DE4413821A1 - Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft Photolithographie, und spezieller be­ trifft sie Phasenschiebemasken mit verbesserter Auflösung sowie Verfahren zu deren Herstellung.

Gemäß dem Trend der letzten Jahre nach höherer Integration und höherer Packungsdichte von Halbleiter-Bauelementen ist es erforderlich, feine Linienmuster, wie sie in einer Photo­ maske abgegrenzt sind, nach Wunsch auf einen Wafer zu über­ tragen. Um dieses Ziel zu erreichen, wurden speziell modifi­ zierte Herstelltechniken vorgeschlagen.

Allgemein gesagt, ist Photolithographie die Technik, die es ermöglicht, abgegrenzte Bildmuster von einer Maske auf den Photoresistfilm auf einem Substrat zu übertragen, wozu Licht wie Ultraviolettlicht verwendet wird, das durch die Maske hindurch auf den Photoresistfilm fällt.

Eine übliche Photomaske verfügt über abgegrenzte transparen­ te und undurchsichtige Bereiche, was selektives Belichten ermöglicht. Jedoch läßt sich aufgrund von Beugungseigen­ schaften die Auflösung zum Erzielen erhöhter Musterdichten aufgrund von Beugungseffekten nicht beliebig erhöhen.

Daher wurden in großem Umfang verschiedene Techniken zum Verbessern der Auflösung bei Photolithographie durch Verwen­ den einer Phasenschiebe-Lithographietechnik untersucht.

Phasenschiebelithographie verwendet einen transparenten Be­ reich aus mehreren im wesentlichen transparenten Abschnitten und anderen transparenten Abschnitten mit einer Phasenver­ schiebung von 180° aus einem Phasenschiebematerial. Demgemäß ist es möglich, das Beugungsproblem zu überwinden wie auch Interferenzschwierigkeiten in bezug auf die transparenten und die undurchsichtigen Bereiche.

Demgemäß wurden verschiedene Lithographietechniken entwickelt, z. B. eine solche mit einer scharfen Modulation der Lichtstärke, was es ermöglicht, die Abgrenzungsmerkmale des Bildmusters der Maske wie auch die Übertragung sehr kompli­ zierter Muster mit sehr guter Näherung zu erzielen.

Es wurde eine sogenannte Levenson-Maske und eine Kantenver­ stärkungsmaske geschaffen, wobei die erstere eine transpa­ rente, optische Phasenschiebeschicht, die in einem von zwei benachbarten transparenten Abschnitten ausgebildet ist, auf­ weist, während die letztere die Phase des Lichts an den En­ den der zwei verschiedenen transparenten Abschnitte ver­ schiebt, um die Lichtstärke beim Durchlaufen des Lichts durch die Maske zu verringern.

Beim Herstellen einer Kantenverstärkungsmaske wird der ge­ musterte Teil des Phasenschiebematerials so hergestellt, daß er über eine größere Breite verfügt als eine unter ihm lie­ gende Lichtabschirmschicht, und dann werden die beiden Sei­ tenwände der Lichtabschirmschicht selektiv abgeätzt, wobei der gemusterte Teil als Ätzmaske dient. Daher zeigt sich der Effekt der Phasenschiebeschicht abhängig von der Breite der Lichtabschirmschicht.

Die Fig. 12a bis 12c sind Querschnitte zum Erläutern von Prozeßschritten zum Herstellen einer bekannten Phasenschie­ bemaske.

Auf einem transparenten unteren Substrat 11 wird eine licht­ undurchlässige Lichtabschirmschicht 12 ausgebildet, auf der eine Phasenschiebeschicht 13 abgeschieden wird (Fig. 12a).

Mit einer Photoresistschicht 14 als Maske wird die Stapel­ folge aus der Phasenschiebeschicht und der Lichtabschirm­ schicht so abgeätzt, daß die Oberfläche des transparenten unteren Substrats 11 freiliegt (Fig. 12b).

Nach dem Entfernen der Photoresistschicht 14 wird isotropes Ätzen oder Naßätzen ausgeführt, um die Endabschnitte der Lichtabschirmschicht 12 zu entfernen, die durch die auf ihr befindliche Phasenschiebeschicht maskiert werden, so daß die Musterbreite eingestellt werden kann, wodurch die erforder­ liche Maske hergestellt wird (Fig. 12c).

