JP2000206671A - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク表面に複雑なトポグラフィーが
形成され、製造工程での耐久性は低く欠陥を引起し低品
質でこれを使用して製造される半導体集積回路装置の歩
留まりが低下するといった課題があった。 【解決手段】 透明ガラス基板１０とその面上の凹部２
３内に形成された遮光パターン１１と、透明ガラス基板
１０と遮光パターン１１上に選択的に形成され、その表
面が平坦である位相シフトパターン１０２が形成された
フォトマスクおよびその製造方法。
形成され、製造工程での耐久性は低く欠陥を引起し低品
質でこれを使用して製造される半導体集積回路装置の歩
留まりが低下するといった課題があった。 【解決手段】 透明ガラス基板１０とその面上の凹部２
３内に形成された遮光パターン１１と、透明ガラス基板
１０と遮光パターン１１上に選択的に形成され、その表
面が平坦である位相シフトパターン１０２が形成された
フォトマスクおよびその製造方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
イ等の半導体集積回路装置の製造に使用されるフォトマ
スク、フォトマスクの製造方法、およびこのフォトマス
クを用いた半導体集積回路装置の製造方法に関するもの
である。
イ等の半導体集積回路装置の製造に使用されるフォトマ
スク、フォトマスクの製造方法、およびこのフォトマス
クを用いた半導体集積回路装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】フォトマスク上に描かれた半導体素子等
の回路パタンをウエハ上に投影させるために使用される
投影露光装置の機能としては、解像度が高く微細なパタ
ーンの転写が可能なものが要求される。一般に、投影露
光装置の機能において、投稿レンズの開口数ＮＡが大き
なものほど、また露光光の波長が短いものほどその解像
度は向上する。ここで、開口数ＮＡを増大すればするほ
ど、パターン転写時に焦点深度が小さくなるため、開口
数ＮＡを大きくする方法には限界がある。また、露光光
を短波長化する場合、転写プロセスを大幅に改造する必
要がある。
の回路パタンをウエハ上に投影させるために使用される
投影露光装置の機能としては、解像度が高く微細なパタ
ーンの転写が可能なものが要求される。一般に、投影露
光装置の機能において、投稿レンズの開口数ＮＡが大き
なものほど、また露光光の波長が短いものほどその解像
度は向上する。ここで、開口数ＮＡを増大すればするほ
ど、パターン転写時に焦点深度が小さくなるため、開口
数ＮＡを大きくする方法には限界がある。また、露光光
を短波長化する場合、転写プロセスを大幅に改造する必
要がある。
【０００３】そこで、位相反転させる位相シフターを、
フォトマスク上の光透過領域の一部に形成し、光の振幅
に加えて位相をも制御することにより結像特性を改善し
向上させる方法が過去に提案されている。例えば、特開
昭５７−６２０５２号、特開昭５８−１７３７４４号、
特開昭６２−６７５１４号、特開昭６２−６７５４７
号、特開昭６３−３０４２５７号、特開平３−２６３０
４５号公報等に位相シフト方法に関しての記載がある。
フォトマスク上の光透過領域の一部に形成し、光の振幅
に加えて位相をも制御することにより結像特性を改善し
向上させる方法が過去に提案されている。例えば、特開
昭５７−６２０５２号、特開昭５８−１７３７４４号、
特開昭６２−６７５１４号、特開昭６２−６７５４７
号、特開昭６３−３０４２５７号、特開平３−２６３０
４５号公報等に位相シフト方法に関しての記載がある。
【０００４】図２２は、従来のフォトマスクの製造法を
示す説明図であり、図において、２２０は透明ガラス基
板、２２２は遮光膜、２２４はレジスト膜であり、最終
的に図２２の（ｆ）に示すように、透明ガラス基板２２
０上に所定の間隔で遮光パターン１１１が形成される。
示す説明図であり、図において、２２０は透明ガラス基
板、２２２は遮光膜、２２４はレジスト膜であり、最終
的に図２２の（ｆ）に示すように、透明ガラス基板２２
０上に所定の間隔で遮光パターン１１１が形成される。
【０００５】また図２３は、従来の低反射フォトマスク
の製造方法を示す説明図であり、図において、２３１お
よび２３２は遮光膜２２２を挟んで形成された反射防止
膜であり、最終的に図２３の（ｆ）に示すように、その
上面および下面に反射防止膜２３１，２３２の層を透明
ガラス基板２２０上に形成した遮光パターン１１１が、
所定の間隔で形成される。
の製造方法を示す説明図であり、図において、２３１お
よび２３２は遮光膜２２２を挟んで形成された反射防止
膜であり、最終的に図２３の（ｆ）に示すように、その
上面および下面に反射防止膜２３１，２３２の層を透明
ガラス基板２２０上に形成した遮光パターン１１１が、
所定の間隔で形成される。
【０００６】さらに、図２４は、従来の位相シフトフォ
トマスクの製造方法を示す説明図であり、図において、
２２６は位相シフト部、２２５は凹部である。この従来
の位相シフトフォトマスクの製造方法では、最終的に図
２４の（ｄ）に示すように、透明ガラス基板２２０に形
成された凹部の両側に遮光パターン１１１を形成し、こ
の遮光パターン１１１の隣に位相シフト部２２６が設け
られ位相シフトフォトマスクが形成されている。
トマスクの製造方法を示す説明図であり、図において、
２２６は位相シフト部、２２５は凹部である。この従来
の位相シフトフォトマスクの製造方法では、最終的に図
２４の（ｄ）に示すように、透明ガラス基板２２０に形
成された凹部の両側に遮光パターン１１１を形成し、こ
の遮光パターン１１１の隣に位相シフト部２２６が設け
られ位相シフトフォトマスクが形成されている。
【０００７】このように、従来のフォトマスクの製造方
法では、フォトマスク上に所定の間隔で遮光パターンを
形成する方法（図２２の（ｆ）および図２３の（ｆ）を
参照）、あるいはフォトマスク上に所定の間隔で位相シ
フトパターンを形成し配置する方法（図２４の（ｄ）を
参照）であったので、得られたフォトマスクの表面に
は、複雑なトポグラフィーが形成されていた。
法では、フォトマスク上に所定の間隔で遮光パターンを
形成する方法（図２２の（ｆ）および図２３の（ｆ）を
参照）、あるいはフォトマスク上に所定の間隔で位相シ
フトパターンを形成し配置する方法（図２４の（ｄ）を
参照）であったので、得られたフォトマスクの表面に
は、複雑なトポグラフィーが形成されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のフォトマスクは
以上のように構成されているので、得られたフォトマス
クの表面には複雑なトポグラフィーが形成され、このた
め、洗浄工程において、例えば、洗浄工程で使用される
ブラシ等による異物除去処理において遮光膜が剥がされ
る場合があり、このため製造工程での耐久性が低く、さ
らに得られたフォトマスクの品質は低下し、ひいてはこ
のフォトマスクを用いて製造される半導体集積回路装置
の歩留まりが低下し、かつその品質も低下するといった
課題があった。
以上のように構成されているので、得られたフォトマス
クの表面には複雑なトポグラフィーが形成され、このた
め、洗浄工程において、例えば、洗浄工程で使用される
ブラシ等による異物除去処理において遮光膜が剥がされ
る場合があり、このため製造工程での耐久性が低く、さ
らに得られたフォトマスクの品質は低下し、ひいてはこ
のフォトマスクを用いて製造される半導体集積回路装置
の歩留まりが低下し、かつその品質も低下するといった
課題があった。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、フォトマスクを製造する製造工程
における機械的耐久性が高く、高い結像性能を備え、高
品質で高転写精度の、また製造工程における歩留まりを
向上可能な構成を備えたフォトマスク、フォトマスクの
製造方法、およびこのフォトマスクを使用した液晶ディ
スプレイ等の半導体集積回路装置の製造方法を得ること
を目的とする。
めになされたもので、フォトマスクを製造する製造工程
における機械的耐久性が高く、高い結像性能を備え、高
品質で高転写精度の、また製造工程における歩留まりを
向上可能な構成を備えたフォトマスク、フォトマスクの
製造方法、およびこのフォトマスクを使用した液晶ディ
スプレイ等の半導体集積回路装置の製造方法を得ること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スクは、透明基板と、前記透明基板の面上に形成された
所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成された遮
光膜からなる遮光パターンと、前記遮光パターンの各々
の表面、または裏面、または表面および裏面に反射防止
膜が形成されていることを特徴とするものである。
スクは、透明基板と、前記透明基板の面上に形成された
所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成された遮
光膜からなる遮光パターンと、前記遮光パターンの各々
の表面、または裏面、または表面および裏面に反射防止
膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】この発明に係るフォトマスクは、透明基板
と、前記透明基板の面上に形成された遮光パターンと、
前記透明基板と前記遮光パターン上に選択的に形成さ
れ、その表面が平坦である位相シフトパターンとを備え
たことを特徴とするものである。
と、前記透明基板の面上に形成された遮光パターンと、
前記透明基板と前記遮光パターン上に選択的に形成さ
れ、その表面が平坦である位相シフトパターンとを備え
たことを特徴とするものである。
【００１２】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンの端部において、透明基板に接する部分にお
ける前記位相シフトパターンの膜厚が徐々に薄くなって
いることを特徴とするものである。
トパターンの端部において、透明基板に接する部分にお
ける前記位相シフトパターンの膜厚が徐々に薄くなって
いることを特徴とするものである。
【００１３】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンの端部において、透明基板に接する部分にお
ける前記位相シフトパターンの段差が徐々に小さくなっ
ていることを特徴とするものである。
トパターンの端部において、透明基板に接する部分にお
ける前記位相シフトパターンの段差が徐々に小さくなっ
ていることを特徴とするものである。
【００１４】この発明に係るフォトマスクは、透明基板
と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、
前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光
パターンと、前記凹部内に形成された遮光パターンを有
する前記透明基板上に、選択的に形成された位相シフト
パターンとを備えたことを特徴とするものである。
と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、
前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光
パターンと、前記凹部内に形成された遮光パターンを有
する前記透明基板上に、選択的に形成された位相シフト
パターンとを備えたことを特徴とするものである。
【００１５】この発明に係るフォトマスクは、透明基板
に接する部分の位相シフトパターンの端部の膜厚が徐々
に薄くなった構成を備えたことを特徴とするものであ
る。
に接する部分の位相シフトパターンの端部の膜厚が徐々
に薄くなった構成を備えたことを特徴とするものであ
る。
【００１６】この発明に係るフォトマスクは、透明基板
と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、
前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光
パターンと、前記凹部内に形成された遮光パターンを有
する前記透明基板に形成された位相シフトパターンを備
えたことを特徴とするものである。
と、前記透明基板の面上に形成された所定数の凹部と、
前記凹部内のそれぞれに形成された遮光膜からなる遮光
パターンと、前記凹部内に形成された遮光パターンを有
する前記透明基板に形成された位相シフトパターンを備
えたことを特徴とするものである。
【００１７】この発明に係るフォトマスクは、透明基板
と接する位相シフトパターンの端部の膜厚が徐々に薄く
なった構造を持つことを特徴とするものである。
と接する位相シフトパターンの端部の膜厚が徐々に薄く
なった構造を持つことを特徴とするものである。
【００１８】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、レベンソン型位相シフトパターンを含む
ことを特徴とするものである。
トパターンが、レベンソン型位相シフトパターンを含む
ことを特徴とするものである。
【００１９】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、補助シフター型位相シフトパターンを含
むことを特徴とするものである。
トパターンが、補助シフター型位相シフトパターンを含
むことを特徴とするものである。
【００２０】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、エッジ強調型位相シフトパターンを含む
ことを特徴とするものである。
トパターンが、エッジ強調型位相シフトパターンを含む
ことを特徴とするものである。
【００２１】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、ハーフトーン型位相シフトパターンを含
むことを特徴とするものである。
トパターンが、ハーフトーン型位相シフトパターンを含
むことを特徴とするものである。
【００２２】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、遮光パターン付きハーフトーン型位相シ
フトパターンを含むことを特徴とするものである。
トパターンが、遮光パターン付きハーフトーン型位相シ
フトパターンを含むことを特徴とするものである。
【００２３】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、遮光パターン付きシフター遮光型位相シ
フトパターンを含むことを特徴とするものである。
トパターンが、遮光パターン付きシフター遮光型位相シ
フトパターンを含むことを特徴とするものである。
【００２４】この発明に係るフォトマスクは、位相シフ
トパターンが、中間位相型位相シフトパターンを含むこ
とを特徴とするものである。
トパターンが、中間位相型位相シフトパターンを含むこ
とを特徴とするものである。
【００２５】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部に第１の反射防止膜を形成する工程と、
前記第１の反射防止膜を形成した凹部内に遮光膜を形成
する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨して遮光パ
ターンを形成する工程と、前記遮光パターン上に第２の
反射防止膜を形成する工程をさらに含み、あるいは前記
第１の反射防止膜および前記第２の反射防止膜を形成す
る工程のいずれかの工程のみを含むことを特徴とするも
のである。
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部に第１の反射防止膜を形成する工程と、
前記第１の反射防止膜を形成した凹部内に遮光膜を形成
する工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨して遮光パ
ターンを形成する工程と、前記遮光パターン上に第２の
反射防止膜を形成する工程をさらに含み、あるいは前記
第１の反射防止膜および前記第２の反射防止膜を形成す
る工程のいずれかの工程のみを含むことを特徴とするも
のである。
【００２６】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
透明基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記透明
基板および前記遮光パターン上に位相シフト膜を塗布す
る工程と、放射線により前記位相シフト膜を選択的にエ
