JPH0695354A - 光学マスク - Google Patents
光学マスクInfo
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- JPH0695354A JPH0695354A JP24179692A JP24179692A JPH0695354A JP H0695354 A JPH0695354 A JP H0695354A JP 24179692 A JP24179692 A JP 24179692A JP 24179692 A JP24179692 A JP 24179692A JP H0695354 A JPH0695354 A JP H0695354A
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- phase shift
- phase
- optical mask
- shift transmission
- transmission part
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】透過光に位相差を与える位相シフタを有し、半
導体装置等の製造の際に使用される投影露光装置用の光
学マスクに関し、位相シフトを用いる場合に、露光マー
ジンを向上すること。 【構成】入射光の位相をシフトしない０°位相シフト透
過部５と、 前記入射光の位相を 180°シフトする 180
°位相シフト透過部６と、 ０°〜 180°の間の位相で
前記入射光をシフトさせる中間位相シフト透過部７と、
前記中間位相シフト透過部７による位相シフトに対して
180°反転した位相で前記入射光を位相シフトさせる反
転中間位相シフト透過部８とを含む。
導体装置等の製造の際に使用される投影露光装置用の光
学マスクに関し、位相シフトを用いる場合に、露光マー
ジンを向上すること。 【構成】入射光の位相をシフトしない０°位相シフト透
過部５と、 前記入射光の位相を 180°シフトする 180
°位相シフト透過部６と、 ０°〜 180°の間の位相で
前記入射光をシフトさせる中間位相シフト透過部７と、
前記中間位相シフト透過部７による位相シフトに対して
180°反転した位相で前記入射光を位相シフトさせる反
転中間位相シフト透過部８とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学マスクに関し、よ
り詳しくは、透過光に位相差を与える位相シフタを有
し、半導体装置等の製造の際に使用される投影露光装置
用の光学マスクに関する。
り詳しくは、透過光に位相差を与える位相シフタを有
し、半導体装置等の製造の際に使用される投影露光装置
用の光学マスクに関する。
【０００２】近年の超ＬＳＩの開発においては、高速
化、高集積化を実現するために、ハーフミクロン以下の
パターン形成が必要となってきた。このような微細化を
実現するために、パターン形成の基本であるリソグラフ
ィ工程では、量産性と解像性に優れた縮小投影露光装置
（ステッパー）の採用が必須のものとなっている。
化、高集積化を実現するために、ハーフミクロン以下の
パターン形成が必要となってきた。このような微細化を
実現するために、パターン形成の基本であるリソグラフ
ィ工程では、量産性と解像性に優れた縮小投影露光装置
（ステッパー）の採用が必須のものとなっている。
【０００３】しかし、装置の進歩よりも微細化が早く進
んだため、ステッパーの公称解像度を越えるパターンサ
イズの形成が要求されていおり、レジスト材料やレジス
トプロセスの改良により、装置の性能を限界まで引出す
必要がある。また、装置の限界を向上させる技術とし
て、光学マスクの一部に露光光の位相を反転させる位相
板を設けた位相シフト露光法がある。
んだため、ステッパーの公称解像度を越えるパターンサ
イズの形成が要求されていおり、レジスト材料やレジス
トプロセスの改良により、装置の性能を限界まで引出す
必要がある。また、装置の限界を向上させる技術とし
て、光学マスクの一部に露光光の位相を反転させる位相
板を設けた位相シフト露光法がある。
【０００４】
【従来の技術】位相シフト露光法では、マスク上の光透
過部に交互に位相シフタを配置する必要があるが、実際
の超ＬＳＩに適用すると、位相シフタを矛盾なくマスク
上に配置することは困難である。
過部に交互に位相シフタを配置する必要があるが、実際
の超ＬＳＩに適用すると、位相シフタを矛盾なくマスク
