei Fig. 22 eine vorbestimmte Fläche des Resistfilms 15 freigelegt.
  • Als nächstes wird bei Fig. 23 der Resistfilm 15 entwickelt, um einen Resistfilm 15A auf dem Cr-Film 10 neben der Öffnung 10h zurückzulassen, wodurch Abschnitte der Oberfläche des Cr-Films 10 freigelegt werden. Danach werden bei Fig. 24 unnötige Abschnitte des Cr-Films 10 mittels Ätzen unter Verwendung des Resistfilms 15A als einer Maske entfernt. Danach wird bei Fig. 25 der Resistfilm 15A entfernt, um einen Cr-Film 10A auf der Phasenverschiebungsschicht 2 zurückzulassen, wodurch Abschnitte auf der Oberfläche der Phasenverschiebungsschicht 2 freigelegt werden.
  • Somit wird eine Halbton-Verschiebungsmaske fertiggestellt, welche eine Lichtdurchlaßfläche 100, bei der die Oberfläche des Quarzsubstrats 1 freigelegt ist, eine Phasenverschiebungsfläche 200 durch Ausgestaltung einer Phasenverschiebungsschicht 2, die auf dem transparenten Substrat 1, zum Erzielen einer Phasenverschiebung um 180° gegenüber dem auf die Lichtdurchlaßfläche durchgelassenen Strahlungslicht sowie zum Erzielen einer Lichtdurchlässigkeit von 2 bis 40%, vorgesehen ist, sowie eine Lichtabschirmfläche 300 durch Ausgestaltung eines Abschirmfilms 10A, welcher auf der vorbestimmten Fläche der Phasenverschiebungsschicht 2 zum Abschirmen des einfallenden Bestrahlungslichts gegenüber der Phasenverschiebungsschicht 2 vorgesehen ist, einschließt.
  • In dem vorangehenden Herstellungsverfahren der Phasenverschiebungsmaske wird das Herstellungsverfahren jedoch mit der von dem Cr-Film 10 bedeckten Phasenverschiebungsschicht 2 ausgeführt, so daß Defekte nicht entdeckt werden können, bis die in Fig. 25 gezeigte Musterung des Cr-Films 10A beendet ist. Folglich wird, wenn Defekte in der Phasenverschiebungsschicht 2 gefunden werden, der gesamte vorangehende Prozeß vergeudet, wodurch die verschwendete Zeitdauer vergrößert wird und eine frühe Auslieferung sowie eine Ersparnis der Herstellungskosten der Phasenverschiebungsmaske verhindert werden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren einer Phasenverschiebungsmaske, welches das Auffinden von in einer Phasenverschiebungsschicht erzeugten Defekten in einem frühen Stadium ermöglicht, und eine Phasenverschiebungsmaske, die gemäß deren Herstellungsverfahren hergestellt wurde, sowie eine dadurch hergestellte Vorrichtung bereitzustellen.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske zur Verfügung, die eine Lichtdurchlaßfläche, welche die Oberfläche des transparenten Substrats freilegt, eine Phasenverschiebungsfläche mit einer auf dem transparenten Substrat bereitgestellten Phasenverschiebungsschicht sowie eine Lichtabschirmfläche mit einem auf, der Phasenverschiebungsschicht vorgesehenen Lichtabschirmfilm zum Abschirmen des einfallenden Bestrahlungslichts einschließt, wobei das Verfahren einen Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt, bei dem die Phasenverschiebungsschicht auf dem transparenten Substrat gebildet wird, und danach einen Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt, bei dem ein Lichtabschirmfilm auf der vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht gebildet wird, einschließt.
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Phasenverschiebungsmaske kann, weil der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt in einem frühen Stadium des Herstellungsverfahrens abgeschlossen wird, das Vorliegen jeglicher Defekte bei diesem Zeitpunkt geprüft werden. Im Ergebnis kann die vergeudete Zeit im Fall irgendeines Defekts, der in der Phasenverschiebungsschicht gefunden wird, im Vergleich zu dem eingangs beschriebenen Verfahren verringert werden, wodurch eine frühe Auslieferung und die Ersparnis von Herstellungskosten der Phasenverschiebungsmaske erreicht werden können.