Fig. 2 veranschaulicht die Lichtstärkeverteilung, wie sie dieser herkömmlichen Phasenschiebemaske zugeordnet ist.

Wie aus Fig. 2a erkennbar, die die Lichtstärke in einem Wafer zeigt, der optischer Bestrahlung ausgesetzt wird, wird in den Endabschnitten der herkömmlich verwendeten Phasen­ schiebemaske keine genaue Phasenverschiebung erzielt, was zu einem Photoresistmuster 16 auf dem Wafer 15 führt, wie es in Fig. 2b dargestellt ist.

Dies, da der Naßätzprozeß eine Unterätzung in den Randab­ schnitten der Abschirmschicht hervorruft, was genaue Phasen­ verschiebung beeinträchtigt.

Ferner kann sich, wenn die Phasenschiebeschicht und die Lichtabschirmschicht gemustert werden, zeigen, daß die Ab­ messung der Struktur in Rückwärtsrichtung kritisch ist, was eine Korrektur einer unerwartet fehlerhaften Maske er­ schwert.

Ferner existiert eine Instabilität an der Oberfläche auf­ grund einer Ungleichmäßigkeit des Oberflächenniveaus.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Phasenschie­ bemaske anzugeben, die die Einstellung der Linienbreite und der Dicke der Phasenschiebeschicht erleichtert. Der Erfin­ dung liegt weiterhin die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Maske zu schaffen.

Die Erfindung ist für die Maske durch die Lehren der unab­ hängigen Ansprüche 1, 20 und 22 sowie für das Verfahren durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 11, 21 und 26 gegeben.

Bei der erfindungsgemäßen Maske wird ein Graben ausgebildet, in dem die Lichtabschirmschicht angeordnet wird.

Die Erfindung weist die folgenden Vorteile auf:
Erstens ermöglicht es das Herstellen einer Grabenstruktur und das Auffüllen der Gräben mit einer undurchsichtigen Schicht, eine fehlerhafte Phasenschiebemaske auf einfache Weise auszubessern und eine Phasenschiebemaske einfacher als eine herkömmliche Kantenverstärkungsmaske herzustellen.

Zweitens sorgen die vertikalen Seitenwände der Phasenschie­ beschicht und der Lichtabschirmschicht für optimalen Phasen­ schiebeeffekt im gemusterten Kantenabschnitt beim Durch­ strahlen von Licht.

Drittens ist es erleichtert, die Linienbreite und die Dicke der Phasenschiebeschicht um die Lichtabschirmschicht herum einzustellen.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen erläutert.

Fig. 1a bis 1d zeigen graphisch die Lichtverteilung beim fünften Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 11.

Fig. 2a bis 2d zeigen graphisch die Lichtverteilung im Fall der bekannten Phasenschiebemaske von Fig. 12.

Fig. 3a bis 3g sind Querschnitte zum Erläutern von Schritten zum Herstellen einer Phasenschiebemaske gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 4a bis 4e zeigen graphisch die Lichtverteilung beim ersten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3.

Fig. 5a bis 5h sind Querschnitte zum Erläutern von Schritten zum Herstellen einer Phasenschiebemaske gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 6a bis 6d zeigen graphisch die Lichtverteilung beim zweiten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 5.

Fig. 7a bis 7i sind Querschnitte zum Erläutern von Schritten zum Herstellen einer Phasenschiebemaske gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 8a bis 8d zeigen graphisch die Lichtverteilung beim dritten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 7.

Fig. 9a bis 9f sind Querschnitte zum Erläutern von Schritten zum Herstellen einer Phasenschiebemaske gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 10a bis 10d zeigen graphisch die Lichtverteilung beim vierten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 9.

Fig. 11a bis 11h sind Querschnitte zum Erläutern von Schrit­ ten zum Herstellen einer Phasenschiebemaske gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Fig. 12a bis 14d sind Querschnitte zum Erläutern von Schrit­ ten zum Herstellen einer herkömmlichen Phasenschiebemaske.

Gemäß Fig. 3a wird ein transparentes Substrat 21 mit einer Schicht aus Photoresistmaterial 22 übertragen, und dann wird durch einen Photolithographieprozeß ein Photoresistmuster mit der Breite W (Fig. 3b) ausgebildet.