上に配置することは困難である。
【０００５】例えば、半導体集積回路に用いるパターン
を幾つかに分けて０°と 180°の位相シフタを配置すれ
ば、０°位相シフタと 180°位相シフタが接する箇所も
生じてくる。
を幾つかに分けて０°と 180°の位相シフタを配置すれ
ば、０°位相シフタと 180°位相シフタが接する箇所も
生じてくる。
【０００６】このような矛盾を避けて位相シフタを配置
するために、０°位相シフタと 180°位相シフタの境界
に、90°という中間の位相をもつシフタを配置するか、
又は、その境界領域を個別に露光する二重露光が必要に
なる。
するために、０°位相シフタと 180°位相シフタの境界
に、90°という中間の位相をもつシフタを配置するか、
又は、その境界領域を個別に露光する二重露光が必要に
なる。
【０００７】しかし、後者の二重露光によれば、光学マ
スクを変えて二度露光する分だけスループットが低下
し、しかも、シフタパターンの完全な位置合わせを行う
ことが難しくなるので、歩留りが悪くなる。
スクを変えて二度露光する分だけスループットが低下
し、しかも、シフタパターンの完全な位置合わせを行う
ことが難しくなるので、歩留りが悪くなる。
【０００８】そこで、90°位相シフト透過部を設ける光
学マスクが提案されている。90°位相シフタを備えた光
学マスクとしては、例えば図７(a),(b) に示すようなパ
ターンがある。
学マスクが提案されている。90°位相シフタを備えた光
学マスクとしては、例えば図７(a),(b) に示すようなパ
ターンがある。
【０００９】図７(a) は、ライン＆スペースのパターン
を有する光学マスクであって、そのラインパターン７１
上には０°位相シフト透過部７２と 180°位相シフト透
過部７３を有し、その境界部分に90°位相シフト透過部
７４を設けたものである。
を有する光学マスクであって、そのラインパターン７１
上には０°位相シフト透過部７２と 180°位相シフト透
過部７３を有し、その境界部分に90°位相シフト透過部
７４を設けたものである。
【００１０】この場合、０°位相シフト透過部７２同士
や 180°位相シフト透過部７３同士が隣り合わないよう
に互い違いに配置されている。図７(b) は、ライン＆ス
ペースのラインパターン７４、７５を遮光膜７６により
２分割するとともに、それらの向かい合う側の端部をそ
れぞれ橋絡パターン７７、７８により接続した光学マス
クを示している。
や 180°位相シフト透過部７３同士が隣り合わないよう
に互い違いに配置されている。図７(b) は、ライン＆ス
ペースのラインパターン７４、７５を遮光膜７６により
２分割するとともに、それらの向かい合う側の端部をそ
れぞれ橋絡パターン７７、７８により接続した光学マス
クを示している。
【００１１】そして、各ラインパターン７４、７５の縦
と横の方向には、０°位相シフト透過部７９と 180°位
相シフト透過部８０が交互に配置され、さらに、橋絡パ
ターン７７、７８のうちラインパターン７４、７５の 1
80°位相シフト透過部８０に繋がる部分はそのまま 180
°位相シフト透過部となり、また、０°位相シフト透過
部７９に繋がる部分は90°位相シフト透過部８１となる
ようになっている。
と横の方向には、０°位相シフト透過部７９と 180°位
相シフト透過部８０が交互に配置され、さらに、橋絡パ
ターン７７、７８のうちラインパターン７４、７５の 1
80°位相シフト透過部８０に繋がる部分はそのまま 180
°位相シフト透過部となり、また、０°位相シフト透過
部７９に繋がる部分は90°位相シフト透過部８１となる
ようになっている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７(a) に示
す光学マスクによれば、90°位相シフト透過部７４が遮
光膜７０を挟んで縦方向に続けて配置されているので、
90°位相シフト透過部７４を通して回折する光が十分に
相殺されなくなり、位相シフトが部分的に機能しなくな
る。
す光学マスクによれば、90°位相シフト透過部７４が遮
光膜７０を挟んで縦方向に続けて配置されているので、
90°位相シフト透過部７４を通して回折する光が十分に
相殺されなくなり、位相シフトが部分的に機能しなくな
る。
【００１３】しかも、90°位相シフト透過部７４を透過
する光の強度は、図８に示すように小さくなり、露光マ
ージンが低下し、パターンに欠陥が生じやすくなるとい
った問題がある。