  • Um den Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt im frühen Stadium des Herstellungsverfahrens abzuschließen, werden in der vorliegenden Erfindung in einem Gegenstand die nachstehend festgelegten Schritte ausgeführt. Der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt schließt einen Schritt des Bildens der Phasenverschiebungsschicht auf dem transparenten Substrat, einen Schritt des Bildens eines ersten Resistfilms mit einem vorbestimmten Muster auf der Phasenverschiebungsschicht und einen Schritt der Musterbildung der Phasenverschiebungsschicht unter Ausnutzung des ersten Resistfilms ein, wobei der Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt einen Schritt des Bildens eines zweiten Resistfilms zum Bedecken des transparenten Substrats und der Phasenverschiebungsschicht, einen Schritt des Entfernens des zweiten Resistfilms von der Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht, die der Fläche entspricht, auf der der Lichtabschirmfilm zurückgelassen werden sollte, einen Schritt des Bildens des Lichtabschirmfilms zum Bedecken des zweiten Resistfilms und der Phasenverschiebungsschicht, und einen Schritt des Entfernens des zweiten Resistfilms sowie des darauf positionierten Lichtabschirmfilms durch eine Abhebe(Lift- Off)-Methode einschließt, damit der Lichtabschirmfilm nur auf der Lichtabschirmfläche auf der Phasenverschiebungsschicht zurückgelassen wird.
  • Um den Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt in einem frühen Stadium des Herstellungsverfahrens abzuschließen, werden ferner in einem anderen Gegenstand der vorliegenden Erfindung die nachfolgend festgelegten Schritte ausgeführt. Der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt schließt einen Schritt des Bildens einer Phasenverschiebungsschicht auf dem transparenten Substrat, einen Schritt des Bildens eines ersten Resistfilms mit einem vorbestimmten Muster auf der Phasenverschiebungsschicht und einen Schritt der Musterbildung der Phasenverschiebungsschicht unter Ausnutzung des ersten Resistfilms ein, wobei der Lichtabschirmfilm-Bildungsprozeß einen Schritt des Bildens des Lichtabschirmfilms zum Bedecken des transparenten Substrats und der Phasenverschiebungsschicht, einen Schritt des Zurücklassens des zweiten Resistfilms lediglich auf der Fläche der Phasenverschiebungsmaske, die der Fläche entspricht, auf welcher der Lichtabschirmfilm zurückgelassen werden soll, sowie einen Schritt des Entfernens lediglich des freigelegten Teils des Lichtabschirmfilms unter Ausnutzung des zweiten Resistfilms als Maske einschließt, damit der Lichtabschirmfilm nur auf der Lichtabschirmfläche auf der Phasenverschiebungsschicht zurückgelassen wird.
  • Weiter bevorzugt wird in der vorliegenden Erfindung der Lichtabschirmfilm aus mindestens einer Schicht gebildet, die aus der aus einem Metallfilm, einem Metalloxidfilm, einem Metalloxid-Nitrid-Film und einem Metalloxid-Nitrid-Carbid-Film bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
  • Der Lichtabschirmfilm ist vorzugsweise in der vorliegenden Erfindung weiter bevorzugt eine Schicht, die aus der aus einem Metallsilizidfilm, einem Metallsilizid-Oxid-Film, einem Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Film und einem Metallsilizid-Oxid- Nitrid-Carbid-Film bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ferner eine Phasenverschiebungsmaske zur Verfügung, die eine Lichtdurchlaßfläche, die die Oberfläche des transparenten Substrats exponiert, eine Phasenverschiebungsfläche mit einer auf dem transparenten Substrat vorgesehenen Phasenverschiebungsschicht, sowie eine auf der Phasenverschiebungsschicht vorgesehene Lichtabschirmfläche mit einem Lichtabschirmfilm, der das einfallende Bestrahlungslicht abschirmt, einschließt, wobei nach dem Bilden der Phasenverschiebungsschicht auf dem transparenten Substrat ein Lichtabschirmfilm auf der vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht bereitgestellt wird. Ferner wird eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung vorzugsweise unter Ausnutzung der Phasenverschiebungsmaske der vorliegenden Erfindung hergestellt.
  • Wenn Vorrichtungen wie Halbleitervorrichtungen unter Verwendung der Phasenverschiebungsmaske, die gemäß dem vorliegenden Verfahren hergestellt wurde, hergestellt werden, nimmt eine ungenügende Bestrahlung im Herstellungsschritt ab, wodurch eine verbesserte Produktionsausbeute im Herstellungsschritt der Vorrichtung erzielt werden kann.