ッチングして、位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンの表面を化学的機械的研磨し
て、所定の膜厚を有する位相シフトパターンを形成する
工程とを含むことを特徴とするものである。
透明基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記透明
基板および前記遮光パターン上に位相シフト膜を塗布す
る工程と、放射線により前記位相シフト膜を選択的にエ
ッチングして、位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンの表面を化学的機械的研磨し
て、所定の膜厚を有する位相シフトパターンを形成する
工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２７】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
位相シフトパターンを形成する工程の後に、放射線によ
り前記位相シフトパターンを選択エッチングする工程
と、エッチングされた前記位相シフトパターンの表面を
化学的機械的研磨して、所定の膜厚を有する平坦な位相
シフトパターンを形成する工程とをさらに含むことを特
徴とするものである。
位相シフトパターンを形成する工程の後に、放射線によ
り前記位相シフトパターンを選択エッチングする工程
と、エッチングされた前記位相シフトパターンの表面を
化学的機械的研磨して、所定の膜厚を有する平坦な位相
シフトパターンを形成する工程とをさらに含むことを特
徴とするものである。
【００２８】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
透明基板上に遮光パターンを形成する工程の後に、前記
遮光パターン上にレジスト膜を形成する工程と、放射線
により前記レジスト膜を選択エッチングし、レジストパ
ターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマス
クにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前
記レジストパターンを剥離する工程と、化学的機械的研
磨する工程とを含むことを特徴とするものである。
透明基板上に遮光パターンを形成する工程の後に、前記
遮光パターン上にレジスト膜を形成する工程と、放射線
により前記レジスト膜を選択エッチングし、レジストパ
ターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマス
クにして前記透明基板を選択エッチングする工程と、前
記レジストパターンを剥離する工程と、化学的機械的研
磨する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２９】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部内に遮光膜を形成する工程と、前記遮光
膜を化学的機械的研磨して遮光パターンを形成する工程
と、位相シフト膜を前記透明基板上に形成する工程と、
放射線により前記位相シフト膜を選択的にエッチングし
て、位相シフトパターンを形成する工程を含むことを特
徴とするものである。
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部内に遮光膜を形成する工程と、前記遮光
膜を化学的機械的研磨して遮光パターンを形成する工程
と、位相シフト膜を前記透明基板上に形成する工程と、
放射線により前記位相シフト膜を選択的にエッチングし
て、位相シフトパターンを形成する工程を含むことを特
徴とするものである。
【００３０】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
放射線により位相シフト膜を選択的にエッチングして、
位相シフトパターンを形成する工程の後に、透明基板上
に形成された前記位相シフトパターンの化学的機械的研
磨を行うことをさらに含むことを特徴とするものであ
る。
放射線により位相シフト膜を選択的にエッチングして、
位相シフトパターンを形成する工程の後に、透明基板上
に形成された前記位相シフトパターンの化学的機械的研
磨を行うことをさらに含むことを特徴とするものであ
る。
【００３１】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部内に遮光膜を形成する工程と、前記遮光
膜を化学的機械的研磨して遮光パターンを形成する工程
と、前記遮光パターンが形成された前記透明基板上にレ
ジスト膜を形成する工程と、放射線により前記レジスト
膜を選択的にエッチングする工程と、前記透明基板を選
択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とするも
のである。
透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線によ
り前記レジスト膜を選択的に露光した後に現像して所定
のパターンを形成する工程と、前記レジスト膜をマスク
にして前記透明基板を選択エッチングして前記透明基板
に凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を剥離する工
程と、前記凹部内に遮光膜を形成する工程と、前記遮光
膜を化学的機械的研磨して遮光パターンを形成する工程
と、前記遮光パターンが形成された前記透明基板上にレ
ジスト膜を形成する工程と、放射線により前記レジスト
膜を選択的にエッチングする工程と、前記透明基板を選
択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とするも
のである。
【００３２】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
放射線により透明基板を選択的にエッチングする工程の
後に、化学的機械的研磨を実施する工程をさらに含むこ
とを特徴とするものである。
放射線により透明基板を選択的にエッチングする工程の
後に、化学的機械的研磨を実施する工程をさらに含むこ
とを特徴とするものである。
【００３３】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
放射線として電子線を使用することを特徴とするもので
ある。
放射線として電子線を使用することを特徴とするもので
ある。
【００３４】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
放射線としてレーザ光を使用することを特徴とするもの
である。
放射線としてレーザ光を使用することを特徴とするもの
である。
【００３５】この発明に係るフォトマスク製造方法は、
放射線として単色光を使用することを特徴とするもので
ある。
放射線として単色光を使用することを特徴とするもので
ある。
【００３６】この発明に係る半導体集積回路装置や液晶
ディスプレイの製造方法は、この発明のフォトマスクあ
るいはこの発明のフォトマスクの製造方法を用いて、半
導体集積回路装置や液晶ディスプレイを製造することを
特徴とするものである。
ディスプレイの製造方法は、この発明のフォトマスクあ
るいはこの発明のフォトマスクの製造方法を用いて、半
導体集積回路装置や液晶ディスプレイを製造することを
特徴とするものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
フォトマスクを示す構成図であり、図において、１０は
透明ガラス基板（透明基板）、１１は、透明ガラス基板
１０上の凹部に形成された遮光パターンである。図１に
示すように、実施の形態１のフォトマスクの構成は、透
明ガラス基板１０上の所定の間隔で形成された凹部内に
クロムＣｒやＭｏＳｉなどの遮光膜を形成し、その後、
化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を実施してフォ
トマスクの表面上に、遮光パターン１１と透明ガラス基
板１０とが同一平面となるように平坦化されてる。
説明する。 実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１による
フォトマスクを示す構成図であり、図において、１０は
透明ガラス基板（透明基板）、１１は、透明ガラス基板
１０上の凹部に形成された遮光パターンである。図１に
示すように、実施の形態１のフォトマスクの構成は、透
明ガラス基板１０上の所定の間隔で形成された凹部内に
クロムＣｒやＭｏＳｉなどの遮光膜を形成し、その後、
化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃ
ｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を実施してフォ
トマスクの表面上に、遮光パターン１１と透明ガラス基
板１０とが同一平面となるように平坦化されてる。
【００３８】図２２の（ｆ）に図示した様に、従来の製
造方法で得られたフォトマスクは、透明ガラス基板上に
遮光パターンが形成されており、フォトマスクの表面に
複雑なトポグラフィが形成されるので、洗浄工程におけ
る機械的化学的研磨に対する耐久性は小さい。これに対
して、実施の形態１のフォトマスクでは、透明ガラス基
板１０上の凹部内に遮光パターン１１を形成し、遮光パ
ターン１１と透明ガラス基板１０とが平坦な同一平面と
なる構成を有するので、フォトマスクの表面に複雑なト
ポグラフィが形成されるようなことは無く、洗浄工程に
おける機械的化学的研磨に対する耐久性は大きくなる。
造方法で得られたフォトマスクは、透明ガラス基板上に
遮光パターンが形成されており、フォトマスクの表面に
複雑なトポグラフィが形成されるので、洗浄工程におけ
る機械的化学的研磨に対する耐久性は小さい。これに対
して、実施の形態１のフォトマスクでは、透明ガラス基
板１０上の凹部内に遮光パターン１１を形成し、遮光パ
ターン１１と透明ガラス基板１０とが平坦な同一平面と
なる構成を有するので、フォトマスクの表面に複雑なト
ポグラフィが形成されるようなことは無く、洗浄工程に
おける機械的化学的研磨に対する耐久性は大きくなる。
【００３９】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、透明ガラス基板１０上の凹部に遮光パターン１１を
形成し、遮光パターン１１と透明ガラス基板１０とが同
一平面となる構成を有するので、従来のフォトマスクの
ように、フォトマスクの表面に複雑なトポグラフィが形
成されるようなことは無く、洗浄工程における機械的化
学的研磨に対する耐久性が大きい、このフォトマスクを
用いて製造される半導体集積回路装置の歩留まりが向上
する。
ば、透明ガラス基板１０上の凹部に遮光パターン１１を
形成し、遮光パターン１１と透明ガラス基板１０とが同
一平面となる構成を有するので、従来のフォトマスクの
ように、フォトマスクの表面に複雑なトポグラフィが形
成されるようなことは無く、洗浄工程における機械的化
学的研磨に対する耐久性が大きい、このフォトマスクを
用いて製造される半導体集積回路装置の歩留まりが向上
する。
【００４０】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、２１はレジスト膜、２３は透明ガラス
基板１０上に所定間隔で形成された複数の凹部、２４は
遮光膜である。その他の構成要素は、実施の形態１のフ
ォトマスクで説明したものと同一のものなので、同一符
号を付して、ここではその説明を省略する。
形態２によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、２１はレジスト膜、２３は透明ガラス
基板１０上に所定間隔で形成された複数の凹部、２４は
遮光膜である。その他の構成要素は、実施の形態１のフ
ォトマスクで説明したものと同一のものなので、同一符
号を付して、ここではその説明を省略する。
【００４１】次に動作について説明する。図１に示した
構成の実施の形態１のフォトマスクは、以下の製造工程
を用いて形成される。先ず、図２の（ｂ）に示されるよ
うに、透明ガラス基板１０上にレジスト膜２１を形成す
る。電子線、レーザ線、単色光等の放射線を用いて選択
的なエッチングを実施する場合において、レジスト膜２
１としては、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａ
ｍ）で露光する場合は日本ゼオン社製のＺＥＰ５２０、
レーザ光で露光する場合は三菱化学社製のＭＣＰＲｉ５
００などが最適である。また、単色光でも露光可能であ
る。これは、以下で詳細に説明する実施の形態３〜１７
の場合においても同様の事項である。
構成の実施の形態１のフォトマスクは、以下の製造工程
を用いて形成される。先ず、図２の（ｂ）に示されるよ
うに、透明ガラス基板１０上にレジスト膜２１を形成す
る。電子線、レーザ線、単色光等の放射線を用いて選択
的なエッチングを実施する場合において、レジスト膜２
１としては、電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａ
ｍ）で露光する場合は日本ゼオン社製のＺＥＰ５２０、
レーザ光で露光する場合は三菱化学社製のＭＣＰＲｉ５
００などが最適である。また、単色光でも露光可能であ
る。これは、以下で詳細に説明する実施の形態３〜１７
の場合においても同様の事項である。
【００４２】次に、図２の（ｃ）に示されるように、電
子線、レーザ光、あるいは単色光等の放射線により、レ
ジスト膜２１を選択的に露光し、その後、現像液（例え
ば、ＴＭＡＨ水溶液等）でアルカリ現像し、図２の
（ｃ）に示すように、レジストパターン２２を形成す
る。次に、図２の（ｄ）に示すように、レジストパター
ン２２をマスクにして透明ガラス基板１０を選択エッチ
ングした後に、レジストパターン２２を剥離すること
で、透明ガラス基板１０上に複数の凹部２３が形成され
る。
子線、レーザ光、あるいは単色光等の放射線により、レ
ジスト膜２１を選択的に露光し、その後、現像液（例え
ば、ＴＭＡＨ水溶液等）でアルカリ現像し、図２の
（ｃ）に示すように、レジストパターン２２を形成す
る。次に、図２の（ｄ）に示すように、レジストパター
ン２２をマスクにして透明ガラス基板１０を選択エッチ
ングした後に、レジストパターン２２を剥離すること
で、透明ガラス基板１０上に複数の凹部２３が形成され
る。
【００４３】その後、凹部２３を備えた透明ガラス基板
１０上に、ＣｒやＭｏＳｉ等の遮光膜２４を形成する。
その後、図２の（ｆ）に示すように、この遮光膜２４
を、透明ガラス基板１０および遮光パターン１１が同一
平面となるように化学的機械的研磨することで、フォト
マスクが形成される。
１０上に、ＣｒやＭｏＳｉ等の遮光膜２４を形成する。
その後、図２の（ｆ）に示すように、この遮光膜２４
を、透明ガラス基板１０および遮光パターン１１が同一
平面となるように化学的機械的研磨することで、フォト
マスクが形成される。
【００４４】次に、図２の（ｅ）で形成された遮光膜２
４を研磨する化学的機械的研磨方法を以下に説明する。
図３は、遮光膜２４を化学的機械的研磨する方法に使用
する装置を示す説明図であり、図において、３１は回転
テーブル、３２は回転テーブル３１上に配置された回転
式のマスクホルダーであり、図３では４個のマスクホル
ダーが配置されている。このマスクホルダー３２は、回
転テーブル３１の回転とは別個に自転する機能を有して
いる。そして、３３は回転テーブル３１上に配置された
研磨布であり、この研磨布３３上にアルミナやシリカな
どの微粒子を含むスラリーが設けられている。
４を研磨する化学的機械的研磨方法を以下に説明する。
図３は、遮光膜２４を化学的機械的研磨する方法に使用
する装置を示す説明図であり、図において、３１は回転
テーブル、３２は回転テーブル３１上に配置された回転
式のマスクホルダーであり、図３では４個のマスクホル
ダーが配置されている。このマスクホルダー３２は、回
転テーブル３１の回転とは別個に自転する機能を有して
いる。そして、３３は回転テーブル３１上に配置された
研磨布であり、この研磨布３３上にアルミナやシリカな
どの微粒子を含むスラリーが設けられている。
【００４５】図２の（ｅ）に示す透明ガラス基板１０
を、各回転テーブル３１上に配置する。その場合、透明
ガラス基板１０上の遮光膜２４が形成されている面、即
ちパターン面が研磨布３３と対面するように、透明ガラ
ス基板１０を回転テーブル３１上に配置する。
を、各回転テーブル３１上に配置する。その場合、透明