する光の強度は、図８に示すように小さくなり、露光マ
ージンが低下し、パターンに欠陥が生じやすくなるとい
った問題がある。
【００１４】これに対して、図７(c) に示すように、90
°位相シフト透過部７４を千鳥状に並べることも可能で
あるが、これによれば、互いに90°の位相差のあるシフ
ト透過部７０、７３、７４が遮光膜７０を挟んで縦方向
に交互に並ぶので、それらの間の領域では位相シフタに
よる効果が半減し、露光マージンの低下は免れない。
°位相シフト透過部７４を千鳥状に並べることも可能で
あるが、これによれば、互いに90°の位相差のあるシフ
ト透過部７０、７３、７４が遮光膜７０を挟んで縦方向
に交互に並ぶので、それらの間の領域では位相シフタに
よる効果が半減し、露光マージンの低下は免れない。
【００１５】一方、図７(b) に示す光学マスクによれ
ば、向かい合う２つの短絡パターン７７、７８内の 180
°位相シフト透過部８０と90°シフト透過部８１は、そ
れぞれ遮光膜７６を挟んで互いに向かい合うことになる
が、それらの間の領域の光は、90°の位相差によっては
十分に打ち消されず、露光マージンの低下という問題が
生じている。
ば、向かい合う２つの短絡パターン７７、７８内の 180
°位相シフト透過部８０と90°シフト透過部８１は、そ
れぞれ遮光膜７６を挟んで互いに向かい合うことになる
が、それらの間の領域の光は、90°の位相差によっては
十分に打ち消されず、露光マージンの低下という問題が
生じている。
【００１６】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、位相シフトを用いる場合に、露光マージ
ンを向上できる光学マスクを提供することを目的とす
る。
ものであって、位相シフトを用いる場合に、露光マージ
ンを向上できる光学マスクを提供することを目的とす
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、入射光の位相をシフトしない０°位相
シフト透過部５と、 前記入射光の位相を 180°シフト
する 180°位相シフト透過部６と、０°〜 180°の間位
相で前記入射光をシフトさせる中間位相シフト透過部７
と、前記中間位相シフト透過部７による位相シフトに対
して 180°反転した位相で前記入射光を位相シフトさせ
る反転中間位相シフト透過部８とを有することを特徴と
する光学マスクにより達成する。
例示するように、入射光の位相をシフトしない０°位相
シフト透過部５と、 前記入射光の位相を 180°シフト
する 180°位相シフト透過部６と、０°〜 180°の間位
相で前記入射光をシフトさせる中間位相シフト透過部７
と、前記中間位相シフト透過部７による位相シフトに対
して 180°反転した位相で前記入射光を位相シフトさせ
る反転中間位相シフト透過部８とを有することを特徴と
する光学マスクにより達成する。
【００１８】または、前記中間位相シフト透過部７と前
記反転中間位相シフト透過部８は、それぞれ前記０°位
相シフト透過部５と前記 180°位相シフト透過部６との
境界に別々に形成されていることを特徴とする光学マス
クにより達成する。
記反転中間位相シフト透過部８は、それぞれ前記０°位
相シフト透過部５と前記 180°位相シフト透過部６との
境界に別々に形成されていることを特徴とする光学マス
クにより達成する。
【００１９】または、前記中間位相シフト透過部７と前
記反転中間位相シフト透過部８は、遮光膜２を介して近
傍に配置されていることを特徴とする光学マスクにより
達成する。
記反転中間位相シフト透過部８は、遮光膜２を介して近
傍に配置されていることを特徴とする光学マスクにより
達成する。
【００２０】または、前記中間位相は、−90°又は 270
°であることを特徴とする光学マスクによって達成す
る。
°であることを特徴とする光学マスクによって達成す
る。
【００２１】
【作 用】本発明によれば、０°と180 °の位相シフタ
を有するとともに、０°〜 180°の間の位相シフタと、
これに 180°反転する位相シフタを備えている。
を有するとともに、０°〜 180°の間の位相シフタと、
これに 180°反転する位相シフタを備えている。
【００２２】したがって、０°位相シフタと 180°位相
シフタの境界同士が接近する場合に、中間位相シフタと
反転位相シフタをそれらの境界に別々に配置すれば、そ
れらの境界では 180°の位相シフト効果が生じるので、
光強度の低下が抑えられ、露光マージンが拡大する。