  • Die vorangehenden und weitere Aufgaben, Merkmale, Gegenstände und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden deutlicher aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung bei Betrachtung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen.
  • Fig. 1 bis 9 sind Querschnittsansichten, die erste bis neunte Herstellungsschritte eines Verfahrens zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske in einer ersten Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Fig. 10 bis 15 sind Querschnittsansichten, die fünfte bis zehnte Feststellungsschritte eines Verfahrens der Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske in einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Fig. 16 bis 25 sind Querschnittsansichten, die erste bis zehnte Herstellungsschritte eines Verfahrens zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske gemäß der der Anmelderin bekannten Technik zeigen.
  • Auf die Figuren Bezug nehmend wird nachstehend ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske in jeder der Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
    • Erste Ausführungsform Herstellungsverfahren
  • Zunächst wird unter Bezugnahme auf Fig. 1 bis 9 ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske bei der vorliegenden Ausführungsform beschrieben.
  • Bei Fig. 1 wird eine Phasenverschiebungsschicht 2 einer vorbestimmten Dicke auf einem Quarzsubstrat 1 als einem transparenten Substrat gebildet, dann wird ein Resistfilm 3 darauf gebildet. Danach wird eine vorbestimmte Fläche auf dem Resistfilm 3 freigelegt. Wenn ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem beim Bestrahlen des ersten Resistfilms 3 verwendet wird, wird zuvor eine leitfähige Schicht auf dem ersten Resistfilm 3 gebildet (nicht gezeigt). Wenn ein Laser-Lithographiesystem verwendet wird, braucht die leitfähige Schicht nicht auf dem ersten Resistfilm 3 gebildet zu werden.
  • Bei Fig. 2 wird der erste Resistfilm 3 zum Bilden einer Öffnung 3h eines vorbestimmten Musters entwickelt. Danach wird bei Fig. 3 die Phasenverschiebungsschicht 2 in ein Muster gebracht unter Verwendung des ersten Resistfilms 3 als einer Ätzmaske zum Bilden einer Öffnung 2h einer vorbestimmten Gestalt. Danach wird bei Fig. 4 der erste Resistfilm 3 entfernt. Somit ist der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt abgeschlossen.
  • Bei Fig. 5 wird ein zweiter Resistfilm 5 so aufgebracht, daß die Öffnung 2h gefüllt wird und die Oberfläche der Phasenverschiebungsschicht 2 beschichtet ist. Danach wird bei Fig. 6 eine vorbestimmte Fläche des zweiten Resistfilms 5 freigelegt.
  • Wenn ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem beim Bestrahlen des zweiten Resistfilms 5 verwendet wird, wird zuvor eine leitfähige Schicht auf dem zweiten Resistfilm 5 gebildet (nicht gezeigt). Wenn ein Laser-Lithographiesystem verwendet wird, braucht die leitfähige Schicht nicht auf dem zweiten Resistfilm 5 gebildet zu werden.
  • Bei Fig. 7 wird der zweite Resistfilm 5 freigelegt, dabei den zweiten Resistfilm 5 zurücklassend, zum Bilden, auf der Phasenverschiebungsschicht 2 neben der Öffnung 2h, einer Fläche (A), die einen Abschnitt der Oberfläche der Phasenverschiebungsschicht 2 freilegt.
  • Bei Fig. 8 wird ein Cr-Film 6 einer vorbestimmten Dicke als einem Lichtabschirmfilm gebildet, um den zweiten Resistfilm 5 und die Phasenverschiebungsschicht 2 zu bedecken. Der Film ist. hier nicht auf den Cr-Film beschränkt, und es kann ein Film, der aus der Gruppe, die aus einem anderen Metallfilm mit der Fähigkeit zum Abschirmen von Licht, einem Metalloxidfilm, einem Metalloxid-Nitrid-Film und einem Metalloxid-Nitrid-Carbid- Film besteht, ausgewählt wird oder eine Mehrfachschicht von mehr als zwei Filmen sein, die passend aus der vorbezeichneten Gruppe von Filmen ausgewählt werden. Es kann ferner ein Film sein, der aus einem Metallsilizidfilm, einem Metallsilizid- Oxid-Film, einem Metallsilizid-Oxid-Nitridfilm und einem Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Carbid-Film oder einer Mehrfachschicht von mehr als zwei Filmen, die passend aus der vorbezeichneten Gruppe von Filmen ausgewählt werden, ausgewählt wurde.