ガラス基板１０上の遮光膜２４が形成されている面、即
ちパターン面が研磨布３３と対面するように、透明ガラ
ス基板１０を回転テーブル３１上に配置する。
【００４６】その後、回転テーブル３１を図３の矢印で
示す方向に回転して研磨を行う。回転テーブル３１の回
転に際しては、マスクホルダー３２の回転テーブル３１
に対する押しつけ圧力、回転テーブル３１やマスクホル
ダー３２の回転数等を調節することで、所定の研磨工程
が実施され、透明ガラス基板１０上に形成された遮光膜
２４は、図２の（ｆ）に示されるように、遮光膜２４が
形成された透明ガラス基板１０の面が平坦となるまで研
磨されて、フォトマスクの表面は平滑化される。
示す方向に回転して研磨を行う。回転テーブル３１の回
転に際しては、マスクホルダー３２の回転テーブル３１
に対する押しつけ圧力、回転テーブル３１やマスクホル
ダー３２の回転数等を調節することで、所定の研磨工程
が実施され、透明ガラス基板１０上に形成された遮光膜
２４は、図２の（ｆ）に示されるように、遮光膜２４が
形成された透明ガラス基板１０の面が平坦となるまで研
磨されて、フォトマスクの表面は平滑化される。
【００４７】図４は、実施の形態２で示したフォトマス
クの製造工程で得られたフォトマスクを洗浄するための
洗浄工程を示す説明図であり、（ａ）は従来の製造方法
で形成されたフォトマスクに対する洗浄工程を示す説明
図であり、（ｂ）はこの発明の実施の形態２に係る製造
方法で形成されたフォトマスクに対する洗浄工程を示す
説明図である。図において、４１はブラシ、４２はフォ
トマスク上の異物であり、洗浄工程で除去されるべきも
のである。
クの製造工程で得られたフォトマスクを洗浄するための
洗浄工程を示す説明図であり、（ａ）は従来の製造方法
で形成されたフォトマスクに対する洗浄工程を示す説明
図であり、（ｂ）はこの発明の実施の形態２に係る製造
方法で形成されたフォトマスクに対する洗浄工程を示す
説明図である。図において、４１はブラシ、４２はフォ
トマスク上の異物であり、洗浄工程で除去されるべきも
のである。
【００４８】図４の（ａ）で示した様に、従来の製造方
法で形成されたフォトマスクは、透明ガラス基板（透明
基板）２２０の平面上に遮光パターン１１１が、複雑な
トポグラフィーとなって形成されており、洗浄工程にお
けるブラシ４１等の機械的なストレスにより透明ガラス
基板２２０上から剥離される場合が生じる可能性が高
い。これによりパターン欠陥を引き起こすので、フォト
マスクの品質は低下し、さらにフォトマスクを用いて製
造される液晶ディスプレイ、液晶パネル等の半導体集積
回路装置の品質が低下し、また半導体集積回路装置の歩
留まりが低下することにつながる。
法で形成されたフォトマスクは、透明ガラス基板（透明
基板）２２０の平面上に遮光パターン１１１が、複雑な
トポグラフィーとなって形成されており、洗浄工程にお
けるブラシ４１等の機械的なストレスにより透明ガラス
基板２２０上から剥離される場合が生じる可能性が高
い。これによりパターン欠陥を引き起こすので、フォト
マスクの品質は低下し、さらにフォトマスクを用いて製
造される液晶ディスプレイ、液晶パネル等の半導体集積
回路装置の品質が低下し、また半導体集積回路装置の歩
留まりが低下することにつながる。
【００４９】一方、図４の（ｂ）に示した様に、この発
明の実施の形態２に係る製造方法で形成されたフォトマ
スクは、その表面は平滑化され平面状態であるので、洗
浄工程におけるブラシ４１等の機械的なストレスの発生
はなく、高品質のフォトマスクが得られ、この発明のフ
ォトマスクを用いて製造される液晶ディスプレイや液晶
パネル等の半導体集積回路装置の品質は向上し、また半
導体集積回路装置の歩留まりも向上する。
明の実施の形態２に係る製造方法で形成されたフォトマ
スクは、その表面は平滑化され平面状態であるので、洗
浄工程におけるブラシ４１等の機械的なストレスの発生
はなく、高品質のフォトマスクが得られ、この発明のフ
ォトマスクを用いて製造される液晶ディスプレイや液晶
パネル等の半導体集積回路装置の品質は向上し、また半
導体集積回路装置の歩留まりも向上する。
【００５０】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、表面が平滑化されたフォトマスクを製造することが
できるので、高品質のフォトマスクが得られ、このフォ
トマスクを用いて製造される液晶ディスプレイや液晶パ
ネル等の半導体集積回路装置の品質を向上することがで
き、さらに半導体集積回路装置の製造工程における歩留
まりを向上することができる。
ば、表面が平滑化されたフォトマスクを製造することが
できるので、高品質のフォトマスクが得られ、このフォ
トマスクを用いて製造される液晶ディスプレイや液晶パ
ネル等の半導体集積回路装置の品質を向上することがで
き、さらに半導体集積回路装置の製造工程における歩留
まりを向上することができる。
【００５１】実施の形態３．図５は、この発明の実施の
形態３によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、５０は第１の反射防止膜であり、５１
は第２の反射防止膜である。その他の構成要素は、実施
の形態２で説明したものと同一のものなので、同一符号
を付して、ここではその説明を省略する。
形態３によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、５０は第１の反射防止膜であり、５１
は第２の反射防止膜である。その他の構成要素は、実施
の形態２で説明したものと同一のものなので、同一符号
を付して、ここではその説明を省略する。
【００５２】次に動作について説明する。図２の（ａ）
〜（ｄ）で示した実施の形態２の製造工程を用いて、透
明ガラス基板１０を加工し、透明ガラス基板１０上に凹
部２３を形成する（図５の（ａ）〜（ｄ））。次に、図
５の（ｅ）に示すように、凹部２３および透明ガラス基
板１０上に第１の反射防止膜５０を形成する。この場
合、凹部２３が埋まらない厚さとなるように第１の反射
防止膜５０を形成する。その後、第１の反射防止膜５０
上にＣｒやＭｏＳｉ等の遮光膜２４を形成する。
〜（ｄ）で示した実施の形態２の製造工程を用いて、透
明ガラス基板１０を加工し、透明ガラス基板１０上に凹
部２３を形成する（図５の（ａ）〜（ｄ））。次に、図
５の（ｅ）に示すように、凹部２３および透明ガラス基
板１０上に第１の反射防止膜５０を形成する。この場
合、凹部２３が埋まらない厚さとなるように第１の反射
防止膜５０を形成する。その後、第１の反射防止膜５０
上にＣｒやＭｏＳｉ等の遮光膜２４を形成する。
【００５３】次に、遮光膜２４を化学的機械的研磨し
て、透明ガラス基板１０と同一平面のの遮光パターン１
１を形成する。その後、図５の（ｆ）に示すように、遮
光パターン１１上に第２の反射防止膜５１を形成する。
この第２の反射防止膜５１の材質としては、ＭｇＦ2 や
ＣｒＯ等を用いる。図５の（ｆ）に示した構成のフォト
マスクでは、第１の反射防止膜５０および第２の反射防
止膜５１を形成したが、この発明はこの構成に限定され
るものではなく、反射防止膜は遮光パターン１１の上部
あるいは下部のいずれかのみに形成してもよい。
て、透明ガラス基板１０と同一平面のの遮光パターン１
１を形成する。その後、図５の（ｆ）に示すように、遮
光パターン１１上に第２の反射防止膜５１を形成する。
この第２の反射防止膜５１の材質としては、ＭｇＦ2 や
ＣｒＯ等を用いる。図５の（ｆ）に示した構成のフォト
マスクでは、第１の反射防止膜５０および第２の反射防
止膜５１を形成したが、この発明はこの構成に限定され
るものではなく、反射防止膜は遮光パターン１１の上部
あるいは下部のいずれかのみに形成してもよい。
【００５４】図２３の（ｆ）に示した従来の製造方法で
得られた低反射フォトマスクは、多層構造で形成されて
いるため、図４の（ａ）に示したような、洗浄工程にお
けるブラシ４１等の機械的なストレスが発生し、これに
より品質が低下することがあったが、図５の（ｆ）に示
される実施の形態３のフォトマスクは、透明ガラス基板
１０の内部に遮光パターン１１を形成しているので、機
械的ストレスに対する強度は大きく、遮光パターン１１
の欠陥の発生が減少する。
得られた低反射フォトマスクは、多層構造で形成されて
いるため、図４の（ａ）に示したような、洗浄工程にお
けるブラシ４１等の機械的なストレスが発生し、これに
より品質が低下することがあったが、図５の（ｆ）に示
される実施の形態３のフォトマスクは、透明ガラス基板
１０の内部に遮光パターン１１を形成しているので、機
械的ストレスに対する強度は大きく、遮光パターン１１
の欠陥の発生が減少する。
【００５５】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、透明ガラス基板１０の内部に遮光パターン１１を形
成し、また表面が平滑化されたフォトマスクを製造する
ことができるので、機械的ストレスに対する強度は大き
く、遮光パターン１１の欠陥の発生を減少することがで
き、高品質のフォトマスクが得られ、このフォトマスク
を用いて製造される液晶ディスプレイや液晶パネル等の
半導体集積回路装置の品質を向上することができ、さら
に半導体集積回路装置の歩留まりを向上することが可能
となる。
ば、透明ガラス基板１０の内部に遮光パターン１１を形
成し、また表面が平滑化されたフォトマスクを製造する
ことができるので、機械的ストレスに対する強度は大き
く、遮光パターン１１の欠陥の発生を減少することがで
き、高品質のフォトマスクが得られ、このフォトマスク
を用いて製造される液晶ディスプレイや液晶パネル等の
半導体集積回路装置の品質を向上することができ、さら
に半導体集積回路装置の歩留まりを向上することが可能
となる。
【００５６】実施の形態４．図６は、この発明の実施の
形態４によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、６０はシフター材を塗布して形成され
た位相シフト膜、６１は遮光パターン、６２は位相シフ
トパターンである。その他の構成要素は、実施の形態２
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付し
て、ここではその説明を省略する。
形態４によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、６０はシフター材を塗布して形成され
た位相シフト膜、６１は遮光パターン、６２は位相シフ
トパターンである。その他の構成要素は、実施の形態２
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付し
て、ここではその説明を省略する。
【００５７】次に動作について説明する。まず、図６の
（ａ）に示すように、透明ガラス基板１０の平面上に遮
光パターン６１を形成する。その後、図６の（ｂ）に示
すように、透明ガラス基板１０および遮光パターン６１
上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等のシフ
ター材を塗布する。シフター材を塗布することで得られ
た位相シフト膜６０は、凸部形状の複雑なトポグラフィ
ーである遮光パターン６１上に形成されるので、図６の
（ｂ）に示すように山形となる。
（ａ）に示すように、透明ガラス基板１０の平面上に遮
光パターン６１を形成する。その後、図６の（ｂ）に示
すように、透明ガラス基板１０および遮光パターン６１
上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等のシフ
ター材を塗布する。シフター材を塗布することで得られ
た位相シフト膜６０は、凸部形状の複雑なトポグラフィ
ーである遮光パターン６１上に形成されるので、図６の
（ｂ）に示すように山形となる。
【００５８】次に、化学的機械的研磨を行い、図６の
（ｃ）に示す平面状の位相シフト膜６０を形成する。そ
の後、この平面状の位相シフト膜６０を選択的にエッチ
ングすると（選択エッチング）、図６の（ｄ）に示すよ
うに、シフターの膜厚が均一な位相シフトパターン６２
を有する位相シフトマスクが形成される。
（ｃ）に示す平面状の位相シフト膜６０を形成する。そ
の後、この平面状の位相シフト膜６０を選択的にエッチ
ングすると（選択エッチング）、図６の（ｄ）に示すよ
うに、シフターの膜厚が均一な位相シフトパターン６２
を有する位相シフトマスクが形成される。
【００５９】図２４の（ｃ）に示した様に、従来の製造
方法で得られた位相シフトマスクでは、シフターの膜厚
が局所的に高くなり均一ではないので、位相シフトマス
クの機能が充分に発揮できない。これに対して、実施の
形態４の位相シフトマスクの製造方法では、シフターの
膜厚が均一の位相シフトマスクを製造することができ
る。
方法で得られた位相シフトマスクでは、シフターの膜厚
が局所的に高くなり均一ではないので、位相シフトマス
クの機能が充分に発揮できない。これに対して、実施の
形態４の位相シフトマスクの製造方法では、シフターの
膜厚が均一の位相シフトマスクを製造することができ
る。
【００６０】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、透明ガラス基板１０上に、膜厚が均一の位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクを製造することがで
きるので、この位相シフトマスクを用いて半導体集積回
路装置を製造する場合、光学像のコントラストを向上す
ることができる。
ば、透明ガラス基板１０上に、膜厚が均一の位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクを製造することがで
きるので、この位相シフトマスクを用いて半導体集積回
路装置を製造する場合、光学像のコントラストを向上す
ることができる。
【００６１】実施の形態５．図７は、この発明の実施の
形態５によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、６３は位相シフトパターン、７０は位
相シフトパターンと透明ガラス基板１０との境界領域で
ある。その他の構成要素は、実施の形態４で説明したも
のと同一のものなので、同一符号を付して、ここではそ
の説明を省略する。
形態５によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、６３は位相シフトパターン、７０は位
相シフトパターンと透明ガラス基板１０との境界領域で
ある。その他の構成要素は、実施の形態４で説明したも
のと同一のものなので、同一符号を付して、ここではそ
の説明を省略する。
【００６２】次に動作について説明する。先ず、図６の
（ａ），（ｂ）に示した実施の形態４のフォトマスクの
製造工程を用いて、図７の（ａ），（ｂ）に示すように
透明ガラス基板１０上に遮光パターン６１と位相シフト
膜６０を形成する。
（ａ），（ｂ）に示した実施の形態４のフォトマスクの
製造工程を用いて、図７の（ａ），（ｂ）に示すように
透明ガラス基板１０上に遮光パターン６１と位相シフト
膜６０を形成する。
【００６３】次に、図７の（ｃ）に示すように選択的に
エッチングを行った後、図７の（ｄ）に示すように、塗
布膜である位相シフト膜６０に対して、さらに化学的機
械的研磨を行って表面を平滑化する。これにより、位相
シフトパターン６３の上面が平坦な位相シフトパターン
を有するフォトマスクを形成できる。得られた実施の形
態５のフォトマスクを用いて半導体集積回路装置を製造
すれば、位相誤差が発生しない。
エッチングを行った後、図７の（ｄ）に示すように、塗
布膜である位相シフト膜６０に対して、さらに化学的機
械的研磨を行って表面を平滑化する。これにより、位相
シフトパターン６３の上面が平坦な位相シフトパターン
を有するフォトマスクを形成できる。得られた実施の形
態５のフォトマスクを用いて半導体集積回路装置を製造
すれば、位相誤差が発生しない。
【００６４】また、図７の（ｄ）の右側部分に示す様
に、遮光パターン６１に隣接して形成された位相シフト
部において、位相シフト部と透明ガラス基板１０との境
界領域７０は、角がとれて徐々に位相が変化した構造と
なっているので、化学的機械的研磨を実施することで、
中間位相シフターが自動的に形成されていることと等化
となる。つまり、境界領域７０は、典型的な位相矛盾箇
所であるが、化学的機械的研磨を実施することにより位
相矛盾箇所の形成を回避できるので、境界領域７０で遮
光領域が形成されない。さらに、図７の（ｄ）に示す様
に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、洗浄工程におけるブラシ４１等による