シフタの境界同士が接近する場合に、中間位相シフタと
反転位相シフタをそれらの境界に別々に配置すれば、そ
れらの境界では 180°の位相シフト効果が生じるので、
光強度の低下が抑えられ、露光マージンが拡大する。
【００２３】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例を示す光学マスクの平面図
と断面図である。
いて説明する。 （ａ）本発明の第１実施例の説明 図１は、本発明の第１実施例を示す光学マスクの平面図
と断面図である。
【００２４】図１において符号１は、−90°位相となる
石英マスク基板で、その上には、クロムよりなる遮光膜
２が形成され、その遮光膜２には間隔をおいて開口され
た複数のラインパターン３、４が形成されており、ライ
ンパターン３、４を通過した光が石英マスク基板１を通
り抜けるように構成されている。
石英マスク基板で、その上には、クロムよりなる遮光膜
２が形成され、その遮光膜２には間隔をおいて開口され
た複数のラインパターン３、４が形成されており、ライ
ンパターン３、４を通過した光が石英マスク基板１を通
り抜けるように構成されている。
【００２５】また、各ラインパターン３、４の上には０
°位相シフト透過部５と 180°位相シフト透過部６が設
けられ、また、ラインパターン３の０°位相シフト透過
部５は、両隣のラインパターン４の 180°位相シフト透
過部６の間に挟まれるように配置されている。また、０
°位相シフト透過部５と 180°位相シフト透過部６の境
界は縦方向に一列に配置され、各ラインパターン３の境
界には、それぞれ90°位相シフト透過部７と−90°位相
シフト透過部８が交互に配置されている。
°位相シフト透過部５と 180°位相シフト透過部６が設
けられ、また、ラインパターン３の０°位相シフト透過
部５は、両隣のラインパターン４の 180°位相シフト透
過部６の間に挟まれるように配置されている。また、０
°位相シフト透過部５と 180°位相シフト透過部６の境
界は縦方向に一列に配置され、各ラインパターン３の境
界には、それぞれ90°位相シフト透過部７と−90°位相
シフト透過部８が交互に配置されている。
【００２６】上記した０°位相シフト透過部５と90°位
相シフト透過部７と 180°位相シフト透過部６には、そ
れぞれ、入射光を０°、90°、 180°の位相でシフトし
て石英マスク基板１から出射させ得る膜厚をもつ第一の
SiO2膜１０、第二のSiO2膜１１、第三のSiO2膜１２が形
成されている。
相シフト透過部７と 180°位相シフト透過部６には、そ
れぞれ、入射光を０°、90°、 180°の位相でシフトし
て石英マスク基板１から出射させ得る膜厚をもつ第一の
SiO2膜１０、第二のSiO2膜１１、第三のSiO2膜１２が形
成されている。
【００２７】次に、上記した光学マスクの作用について
説明する。上記した光学マスクを使用すれば、ラインパ
ターン３、４の間の遮光膜２の下には回折により光が回
り込むが、隣合うラインパターン３、４は、全て 180°
ずつ位相反転して光が透過するので、パターン間にある
遮光膜２の下の光強度は露光に支障のない程度まで低下
することになる。
説明する。上記した光学マスクを使用すれば、ラインパ
ターン３、４の間の遮光膜２の下には回折により光が回
り込むが、隣合うラインパターン３、４は、全て 180°
ずつ位相反転して光が透過するので、パターン間にある
遮光膜２の下の光強度は露光に支障のない程度まで低下
することになる。
【００２８】また、ラインパターン３、４の幅とその間
隔、即ちライン＆スペースの幅を0.３５μｍとし、90°
位相シフト透過部７と−90°位相シフト透過部８のライ
ン方向の長さを0.４μｍとして、ラインパターン３のＡ
−Ａ線に沿った光強度を調べたところ、図２に示すよう
な結果が得られた。
隔、即ちライン＆スペースの幅を0.３５μｍとし、90°
位相シフト透過部７と−90°位相シフト透過部８のライ
ン方向の長さを0.４μｍとして、ラインパターン３のＡ
−Ａ線に沿った光強度を調べたところ、図２に示すよう
な結果が得られた。
【００２９】なお、露光の際には、レンズ開口数を０．
５４、コヒーレンスファクタσを0.３とするとともに、
露光光としてｉ線（波長；３６５nm）を使用した。これ
によれば、１つのラインパターン３の90°位相シフト透
過部７とその周辺の光強度は、−90°位相シフト透過部
８を設けない従来の光学マスクを用いた場合の（図８）