Mit dem gemusterten Photoresistmuster 22 als Maske wird das freigelegte Substrat 21 ausgeätzt, um Gräben 23 herzustel­ len, wie in Fig. 3b dargestellt.

Nach dem Beseitigen der Photoresistschicht 22 wird eine Chromschicht 24 auf solche Weise auf dem Substrat 21 abge­ schieden, daß die Gräben 23 vollständig mit Chrom aufge­ füllt werden, wie in Fig. 3c dargestellt.

Nun wird die Chromschicht 24 rückgeätzt, woraufhin eine un­ durchsichtige Schicht 25 in den Gräben 23 verbleibt (Fig. 3d).

Anschließend wird zum vollständigen Auffüllen der Gräben 23 eine Oxidschicht 26 mit einer darauf liegenden Photoresist­ schicht 27 hergestellt. Die Photoresistschicht 27 wird durch eine Photolithographietechnik so belichtet und dann entwickelt, daß die Oxidschicht 26 bereichsweise freiliegt.

Das ausgebildete Photoresistmuster verfügt über eine Breite, die um 2W1 mit einem Faktor größer ist als die Musterbreite der für die Grabenherstellung verwendeten Photoresistschicht 22.

Mit der gemusterten Photoresistschicht 27 als Maske wird die freigelegte Oxidschicht 26 abgeätzt, um über dem Substrat 23 eine Phasenschiebemaske 28 auszubilden, die zwischen den Gräben nicht abgeätzt ist, und dann wird die Photoresist­ schicht entfernt, wie in Fig. 3g dargestellt.

Daher wird eine kantenverstärkende Phasenschiebemaske er­ zielt, bei der die undurchsichtige Schicht 25 in den Gräben 23 liegt.

Die Erfindung erleichtert die Einstellung der Linienbreite und der Dicke der Phasenschiebeschicht 28 um die undurch­ sichtige Schicht 25 als Lichtabschirmschicht durch Ausbilden dieser undurchsichtigen Schicht in den Gräben 23, die durch Einätzen in die Oberfläche des transparenten Substrats 21 gebildet werden, um Stufen auf dem transparenten Substrat 21 zu verringern.

Die Dicke T der Phasenschiebeschicht ist zum Erzielen einer gewünschten Phasenverschiebung des durch sie laufenden Lichts geeignet zu bestimmen, wobei sich die optimale Dicke durch die folgende Gleichung ergibt:

π = k(n-n0) _* T
= (2π/λ) _* (n-1)T
daraus folgt T = λ/[2(n-1)],

wobei λ, n0 und n die Wellenlänge der Belichtungslichtquel­ le, den Brechungsindex an Luft (= 1) und den Brechungsindex des Materials bezeichnen, der dem Phasenschiebematerial bei der Belichtungswellenlänge zugeordnet ist.

Die Breite der Phasenschiebeschicht entspricht derjenigen des Substratbereichs, der zwischen den Phasenschiebegräben als nicht geätzt zurückbleibt, oder sie ist kleiner.

Zur Phasenverschiebung kommt es an den beiden Kantenab­ schnitten der ausgerichteten Phasenschiebeschicht auf dem transparenten Substrat 21.

Die als Lichtabschirmschicht wirkende undurchsichtige Schicht besteht aus Chrom oder ersatzweise aus Aluminium, und die Phasenschiebeschicht 28 besteht aus PMMA, SOG oder Quarz statt aus einem Oxid. Für den Fall der Phasenschiebe­ maske von Fig. 4a ist in Fig. 4b die Phase des durch die Maske hindurchgestrahlten Lichts dargestellt. Wie daraus er­ kennbar, zeigt sich die positive Amplitude der Phase, wenn das Licht durch den Kantenbereich der erfindungsgemäßen Pha­ senschiebemaske tritt. Die Lichtamplitude und die Intensität auf dem Wafer sind in Fig. 4c bzw. 4d aufgetragen.

Daher kann, da es in vorteilhafter Weise zu einer Phasenver­ schiebung im Kantenbereich kommt, ein Photoresistmuster mit verbesserter Auflösung auf dem Wafer 31 ausgebildet werden, wie in Fig. 4e dargestellt.

Es wird nun auf die Fig. 5a bis 5h Bezug genommen, die ein anderes Ausführungsbeispiel zum Herstellen einer erfindungs­ gemäßen Phasenschiebemaske veranschaulichen.