機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐
久性が高い。
に、遮光パターン６１に隣接して形成された位相シフト
部において、位相シフト部と透明ガラス基板１０との境
界領域７０は、角がとれて徐々に位相が変化した構造と
なっているので、化学的機械的研磨を実施することで、
中間位相シフターが自動的に形成されていることと等化
となる。つまり、境界領域７０は、典型的な位相矛盾箇
所であるが、化学的機械的研磨を実施することにより位
相矛盾箇所の形成を回避できるので、境界領域７０で遮
光領域が形成されない。さらに、図７の（ｄ）に示す様
に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、洗浄工程におけるブラシ４１等による
機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐
久性が高い。
【００６５】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトマスクを製造す
ることができるので、フォトマスク表面で形成されるト
ポグラフィーは平坦化されており、洗浄工程においてブ
ラシ４１等による機械的なストレスの発生はなく、つま
り洗浄工程での耐久性が高いフォトマスクを得ることが
できる。
ば、化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトマスクを製造す
ることができるので、フォトマスク表面で形成されるト
ポグラフィーは平坦化されており、洗浄工程においてブ
ラシ４１等による機械的なストレスの発生はなく、つま
り洗浄工程での耐久性が高いフォトマスクを得ることが
できる。
【００６６】実施の形態６．図８は、この発明の実施の
形態６によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、８０はレジスト膜、８２は位相シフト
パターン、８３は凹部である。その他の構成要素は、実
施の形態５で説明したものと同一のものなので、同一符
号を付して、ここではその説明を省略する。
形態６によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
り、図において、８０はレジスト膜、８２は位相シフト
パターン、８３は凹部である。その他の構成要素は、実
施の形態５で説明したものと同一のものなので、同一符
号を付して、ここではその説明を省略する。
【００６７】次に動作について説明する。先ず、図８の
（ａ）に示す様に、透明ガラス基板１０上に遮光パター
ン６１を形成する。次に、透明ガラス基板１０および遮
光パターン６１上にレジスト膜８０を形成する。この場
合、透明ガラス基板１０上に遮光パターン６１が形成さ
れているので、図８の（ｂ）に示すように、レジスト膜
８０は凸部形状の複雑なトポグラフィーを有する。
（ａ）に示す様に、透明ガラス基板１０上に遮光パター
ン６１を形成する。次に、透明ガラス基板１０および遮
光パターン６１上にレジスト膜８０を形成する。この場
合、透明ガラス基板１０上に遮光パターン６１が形成さ
れているので、図８の（ｂ）に示すように、レジスト膜
８０は凸部形状の複雑なトポグラフィーを有する。
【００６８】次に、図８の（ｃ）および（ｄ）に示すよ
うに、レジスト膜８０及び遮光パターン６１をマスクに
して透明ガラス基板１０を選択エッチングすると、凹部
８３が透明ガラス基板１０内に形成され、位相シフトパ
ターン８２が遮光パターン６１の近隣に形成される。
うに、レジスト膜８０及び遮光パターン６１をマスクに
して透明ガラス基板１０を選択エッチングすると、凹部
８３が透明ガラス基板１０内に形成され、位相シフトパ
ターン８２が遮光パターン６１の近隣に形成される。
【００６９】次に、化学的機械的研磨を行うと、図８の
（ｅ）に示すように、位相シフトパターン８２と透明ガ
ラス基板１０との境界領域７０の角は除去され、そこで
は徐々に位相が変化する部分が形成される。これは、化
学的機械的研磨を実施することにより、中間位相シフタ
ーが自動的に形成されていることと等化となる。つま
り、境界領域７０は、典型的な位相矛盾箇所であるが、
化学的機械的研磨を実施することにより位相矛盾箇所の
形成を回避できるので、境界領域７０で遮光領域が形成
されない。さらに、図８の（ｄ）に示す様に、フォトマ
スク表面で形成されるトポグラフィーは、例えば、図２
４の（ｄ）に示した従来のものと比較して、位相シフト
部等が形成されている箇所以外では平坦化されている。
これにより、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械
的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性
が高い。
（ｅ）に示すように、位相シフトパターン８２と透明ガ
ラス基板１０との境界領域７０の角は除去され、そこで
は徐々に位相が変化する部分が形成される。これは、化
学的機械的研磨を実施することにより、中間位相シフタ
ーが自動的に形成されていることと等化となる。つま
り、境界領域７０は、典型的な位相矛盾箇所であるが、
化学的機械的研磨を実施することにより位相矛盾箇所の
形成を回避できるので、境界領域７０で遮光領域が形成
されない。さらに、図８の（ｄ）に示す様に、フォトマ
スク表面で形成されるトポグラフィーは、例えば、図２
４の（ｄ）に示した従来のものと比較して、位相シフト
部等が形成されている箇所以外では平坦化されている。
これにより、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械
的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性
が高い。
【００７０】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトパターンを有す
るフォトマスクを製造することができる。また、フォト
マスク表面で形成されるトポグラフィーが平坦化されて
いるので、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的
なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が
高いフォトマスクを得ることができる。
ば、化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトパターンを有す
るフォトマスクを製造することができる。また、フォト
マスク表面で形成されるトポグラフィーが平坦化されて
いるので、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的
なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が
高いフォトマスクを得ることができる。
【００７１】実施の形態７．図９の（ａ）〜（ｃ）は、
この発明の実施の形態７によるフォトマスクの製造工程
を示す説明図であり、図において、６３は位相シフトパ
ターンである。その他の構成要素は、実施の形態５で説
明したものと同一のものなので、同一符号を付して、こ
こではその説明を省略する。
この発明の実施の形態７によるフォトマスクの製造工程
を示す説明図であり、図において、６３は位相シフトパ
ターンである。その他の構成要素は、実施の形態５で説
明したものと同一のものなので、同一符号を付して、こ
こではその説明を省略する。
【００７２】次に動作について説明する。先ず、図９の
（ａ）に示す様に、透明ガラス基板１０上に形成した凹
部内に遮光パターン１１を形成する。これは、図２を用
いて説明した実施の形態２の製造方法を用いる。
（ａ）に示す様に、透明ガラス基板１０上に形成した凹
部内に遮光パターン１１を形成する。これは、図２を用
いて説明した実施の形態２の製造方法を用いる。
【００７３】次に、遮光パターン１１を含む透明ガラス
基板１０上にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等
のシフター材を用いて位相シフト膜６０を塗布する。透
明ガラス基板１０の表面は平坦なので、図９の（ｂ）に
示すように、位相シフト膜６０の表面は平坦となる。こ
の位相シフト膜６０を選択エッチングすると、図９の
（ｃ）に示す様に、均一の膜厚を有する位相シフトパタ
ーン６３が形成される。
基板１０上にＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）等
のシフター材を用いて位相シフト膜６０を塗布する。透
明ガラス基板１０の表面は平坦なので、図９の（ｂ）に
示すように、位相シフト膜６０の表面は平坦となる。こ
の位相シフト膜６０を選択エッチングすると、図９の
（ｃ）に示す様に、均一の膜厚を有する位相シフトパタ
ーン６３が形成される。
【００７４】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、実施の形態１のフォトマスク上に、位相シフトパタ
ーンを形成した構成のフォトマスクを得ることができる
ので、この位相シフトマスクを用いて半導体集積回路装
置を製造する場合、光学像のコントラストを向上するこ
とができる。
ば、実施の形態１のフォトマスク上に、位相シフトパタ
ーンを形成した構成のフォトマスクを得ることができる
ので、この位相シフトマスクを用いて半導体集積回路装
置を製造する場合、光学像のコントラストを向上するこ
とができる。
【００７５】実施の形態８．図９の（ｄ）は、この発明
の実施の形態８によるフォトマスクの製造工程を示す説
明図であり、図において、７０は透明ガラス基板１０と
位相シフトパターン６３との境界領域である。その他の
構成要素は、実施の形態７で説明したものと同一のもの
なので、同一符号を付して、ここではその説明を省略す
る。
の実施の形態８によるフォトマスクの製造工程を示す説
明図であり、図において、７０は透明ガラス基板１０と
位相シフトパターン６３との境界領域である。その他の
構成要素は、実施の形態７で説明したものと同一のもの
なので、同一符号を付して、ここではその説明を省略す
る。
【００７６】次に動作について説明する。図９の（ａ）
〜（ｃ）で示した実施の形態７の製造方法で得られたフ
ォトマスクを、さらに化学的機械的研磨を行うと、図９
の（ｄ）の右側に示す様に、境界領域７０の位相シフト
パターンの膜厚が徐々に薄く形成されたフォトマスクが
得られる。従って、図９の（ｄ）の右側部分に示す様
に、遮光パターン１１上に形成された位相シフトパター
ン６３において、位相シフトパターン６３と透明ガラス
基板１０との境界領域７０は、角がとれて徐々に位相が
変化した構造となっている。これは、化学的機械的研磨
を実施して中間位相シフターを自動的に形成したことと
等化となる。
〜（ｃ）で示した実施の形態７の製造方法で得られたフ
ォトマスクを、さらに化学的機械的研磨を行うと、図９
の（ｄ）の右側に示す様に、境界領域７０の位相シフト
パターンの膜厚が徐々に薄く形成されたフォトマスクが
得られる。従って、図９の（ｄ）の右側部分に示す様
に、遮光パターン１１上に形成された位相シフトパター
ン６３において、位相シフトパターン６３と透明ガラス
基板１０との境界領域７０は、角がとれて徐々に位相が
変化した構造となっている。これは、化学的機械的研磨
を実施して中間位相シフターを自動的に形成したことと
等化となる。
【００７７】つまり、境界領域７０は、典型的な位相矛
盾箇所であるが、化学的機械的研磨を実施することによ
り位相矛盾箇所の形成を回避できるので、境界領域７０
で遮光領域が形成されない。さらに図９の（ｄ）に示す
様に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは
平坦化されており、洗浄工程におけるブラシ４１等によ
る機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での
耐久性が高い。
盾箇所であるが、化学的機械的研磨を実施することによ
り位相矛盾箇所の形成を回避できるので、境界領域７０
で遮光領域が形成されない。さらに図９の（ｄ）に示す
様に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは
平坦化されており、洗浄工程におけるブラシ４１等によ
る機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での
耐久性が高い。
【００７８】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、実施の形態１の製造方法で得られたフォトマスク上
に、位相シフトパターンを形成した構成のフォトマスク
を形成することができるので、このフォトマスクを用い
て半導体集積回路装置を製造する場合、光学像のコント
ラストを向上することができ、またフォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは平坦化されているので、洗
浄工程におけるブラシ４１等による機械的なストレスの
発生はなく洗浄工程での耐久性が高くなる。
ば、実施の形態１の製造方法で得られたフォトマスク上
に、位相シフトパターンを形成した構成のフォトマスク
を形成することができるので、このフォトマスクを用い
て半導体集積回路装置を製造する場合、光学像のコント
ラストを向上することができ、またフォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは平坦化されているので、洗
浄工程におけるブラシ４１等による機械的なストレスの
発生はなく洗浄工程での耐久性が高くなる。
【００７９】実施の形態９．図１０の（ａ）〜（ｄ）
は、この発明の実施の形態９によるフォトマスクの製造
工程を示す説明図であり、図において、１００はレジス
ト膜、１０１はレジストパターン、１０２は位相シフト
パターン、１０３は凹部である。その他の構成要素は、
実施の形態６で説明したものと同一のものなので、同一
符号を付して、ここではその説明を省略する。
は、この発明の実施の形態９によるフォトマスクの製造
工程を示す説明図であり、図において、１００はレジス
ト膜、１０１はレジストパターン、１０２は位相シフト
パターン、１０３は凹部である。その他の構成要素は、
実施の形態６で説明したものと同一のものなので、同一
符号を付して、ここではその説明を省略する。
【００８０】次に動作について説明する。先ず、図２に
示した実施の形態２のフォトマスクの製造方法に従っ
て、図１０の（ａ）に示すような、凹部に遮光パターン
１１が形成された表面が平坦な構造を有するフォトマス
クを形成する。次に、レジスト膜１００を、遮光パター
ン１１が形成された透明ガラス基板１０上に塗布する。
本発明の製造方法で形成されたフォトマスクは、遮光パ
ターン１１が凹部に形成されているので、その表面が平
滑化され平面となるので、レジスト膜１００も平坦とな
る。
示した実施の形態２のフォトマスクの製造方法に従っ
て、図１０の（ａ）に示すような、凹部に遮光パターン
１１が形成された表面が平坦な構造を有するフォトマス
クを形成する。次に、レジスト膜１００を、遮光パター
ン１１が形成された透明ガラス基板１０上に塗布する。
本発明の製造方法で形成されたフォトマスクは、遮光パ
ターン１１が凹部に形成されているので、その表面が平
滑化され平面となるので、レジスト膜１００も平坦とな
る。
【００８１】一方、図２４の（ｂ）に示した従来の製造
方法で形成されたフォトマスクにおけるレジスト膜２２
４の表面は、透明ガラス基板２２０の平面上に遮光パタ
ーン１１１が複雑なトポグラフィーとなって形成されて
いるので、その表面には複雑なトポグラフィーが形成さ
れる。
方法で形成されたフォトマスクにおけるレジスト膜２２
４の表面は、透明ガラス基板２２０の平面上に遮光パタ
ーン１１１が複雑なトポグラフィーとなって形成されて
いるので、その表面には複雑なトポグラフィーが形成さ
れる。
【００８２】次に、図１０の（ｂ）で得られたレジスト
膜１００を現像すると、図１０の（ｃ）に示すレジスト
パターン１０１が得られる。次に、レジストパターン１
０１と遮光パターン１１とをマスクとして、透明ガラス
基板１０を選択エッチングすると、図１０の（ｄ）に示
す様な凹部１０３を有する位相シフトパターン１０２が
形成される。
膜１００を現像すると、図１０の（ｃ）に示すレジスト
パターン１０１が得られる。次に、レジストパターン１
０１と遮光パターン１１とをマスクとして、透明ガラス