に示す光強度よりも大きくなっている。
５４、コヒーレンスファクタσを0.３とするとともに、
露光光としてｉ線（波長；３６５nm）を使用した。これ
によれば、１つのラインパターン３の90°位相シフト透
過部７とその周辺の光強度は、−90°位相シフト透過部
８を設けない従来の光学マスクを用いた場合の（図８）
に示す光強度よりも大きくなっている。
【００３０】また、図２と図８の破線に示すように０．
７５μｍの焦点ズレがある場合であっても、−90°位相
シフタと90°位相シフタを交互に設けた本実施例の方が
光強度が大きく、露光対象となるレジストを十分に開口
できることが分かる。
７５μｍの焦点ズレがある場合であっても、−90°位相
シフタと90°位相シフタを交互に設けた本実施例の方が
光強度が大きく、露光対象となるレジストを十分に開口
できることが分かる。
【００３１】次に、上記したi-線用の光学マスクの形成
方法を図３、図４に基づいて説明する。まず、ｉ線に対
して−90°の位相となる石英マスク基板１を用い、その
上にクロムよりなる遮光膜２を積層する。ついで、フォ
トリソグラフィー法により遮光膜２をパターニングし、
図１(a) に示すように、直線状に開口した複数のライン
パターン３、４を間隔をおいて形成する。この場合のラ
インパターン３、４の幅とその間にある遮光膜２の幅を
それぞれ０．３５μｍとする。
方法を図３、図４に基づいて説明する。まず、ｉ線に対
して−90°の位相となる石英マスク基板１を用い、その
上にクロムよりなる遮光膜２を積層する。ついで、フォ
トリソグラフィー法により遮光膜２をパターニングし、
図１(a) に示すように、直線状に開口した複数のライン
パターン３、４を間隔をおいて形成する。この場合のラ
インパターン３、４の幅とその間にある遮光膜２の幅を
それぞれ０．３５μｍとする。
【００３２】次に、図３(a),図４(a) に示すように、石
英マスク基板１の上に、位相シフタとなるSiO2膜１４を
ＣＶＤ法により５７００Åの厚さに積層する。続いて、
図３(b),図４(b) に示すように、フォトレジスト１５を
塗布し、これを露光、現像して90°位相シフト透過部７
及び−90°位相シフト透過部８に合わせて窓１５、１６
を形成する。そして、窓１５、１６から露出したSiO2膜
１４をドライエッチング法により１９００Åだけ薄層化
し、ついでフォトレジスト１５を剥離する。
英マスク基板１の上に、位相シフタとなるSiO2膜１４を
ＣＶＤ法により５７００Åの厚さに積層する。続いて、
図３(b),図４(b) に示すように、フォトレジスト１５を
塗布し、これを露光、現像して90°位相シフト透過部７
及び−90°位相シフト透過部８に合わせて窓１５、１６
を形成する。そして、窓１５、１６から露出したSiO2膜
１４をドライエッチング法により１９００Åだけ薄層化
し、ついでフォトレジスト１５を剥離する。
【００３３】この後に、図３(c),図４(c) に示すよう
に、再びフォトレジスト１８を塗布、露光、現像して０
°位相シフト透過部５及び−90°位相シフト透過部８の
形成位置に窓１９を形成する。
に、再びフォトレジスト１８を塗布、露光、現像して０
°位相シフト透過部５及び−90°位相シフト透過部８の
形成位置に窓１９を形成する。
【００３４】これにつづいて、窓１９から露出したSiO2
膜１４を３８００Åだけエッチング除去し、０°位相シ
フト透過部５には１９００Åの厚さのSiO2膜１４を残す
とともに、−90°位相シフト透過部８ではSiO2膜１４を
完全に除去する。そして最後にフォトレジスト１８を剥
離すると、図３(d) 及び図４(d) に示すように、厚さの
異なるSiO2膜１４からなる位相シフタが形成される。
膜１４を３８００Åだけエッチング除去し、０°位相シ
フト透過部５には１９００Åの厚さのSiO2膜１４を残す
とともに、−90°位相シフト透過部８ではSiO2膜１４を
完全に除去する。そして最後にフォトレジスト１８を剥
離すると、図３(d) 及び図４(d) に示すように、厚さの
異なるSiO2膜１４からなる位相シフタが形成される。
【００３５】この場合、SiO2膜１４は、厚さ１９００Å
で90°の位相差を与えるので、以上の工程により形成さ
れる光学マスクは、図１に示すような構造になる。な
お、90°と−90°の中間の位相シフタの代わりに、90°
と270 °の位相シフタを設けても同じ結果が得られる。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 図５は、第２実施例の光学マスクの平面図とその光強度