Diese Maske kann auf dieselbe Weise wie die Maske des vor­ stehend beschriebenen ersten Ausführungsbeispiels herge­ stellt werden, mit der Ausnahme, daß nach dem Ausbilden der Phasenschiebeschicht 28 gemäß Fig. 5g ein weiterer Schritt ausgeführt wird, gemäß dem das Quarzsubstrat 21 unter der Phasenschiebeschicht über die Breite W1 zu beiden Seiten der undurchsichtigen Schicht 25 abgeätzt wird.

Gemäß Fig. 5h dienen die Phasenschiebeschicht 28 und die un­ durchsichtige Schicht 25 in Fig. 5g als Maske beim Trocken­ ätzen, um zu beiden Seiten des Grabens 23 eine Furche auszu­ bilden.

Das Quarzsubstrat 21 wird mit einer optimierten Dicke T′ eingeätzt, um die Lichtempfindlichkeit zu maximieren.

Die Dicke T zum Verschieben der Phase des einfallenden Lichts ist durch T′-d gegeben, wobei T′ die Ätztiefe des Quarzsubstrats 21 bezeichnet und d die Dicke der Phasen­ schiebeschicht 25 bezeichnet.

Die Fig. 6a bis 6d veranschaulichen die Lichtstärkevertei­ lung für den Fall der Verwendung der Maske gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel. Es kann derselbe Effekt bei der Maske des ersten Ausführungsbeispiels erhalten werden, wie er un­ ter Bezugnahme auf Fig. 4 beschrieben wurde.

Für ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung sind die Herstellschritte für die Maske durch die Fig. 7a bis 7i ver­ anschaulicht. Die Fig. 8a bis 8d dienen zur Veranschauli­ chung der Lichtstärkeverteilung bei der so hergestellten Maske.

Das dritte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich vom zwei­ ten dahingehend, daß ein Herstellschritt in bezug auf das Entfernen der Phasenschiebeschicht 29 vorhanden ist.

Mit der Phasenschiebeschicht 28 als Maske wird, wie dies in Fig. 7h dargestellt ist, das freigelegte Siliziumsubstrat 21 trockengeätzt, um eine Furche 29 zu bilden, und dann wird die Phasenschiebemaske unter Beseitigen der Phasenschiebe­ schicht 28 ausgebildet, wie in Fig. 7i dargestellt.

Die Fig. 9a bis 9f veranschaulichen Schritte zum Herstellen einer Maske gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel. Auf das transparente Quarzsubstrat 21 wird ein Photoresistfilm 22 zum Ausbilden eines Photoresistmusters der Breite W durch einen wohlbekannten Photolithographieprozeß aufgetragen (Fig. 9a).

Der gemusterte Photoresistfilm 22 wirkt als Maske zum Her­ stellen eines Grabens 23 durch Einätzen des Substrats 21 (Fig. 9b). Nach dem Beseitigen des Photoresistmusters 22 wird eine Chromschicht 24 auf dem Substrat 21 abgeschieden, um den Graben 23 ganz aufzufüllen (Fig. 9c).

Ein Herstellschritt mit mechanischem und chemischem Ätzen bringt die undurchsichtige Schicht 25 auf dieselbe Höhe wie das Quarzsubstrat, wodurch ein glattes Niveau über die ge­ samte Fläche zum Erzielen von Ebenheit erhalten wird (Fig. 9d).

Auf der gesamten Oberfläche wird eine Oxidschicht 26 ausge­ bildet, die mit einem Photoresistfilm überzogen wird. Der aufgetragene Photoresistfilm 27 wird durch Photolithographie gemustert (Fig. 9e).

Dann wird die Phasenschiebeschicht geätzt, und die Photo­ resistschicht 27 wird entfernt, wodurch eine Kantenverstär­ kung-Phasenschiebemaske erhalten wird, bei der die Gräben vollständig mit der undurchsichtigen Schicht gefüllt sind.

Während beim ersten bis dritten Ausführungsbeispiel die un­ durchsichtige Schicht 25 nur einen Teil des Grabens 25 auf­ füllt, führt beim vierten Ausführungsbeispiel die die Gräben vollständig auffüllende undurchsichtige Schicht zu einer ebenen Oberfläche über das gesamte Substrat.