  • Bei Fig. 9 werden der zweite Resistfilm 5 und der darauf positionierte Cr-Film 6 durch eine Abhebemethode entfernt zum Zurücklassen des Cr-Films 6A in der vorbestimmten Fläche der Phasenverschiebungsschicht 2. Somit ist der Lichtabschirmfilm- Bildungsschritt abgeschlossen.
    • Struktur der Phasenverschiebungsmaske
  • Somit wird eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske fertiggestellt, die eine Lichtdurchlaßfläche 100, die die Oberfläche des Quarzsubstrats 1 freilegt, eine Phasenverschiebungsfläche 200 mit einer auf dem transparenten Substrat 1 bereitgestellten Phasenverschiebungsschicht 2 zum Erzielen einer Phasenverschiebung von 180° gegenüber dem Bestrahlungslicht, welches durch die Lichtdurchlaßfläche hindurchtritt, sowie zum Erzielen einer Durchlässigkeit von 2 bis 40%, und eine Lichtabschirmfläche 300 mit einem auf der vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht 2 bereitgestellten Lichtabschirmfilm 6A zum Abschirmen des einfallenden Bestrahlungslichts auf die Phasenverschiebungsschicht 2 einschließt.
    • Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß dem Verfahren der Herstellung der Phasenverschiebungsmaske in der vorliegenden Ausführungsform kann somit jeglicher Defekt zu diesem Zeitpunkt geprüft werden, weil der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt im frühen Stadium des Herstellungsprozesses abgeschlossen ist. Im Ergebnis kann die vergeudete Zeit im Fall irgendeines Defekts, der in der Phasenverschiebungsschicht 2 gefunden wird, im Vergleich zu dem eingangs genannten Prozeß reduziert werden, wodurch ein frühes Ausliefern und eine Ersparnis bei den Herstellungskosten der Phasenverschiebungsmaske erzielt werden können.
  • In dem in Fig. 9 gezeigten Schritt ist es ferner möglich, obgleich der Schritt des Zurücklassens des Cr-Films 6A nur auf der vorbestimmten Fläche der Phasenverschiebungsschicht 2 durch die Abhebemethode angewandt wird, einen weiteren Schritt nach dem in Fig. 8 gezeigten Schritt anzuwenden, in welchem der Cr-Film 6 durch die CMP-Methode poliert wird, bis die Oberfläche des zweiten Resistfilms 5 freigelegt ist, und dann erst der zweite Resistfilm 5 mittels Ätzen oder dergleichen zum Zurücklassen des Cr-Films 6A in der vorbestimmten Fläche der Phasenverschiebungsschicht 2 entfernt wird.
    • Zweite Ausführungsform Herstellungsverfahren
  • Zunächst wird unter Bezugnahme auf Fig. 10 bis 15 ein Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske in der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Da die Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritte ähnlich zu den unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 4 der ersten Ausführungsform beschriebenen ähnlich sind, werden die Beschreibungen der ersten bis vierten Schritte nicht wiederholt, sondern für die fünfte und die folgenden Schritte gegeben.
  • Bei Fig. 10 wird nach dem Abschluß der Bildung der Phasenverschiebungsschicht 2 ein Cr-Film 7 der vorbestimmten Dicke des Lichtabschirmfilms so gebildet, daß die Öffnung 2h gefüllt wird und die Oberfläche der Phasenverschiebungsschicht 2 bedeckt wird. Der Film ist nicht auf den Cr-Film beschränkt, und es kann ein Film, der aus der Gruppe, die aus einem anderen Metallfilm mit einer Fähigkeit zum Abschirmen von Licht, einem Metalloxidfilm, einem Metalloxid-Nitrid-Film und einem Metalloxid-Nitrid-Carbid-Film besteht, ausgewählt wird, oder eine Mehrfachschicht von mehr als zwei Filmen sein, die passend aus der vorbezeichneten Gruppe von Filmen ausgewählt wird. Ferner kann es ein Film sein, der aus einem Metallsilizidfilm, einem Metallsilizid-Oxid-Film, einem Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Film und einem Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Carbid-Film ausgewählt wird, oder eine Mehrfachschicht von mehr als zwei Filmen, die passend aus den vorbezeichneten Filmen ausgewählt werden. Danach wird bei Fig. 11 der zweite Resistfilm 8 auf dem Cr-Film 7 gebildet.