分布図である。
で90°の位相差を与えるので、以上の工程により形成さ
れる光学マスクは、図１に示すような構造になる。な
お、90°と−90°の中間の位相シフタの代わりに、90°
と270 °の位相シフタを設けても同じ結果が得られる。 （ｂ）本発明の第２実施例の説明 図５は、第２実施例の光学マスクの平面図とその光強度
分布図である。
【００３６】図５(a) において、７ａは、90°位相シフ
ト透過部、８ａは、−90°位相シフト透過部であって、
それらの幅をインパターン３、４よりも広くした点で第
１実施例と相違する。なお、図５の符号のうち、図１と
同じものは同じ要素を示している。
ト透過部、８ａは、−90°位相シフト透過部であって、
それらの幅をインパターン３、４よりも広くした点で第
１実施例と相違する。なお、図５の符号のうち、図１と
同じものは同じ要素を示している。
【００３７】このような光学マスクを使用して、第１実
施例と同様な条件で光強度の計算を行い、その光強度を
調べたところ、Ｃ−Ｃ線断面における90°位相シフト透
過部の光強度は図５(b) に示すようになった。実線で示
す光強度分布は、焦点ズレが無い場合であり、第１実施
例に比べて露光マージンが大きくなる。また、破線は
０．７５μｍの焦点ズレがある場合を示しており、図８
に示す従来装置の露光強度に比べて90°位相シフト領域
における光強度の落ち込み幅が狭くなり、より露光マー
ジンが拡大する。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 図６は、本発明の第３実施例の光学マスクを示す平面図
である。
施例と同様な条件で光強度の計算を行い、その光強度を
調べたところ、Ｃ−Ｃ線断面における90°位相シフト透
過部の光強度は図５(b) に示すようになった。実線で示
す光強度分布は、焦点ズレが無い場合であり、第１実施
例に比べて露光マージンが大きくなる。また、破線は
０．７５μｍの焦点ズレがある場合を示しており、図８
に示す従来装置の露光強度に比べて90°位相シフト領域
における光強度の落ち込み幅が狭くなり、より露光マー
ジンが拡大する。 （ｃ）本発明の第３実施例の説明 図６は、本発明の第３実施例の光学マスクを示す平面図
である。
【００３８】図６において符号２１は、−90°位相とな
る石英マスク基板で、その上にはクロムよりなる遮光膜
２２が形成されており、その遮光膜２２には横方向に延
びる直線状のラインパターン２３が、間隔をおいて縦に
複数本形成されている。
る石英マスク基板で、その上にはクロムよりなる遮光膜
２２が形成されており、その遮光膜２２には横方向に延
びる直線状のラインパターン２３が、間隔をおいて縦に
複数本形成されている。
【００３９】また、それらのラインパターン２３は遮光
膜２２を介して２つに分割されており、それらの向かい
合う端部にはそれぞれ橋絡用ラインパターン２５、２６
が縦方向に延在されている。
膜２２を介して２つに分割されており、それらの向かい
合う端部にはそれぞれ橋絡用ラインパターン２５、２６
が縦方向に延在されている。
【００４０】また、縦方向に平行に配置された複数本の
ラインパターン２３には、それぞれ交互に０°位相シフ
ト透過部２７と 180°位相シフト透過部２８が配置さ
れ、しかも、同じ直線上にあって遮光膜２２により分割
された２つのラインパターン２３の一方は０°位相シフ
ト透過部２７となり、他方は 180°位相シフト透過部２
８となるように構成されている。
ラインパターン２３には、それぞれ交互に０°位相シフ
ト透過部２７と 180°位相シフト透過部２８が配置さ
れ、しかも、同じ直線上にあって遮光膜２２により分割
された２つのラインパターン２３の一方は０°位相シフ
ト透過部２７となり、他方は 180°位相シフト透過部２
８となるように構成されている。
【００４１】また、向かい合う２つの橋絡用のラインパ
ターン２５、２６の一方は、90°位相シフト透過部２９
となり、他方は−90°位相シフト透過部３０となってい
る。このような光学マスクを使用すれば、対向する２つ
の橋絡用ラインパターン２５、２６の位相差がそれぞれ
180°となるので、この間の領域の光強度が大幅に低下
するとともに、橋絡用ラインパターン２５、２６の光強
度が高くなり、露光マージンが大きくなる。
ターン２５、２６の一方は、90°位相シフト透過部２９