Die Fig. 10a bis 10d sind Diagramme, die die Lichtstärkever­ teilung beim vierten Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 9 ver­ anschaulichen, und in den Kantenbereichen ergibt sich auf dem Wafer dieselbe Lichtstärke, obwohl eine Phasenverschie­ bung von 180° im Vergleich zum Signalverlauf von Fig. 4 für das erste Ausführungsbeispiel vorhanden ist, bei dem die Gräben nur teilweise mit der undurchsichtigen Schicht 25 aufgefüllt sind.

Die Fig. 11a bis 11g veranschaulichen die Herstellprozesse für eine Phasenschiebemaske gemäß einem fünften Ausführungs­ beispiel der Erfindung, und die Fig. 1a bis 1d zeigen gra­ phisch die Lichtstärkeverteilung für dieses fünfte Ausfüh­ rungsbeispiel.

Das fünfte Ausführungsbeispiel ist dadurch gekennzeichnet, daß, wie es durch die Fig. 11g und 11h veranschaulicht wird, das freigelegte Substrat 21 abgeätzt wird, um einen ausge­ sparten Abschnitt zu bilden und dann die als Ätzmaske ver­ wendete Phasenschiebeschicht 28 entfernt wird.

Claims (28)

1. Phasenschiebemaske, gekennzeichnet durch:

• - ein transparentes Substrat (21) mit einem Graben oder mehreren voneinander beabstandeten Gräben (23);
• - eine undurchsichtige Schicht (25), die einen Teil jedes Grabens auffüllt; und
• - eine Phasenschiebeschicht (28), die auf dem Substrat zwi­ schen den Gräben ausgebildet ist.

2. Phasenschiebemaske nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das transparente Substrat (21) aus Quarz be­ steht.

3. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtige Schicht (25) als Lichtabschirmschicht dient.

4. Phasenschiebemaske nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die undurchsichtige Schicht (25) aus Chrom oder Aluminium besteht.

5. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenschiebeschicht (28) aus einer Oxidschicht, PMMA, SOG oder Quarz besteht.

6. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Phasenschiebe­ schicht (28) der Breite zwischen benachbarten Gräben (23) entspricht oder kleiner ist.

7. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente Substrat (21) ferner eine Furche (29) auf jeder Seite eines Grabens (23) aufweist.

8. Phasenschiebemaske nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Furche (29) eine Breite (W1) aufweist, die um den halben Abstand mit einem Faktor kleiner ist als der Abstand zwischen den Gräben (23).

9. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der undurchsichtigen Schicht (25) geringer ist als die Tiefe des Grabens (23).

10. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke T der Phasenschiebe­ schicht (28) λ/[2(n-1)] ist, wobei λ die Wellenlänge der Belichtungslichtquelle bezeichnet und n den Brechungsindex bezeichnet.

11. Verfahren zum Herstellen einer Phasenschiebemaske, ge­ kennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Herstellen eines ersten Photoresistmusters durch Abätzen eines aufgetragenen Photoresistfilms auf einem transparenten Substrat;
• - Ausbilden mindestens eines Grabens durch Einätzen des transparenten Substrats, das durch die gemusterte Photo­ resistschicht maskiert wird;
• - Ausbilden einer undurchsichtigen Schicht, die einen Teil des Grabens auffüllt, und zwar dadurch, daß eine Metall­ schicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschie­ den wird und diese dann rückgeätzt wird;
• - Abscheiden einer Phasenschiebeschicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats;
• - Ausbilden eines zweiten Photoresistmusters auf der Phasen­ schiebeschicht auf dem nicht geätzten Substratbereich; und
• - Ausbilden einer Phasenschiebeschicht auf der Oberfläche des nicht geätzten transparenten Substrats und Belichten des Substratbereichs zwischen der Phasenschiebeschicht und der undurchsichtigen Schicht.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die undurchsichtige Schicht als Lichtabschirmschicht dient.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht eine Schicht aus Chrom oder Aluminium ist.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß das transparente Substrat aus Quarz be­ steht.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenschiebeschicht aus einer Oxid­ schicht, PMMA, SOG oder Quarz besteht.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Breite der Phasenschiebeschicht der­ jenigen des nicht geätzten Substratbereichs entspricht oder kleiner ist.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß ferner eine Furche zu beiden Seiten je­ des Grabens dadurch ausgebildet wird, daß das freigelegte Substrat nach der Ausbildung der Phasenschiebeschicht geätzt wird.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Furche durch Trockenätzen des freigelegten Substrats, das durch die undurchsichtige Schicht und die Phasenschiebe­ schicht maskiert wird, hergestellt wird.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß das freigelegte Substrat bis zu einer solchen Tiefe geätzt wird, daß es zu einer Phasenverschie­ bung von 180° in bezug auf die Phasenverschiebung der Pha­ senschiebeschicht kommt.