  • Bei Fig. 12 wird die vorbestimmte Fläche des zweiten Resistfilms 8 freigelegt. Wenn ein Elektronenstrahl-Lithographiesystem beim Bestrahlen des zweiten Resistfilms 8 verwendet wird, wird zuvor eine leitfähige Schicht auf dem zweiten Resistfilm 8 gebildet (nicht gezeigt). Wenn ein Laser-Lithographiesystem verwendet wird, braucht eine leitfähige Schicht nicht zuvor auf dem zweiten Resistfilm 8 gebildet zu werden. Danach wird bei Fig. 13 der zweite Resistfilm 8 entwickelt, dabei den zweiten Resistfilm 8A in der vorbestimmten Position auf dem Cr-Film zurücklassend. Bei Fig. 14 wird der Cr-Film 7 durch Ätzen entfernt, damit der Cr-Film 7A auf der vorbestimmten Fläche der Phasenverschiebungsschicht 2 zurückgelassen wird. Somit ist der Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt abgeschlossen.
    • Struktur der Phasenverschiebungsmaske
  • Somit wird eine Halbton-Phasenverschiebungsmaske fertiggestellt, die eine Lichtdurchlaßfläche 100, die die Oberfläche des Quarzsubstrats 1 freilegt, eine Phasenverschiebungsfläche 200 mit einer auf den transparentem Substrat 1 vorgesehenen Phasenverschiebungsschicht 2 zum Erzielen einer Phasenverschiebung von 180° gegenüber dem durch die Lichtdurchlaßfläche hindurchtretenden Bestrahlungslicht sowie einer Durchlässigkeit von 2 bis 40%, und eine Lichtabschirmfläche 300 mit einem auf der vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht 2 bereitgestellten Abschirmfilm 7A zum Abschirmen des einfallenden Bestrahlungslichts auf die Phasenverschiebungsschicht 2 einschließt.
    • Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform des Herstellungsverfahrens der Phasenverschiebungsmaske kann somit irgendein Defekt bei diesem Zeitpunkt geprüft werden. Im Ergebnis kann die vergeudete Zeit im Fall irgendeines Defekts, der bei der Phasenverschiebungsmaske gefunden wird, im Vergleich zum eingangs beschriebenen Prozeß reduziert werden, so daß eine frühe Auslieferung und eine Ersparnis der Herstellungskosten für die Phasenverschiebungsmaske erzielt werden kann.
  • Wenn Vorrichtungen wie eine Halbleitervorrichtung unter Verwendung der gemäß dem vorliegenden Verfahren hergestellten Phasenverschiebungsmaske hergestellt werden, nimmt eine ungenügende Bestrahlung im Herstellungsschritt ab, wodurch eine verbesserte Produktionsausbeute im Herstellungsschritt der Vorrichtung erzielt werden kann. Sie kann insbesondere vorteilhaft für Halbleitervorrichtungen wie DRAM, SRAM, ERAM, Flash-Speicher, ASIC, Mikrocomputer, GaAs oder dergleichen verwendet werden. Sie kann ebenso auf eine einzelne Halbleitervorrichtung oder eine Vorrichtung wie einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung oder einer anderen Vorrichtung als einer Halbleitervorrichtung angewandt werden.
  • Da der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt bei einem frühen Stadium des Herstellungsprozesses abgeschlossen ist, kann durch das Verfahren zur Herstellung der Phasenverschiebungsmaske gemäß der vorliegenden Erfindung das Vorliegen irgendeines Defekts bei diesem frühen Stadium geprüft werden. Im Ergebnis kann eine vergeudete Zeit im Fall irgendeines Defekts, der in der Phasenverschiebungsschicht gefunden wird, vermindert werden im Vergleich zu dem eingangs genannten Prozeß, wodurch eine frühe Auslieferung und die Ersparnis von Herstellungskosten für die Phasenverschiebungsmaske erzielt werden können.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und veranschaulicht wurde, wird klar, daß dies nur zur Veranschaulichung und als Beispiel erfolgte und nicht als Einschränkung zu verstehen ist, wobei die Tragweite und der Umfang der vorliegenden Erfindung lediglich durch den Inhalt der beigefügten Ansprüche begrenzt ist.