となり、他方は−90°位相シフト透過部３０となってい
る。このような光学マスクを使用すれば、対向する２つ
の橋絡用ラインパターン２５、２６の位相差がそれぞれ
180°となるので、この間の領域の光強度が大幅に低下
するとともに、橋絡用ラインパターン２５、２６の光強
度が高くなり、露光マージンが大きくなる。
【００４２】この結果、露光によるパターンの欠陥が大
幅に低減される。
幅に低減される。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、０°
と180 °の位相シフタを有するとともに、０°〜 180°
の中間の位相シフタと、これに対して 180°反転する位
相シフタを設けるようにしたので、０°位相シフタと 1
80°位相シフタの境界同士が接近する場合に、中間位相
シフタと反転位相シフタをそれらの境界に別々に配置し
て、それらの境界とその間の領域において位相シフト効
果を生じさせることができ、光強度の低下を抑え、露光
マージンを拡大することができる。
と180 °の位相シフタを有するとともに、０°〜 180°
の中間の位相シフタと、これに対して 180°反転する位
相シフタを設けるようにしたので、０°位相シフタと 1
80°位相シフタの境界同士が接近する場合に、中間位相
シフタと反転位相シフタをそれらの境界に別々に配置し
て、それらの境界とその間の領域において位相シフト効
果を生じさせることができ、光強度の低下を抑え、露光
マージンを拡大することができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す光学マスクの平面図
と、そのＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図である。
と、そのＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図である。
【図２】本発明の第１実施例の光強度分布図である。
【図３】本発明の第１実施例の光学マスクの製造工程を
示す断面図（その１）である。
示す断面図（その１）である。
【図４】本発明の第１実施例の光学マスクの製造工程を
示す断面図（その２）である。
示す断面図（その２）である。
【図５】本発明の第２実施例の光学マスクを示す平面図
と、その光強度分布図である。
と、その光強度分布図である。
【図６】本発明の第３実施例の光学マスクを示す平面図
である。
である。
【図７】従来の光学マスクを示す平面図である。
【図８】従来の光学マスクによる光強度分布図である。
１、21 石英マスク基板 ２、22 遮光膜 ３、４、23 ラインパターン ５、27 ０°位相シフト透過部 ６、28 180 °位相シフト透過部 ７、７ａ、29 90°位相シフト透過部 ８、８ａ、30 −90°位相シフト透過部 25、26 橋絡用ラインパターン
Claims (4)
- 【請求項１】入射光の位相をシフトしない０°位相シフ
ト透過部（５）と、 前記入射光の位相を 180°シフトする 180°位相シフト
透過部（６）と、 ０°〜 180°の間の位相で前記入射光をシフトさせる中
間位相シフト透過部（７）と、 前記中間位相シフト透過部（７）による位相シフトに対
して 180°反転した位相で前記入射光を位相シフトさせ
る反転中間位相シフト透過部（８）とを有することを特
徴とする光学マスク。 - 【請求項２】前記中間位相シフト透過部（７）と前記反
転中間位相シフト透過部（８）は、それぞれ前記０°位
相シフト透過部（５）と前記 180°位相シフト透過部
（６）との境界に別々に形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の光学マスク。 - 【請求項３】前記中間位相シフト透過部（７）と前記反
転中間位相シフト透過部（８）は、遮光膜（２）を介し
て近傍に配置されていることを特徴とする請求項１記載
の光学マスク。 - 【請求項４】前記中間位相は、−90°又は 270°である
ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の光学マス
ク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24179692A JPH0695354A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光学マスク |