20. Phasenschiebemaske, gekennzeichnet durch:

• - ein transparentes Substrat (21) mit einem Graben (23) oder mehreren, die voneinander beabstandet sind, und mit einer Furche (29) auf jeder Seite jedes Grabens; und
• - eine undurchsichtige Schicht (25), die in einen Teil je­ des Grabens eingefüllt ist, um eine Aussparung zu bilden.

21. Verfahren zum Herstellen einer Phasenschiebemaske, ge­ kennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Herstellen eines ersten Photoresistmusters durch Abätzen eines aufgetragenen Photoresistfilms auf einem transparenten Substrat;
• - Ausbilden mindestens eines Grabens durch Einätzen des transparenten Substrats, das durch die gemusterte Photo­ resistschicht maskiert wird;
• - Ausbilden einer undurchsichtigen Schicht, die einen Teil des Grabens auffüllt, und zwar dadurch, daß eine Metall­ schicht auf der gesamten Oberfläche des Substrats abgeschie­ den wird und diese dann rückgeätzt wird;
• - Ausbilden einer Phasenschiebeschicht auf dem nicht geätz­ ten Bereich des transparenten Substrats und Freilegen des Substratbereichs zwischen der Phasenschiebeschicht und der undurchsichtigen Schicht;
• - Ausbilden einer Furche (29) auf jeder Seite jedes Grabens durch Ätzen des freigelegten Substrats; und
• - Entfernen der Phasenschiebeschicht und Freilegen der ge­ samten Fläche des Substrats.

22. Phasenschiebemaske, gekennzeichnet durch:

• - ein transparentes Substrat (21) mit einem Graben (23) oder mehreren voneinander beabstandeten Gräben;
• - eine undurchsichtige Schicht (25), mit der jeder Graben aufgefüllt ist, wodurch die Substratoberfläche eben ist; und
• - eine Phasenschiebeschicht (28), die auf der undurchsichti­ gen Schicht ausgebildet ist.

23. Phasenschiebemaske nach Anspruch 22, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Breite der Phasenschiebeschicht (28) grö­ ßer als diejenige der undurchsichtigen Schicht (25) ist.

24. Phasenschiebemaske nach einem der Ansprüche 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (21) über einen ausgesparten Bereich zwischen den Phasenschiebeschichten (28) verfügt.

25. Phasenschiebemaske nach Anspruch 24, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Breite des ausgesparten Bereichs dem Ab­ stand zwischen den Phasenschiebeschichten (28) entspricht.

26. Verfahren zum Herstellen einer Phasenschiebemaske, ge­ kennzeichnet durch folgende Schritte:

• - Herstellen eines ersten Photoresistmusters durch Abätzen eines aufgetragenen Photoresistfilms auf einem transparenten Substrat;
• - Ausbilden mindestens eines Grabens durch Einätzen des transparenten Substrats, das durch die gemusterte Photo­ resistschicht maskiert wird;
• - Rückätzen einer auf der gesamten Oberfläche des Substrats ausgebildeten Metallschicht und Herstellen einer undurch­ sichtigen Schicht (25) in jedem Graben auf solche Weise, daß das gesamte Substrat eine ebene Oberfläche aufweist; und
• - Ausbilden einer Phasenschiebeschicht (28) über der un­ durchsichtigen Schicht, und Freilegen des nicht geätzten Substrats zwischen den Phasenschiebeschichten.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Prozeßschritt des Ausbildens der undurchsichtigen Schicht (25) einen mechanischen und chemischen Poliervorgang aufweist.

28. Verfahren nach einem Verfahren der Ansprüche 26 oder 27, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Substrat (21) zwi­ schen den Phasenschiebeschichten (28) ein ausgesparter Ab­ schnitt dadurch hergestellt wird, daß die Phasenschiebe­ schicht gemustert wird und anschließend das freigelegte Sub­ strat geätzt wird.