Claims (5)

1. Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske mit
einer Lichtdurchlaßfläche (100), bei der eine Oberfläche eines transparenten Substrats (1) freigelegt ist,
einer Phasenverschiebungsfläche (200) mit einer auf dem transparenten Substrat (1) vorgesehenen Phasenverschiebungsschicht (2), und
einer Lichtabschirmfläche (300), die auf einer vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht (2) vorgesehen ist, mit einem Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) zum Abschirmen von einfallendem Bestrahlungslicht gegenüber der Phasenverschiebungsschicht (2);
wobei das Verfahren einen Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt, bei dem die Phasenverschiebungsschicht (2) auf dem transparenten Substrat (1) gebildet wird, gefolgt von einem Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt, bei dem der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) auf der vorbestimmten Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht (2) gebildet wird, umfaßt.
2. Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske gemäß Anspruch 1, wobei
der Phasenverschiebungs-Bildungsschritt
einen Schritt des Bildens der Phasenverschiebungsschicht (2) auf dem transparenten Substrat (1),
einen Schritt des Bildens eines ersten Resistfilms (3) mit einem vorbestimmten Muster auf der Phasenverschiebungsschicht (2),
und einen Schritt der Musterbildung der Phasenverschiebungsschicht (2) durch den ersten Resistfilm (3) einschließt;
und wobei der Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt einen Schritt des Bildens eines zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) zum Bedecken des transparenten Substrats (1) und der Phasenverschiebungsschicht (2),
einen Schritt des Entfernens des zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) nur von einer Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht (2), die der Fläche entspricht, auf der der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) zurückzulassen ist,
einen Schritt des Bildens des Lichtabschirmfilms (6, 6A; 7, 7A) zum Bedecken des zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) und der Phasenverschiebungsschicht (2) und
einen Schritt des Entfernens des zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) und des darauf positionierten Lichtabschirmfilms (6, 6A; 7, 7A) durch eine Abhebemethode einschließt, damit der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) nur auf der Lichtdurchlaßfläche (300) auf der Phasenverschiebungsschicht (2) zurückbleibt.
3. Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske gemäß Anspruch 1, wobei
der Phasenverschiebungsschicht-Bildungsschritt ferner
einen Schritt des Bildens der Phasenverschiebungsschicht (2) auf dem transparenten Substrat (1),
einen Schritt des Bildens eines ersten Resistfilms (3) mit einem vorbestimmten Muster auf der Phasenverschiebungsschicht (2), und
einen Schritt der Musterbildung der Phasenverschiebungsschicht (2) durch den ersten Resistfilm (3) einschließt;
und wobei der Lichtabschirmfilm-Bildungsschritt ferner
einen Schritt des Bildens des Lichtabschirmfilms (6, 6A; 7, 7A) zum Bedecken des transparenten Substrats (1) und der Phasenverschiebungsschicht (2),
einen Schritt des Zurücklassens eines zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) nur auf einer Fläche, die einer Fläche auf der Phasenverschiebungsschicht (2) entspricht, bei der der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) zurückzulassen ist, und
einen Schritt des Entfernens von lediglich dem exponierten Abschnitt des Lichtabschirmfilms (6, 6A; 7, 7A) durch Verwenden des zweiten Resistfilms (5; 8, 8A) als einer Maske zum Zurücklassen des Lichtabschirmfilms (6, 6A; 7, 7A) nur auf der Lichtabschirmfläche (300) auf der Phasenverschiebungsschicht (2) einschließt.
4. Verfahren zum Herstellen einer Phasenverschiebungsmaske gemäß Anspruch 1, wobei der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) mindestens eine Schicht eines Films ist, welcher aus der aus einer Metallschicht, einer Metalloxidschicht, einer Metalloxid-Nitrid- Schicht und einer Metalloxid-Nitrid-Carbid-Schicht bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
5. Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Lichtabschirmfilm (6, 6A; 7, 7A) wenigstens eine Schicht eines Films ist, welcher aus der aus einer Metallsilizidschicht, einer Metallsilizid- Oxid-Schicht, einer Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Schicht und einer Metallsilizid-Oxid-Nitrid-Carbid-Schicht bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
DE10238783A 2001-12-07 2002-08-23 Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske, Phasenverschiebungsmaske und Vorrichtung Withdrawn DE10238783A1 (de)

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