基板１０を選択エッチングすると、図１０の（ｄ）に示
す様な凹部１０３を有する位相シフトパターン１０２が
形成される。
【００８３】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、実施の形態１のフォトマスク上に、位相シフトパタ
ーンを形成した構成の位相シフトパターンを備えたフォ
トマスクを得ることができるので、このフォトマスクを
用いて半導体集積回路装置を製造する場合、光学像のコ
ントラストを向上することができ、またフォトマスク表
面で形成されるトポグラフィーは平坦化されているの
で、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく洗浄工程での耐久性が高くなる。
ば、実施の形態１のフォトマスク上に、位相シフトパタ
ーンを形成した構成の位相シフトパターンを備えたフォ
トマスクを得ることができるので、このフォトマスクを
用いて半導体集積回路装置を製造する場合、光学像のコ
ントラストを向上することができ、またフォトマスク表
面で形成されるトポグラフィーは平坦化されているの
で、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく洗浄工程での耐久性が高くなる。
【００８４】実施の形態１０．図１０の（ｅ）は、この
発明の実施の形態１０によるフォトマスクの製造工程を
示す説明図であり、図において、７０は透明ガラス基板
１０と位相シフトパターン１０２との境界領域である。
その他の構成要素は、実施の形態９で説明したものと同
一のものなので、同一符号を付して、ここではその説明
を省略する。
発明の実施の形態１０によるフォトマスクの製造工程を
示す説明図であり、図において、７０は透明ガラス基板
１０と位相シフトパターン１０２との境界領域である。
その他の構成要素は、実施の形態９で説明したものと同
一のものなので、同一符号を付して、ここではその説明
を省略する。
【００８５】次に動作について説明する。図１０の
（ａ）〜（ｄ）で示した実施の形態９の製造方法で得ら
れたフォトマスクの表面をさらに化学的機械的研磨を行
って、図１０の（ｅ）に示す様なフォトマスクを形成す
る。位相シフトパターン１０２と透明ガラス基板１０と
の境界領域７０で形成される角は除去され、徐々に位相
が変化する構成が形成される。従って、化学的機械的研
磨を実施することで、中間位相シフターを自動的に形成
したことと等化となる。つまり、境界領域７０は、典型
的な位相矛盾箇所であるが、化学的機械的研磨を実施す
ることにより位相矛盾箇所の形成を回避できるので、境
界領域７０で遮光領域が形成されない。さらに、図１０
の（ｄ）に示す様に、フォトマスク表面で形成されるト
ポグラフィーは、例えば、図２４の（ｄ）に示した従来
のものと比較して、位相シフト部等が形成されている箇
所以外では平坦化されている。これにより、洗浄工程に
おけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
（ａ）〜（ｄ）で示した実施の形態９の製造方法で得ら
れたフォトマスクの表面をさらに化学的機械的研磨を行
って、図１０の（ｅ）に示す様なフォトマスクを形成す
る。位相シフトパターン１０２と透明ガラス基板１０と
の境界領域７０で形成される角は除去され、徐々に位相
が変化する構成が形成される。従って、化学的機械的研
磨を実施することで、中間位相シフターを自動的に形成
したことと等化となる。つまり、境界領域７０は、典型
的な位相矛盾箇所であるが、化学的機械的研磨を実施す
ることにより位相矛盾箇所の形成を回避できるので、境
界領域７０で遮光領域が形成されない。さらに、図１０
の（ｄ）に示す様に、フォトマスク表面で形成されるト
ポグラフィーは、例えば、図２４の（ｄ）に示した従来
のものと比較して、位相シフト部等が形成されている箇
所以外では平坦化されている。これにより、洗浄工程に
おけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【００８６】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、実施の形態９の製造方法により得られたフォトマス
クに化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトパターンを有す
るフォトマスクを製造することができるので、フォトマ
スク表面で形成されるトポグラフィーは平坦化されてお
り、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高いフ
ォトマスクを得ることができる。
ば、実施の形態９の製造方法により得られたフォトマス
クに化学的機械的研磨を実施することにより、境界領域
７０で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域７０に
おける遮光領域のない構造の位相シフトパターンを有す
るフォトマスクを製造することができるので、フォトマ
スク表面で形成されるトポグラフィーは平坦化されてお
り、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高いフ
ォトマスクを得ることができる。
【００８７】実施の形態１１．図１１は、この発明の実
施の形態１１によるレベンソン型位相シフトパターンを
有するフォトマスクを示す構成図であり、特に、図１１
の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形
態２〜１０によるフォトマスクの製造方法を使用しての
み形成可能なレベンソン型位相シフトパターンを有する
フォトマスクである。また、図１１の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）のレベンソン型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造
方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実施
の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、同
一符号を付してここではその説明を省略する。
施の形態１１によるレベンソン型位相シフトパターンを
有するフォトマスクを示す構成図であり、特に、図１１
の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形
態２〜１０によるフォトマスクの製造方法を使用しての
み形成可能なレベンソン型位相シフトパターンを有する
フォトマスクである。また、図１１の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）のレベンソン型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造
方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実施
の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、同
一符号を付してここではその説明を省略する。
【００８８】次に動作について説明する。位相シフトパ
ターンを持つフォトマスクは、位相シフトパターンが形
成される位相シフト部、遮光パターンが形成される遮光
部、放射線が透明する透過部の配置により、放射線の結
像原理や、効果が異なってくる。
ターンを持つフォトマスクは、位相シフトパターンが形
成される位相シフト部、遮光パターンが形成される遮光
部、放射線が透明する透過部の配置により、放射線の結
像原理や、効果が異なってくる。
【００８９】従来のレベンソン型位相シフトパターンを
有するフォトマスクと比較した場合、図１１の（ｂ），
（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示す実施の形態１１の
レベンソン型位相シフトパターンを有するフォトマスク
の構造は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォトマ
スク表面が平坦なので、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、図１１の（ａ），（ｅ），（ｇ），
および（ｈ）に示したものと比較して、平坦化されてい
る。これにより、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。また、洗浄工程におけるブラシ４１
等による機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工
程での耐久性が高い。
有するフォトマスクと比較した場合、図１１の（ｂ），
（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示す実施の形態１１の
レベンソン型位相シフトパターンを有するフォトマスク
の構造は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォトマ
スク表面が平坦なので、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、図１１の（ａ），（ｅ），（ｇ），
および（ｈ）に示したものと比較して、平坦化されてい
る。これにより、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。また、洗浄工程におけるブラシ４１
等による機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工
程での耐久性が高い。
【００９０】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、図１１の（ｂ），（ｃ），（ｄ），お
よび（ｆ）に示した様に、シフター部の段差が低減され
ているので、導波管効果が緩和され、シフター部と透過
部との差が減少して、例えば、このフォトマスクを半導
体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性能が向上す
ることができる。また、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、従来のものと比較して平坦化されて
いるので、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的
なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が
高い。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、図１１の（ｂ），（ｃ），（ｄ），お
よび（ｆ）に示した様に、シフター部の段差が低減され
ているので、導波管効果が緩和され、シフター部と透過
部との差が減少して、例えば、このフォトマスクを半導
体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性能が向上す
ることができる。また、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、従来のものと比較して平坦化されて
いるので、洗浄工程においてブラシ４１等による機械的
なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が
高い。
【００９１】実施の形態１２．図１２および図１３は、
この発明の実施の形態１２による補助シフター型位相シ
フトパターンを有するフォトマスクを示す構成図であ
り、特に、図１２および図１３の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフ
ォトマスクの製造方法を使用してのみ形成可能なレベン
ソン型位相シフトパターンを有するフォトマスクであ
る。また、図１２および図１３の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）の補助シフター型位相シフトパタ
ーンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製
造方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実
施の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、
同一符号を付してここではその説明を省略する。
この発明の実施の形態１２による補助シフター型位相シ
フトパターンを有するフォトマスクを示す構成図であ
り、特に、図１２および図１３の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフ
ォトマスクの製造方法を使用してのみ形成可能なレベン
ソン型位相シフトパターンを有するフォトマスクであ
る。また、図１２および図１３の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）の補助シフター型位相シフトパタ
ーンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製
造方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実
施の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、
同一符号を付してここではその説明を省略する。
【００９２】次に動作について説明する。従来の補助シ
フター型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図１２および図１３の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１２の補助シ
フター型位相シフトパターンを有する有するフォトマス
クの構造は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォト
マスク表面が平坦なので、フォトマスク表面で形成され
るトポグラフィーは、図１２および図１３の（ａ），
（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示したものと比較し
て、平坦化されている。これにより、位相制御性が向上
し、光学像のコントラストが向上する。また、洗浄工程
におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生は
なく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
フター型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図１２および図１３の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１２の補助シ
フター型位相シフトパターンを有する有するフォトマス
クの構造は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォト
マスク表面が平坦なので、フォトマスク表面で形成され
るトポグラフィーは、図１２および図１３の（ａ），
（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示したものと比較し
て、平坦化されている。これにより、位相制御性が向上
し、光学像のコントラストが向上する。また、洗浄工程
におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生は
なく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【００９３】以上のように、この実施の形態１２によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１２および図１３の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１２
および図１３の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
に示したものと比較して平坦化されているので、洗浄工
程においてブラシ４１等による機械的なストレスの発生
はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１２および図１３の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１２