| US08/118,173 US5428478A (en) | 1992-09-10 | 1993-09-09 | Optical mask and exposure method using the optical mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24179692A JPH0695354A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光学マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0695354A true JPH0695354A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17079643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24179692A Withdrawn JPH0695354A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | 光学マスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5428478A (ja) |
| JP (1) | JPH0695354A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2007511800A (ja) * | 2003-11-17 | 2007-05-10 | トッパン、フォウタマスクス、インク | 位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させる方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3315254B2 (ja) * | 1994-07-11 | 2002-08-19 | 三菱電機株式会社 | 減衰型位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| JP4344224B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2009-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学マスクおよびｍｏｐａレーザ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5161059A (en) * | 1987-09-21 | 1992-11-03 | Massachusetts Institute Of Technology | High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements |
| US5073007A (en) * | 1990-06-11 | 1991-12-17 | Holo-Or Ltd. | Diffractive optical element |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP24179692A patent/JPH0695354A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-09-09 US US08/118,173 patent/US5428478A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000206671A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法 |
| JP2007511800A (ja) * | 2003-11-17 | 2007-05-10 | トッパン、フォウタマスクス、インク | 位相シフト・フォトマスク、およびウェハ上の構造の印刷性を向上させる方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5428478A (en) | 1995-06-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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