および図１３の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
に示したものと比較して平坦化されているので、洗浄工
程においてブラシ４１等による機械的なストレスの発生
はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【００９４】実施の形態１３．図１４および図１５は、
この発明の実施の形態１３によるエッジ強調型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクを示す構成図であり、
特に、図１４および図１５の（ｂ），（ｃ），（ｄ），
および（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフォトマス
クの製造方法を使用してのみ形成可能なエッジ強調型位
相シフトパターンを有するフォトマスクである。また、
図１４および図１５の（ａ），（ｅ），（ｇ），および
（ｈ）のエッジ強調型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクは、従来のフォトマスクの製造方法で形成され
たものである。尚、各構成要素は、実施の形態１〜１０
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付して
ここではその説明を省略する。
この発明の実施の形態１３によるエッジ強調型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクを示す構成図であり、
特に、図１４および図１５の（ｂ），（ｃ），（ｄ），
および（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフォトマス
クの製造方法を使用してのみ形成可能なエッジ強調型位
相シフトパターンを有するフォトマスクである。また、
図１４および図１５の（ａ），（ｅ），（ｇ），および
（ｈ）のエッジ強調型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクは、従来のフォトマスクの製造方法で形成され
たものである。尚、各構成要素は、実施の形態１〜１０
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付して
ここではその説明を省略する。
【００９５】次に動作について説明する。従来のエッジ
強調型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比較
した場合、図１４および図１５の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１３のエジ強
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクの構造
は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォトマスク表
面が平坦であり、特に、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、例えば、図１４および図１５の
（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示したものと
比較して、平坦化されているので、位相制御性が向上
し、光学像のコントラストが向上する。また、洗浄工程
におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生は
なく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
強調型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比較
した場合、図１４および図１５の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１３のエジ強
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクの構造
は、位相シフターの膜厚が均一であり、フォトマスク表
面が平坦であり、特に、フォトマスク表面で形成される
トポグラフィーは、例えば、図１４および図１５の
（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示したものと
比較して、平坦化されているので、位相制御性が向上
し、光学像のコントラストが向上する。また、洗浄工程
におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発生は
なく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【００９６】以上のように、この実施の形態１３によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１４および図１５の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１４
および図１５の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
のものと比較して平坦化されているので、洗浄工程にお
いてブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１４および図１５の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１４
および図１５の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
のものと比較して平坦化されているので、洗浄工程にお
いてブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【００９７】実施の形態１４．図１６は、この発明の実
施の形態１４によるハーフトーン型位相シフトパターン
を有するフォトマスクを示す構成図であり、特に、図１
６の（ｂ）は、実施の形態２によるフォトマスクの製造
方法を使用してのみ形成可能なハーフトーン型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクである。また、図１６
の（ａ）に示す構造のハーフトーン型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造
方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実施
の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、同
一符号を付してここではその説明を省略する。
施の形態１４によるハーフトーン型位相シフトパターン
を有するフォトマスクを示す構成図であり、特に、図１
６の（ｂ）は、実施の形態２によるフォトマスクの製造
方法を使用してのみ形成可能なハーフトーン型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクである。また、図１６
の（ａ）に示す構造のハーフトーン型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造
方法で形成されたものである。尚、各構成要素は、実施
の形態１〜１０で説明したものと同一のものなので、同
一符号を付してここではその説明を省略する。
【００９８】次に動作について説明する。従来のハーフ
トーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図１６の（ｂ）に示した実施の形態１４の
ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフォトマス
クの構造は、フォトマスク表面が平坦であり、特に、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１６
の（ａ）のものと比較して平坦化されているので、洗浄
工程におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発
生はなく、洗浄工程での耐久性が高い。
トーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図１６の（ｂ）に示した実施の形態１４の
ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフォトマス
クの構造は、フォトマスク表面が平坦であり、特に、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１６
の（ａ）のものと比較して平坦化されているので、洗浄
工程におけるブラシ４１等による機械的なストレスの発
生はなく、洗浄工程での耐久性が高い。
【００９９】ハーフトーン型位相シフトパターンを有す
るフォトマスクにおけるハーフトーン材料としては、Ｍ
ｏＳｉＯＮ、ＣｒＯＮ等の酸窒化膜を使用する。
るフォトマスクにおけるハーフトーン材料としては、Ｍ
ｏＳｉＯＮ、ＣｒＯＮ等の酸窒化膜を使用する。
【０１００】以上のように、この実施の形態１４によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高いフォトマスクを得ることができる。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高いフォトマスクを得ることができる。
【０１０１】実施の形態１５．図１７は、この発明の実
施の形態１５による遮光パターン付ハーフトーン型位相
シフトパターンを有するフォトマスクを示す構成図であ
り、特に、図１７の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および
（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフォトマスクの製
造方法を使用してのみ形成可能な遮光パターン付ハーフ
トーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクであ
る。また、図１７の（ａ），（ｅ），（ｇ），および
（ｈ）に示す構造の遮光パターン付ハーフトーン型位相
シフトパターンを有するフォトマスクは、従来のフォト
マスクの製造方法で形成されたものである。尚、各構成
要素は、実施の形態１〜１０で説明したものと同一のも
のなので、同一符号を付してここではその説明を省略す
る。
施の形態１５による遮光パターン付ハーフトーン型位相
シフトパターンを有するフォトマスクを示す構成図であ
り、特に、図１７の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および
（ｆ）は、実施の形態２〜１０によるフォトマスクの製
造方法を使用してのみ形成可能な遮光パターン付ハーフ
トーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクであ
る。また、図１７の（ａ），（ｅ），（ｇ），および
（ｈ）に示す構造の遮光パターン付ハーフトーン型位相
シフトパターンを有するフォトマスクは、従来のフォト
マスクの製造方法で形成されたものである。尚、各構成
要素は、実施の形態１〜１０で説明したものと同一のも
のなので、同一符号を付してここではその説明を省略す
る。
【０１０２】次に動作について説明する。従来の遮光パ
ターン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフ
ォトマスクと比較した場合、図１７の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１５の遮光パ
ターン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフ
ォトマスクの構造は、フォトマスク表面が平坦であり、
特に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィー
は、図１７の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）の
ものと比較して、平坦化されているので、洗浄工程にお
けるブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高いフォトマスクを得
ることができる。
ターン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフ
ォトマスクと比較した場合、図１７の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した実施の形態１５の遮光パ
ターン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフ
ォトマスクの構造は、フォトマスク表面が平坦であり、
特に、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィー
は、図１７の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）の
ものと比較して、平坦化されているので、洗浄工程にお
けるブラシ４１等による機械的なストレスの発生はな
く、つまり洗浄工程での耐久性が高いフォトマスクを得
ることができる。
【０１０３】以上のように、この実施の形態１５によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高い。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高い。
【０１０４】実施の形態１６．図１８および図１９は、
この発明の実施の形態１６による遮光パターン付シフタ
ー遮光型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示
す構成図であり、特に、図１８および図１９の（ｂ），
（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態２〜１０
によるフォトマスクの製造方法を使用してのみ形成可能
な遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパターンを
有するフォトマスクである。また、図１８および図１９
の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す構造の
遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパターンを有
するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造方法で
形成されたものである。尚、各構成要素は、実施の形態
１〜１０で説明したものと同一のものなので、同一符号
を付してここではその説明を省略する。
この発明の実施の形態１６による遮光パターン付シフタ
ー遮光型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示
す構成図であり、特に、図１８および図１９の（ｂ），
（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態２〜１０
によるフォトマスクの製造方法を使用してのみ形成可能
な遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパターンを
有するフォトマスクである。また、図１８および図１９
の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す構造の
遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパターンを有
するフォトマスクは、従来のフォトマスクの製造方法で
形成されたものである。尚、各構成要素は、実施の形態
１〜１０で説明したものと同一のものなので、同一符号
を付してここではその説明を省略する。
【０１０５】次に動作について説明する。図１８および
図１９の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す
構造の遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクと比較した場合、図１８および
図１９の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示し
た実施の形態１６の遮光パターン付シフター遮光型位相
シフトパターンを有するフォトマスクの構造は、フォト
マスク表面が平坦であり、シフターの膜厚が均一に形成
されているので、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。また、洗浄工程におけるブラシ４１
等による機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工
程での耐久性が高い。
図１９の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す
構造の遮光パターン付シフター遮光型位相シフトパター
ンを有するフォトマスクと比較した場合、図１８および
図１９の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示し
た実施の形態１６の遮光パターン付シフター遮光型位相
シフトパターンを有するフォトマスクの構造は、フォト
マスク表面が平坦であり、シフターの膜厚が均一に形成
されているので、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。また、洗浄工程におけるブラシ４１
等による機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工
程での耐久性が高い。
【０１０６】以上のように、この実施の形態１６によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１８および図１９の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１８
および図１９の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
に示したものと比較して、より平坦化されているので、
洗浄工程においてブラシ４１等による機械的なストレス
の発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高いフォト
マスクを得ることができる。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図１８および図１９の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）に示した様に、
シフター部の段差が低減されているので、導波管効果が
緩和され、シフター部と透過部との差が減少して、例え
ば、このフォトマスクを半導体集積回路装置の製造に用
いる場合、結像性能が向上することができる。また、フ
ォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは、図１８
および図１９の（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）
に示したものと比較して、より平坦化されているので、
洗浄工程においてブラシ４１等による機械的なストレス
の発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高いフォト
マスクを得ることができる。
【０１０７】実施の形態１７．図２０は、この発明の実
施の形態１７による中間位相型シフトパターンを有する
フォトマスクを示す構成図であり、特に、図２０の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態
２〜１０によるフォトマスクの製造方法を使用してのみ
形成可能な中間位相型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクである。また、図２０の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）に示す構造の中間位相型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクにおける境界領域７０
以外の構成は、従来のフォトマスクの製造方法で形成し
たものである。尚、各構成要素は、実施の形態１〜１０
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付して
ここではその説明を省略する。
施の形態１７による中間位相型シフトパターンを有する
フォトマスクを示す構成図であり、特に、図２０の
（ｂ），（ｃ），（ｄ），および（ｆ）は、実施の形態
２〜１０によるフォトマスクの製造方法を使用してのみ
形成可能な中間位相型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクである。また、図２０の（ａ），（ｅ），
（ｇ），および（ｈ）に示す構造の中間位相型位相シフ
トパターンを有するフォトマスクにおける境界領域７０
以外の構成は、従来のフォトマスクの製造方法で形成し
たものである。尚、各構成要素は、実施の形態１〜１０
で説明したものと同一のものなので、同一符号を付して
ここではその説明を省略する。
【０１０８】次に動作について説明する。図２０の
（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す構造の中
間位相型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図２０の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および
（ｆ）に示した実施の形態１７の中間位相型位相シフト
パターンを有するフォトマスクの構造は、フォトマスク
表面が平坦であり、シフターの膜厚が遮光パターンの近
傍でも変化せず均一に形成されているので、位相を高精
度に制御でき、光学像のコントラストが向上する。ま
た、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
（ａ），（ｅ），（ｇ），および（ｈ）に示す構造の中
間位相型位相シフトパターンを有するフォトマスクと比
較した場合、図２０の（ｂ），（ｃ），（ｄ），および
（ｆ）に示した実施の形態１７の中間位相型位相シフト
パターンを有するフォトマスクの構造は、フォトマスク
表面が平坦であり、シフターの膜厚が遮光パターンの近
傍でも変化せず均一に形成されているので、位相を高精
度に制御でき、光学像のコントラストが向上する。ま
た、洗浄工程におけるブラシ４１等による機械的なスト
レスの発生はなく、つまり洗浄工程での耐久性が高い。
【０１０９】以上のように、この実施の形態１７によれ
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図２０の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した様に、シフター部の段差
が低減されているので、導波管効果が緩和され、シフタ
ー部と透過部との差が減少して、例えば、このフォトマ
スクを半導体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性
能が向上することができる。また、フォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは、従来のものと比較して平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高いフォトマスクを得ることができる。
ば、フォトマスク表面で形成されるトポグラフィーは平
坦化されており、位相制御性が向上し、光学像のコント
ラストが向上する。つまり、図２０の（ｂ），（ｃ），
（ｄ），および（ｆ）に示した様に、シフター部の段差
が低減されているので、導波管効果が緩和され、シフタ
ー部と透過部との差が減少して、例えば、このフォトマ
スクを半導体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性
能が向上することができる。また、フォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは、従来のものと比較して平
坦化されているので、洗浄工程においてブラシ４１等に
よる機械的なストレスの発生はなく、つまり洗浄工程で
の耐久性が高いフォトマスクを得ることができる。
【０１１０】実施の形態１８．図２１は、この発明の実
施の形態１〜１７に係る高精度のフォトマスクを使用し
半導体集積回路装置を製造するために使用される投影露
光装置（ステップ アンド リピート エクスポロジャ
ー アパラタス）を示す説明図であり、図において、２
１５は実施の形態１〜１７に係わるフォトマスク、２１
６は半導体集積回路装置等の製造で使用されるウエー
ハ、２１７はウエーハ２１６上に塗布されたレジストで
ある。図２１に示すこの投影露光装置は、液晶ディスプ
レイ等の半導体集積回路装置の製造に使用されるもので
ある。
施の形態１〜１７に係る高精度のフォトマスクを使用し
半導体集積回路装置を製造するために使用される投影露
光装置（ステップ アンド リピート エクスポロジャ
ー アパラタス）を示す説明図であり、図において、２
１５は実施の形態１〜１７に係わるフォトマスク、２１
６は半導体集積回路装置等の製造で使用されるウエー
ハ、２１７はウエーハ２１６上に塗布されたレジストで
ある。図２１に示すこの投影露光装置は、液晶ディスプ
レイ等の半導体集積回路装置の製造に使用されるもので
ある。
【０１１１】次に動作について説明する。図１〜図２０
に示した各実施の形態１〜１７に係るフォトマスク２１
５を用いて、液晶ディスプレイ等の半導体集積回路装置
を製造する場合、図２１に示す投影露光装置にフォトマ
スク２１５を装着する。そして、ウエーハ２１６上にレ
ジスト２１７を塗布する。
に示した各実施の形態１〜１７に係るフォトマスク２１
５を用いて、液晶ディスプレイ等の半導体集積回路装置
を製造する場合、図２１に示す投影露光装置にフォトマ
スク２１５を装着する。そして、ウエーハ２１６上にレ
ジスト２１７を塗布する。
【０１１２】次に、投影露光装置の露光用の光源から、
単色光、電子線、レーザ光、Ｘ線等をフォトマスク２１
５上に照射し、フォトマスク２１５のパターンをレジス
ト２１７が塗布されたウエーハ２１６上に転写する。そ
の後、ウエーハ２１６の現像処理工程、エッチング処理
工程、ホトレジストの除去工程等を経て、時にはこれら
の処理工程を繰り返して所望の液晶ディスプレイ等の半
導体集積回路装置を製造する。
単色光、電子線、レーザ光、Ｘ線等をフォトマスク２１
５上に照射し、フォトマスク２１５のパターンをレジス
ト２１７が塗布されたウエーハ２１６上に転写する。そ
の後、ウエーハ２１６の現像処理工程、エッチング処理
工程、ホトレジストの除去工程等を経て、時にはこれら
の処理工程を繰り返して所望の液晶ディスプレイ等の半
導体集積回路装置を製造する。
【０１１３】以上のように、この実施の形態１８によれ
ば、実施の形態１〜１７で得られた遮光パターン等の欠
陥の少ない高品質のフォトマスクを、投影露光装置に配
置して、投影露光装置の露光用の光源から得られる単色
光、電子線、レーザ光、Ｘ線等をこのフォトマスク上に
照射し、露光して液晶ディスプレイ等の半導体集積回路
装置を製造するので、位相制御性が向上でき、また光学
像のコントラストを向上でき、結果として、歩留まりの
高い高品質の液晶ディスプレイ等の半導体集積回路装置
を製造することができる。
ば、実施の形態１〜１７で得られた遮光パターン等の欠
陥の少ない高品質のフォトマスクを、投影露光装置に配
置して、投影露光装置の露光用の光源から得られる単色
光、電子線、レーザ光、Ｘ線等をこのフォトマスク上に
照射し、露光して液晶ディスプレイ等の半導体集積回路
装置を製造するので、位相制御性が向上でき、また光学
像のコントラストを向上でき、結果として、歩留まりの
高い高品質の液晶ディスプレイ等の半導体集積回路装置
を製造することができる。
【０１１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、透明
ガラス基板等の透明基板上の凹部に遮光パターンを形成
し、遮光パターンと透明基板とが同一平面となり、また
フォトマスクの表面が平滑化するように構成したので、
従来のフォトマスクのように、フォトマスクの表面に複
雑なトポグラフィが形成されるようなことは無く、洗浄
工程における機械的化学的研磨における機械的ストレス
等に対する耐久性が大きく、従って、遮光パターン等の
欠陥が少ない高品質のフォトマスクが得られ、さらに、
このフォトマスクを用いて液晶ディスプレイや半導体集
積回路装置を製造すれば歩留まりを向上可能であるとい
う効果がある。
ガラス基板等の透明基板上の凹部に遮光パターンを形成
し、遮光パターンと透明基板とが同一平面となり、また
フォトマスクの表面が平滑化するように構成したので、
従来のフォトマスクのように、フォトマスクの表面に複
雑なトポグラフィが形成されるようなことは無く、洗浄
工程における機械的化学的研磨における機械的ストレス
等に対する耐久性が大きく、従って、遮光パターン等の
欠陥が少ない高品質のフォトマスクが得られ、さらに、
このフォトマスクを用いて液晶ディスプレイや半導体集
積回路装置を製造すれば歩留まりを向上可能であるとい
う効果がある。
【０１１５】また、この発明によれば、膜厚が均一で平
坦な各種の位相シフトパターンを透明基板上に形成する
ように構成したので、位相シフトパターンと透明基板と
の境界領域で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域
における遮光領域のない構造の位相シフトマスクを製造
することができる。また、位相シフトパターンと透明基
板との境界領域での段差が低減するように構成したの
で、導波管効果が緩和され、位相シフターパターンの領
域と透過部との差が減少して、例えば、このフォトマス
クを半導体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性能
が向上することができる。さらに、フォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは平坦化されており、洗浄工
程における機械的ストレスに対する耐久性が高いので、
この位相シフトパターンを備えたフォトマスクを用いて
液晶ディスプレイや半導体集積回路装置を製造する場
合、歩留まりが向上するという効果がある。さらに、こ
の位相シフトパターンを備えたフォトマスクを用いて液
晶ディスプレイや半導体集積回路装置を製造する場合、
位相制御性が向上できるので光学像のコントラストを向
上でき、歩留まりが高い高品質の半導体集積回路装置を
製造することができるという効果がある。
坦な各種の位相シフトパターンを透明基板上に形成する
ように構成したので、位相シフトパターンと透明基板と
の境界領域で位相矛盾箇所の形成を回避でき、境界領域
における遮光領域のない構造の位相シフトマスクを製造
することができる。また、位相シフトパターンと透明基
板との境界領域での段差が低減するように構成したの
で、導波管効果が緩和され、位相シフターパターンの領
域と透過部との差が減少して、例えば、このフォトマス
クを半導体集積回路装置の製造に用いる場合、結像性能
が向上することができる。さらに、フォトマスク表面で
形成されるトポグラフィーは平坦化されており、洗浄工
程における機械的ストレスに対する耐久性が高いので、
この位相シフトパターンを備えたフォトマスクを用いて
液晶ディスプレイや半導体集積回路装置を製造する場
合、歩留まりが向上するという効果がある。さらに、こ
の位相シフトパターンを備えたフォトマスクを用いて液
晶ディスプレイや半導体集積回路装置を製造する場合、
位相制御性が向上できるので光学像のコントラストを向
上でき、歩留まりが高い高品質の半導体集積回路装置を
製造することができるという効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１によるフォトマスク
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図２】 この発明の実施の形態２によるフォトマスク
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図３】 化学的機械的研磨する方法で用いる装置を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】 フォトマスクを洗浄するための洗浄工程を示
す説明図である。
す説明図である。
【図５】 この発明の実施の形態３によるフォトマスク
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図６】 この発明の実施の形態４によるフォトマスク
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図７】 この発明の実施の形態５によるフォトマスク
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図８】 この発明の実施の形態６によるフォトマスク
の製造工程を示す説明図である。
の製造工程を示す説明図である。
【図９】 この発明の実施の形態７および実施の形態８
によるフォトマスクの製造工程を示す説明図である。
によるフォトマスクの製造工程を示す説明図である。
【図１０】 この発明の実施の形態９および実施の形態
１０によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
る。
１０によるフォトマスクの製造工程を示す説明図であ
る。
【図１１】 この発明の実施の形態１１によるレベンソ
ン型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
ン型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
【図１２】 この発明の実施の形態１２による補助シフ
ター型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
ター型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
【図１３】 この発明の実施の形態１２による補助シフ
ター型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
ター型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
【図１４】 この発明の実施の形態１３によるエッジ強
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
【図１５】 この発明の実施の形態１３によるエッジ強
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
調型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す構
成図である。
【図１６】 この発明の実施の形態１４によるハーフト
ーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
ーン型位相シフトパターンを有するフォトマスクを示す
構成図である。
【図１７】 この発明の実施の形態１５による遮光パタ
ーン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
ーン付ハーフトーン型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
【図１８】 この発明の実施の形態１６による遮光パタ
ーン付シフター遮光型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
ーン付シフター遮光型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
【図１９】 この発明の実施の形態１６による遮光パタ
ーン付シフター遮光型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
ーン付シフター遮光型位相シフトパターンを有するフォ
トマスクを示す構成図である。
【図２０】 この発明の実施の形態１７による中間位相
型シフトパターンを有するフォトマスクを示す構成図で
ある。
型シフトパターンを有するフォトマスクを示す構成図で
ある。
【図２１】 この発明の実施の形態１〜１７のフォトマ
スクの使用に用いられる露光装置を示す説明図である。
スクの使用に用いられる露光装置を示す説明図である。
【図２２】 従来のフォトマスクの製造法を示す説明図
である。
である。
【図２３】 従来の低反射フォトマスクの製造方法を示
す説明図である。
す説明図である。
【図２４】 従来の位相シフトフォトマスクの製造方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１０，２２０ 透明ガラス基板（透明基板）、１１，６
１ 遮光パターン、２１，８０，１００ レジスト膜、
２３ 凹部、２４ 遮光膜、５０ 第１の反射防止膜、
５１ 第２の反射防止膜、６０ 位相シフト膜、６２，
６３，８２，１０２ 位相シフトパターン、２１５ フ
ォトマスク。
１ 遮光パターン、２１，８０，１００ レジスト膜、
２３ 凹部、２４ 遮光膜、５０ 第１の反射防止膜、
５１ 第２の反射防止膜、６０ 位相シフト膜、６２，
６３，８２，１０２ 位相シフトパターン、２１５ フ
ォトマスク。
Claims (30)
- 【請求項１】 透明基板と、前記透明基板の面上に形成
された所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成さ
れた遮光膜からなる遮光パターンと、前記遮光パターン
の各々の表面、または裏面、または表面および裏面に反
射防止膜が形成されたフォトマスク。 - 【請求項２】 透明基板と、前記透明基板の面上に形成
された遮光パターンと、前記透明基板と前記遮光パター
ン上に選択的に形成され、その表面が平坦である位相シ
フトパターンが形成されたフォトマスク。 - 【請求項３】 位相シフトパターンの端部において、透
明基板に接する部分における前記位相シフトパターンの
膜厚が徐々に薄くなっていることを特徴とする請求項２
記載のフォトマスク。 - 【請求項４】 位相シフトパターンの端部において、透
明基板に接する部分における前記位相シフトパターンの
段差が徐々に小さくなっていることを特徴とする請求項
２記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 透明基板と、前記透明基板の面上に形成
された所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成さ
れた遮光膜からなる遮光パターンと、前記凹部内に形成
された前記遮光パターンを有する前記透明基板上に選択
的に形成され、その表面が平坦な位相シフトパターンを
形成したフォトマスク。 - 【請求項６】 透明基板に接する部分の位相シフトパタ
ーンの端部の膜厚が徐々に薄くなった構成を備えた請求
項５記載のフォトマスク。 - 【請求項７】 透明基板と、前記透明基板の面上に形成
された所定数の凹部と、前記凹部内のそれぞれに形成さ
れた遮光膜からなる遮光パターンと、前記凹部内に形成
された前記遮光パターンを有する前記透明基板に形成さ
れた位相シフトパターンを備えたフォトマスク。 - 【請求項８】 透明基板と接する位相シフトパターンの
端部の膜厚が徐々に薄くなった構造を有することを特徴
とする請求項７記載のフォトマスク。 - 【請求項９】 位相シフトパターンは、レベンソン型位
相シフトパターンを含むことを特徴とする請求項２から
請求項８のうちのいずれか１項記載のフォトマスク。 - 【請求項１０】 位相シフトパターンは、補助シフター
型位相シフトパターンを含むことを特徴とする請求項２
から請求項８のうちのいずれか１項記載のフォトマス
ク。 - 【請求項１１】 位相シフトパターンは、エッジ強調型
位相シフトパターンを含むことを特徴とする請求項２，
請求項５または請求項７のうちのいずれか１項記載のフ
ォトマスク。 - 【請求項１２】 位相シフトパターンは、ハーフトーン
型位相シフトパターンを含むことを特徴とする請求項
２，５，７のうちのいずれか１項記載のフォトマスク。 - 【請求項１３】 位相シフトパターンは、遮光パターン
付ハーフトーン型位相シフトパターンを含むことを特徴
とする請求項２，請求項５または請求項７のうちのいず
れか１項記載のフォトマスク。 - 【請求項１４】 位相シフトパターンは、遮光パターン
付シフター遮光型位相シフトパターンを含むことを特徴
とする請求項２，請求項５または請求項７のうちのいず
れか１項記載のフォトマスク。 - 【請求項１５】 位相シフトパターンは、中間位相型位
相シフトパターンを含むことを特徴とする請求項２，請
求項５または請求項７のうちのいずれか１項記載のフォ
トマスク。 - 【請求項１６】 透明基板上にレジスト膜を形成する工
程と、放射線により前記レジスト膜を選択的に露光した
後に現像して所定のパターンを形成する工程と、前記レ
ジスト膜をマスクにして前記透明基板を選択エッチング
して前記透明基板に凹部を形成する工程と、前記レジス
ト膜を剥離する工程と、前記凹部に第１の反射防止膜を
形成する工程と、前記第１の反射防止膜を形成した凹部
内に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を化学的機械
的研磨して遮光パターンを形成する工程と、前記遮光パ
ターン上に第２の反射防止膜を形成する工程をさらに含
み、あるいは前記第１の反射防止膜および前記第２の反
射防止膜を形成する工程のいずれかの工程のみからなる
フォトマスク製造方法。 - 【請求項１７】 透明基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記透明基板および前記遮光パターン上に位相
シフト膜を塗布する工程と、放射線により前記位相シフ
ト膜を選択的にエッチングして、位相シフトパターンを
形成する工程と、前記位相シフトパターンの表面を化学
的機械的研磨して、所定の膜厚を有する位相シフトパタ
ーンを形成する工程とを含むフォトマスク製造方法。 - 【請求項１８】 位相シフトパターンを形成する工程の
後に、放射線により前記位相シフトパターンを選択エッ
チングする工程と、エッチングされた前記位相シフトパ
ターンの表面を化学的機械的研磨して、所定の膜厚を有
する平坦な位相シフトパターンを形成する工程とをさら
に含むことを特徴とする請求項１７記載のフォトマスク
製造方法。 - 【請求項１９】 透明基板上に遮光パターンを形成する
工程の後に、前記遮光パターン上にレジスト膜を形成す
る工程と、放射線により前記レジスト膜を選択エッチン
グし、レジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンをマスクにして前記透明基板を選択エッチン
グする工程と、前記レジストパターンを剥離する工程
と、化学的機械的研磨する工程とをさらに含むことを特
徴とする請求項１７記載のフォトマスク製造方法。 - 【請求項２０】 透明基板上にレジスト膜を形成する工
程と、放射線により前記レジスト膜を選択的に露光した
後に現像して所定のパターンを形成する工程と、前記レ
ジスト膜をマスクにして前記透明基板を選択エッチング
して前記透明基板に凹部を形成する工程と、前記レジス
ト膜を剥離する工程と、前記凹部内に遮光膜を形成する
工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨して遮光パター
ンを形成する工程と、位相シフト膜を前記透明基板上に
形成する工程と、放射線により前記位相シフト膜を選択
的にエッチングして、位相シフトパターンを形成する工
程からなるフォトマスク製造方法。 - 【請求項２１】 放射線により位相シフト膜を選択的に
エッチングして、位相シフトパターンを形成する工程の
後に、透明基板上に形成された前記位相シフトパターン
の化学的機械的研磨を行うことをさらに含むことを特徴
とする請求項２０記載のフォトマスク製造方法。 - 【請求項２２】 透明基板上にレジスト膜を形成する工
程と、放射線により前記レジスト膜を選択的に露光した
後に現像して所定のパターンを形成する工程と、前記レ
ジスト膜をマスクにして前記透明基板を選択エッチング
して前記透明基板に凹部を形成する工程と、前記レジス
ト膜を剥離する工程と、前記凹部内に遮光膜を形成する
工程と、前記遮光膜を化学的機械的研磨して遮光パター
ンを形成する工程と、前記遮光パターンが形成された前
記透明基板上にレジスト膜を形成する工程と、放射線に
より前記レジスト膜を選択的にエッチングする工程と、
前記透明基板を選択的にエッチングする工程とからなる
フォトマスク製造方法。 - 【請求項２３】 放射線により透明基板を選択的にエッ
チングする工程の後に、化学的機械的研磨を実施する工
程をさらに含むことを特徴とする請求項２２記載のフォ
トマスク製造方法。 - 【請求項２４】 放射線として電子線を使用することを
特徴とする請求項１６から請求項２３のうちのいずれか
１項記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２５】 放射線としてレーザ光を使用すること
を特徴とする請求項１６から請求項２３のうちのいずれ
か１項記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２６】 放射線として単色光を使用することを
特徴とする請求項１６から請求項２３のうちのいずれか
１項記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項２７】 請求項１から請求項１５のうちのいず
れか１項記載のフォトマスクを使用した半導体集積回路
装置の製造方法。 - 【請求項２８】 請求項１から請求項１５のうちのいず
れか１項記載のフォトマスクを使用した液晶ディスプレ
イの製造方法。 - 【請求項２９】 請求項１６から請求項２６のうちのい
ずれか１項記載のフォトマスクの製造方法を含む半導体
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項３０】 請求項１６から請求項２６のうちのい
ずれか１項記載のフォトマスクの製造方法を含む液晶デ
ィスプレイの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP695699A JP2000206671A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| US09/320,946 US6737198B2 (en) | 1999-01-13 | 1999-05-26 | Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit |
| DE19941408A DE19941408A1 (de) | 1999-01-13 | 1999-08-31 | Fotomaske, Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske, sowie Verfahren zur Herstellung eines integrierten Halbleiterschaltkreises |
| KR1019990037299A KR100335297B1 (ko) | 1999-01-13 | 1999-09-03 | 포토 마스크, 포토 마스크의 제조 방법, 및 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP695699A JP2000206671A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000206671A true JP2000206671A (ja) | 2000-07-28 |
| JP2000206671A5 JP2000206671A5 (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=11652689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP695699A Pending JP2000206671A (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6737198B2 (ja) |
| JP (1) | JP2000206671A (ja) |
| KR (1) | KR100335297B1 (ja) |
| DE (1) | DE19941408A1 (ja) |
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